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Dokumentenidentifikation DE3903121A1 09.08.1990
Titel Amorphisierungsverfahren zur Strukturierung eines Halbleiterkörpers
Anmelder Licentia Patent-Verwaltungs-GmbH, 6000 Frankfurt, DE
Erfinder König, Ulf, Dr.-Ing.;
Kuisl, Maximilian, Dr.rer.nat., 7900 Ulm, DE
DE-Anmeldedatum 02.02.1989
DE-Aktenzeichen 3903121
Offenlegungstag 09.08.1990
Veröffentlichungstag im Patentblatt 09.08.1990
IPC-Hauptklasse H01L 21/31
IPC-Nebenklasse H01L 21/469   H01L 21/265   H01L 21/425   H01L 21/90   
IPC additional class // H01L 27/00,29/72,29/86  
Zusammenfassung Das erfindungsgemäße Amorphisierungsverfahren findet Verwendung bei der Strukturierung und Isolierung von Halbleiterbauelementen in einer insbesondere aus ein- und polykristallinen Bereichen bestehenden Schichtenfolge. Durch Hochdosenimplantation werden in der Schichtenfolge amorphe, hochohmige Zonen erzeugt, die sowohl in der Halbleiterschichtenfolge ausgebildete Bauelemente voneinander elektrisch isolieren als auch zur Strukturierung von Leiterbahnen verwendet werden.

Beschreibung[de]

Die Erfindung betrifft ein Amorphisierungsverfahren zur Strukturierung eines Halbleiterkörpers nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.

Die Erfindung findet Verwendung bei der Herstellung von zwei- oder dreidimensionalen, integrierten Schaltungen oder bei der Herstellung von Einzelbauelementen wie Dioden, Transistoren u.a. Halbleiterbauelementen.

Die Amorphisierungs-Implantation wird in der Bauelementherstellung verwendet. In der DE-OS 35 27 098 ist ein Verfahren zur Erhöhung des Emitterwiderstandes angegeben, bei dem vor der Ionenimplantation für den Emitterbereich eine Amorphisierung des Bereichs durch Implantation von nicht dotierend wirkenden Ionen durchgeführt wird. Die Dosis und Energie bei der Implantation wird so eingestellt, daß Amorphisierung im gewünschten Bereich eintritt, aber nach später folgender Temperung keine übermäßigen Kristallgitterschäden auftreten. Dadurch wird der sogenannte Channeling Effekt im amorphen Material unterdrückt und die Diffusion der Dotierstoffe bei nachfolgenden Temperaturschritten gebremst.

Die herkömmliche Separation von Halbleiterbauelementen in einer Schichtenfolge erfolgt durch Implantation von z.B. Fe, H&spplus; oder O in einkristalline Halbleiterbereiche der Schichtenfolge zur Erzeugung von hochohmigen Zonen, die aktive Bauelementbereiche voneinander trennen oder durch Ätzen von Gräben um das jeweilige Bauelement in der Halbleiterschichtenfolge.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, mit dem in verfahrenstechnisch einfacher und okonomischer Weise die Strukturierung und elektrische Isolierung von Halbleiterbauelementen und die Herstellung von elektrischen Zuleitungen zu den Halbleiterbauelementen realisierbar ist.

Diese Aufgabe wird gelöst durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmale. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen sind den Unteransprüchen zu entnehmen.

Die Erfindung hat den Vorteil, daß insbesondere bei den mit der differentiellen Epitaxie hergestellten Bauelementen und Schaltungen in den polykristallinen Bereichen Leiterbahnen ausgebildet werden, die sowohl planar an der Oberfläche der Bauelemente angeordnet sind als auch in der Bauelementschichtenfolge vergraben sein können. Dabei kann die Amorphisierung des Halbleitermaterials der Schichtenfolge im Wechsel mit einer Niedertemperaturabscheidung von weiteren Halbleiterschichten erfolgen.

Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen beschrieben unter Bezugnahme auf schematische Zeichnungen.

In den Fig. 1 bis 3 und 8 sind verschiedene Möglichkeiten der Bauelementisolierung durch amorphisierte Zonen in einer Halbleiterschichtenfolge dargestellt.

In den Fig. 4 bis 6 und 9 ist die Herstellung von elektrischen Zuleitungen für aktive Bauelemente in einer Schichtenfolge durch die bereichsweise Amorphisierung von Halbleiterbereichen dargestellt.

Die Fig. 7a bis 7d zeigen dreidimensional in einer Schichtenfolge angeordnete Halbleiterbauelemente, die durch amorphisierte, hochohmige Zonen isoliert sind und deren elektrische Zuleitungen in der Halbleiterschichtenfolge durch bereichsweise Amorphisierung der elektrisch leitenden, polykristallinen Bereiche gebildet werden.

Gemäß den Fig. 1 bis 3 wird auf einem einkristallinen Halbleitersubstrat 1 aus z. B. Si oder GaAs eine amorphe Schicht 2 aus z.B. SiO2 aufgebracht und derart strukturiert, daß das Halbleitersubstrat 1 teilweise freiliegt. Anschließend werden durch differentielle Epitaxie-Verfahren, beispielsweise mit der Molekularstrahl-Epitaxie (MBE) ein- und polykristalline Halbleiterbereiche 3,4 auf dem freiliegenden Halbleitersubstrat und auf der amorphen Schicht 2 hergestellt. Der einkristalline Halbleiterbereich 3 bildet den aktiven Bauelementbereich. Die Herstellung von Halbleiterbauelementen aus einer Schichtenfolge aus ein- und polykristallinen Bereichen ist u.a. in den DE-OS 35 45 238 und DE-OS 35 45 242 beschrieben.

In Fig. 1 besteht der aktive Bauelementbereich lediglich aus einer leitenden Einzelschicht 5, z.B.aus einer n&spplus;-dotierten Si-Schicht mit einer Ladungsträgerkonzentration von ungefähr 5×1018 cm3 und einer Schichtdicke von etwa 0,5 µm. Auf die Einzelschicht 3 ist ein metallischer Kontakt 8 aufgebracht. Der an die einkristalline Si-Schicht angrenzende polykristalline Bereich 5A aus Si ist ebenfalls n-leitend. Um den aktiven Bauelementbereich 5 von anderen leitenden Bereichen zu separieren, wird der angrenzende, leitendende, polykristalline Si-Bereich 5A teilweise durch Hochdosenimplantation mit z.B. Si oder Ge mit einer Dosis von 1014 bis 1016 cm-2 amorphisiert. Es entstehen die hochohmigen Zonen 9 aus amorphem Si.

In Fig. 2 wird auf der amorphen Schicht 2 aus z.B. SiO2 und dem freiliegenden Halbleitersubstrat 1 aus z.B. Si eine Schichtenfolge aus je einer n-dotierten, p-dotierten und p&spplus;-dotierten Si-Schicht epitaktisch aufgewachsen. Auf der amorphen Schicht 2 bilden sich polykristalline Bereiche 4 aus den polykristallinen Si-Schichten 5A, 6A, 7Aund auf dem Halbleitersubstrat 1 wird der einkristalline Bauelementbereich 3 aus den einkristallinen Si-Schichten 5, 6, 7 abgeschieden. Die Leitfähigkeiten der ein- und polykristallinen Bereiche unterscheiden sich insbesondere dadurch, daß die niedrig dotierten Si-Schichten 5A, 6A im polykristallinen Bereich 4 hochohmig sind mit einem spezifischen elektrischen Widerstand von etwa 105 Ωcm und die entsprechenden einkristallinen Si-Schichten 5, 6 im Bauelementenbereich niederohmig sind mit einem spezifischen elektrischen Widerstand von ungefähr 1 bis 10 Ωcm. Die hochdotierte Si-Schicht 7 bzw. 7A hat im ein- wie im polykristallinen Bereich einen spezifischen elektrischen Widerstand von etwa 10-2 Ωcm. Ein im einkristallinen Bereich 3 hergestelltes Bauelement wäre deshalb über die leitende, polykristalline Schicht 7A mit anderen in der Schichtenfolge ausgebildeten Bauelementen kurzgeschlossen. Durch Hochdosenimplantation mit Si oder Ge mit einer Dosis von ca. 1015 cm-2 und einer Energie von z.B. 100 keV wird die leitende, polykristalline Si-Schicht 7A in einem an den einkristallinen Bereich 3 angrenzenden Randbereich amorphisiert. Damit die entstehende hochohmige Zone 10 so tief ist, daß eine Isolierung der leitenden, einkristallinen Si-Schicht 7 gewährleistet ist, ist es vorteilhaft die Ionen-Implantation bis in die niedrig dotierten Si-Schichten 5A, 6A durchzuführen. Infolge der Prozeßtemperaturen findet eine teilweise Rekristallisierung in den amorphen Bereichen der Halbleiterschichtenfolge statt, so daß die Tiefe der hochohmigen Zone 10 verringert wird. Damit ein möglichst geringer Ausheilprozeß stattfindet, müssen die Prozeßtemperaturen nach der Amorphisierung niedriger als 800°C sein. Für die Herstellung von Bauelementen bzw. Schaltungen mit amorphisierten Bereichen zur Bauelementisolation eignen sich aus den o.g. Gründen insbesondere Niedertemperatur-Epitaxie-Verfahren wie z.B. die MBE oder die MOCVD (Molecular Organic Chemical Vapor Deposition). Anderenfalls trägt man der Verringerung der Amorphisierungstiefe infolge von Prozeßtemperaturen dadurch Rechnung, daß die Implantationszone anfangs tiefer als später erforderlich eingebracht wird, so daß noch der temperaturbedingten Verringerung die Tiefe der Implantationszone noch zur Isolation der Schicht ausreicht noch zur Isolation der Schicht ausreicht.

In einem weiteren Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 3 besteht die auf dem einkristallinen Halbleitersubstrat 1 und der amorphen Schicht 2 aufgewachsene Halbleiterschichtenfolge aus je einer n-dotierten, p&spplus;-dotierten und n&supmin;-dotierten Si-Schicht. Auf dem einkristallinen Halbleitersubstrat 1 entsteht der aktive Bauelementbereich 3 mit den einkristallinen Si-Schichten 5, 6, 7 und auf der amorphen Schicht 2 bilden sich polykristalline Bereiche 4 mit den polykristallinen Si-Schichten 5A, 6A, 7A. Die gut leitenden ein- und polykristallinen Schichten 6, 6A sind zwischen niedrig dotierten, isolierenden polykristallinen Si- Schichten 5A, 7A vergraben. Um ein aus den einkristallinen Si-Schichten 5, 6, 7 bestehendes Bauelement elektrisch zu isolieren müssen hochohmige Zonen 12 im polykristallinen Bereich 4 erzeugt werden, die bis in die polykristalline Si-Schicht 5A reichen. Durch eine Hochdosenimplantation mit einer Dosis von ca. 1015 cm-2 und einer Energie von ca. 200 keV werden amorphisierte, hochohmige Zonen 12 hergestellt.

Im polykristallinen Grenzbereich 11 können die hochohmigen Zonen 12 erzeugt werden (Fig. 3).

In den Fig. 4 bis 6 sind verschiedene Möglichkeiten zur Herstellung von elektrischen Zuleitungen in einem Halbleiterkörper, bestehend aus einer Halbleiterschichtenfolge entsprechend den vorherigen Ausführungsbeispielen, dargestellt. Die Strukturierung der Halbleiterschichtenfolge durch Amorphisierung von bestimmten Halbleiterbereichen ermöglicht die Herstellung von lateralen elektrischen Zuleitungen im polykristallinen Halbleitermaterial. Die in den polykristallinen Bereichen 4 des Halbleiterkörpers hergestellten elektrischen Zuleitungen verbinden die in den einkristallinen Bereichen 3 des Halbleiterkörpers ausgebildeten aktiven Bauelemente in geeigneter Weise. Für eine derartige elektrische Verbindung von Bauelementen in einer Halbleiterschichtenfolge bestehend aus ein- und polykristallinen Bereichen muß

  • a) zu einer hochdotierten, einkristallinen Halbleiterschicht im Bauelementbereich eine entsprechend dotierte, gut leitende Halbleiterschicht im polykristallinen Bereich und
  • b) zu einer gering dotierten, einkristallinen Halbleiterschicht im Bauelementbereich eine entsprechend dotierte, aber hochohmige Halbleiterschicht im polykristallinen Bereich vorliegen.


Eine gutleitende, polykristalline Halbleiterschicht kann auf eine hochohmige, polykristalline Halbleiterschicht aufgebracht werden oder zwischen hochohmige, polykristalline Halbleiterschichten eingebettet werden.

Durch eine geeignete Amorphisierung der polykristallinen Bereiche werden dann entweder in der obersten polykristallinen Halbleiterschicht der Schichtenfolge Leiterbahnen hergestellt (Fig. 4) oder die Leiterbahnen werden in der Schichtenfolge vergraben (Fig. 6). Die in den Fig. 4 bis 6 eingezeichneten Pfeile, kennzeichnen die stromführende Halbleiterschicht.

Gemäß Fig. 4 wird in einer Schichtenfolge aus einkristallinen und polykristallinen, niedrig dotierten Halbleiterschichten 5, 5A, 6, 6A und hochdotierten, ein- und polykristallinen Halbleiterschichten 7, 7A aus z. B. GaAs eine Leiterbahn 7B in der obersten, polykristallinen Halbleiterschicht 7A an der Oberfläche des Halbleiterkörpers hergestellt. Die polykristalline Halbleiterschicht 7A wird bis auf einen für eine Leiterbahn geeignet gewählten Bereich z.B. mit Elementen der III. Gruppe amorphisiert. Dabei muß die Tiefe der Hochdosenimplantation derart gewählt werden, daß ein hochohmiger Bereich 13 mit einer Tiefe größer als die Schichtdicke der Halbleiterschicht 7A entsteht. Die Leiterbahn 7B verbindet beispielsweise die einkristalline Halbleiterschicht 7 des Bauelementbereiches 3 mit weiteren in der Halbleiterschichtenfolge angeordneten Bauelementen.

Ein weiteres Ausführungsbeispiel für eine in der Schichtenfolge vergrabene Leiterbahn ist in Fig. 5 dargestellt. Die ein- und polykristallinen Halbleiterschichten 5, 5A, 7, 7A sind gering dotiert und die dazwischen angeordneten ein- und polykristallinen Halbleiterschichten 6, 6A sind gut leitend. Eine derartige n&supmin;p&spplus;n-Schichtstruktur besitzen z.B. Bipolar- oder Heterobipolartransistoren. Eine Amorphisierungszone 14 wird tiefer als die polykristalline Halbleiterschicht 6A implantiert und es bleiben die nicht amorphisierten Bereiche 6B, 7B der polykristallinen Halbleiterschichten 6A, 7A. bestehen. Da der nicht amorphisierte, polykristalline Bereich 7B der n--dotierten, polykristallinen Halbleiterschicht 7A und die polykristalline gering dotierte Halbleiterschicht 5A hochohmig sind, wird der elektrische Strom lediglich im polykristallinen Bereich 6B geführt. Dieser polykristalline, leitende Bereich 6B bildet eine vergrabene Leiterbahn zur Bauelementschicht 6.

Besteht eine beispielhafte Halbleiterschichtenfolge aus n&supmin; -dotierten, p&spplus;-dotierten und n&spplus;-dotierten ein- und polykristallinen Halbleiterschichten 5, 5A, 6, 6A, 7, 7A aus GaAs, so wird zur Ausbildung einer Leiterbahn für die p&spplus;dotierte Bauelementschicht 6 z.B. eines Bipolartransistors eine zweistufige Amorphisierung durchgeführt (Fig. 6). Zuerst wird eine amorphisierte Zone 14 senkrecht zu den polykristallinen Halbleiterschichten 6A, 7A gemäß Fig. 5 erzeugt und anschließend wird der verbleibende leitende, polykristalline Bereich 7B der polykristallinen Halbleiterschicht 7A durch Hochdosenimplantation z.B. mit einem Element der III. Gruppe in eine hochohmige amorphe Zone 15 umgewandelt. Die hochohmige, polykristalline Halbleiterschicht 5A und die hochohmigen Zonen 14, 15 gewährleisten, daß lediglich im leitenden, polykristallinen Bereich 6B elektrischer 8trom geführt wird.

Die Herstellung von elektrischen Zuleitungen für dreidimensional in einer Halbleiterschichtenfolge angeordnete Bauelemente wird in den Fig. 7a bis 7d dargestellt. Auf einem einkristallinen Halbleitersubstrat 1 wird eine amorphe Schicht 2 aufgebracht und derart strukturiert, daß das Halbleitersubstrat teilweise freiliegt. Anschließend wird beispielsweise eine Halbleiterschichtenfolge aus ein- und polykristallinen Halbleiterschichten 5, 5A, 6, 6A, 7, 7A erzeugt (Fig. 7a). Um eine Leiterbahn in der polykristallinen Halbleiterschicht 7A herzustellen, wird eine hochohmige Zone 14 durch Hochdosenimplantation erzeugt, die bis in die polykristalline Halbleiterschicht 5A reicht (Fig. 7b). Eine derartig tiefe Amorphisierung der polykristallinen Halbleiterschichten ist erforderlich, da durch später auszuführende Epitaxie-Prozesse zur Herstellung weiterer Halbleiterschichten eine Rekristallisation im amorphiesierten Halbleitermaterial aufgrund der erforderlichen Prozeßtemperaturen stattfindet und dadurch die Tiefe der amorphisierten Zone verringert wird. Die nachfolgenden Niedertemperatur-Epitaxie-Verfahren, z.B. MBE oder MOCVD, werden vorteilhafterweise bei Temperaturen von weniger als 800°C durchgeführt, so daß lediglich ein geringer Ausheilprozeß im durch die Hochdosenimplantation zerstörten Kristallgitter des polykristallinen Halbleitermaterials stattfindet und eine genügend tiefe, hochohmige Zone 14 erhalten bleibt.

Durch teilweise Amorphisierung der polykristallinen Halbleiterschicht 7A wird die Leiterbahn 7B ausgebildet (Fig. 7b). Anschließend werden weitere Halbleiterschichten mit der MBE oder MOCVD auf die einkristalline Halbleiterschicht 7, die amorphisierte, hochohmige Zone 14 und die Leiterbahn 7B aufgewachsen. Gleichzeitig wachsen auf dem einkristallinen Bereich der Halbleiterschichtenfolge die einkristallinen Halbleiterschichten 15, 16, 17, auf der amorphisierten Zone 14 die polykristallinen Halbleiterschichten 15A, 16A, 17A und auf der polykristallinen Leiterbahn 7B ebenfalls polykristalline Halbleiterschichten 15B, 16B, 17B, die jedoch eine andere polykristalline Struktur als die auf der amorphisierten Zone 14 abgeschiedenen Halbleiterschichten 15A, 16A, 17A besitzen. Während des Epitaxie-Prozesses schrumpft die hochohmige, amorphe Zone 14 auf eine Tiefe die jedoch mindestens der Schichtdicke der Leiterbahn 7B entspricht (Fig. 7c). Anschließend können durch weitere Amorphisierungs- und Epitaxie-Prozesse Leiterbahnen und Bauelementisolierungen hergestellt werden, so daß komplexe dreidimensionale Schaltungen aufgebaut werden können (Fig. 7d).

In einem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 8 ist eine weitere Möglichkeit zur Bauelementisolierung mit amorphen Zonen 14 angegeben. Auf einem einkristallinen Halbleitersubstrat 1 aus z.B. Si wird ganzflächig eine Halbleiterschichtenfolge aus den n&supmin;-dotierten, p&supmin;-dotierten und p&spplus;-dotierten Si- Schichten 5, 6, 7 aufgewachsen. Nach Abscheiden der Schichten 5, 6, 7 wird der aktive Bauelementbereich 3 durch Einbringen von amorphen Zonen 14 festgelegt. Die amorphen Zonen 14 werden durch Hochdosenimplantation mit z.B. Si hergestellt. Eine vollständige Trennung des aktiven Bauelementbereiches 3 von anderen aktiven Bauelementen wird dadurch erreicht, daß die Zonen 14 senkrecht zur gesamten Schichtenfolge verlaufen.

Eine laterale elektrische Zuleitung zum Bauelementbereich 3 in der einktristallinen Halbleiterschichtenfolge kann dadurch hergestellt werden, daß die amorphen Zonen 15 senkrecht zu den Halbleiterschichten 6, 7 verlaufen und die Halbleiterschicht 5 die elektrische Zuleitung zu den aktiven Bauelementschichten 5, 6, 7 bildet (Fig. 9).

Das erfindungsgemäße Amorphisierungsverfahren zur Strukturierung und Isolierung von Halbleiterbauelementen und deren elektrischen Verbindungen eignet sich insbesondere für die Bauelementherstellung aus Schichtenfolgen mit ein- und polykristallinen Bereichen, denn bei derartigen Schichtenfolgen werden die vorteilhaften Eigenschaften des polykristallinen Materials ausgenützt: gering dotiertes polykristallines Material isoliert und hoch dotiertes polykristallines Material ist elektrisch leitend. Die amorphisierten Zonen in einer aus ein- und polykristallinen Bereichen aufgebauten Schichtenfolge müssen nicht senkrecht zur gesamten Schichtenfolge verlaufen, wie dies in einer einkristallinen Schichtenfolge für die Bauelementisolierung erforderlich ist (Fig. 8), sondern sie müssen lediglich so tief sein, daß die elektrisch leitenden Bauelementschichten durch hochohmige, polykristalline Bereiche der Schichtenfolge von einander isoliert sind. Des weiteren hat eine aus ein- und polykristallinen Bereichen bestehende Halbleiterschichtenfolge den Vorteil, daß im polykristallinen Bereich Leiterbahnen herstellbar sind, die aus leitenden polykristallinen Halbleiterschichten bestehen und die in hochohmige polykristalline oder amorphisierte Schichten eingebettet sind.


Anspruch[de]
  1. 1. Verfahren zur Strukturierung und Isolierung eines Halbleiterkörpers bestehend aus einer Halbleiterschichtenfolge, in der zumindest ein aktives Halbleiterbauelement hergestellt wird, bei welchen durch Ionenimplantation in der Halbleiterschichtenfolge amorphe Bereiche erzeugt werden, dadurch gekennzeichnet,
    1. - daß die gewünschte Tiefe der amorphen Bereiche dauerhaft erhalten wird durch geeignete Wahl der Implantationstiefe und der Temperatur für die nachfolgenden Prozeßschritte,
    2. - daß durch die amorphen Bereiche aktive Bauelementbereiche des Halbleiterkörpers voneinander elektrisch isoliert werden.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
    1. - daß mit differentiellen Niedertemperatur-Epitaxie- Verfahren gewachsene Halbleiterschichtenfolgen mit ein- und polykristallinen Bereichen (3, 4) strukturiert werden, wobei die aktiven Halbleiterbauelemente im einkristallinen Bereich (3) ausgebildet werden.
  3. 3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die polykristallinen Bereiche (4) der Halbleiterschichtenfolge, die an die einkristallinen Bereiche (3) angrenzen, amorphisiert werden, derart, daß senkrecht zur Halbleiterschichtenfolge unterschiedlich tiefe, hochohmige Zonen (9, 10) durch Ionenimplantation erzeugt werden (Fig. 1 und Fig. 2).
  4. 4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß im Grenzbereich (11) der ein- und polykristallinen Bereiche der Halbleiterschichtenfolge durch Ionenimplantation die ein- und polykristallinen Bereiche (3, 4) amorphisiert werden und unterschiedlich tiefe, hochohmige Zonen (12) erzeugt werden (Fig. 3) .
  5. 5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß im polykristallinen Bereich (4) der Halbleiterschichtenfolge die leitenden Halbleiterschichten (6A, 7A) derart bereichsweise amorphisiert werden, daß durch die nicht amorphisierten Gebiete der leitenden, polykristallinen Halbleiterschichten (6A oder 7A) elektrische Zuleitungen (6B oder 7B) zu den aktiven Halbleiterbauelementen des Halbleiterkörpers hergestellt werden.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrischen Zuleitungen (7B) an der Oberfläche des Halbleiterkörpers angebracht werden (Fig. 4).
  7. 7. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrischen Zuleitungen (6B) in der Halbleiterschichtenfolge vergraben angelegt werden (Fig. 6).
  8. 8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
    1. - daß die Halbleiterschichtenfolge durch Abscheiden und anschließendes teilweises Amorphisieren der Halbleiterschichten derart strukturiert wird, daß dreidimensional gestapelte Halbleiterbauelemente mit entsprechenden elektrischen Zuleitungen ausgebildet werden, und
    2. - daß die elektrischen Zuleitungen und die Halbleiterbauelemente durch hochohmige Bereiche voneinander elektrisch isoliert werden (Fig. 7d).
  9. 9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine einkristalline epitaktische Halbleiterschichtenfolge derart strukturiert wird, daß senkrecht zur Halbleiterschichtenfolge hochohmige Zonen (14) durch Amorphisieren des Halbleitermaterials erzeugt werden, die benachbarte aktive Bauelementbereiche voneinander isolieren (Fig. 9).
  10. 10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der ein- und poly-kristalline Halbleiterkörper aus Si, SiGe oder GaAs, GaAlAs hergestellt wird.
  11. 11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitermaterial des Halbleiterkörpers mit Si- oder Ge- Ionen durch Hochdosenimplantation amorphisiert wird.






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