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Dokumentenidentifikation DE4009675A1 04.10.1990
Titel Verfahren zur Herstellung von Influenz-Halbleiterbauelementen und damit hergestelltes Halbleiterbauelement
Anmelder Matsushita Electric Works, Ltd., Kadoma, Osaka, JP
Erfinder Suzumura, Masahiko, Ibaraki, Osaka, JP;
Katoaka, Kazushi, Osaka, JP;
Komoda, Takuya, Sanda, Hyogo, JP
Vertreter Prinz, E., Dipl.-Ing.; Leiser, G., Dipl.-Ing.; Schwepfinger, K., Dipl.-Ing.; Bunke, H., Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.; Degwert, H., Dipl.-Phys., Pat.-Anwälte, 8000 München
DE-Anmeldedatum 26.03.1990
DE-Aktenzeichen 4009675
Offenlegungstag 04.10.1990
Veröffentlichungstag im Patentblatt 04.10.1990
IPC-Hauptklasse H01L 21/334
IPC additional class // H01L 29/76  
Zusammenfassung Ein Verfahren zur Herstellung eines Influenz-Halbleiterbauelementes umfaßt die Ausbildung von Gatezonen (13) auf einer Oberfläche eines Halbleitersubstrates (11), den Überzug der die Gatezonen (13) enthaltenden Oberfläche mit einem Oxidfilm (14), die Ausbildung von Öffnungen (15) im Oxidfilm (14) zur Schaffung von Kathodenzonen (16) im Substrat (11), wobei die Öffnungen (15) jeweils mit jeder Gatezone (13) teilweise überlappen und die Ausbildung der Kathodenzonen (16) durch Wärmediffusion von Fremdatomen durch die Öffnungen (15) geschieht, weshalb die Kathodenzonen (16) mit den Gatezonen (13) teilweise überlappen. Sowohl die Konzentration der Störstellen als auch die Diffusionstiefe der auf diese Weise hergestellten Störstellendiffusionszonen (13, 16) können dadurch stabilisiert werden, außerdem können eventuell die elektrischen Eigenschaften des Anreicherungs-Influenz-Halbleiterbauelementes hinreichend stabil gemacht werden.

Beschreibung[de]

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Influenz-Halbleiterbauelementen und damit hergestellte Halbleiterbauelemente.

Das Influenz(static induction) -Halbleiterbauelement der betreffenden Art kann vorteilhaft in einer Schaltung benutzt werden, in der beispielsweise ein Anreicherungs- Halbleiterbauelement verwendet wird.

In Jp 54-92 180-A (S. Iwanai) ist ein Beispiel des betreffenden Influenz-Halbleiterbauelementes offenbart, bei dem eine Mesaätzung zusammen mit einer selektiven Oxidation einer Oberfläche des Halbleitersubstrates ausgeführt wird, um in diesem Gates auszubilden, und bei dem leitende Siliziumkristalle mittels eines CVD-Verfahrens oder ähnlichem auf als Drains auszubildenden Oberflächenbereichen haftend angebracht werden. Bei diesem bekannten Bauelement besteht jedoch das Problem, daß die elektrischen Eigenschaften instabil sind, weil die Tiefe der Drain-Zonen oder die Schwankung des Flächenwiderstandes zu groß sind. Das heißt, daß ein Störstellenprofil wie etwa die Störstellenkonzentration und die Diffusionstiefe aufgrund des Anhaftens des leitenden Siliziumkristalls auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats und aufgrund von dessen Wärmediffusion in das Substrat wahrscheinlich weder stabil noch gleichmäßig gemacht werden kann.

Beim genannten Influenz-Halbleiter hängen die Stehspannungseigenschaften zwischen dem Gate und dem Drain vom Abstand von der dem Drain entsprechenden Position und von der Störstellenkonzentration insbesondere des zugeordneten Bereichs zwischen heterogenen Störstellenzonen ab; hierbei besteht jedoch das Problem, daß ein solcher Abstand und eine solche Konzentration aufgrund des instabilen Störstellenprofils zu Schwankungen veranlaßt werden, wodurch die Stehspannung zwischen dem Gate und dem Drain instabil gemacht wird. Ferner hängt im oben genannten Influenz-Halbleiterbauelement die Gate-Schwellenspannung von der Kanalbreite zwischen den als Gate- Zonen fungierenden Störstellendiffusionszonen ab, so daß es im Falle des Anreicherungstyps wünschenswert ist, die Kanalbreite so klein wie möglich herzustellen, während das Problem aufgrund des instabilen Störstellenprofils beträchtlich erhöht wird, wenn die Kanalbreite kleiner gemacht wird.

Weitere Influenz-Halbleiterbauelemente sind in JP 60 955-A (Y. Gyomoto), JP 56-71 979-A (H. Ikoma usw. offenbart, sie sind aber nicht auf einem höheren Niveau als das vorangehende Bauelement von S. Iwanai und lösen das im Stand der Technik entstandene Problem nicht.

Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung eines Anreicherungs- Influenz-Halbleiterbauelementes und ein damit hergestelltes Halbleiterbauelement zu schaffen, wobei in dem Bauelement, um als Anreichungstyp verwendbar zu sein, ein Störstellenprofil wie etwa die Störstellenkonzentration und die Diffusionstiefe im wesentlichen gleichmäßig gemacht werden kann, so daß die Stehspannungscharakteristik zwischen dem Gate und der Kathode stabilisiert und die Kanalbreite hinreichend klein gemacht werden kann, und somit die Gate-Schwellenspannung optimal festgesetzt werden kann.

Die obige Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung eines Anreicherungs-Influenz- Halbleiterbauelementes, in dem auf einer Oberfläche eines Halbleitersubstrates Gatezonen aufbauende Störstellendiffusionszonen und außerdem weitere, Kathodenzonen aufbauende Störstellenzonen ausgebildet werden, in dem auf den die Gatezonen aufbauenden Störstellendiffusionszonen Gatelektroden und auf den die Kathodenzonen aufbauenden Störstellendiffusionszonen Kathodenelektroden ausgebildet werden und in dem auf einer auf einer Rückseite des Substrates ausgebildeten, eine Anodenzone aufbauenden Störstellendiffusionszone eine Anodenelektrode ausgebildet wird, dadurch gekennzeichnet, daß die die Kathodenzonen aufbauenden Störstellendiffusionszonen dadurch ausgebildet werden, daß ein Oxidfilm zum Bedecken derjenigen Oberfläche des Halbleitersubstrates, auf der die die Gatezonen aufbauenden Störstellendiffusionszonen ausgebildet werden, vorgesehen wird, daß Öffnungen zur Ausbildung der die Kathodenzonen aufbauenden Störstellendiffusionszonen im Oxidfilm vorgesehen werden, daß die die Kathodenzonen aufbauenden Störstellendiffusionszonen mittels einer Wärmediffusion von Fremdatomen, die durch die Öffnungen in die Oberfläche geleitet werden, ausgebildet werden, so daß die Kathodenzonen die die Gatezonen aufbauenden Störstellendiffusionszonen teilweise überlappen, daß in den Öffnungen ein dünner Oxidfilm vorgesehen wird und daß mittels einer Ätzung, die zur selektiven Beseitigung des dünnen Oxidfilms in den Öffnungen ausgeführt wird, Kathoden und Elektroden ausgebildet werden.

Gemäß dem vorangehenden Verfahren zur Herstellung des Influenz-Halbleiterbauelementes können die Schwankung der Störstellenkonzentration oder die Diffusionstiefe minimiert werden, indem die die Kathodenzonen aufbauenden Störstellendiffusionszonen so ausgebildet werden, daß sie teilweise mit den die Gatezonen aufbauenden Störstellendiffusionszonen überlappen, wodurch das Störstellenprofil stabilisiert werden kann, so daß die elektrischen Eigenschaften auch dann wirksam stabilisiert werden können, wenn die Kanalbreite zwischen den entsprechenden, die Gatezonen aufbauenden Störstellendiffusionszonen kleiner gemacht wird.

Die Erfindung wird im folgenden anhand von bevorzugten Ausführungsbeispielen mit Bezug auf die Zeichnung näher erläutert; es zeigen:

Fig. 1a-1g Darstellungen zur Erläuterung der Abfolge der das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung des Influenz-Halbleiterbauteils bildenden grundlegenden Schritte;

Fig. 2a-2c Darstellungen zur Erläuterung der Abfolge der Schritte des erfindungsgemäßen Verfahrens, mit denen das Influenz-Halbleiterbauteil zu einem Anreicherungstyp gemacht wird, anhand eines relevanten Ausschnitts des Bauteils;

Fig. 3 genauer das Influenz-Halbleiterbauteil vom Anreicherungstyp, wie es in den Schritten von Fig. 2 hergestellt wird; und

Fig. 4 eine Darstellung des Störstellenprofils in den entsprechenden, die Gate- und Kathodenzonen aufbauenden Störstellendiffusionszonen des Anreicherungs-Influenz-Halbleiterbauteils von Fig. 3.

Wenn die vorliegende Erfindung nun mit Bezug auf die in den beigefügten Zeichnungen dargestellten Ausführungsformen beschrieben wird, ist zu beachten, daß die Erfindung nicht auf diese Ausführungsformen beschränkt ist, sondern sämtliche Abwandlungen, Änderungen und äquivalente Anordnungen, die innerhalb des Umfangs der Patentansprüche möglich sind, enthält.

In den Fig. 1a bis 1g sind die grundlegenden Schritte des Verfahrens zur Herstellung eines das erfindungsgemäße Influenz-Halbleiterbauelement darstellenden Oberflächengate-Influenzthyristors gezeigt. Zunächst wird, wie in Fig. 1a gezeigt, ein N-dotiertes Siliziumhalbleitersubstrat 11 mit einer auf einer Rückseite des Substrats ausgebildeten, eine Anodenzonen aufbauenden P-dotierten Störstellendiffusionszone 12 und mit Gatezonen aufbauenden, auf der anderen Seite des Substrats 11 ausgebildeten P&spplus;-dotierten Störstellendiffusionszonen 13 versehen, während ferner ein Oxidfilm 14 gebildet wird, um damit die Oberfläche über den Zonen 13 zu überziehen. Dann werden, wie in Fig. 1b gezeigt, Ionenimplantationsöffnungen 15 durch den Oxidfilm 14 erzeugt, so daß die Öffnungen 15 die Oberfläche des Substrates 11 zwischen benachbarten P&spplus;-dotierten Diffusionszonen 13 bei teilweiser Überlappung mit den Zonen 13 freilegen, daß N- Fremdatome wie etwa Phosphor in die freigelegte Oberfläche des Substrates eingelassen werden und daß die eingelassenen Fremdatome einer Wärmediffusion und einer Aktivierung in einer N&sub2;-Gas-Umgebung unterworfen werden. Folglich werden, wie in Fig. 1c gezeigt, Kathodenzonen aufbauende N&spplus;-dotierte Störzellendiffusionszonen 16 ausgebildet, die mit einer Zonenübergangs-Stehspannung versehen sind, welche in bezug auf die die Gatezonen aufbauenden P&spplus;-dotierten Störstellendiffusionszonen 13 entgegengesetzt orientiert ist, anschließend werden die Öffnungen 15 durch einen dünnen Oxidfilm 14a, der eine Dicke von ungefähr einigen 100 Å besitzt, verschlossen, um die Zonen 16 abzudecken. Das heißt, daß dann, wenn das Substrat der Wärmediffusion in der N&sub2;-Gas-Umgebung unterworfen wird, ein sehr dünner natürlicher Oxidfilm in den Öffnungen 15 ausgebildet wird. Im vorliegenden Beispiel wird eine Ionenimplantation eingesetzt, um zur Ausbildung der Kathodenzonen Fremdatome in die Öffnungen 15 zu leiten, es kann jedoch jeder andere Prozeß, beispielsweise ein Abscheidungsprozeß mit POCl3, also mit einer flüssigen Quelle, eingesetzt werden.

Wie in Fig. 1d gezeigt, werden als nächstes durch den Oxidfilm 14 auf der Oberfläche des Siliziumhalbleitersubstrats 11 Kontaktöffnungen 17 für die Gateelektroden erzeugt, um die P&spplus;-dotierten Störstellendiffusionszonen 13 vorzugsweise mittels einer anhand einer auf dem Film 14 vorgesehenen Fotomaskierung ausgeführten Ätzung teilweise freizulegen. Da die die Gatezonen aufbauenden P&spplus;- dotierten Störstellendiffusionszonen 13 so ausgebildet worden sind, daß sie mit einer verhältnismäßig großen Tiefe in das N&supmin;-dotierte Halbleitersubstrat 11 diffundieren und eine verhältnismäßig große Breite auf der Oberfläche des Substrats 11 besitzen, kann die Ausbildung der Kontaktöffnungen 17 im Oxidfilm 14 auf den jeweiligen Zonen 13 sehr leicht mit einer bestimmten Abmessungstoleranz ausgeführt werden. Nach dieser Ausbildung der Öffnungen 17 wird der in den Öffnungen 15 ausgebildete dünne Oxidfilm 14a an ausgewählten Stellen beseitigt, um auf diese Weise Kontaktöffnungen 15a für die Herstellung von Kathodenelektroden auszubilden. Hierbei können die Kontaktöffnungen 15a möglicherweise nur mittels einer geringen Ätzung ohne Ausführung der Fotomaskierung in bezug auf den dünnen Oxidfilm 14a ausgebildet werden. Es ist möglich, den in Fig. 1e gezeigten Zustand dadurch zu erreichen, daß sowohl die Kontaktöffnungen 17 zu dem Halbleitersubstrat 11 zur Schaffung der Gateelektroden als auch die Kontaktöffnungen 15a zu dem Halbleitersubstrat 11 zur Schaffung der Kathodenelektroden mittels der geringen Ätzung, beispielsweise während ungefähr 30 Sekunden mit einer Lösung aus HF:H&sub2;O=1:10, ausgebildet werden. Die erwähnten Ionenimplantationsöffnungen 15 und die Kontaktöffnungen 15a zur Schaffung der Kathodenelektroden können praktisch auf die gleiche Weise ausgebildet werden.

Dann werden, wie in Fig. 1f gezeigt, die Kathodenelektroden 20 bzw. die Gateelektroden 21 konkurrierend aus Aluminium ausgebildet. Weiterhin wird, wie in Fig. 1g gezeigt, auf der P-dotierten Störstellenzone 12 auf der Rückseite des Halbleitersubstrates 11 eine Anodenelektrode 22 ausgebildet, wodurch die Herstellung des Oberflächengate-Influenzthyristors abgeschlossen werden kann. Hierbei stellt der Oxidfilm 14 eine Isolierschicht dar. Es ist leicht einzusehen, daß in dem durch die vorangehenden Herstellungsschritte erstellten Influenzthyristor der Betrag des durch eine Zone mit hohem spezifischen Widerstand, also durch eine Basiszone im Siliziumhalbleitersubstrat 11, fließende elektrische Strom durch Anpassung einer an die Gatelektroden 21 angelegten Spannung gesteuert werden kann. Ferner können die Kontaktöffnungen 17 zur Schaffung der Gateelektroden selbstverständlich nach der Ausbildung der Kontaktöffnungen 15a zur Schaffung der Kathodenelektroden ausgebildet werden, obwohl in den vorangehenden erfindungsgemäßen Herstellungsschritten diese Kontaktöffnungen 17 vor der Ausbildung der Kontaktöffnungen 15a ausgebildet worden sind.

ln den Fig. 2a bis 2c sind die Hauptschritte des Verfahrens zur Herstellung des erfindungsgemäßen Anreicherungs-Influenzthyristors genauer gezeigt. In dem Anreicherungs-Influenzthyristor ist insbesondere eine verhältnismäßig große Strombelastbarkeit erforderlich, so daß die Ionenimplantationsöffnungen 15 zur Ausbildung der Kathodenzonen breiter vorgesehen werden müssen, während die Kanalbreite Cd zwischen benachbarten, die Gatezonen aufbauenden Störstellendiffusionszonen 13 minimal sein muß, so daß die Anordnung von der Art sein muß, daß die Fläche einer jeden Öffnung 15 zur Herstellung der Kathodenzone teilweise mit den benachbarten, die Gatezonen aufbauenden Störstellendiffusionszonen 13 überlappt. Hierbei können die Herstellungsschritte selbst die gleichen sein wie in den Fig. 1a bis 1g gezeigt, während die Ionenimplantationsöffnungen 15 zur Erzielung des Anreicherungs-Thyristors in der Praxis so hergestellt werden müssen, daß jede Ionenimplantationsöffnung 15 teilweise mit den benachbarten Störstellendiffusionszonen 13, die als Gatezonen mit der verhältnismäßig engeren Kanalbreite Cd ausgebildet werden, überlappt, um einander gegenüberliegende Eckbereiche der Zonen 13 freizulegen, wie in Fig. 2a gezeigt. Dann wird durch die Öffnungen 15 die Ionenimplantation mit N-Fremdatomen wie etwa Phosphor ausgeführt, während die Wärmediffusion der implantierten Ionen und deren Aktivierung in einer N2- Gas-Umgebung ausgeführt wird, wodurch die N&spplus;-dotierten Störstellendiffusionszonen 16 zur Schaffung der Kathodenzonen, wie in Fig. 2b gezeigt, ausgebildet werden, wobei die die Kathodenzonen aufbauenden Störstellendiffusionszonen 16 so ausgebildet werden, daß sie mit Randbereichen der die Gatezonen aufbauenden Störstellendiffusionszonen 13 teilweise überlappen. Die die Kathodenzonen aufbauenden Störstellendiffusionszonen 16 können mittels des oben erwähnten Abscheidungsprozesses ausgebildet werden.

Danach werden die auf die die Kathodenzonen aufbauenden Störstellendiffusionszonen 16 bzw. auf die die Gatezonen aufbauenden Störstellendiffusionszonen 13 bezogenen Kathodenelektroden 20 und Gateelektroden 21 in denselben Schritten wie in Fig. 1 gezeigt geschaffen, wobei zwischen ihnen der Oxidfilm 14 angeordnet ist, wie in Fig. 2c gezeigt, während die Anodenelektrode 22 mit Bezug auf die die Anodenzone aufbauende Störstellendiffusionszone 12 geschaffen wird, womit die Herstellung des in Fig. 3 gezeigten Anreicherungs-Influenzthyristors abgeschlossen ist. In diesem in Fig. 3 gezeigten Anreicherungs-Influenzthyristor sind die P-Störstellenkonzentration und die N-Störstellenkonzentration an der PN-Zonenübergangsgrenze zwischen den die Gatezonen aufbauenden Störstellendiffusionszonen 13 und den die Kathodenzonen aufbauenden Störstellendiffusionszonen 16 gleich.

Aus dem in Fig. 4 gezeigten Störstellenprofil, das in der Nähe eines Punktes A auf der Oberfläche des Substrates 11 gemessen wurde, ist ersichtlich, daß der Schnittpunkt der P&spplus;- und der N&spplus;-Störstellenkonzentrationskurven der PN-Zonenübergangsgrenze entspricht. Bei einem bekannten Anreicherungs-Influenzthyristor zeigen die die Kathodenzonen aufbauenden Störstellendiffusionszonen eine beträchtliche Schwankung des Störstellenprofils, so daß sich dann, wenn die Diffusion flach und die Störstellenkonzentration niedrig ist, wie in Fig. 3 gezeigt ist, die PN-Zonenübergangsgrenze an der Position B&min; befindet, so daß der Abstand der Grenze von der Kontaktöffnung 15a zur Ausbildung der Kathodenelektrode unzureichend wird und somit die Gefahr der Entstehung eines Kurzschlusses oder wenigstens einer unzulänglichen Stehspannung zwischen den Gate- und Kathodenzonen entsteht. ln dem erfindungsgemäßen Anreicherungs-Influenzthyristor zeigen andererseits die die Kathodenzonen aufbauenden Störstellendiffusionszonen 16 nur eine geringe und stabile Schwankung hinsichtlich der Störstellenkonzentration und der Diffusionstiefe, so daß die PN-Zonenübergangsgrenze an der Oberfläche des Substrates 11 stabil an einer in Fig. 3 gezeigten Position B angeordnet werden kann, die von der die Kathodenelektrode bildenden Kontaktöffnung 15a ausreichend weit entfernt ist. Selbst wenn die Kontaktöffnungen 15a so ausgebildet werden, daß sie mit den die Gatezonen aufbauenden Störstellendiffusionszonen 13 teilweise überlappen, befindet sich die Zonenübergangsgrenze zwischen diesen Zonen 13 und den die Kathodenzonen aufbauenden Störstellendiffusionszonen 16 an einer in Fig. 3 gezeigten Position X, so daß sie an einer von der Kontaktöffnung 15a entfernt gelegenen Positionen stabil angeordnet werden kann, wobei die in der entgegengesetzten Richtung orientierte Übergangsstehspannung zwischen den Gatezonen und den Kathodenzonen ausreichend eingestellt wird, um das Auftreten jeglichen Kurzschlusses zwischen den Gate- und den Kathodenzonen wirksam zu verhindern.


Anspruch[de]
  1. 1. Verfahren zur Herstellung eines Anreicherungs- Influenz-Halbleiterbauelementes, in dem auf einer Oberfläche eines Halbleitersubstrates Gatezonen aufbauende Störstellendiffusionszonen und außerdem weitere, Kathodenzonen aufbauende Störstellendiffusionszonen ausgebildet werden, in dem auf den die Gatezonen aufbauenden Störstellendiffusionszonen Gatelektroden und auf den die Kathodenzonen aufbauenden Störstellendiffusionszonen-Kathodenelektroden ausgebildet werden und in dem auf einer auf der Rückseite des Halbleitersubstrates ausgebildeten, eine Anodenzone aufbauenden Störstellendiffusionszone eine Anodenelektrode ausgebildet wird, dadurch gekennzeichnet, daß die die Kathodenzonen aufbauenden Störstellendiffusionszonen dadurch ausgebildet werden, daß ein Oxidfilm zum Bedecken derjenigen Oberfläche des Halbleitersubstrates, auf der die die Gatezonen aufbauenden Störstellendiffusionszonen ausgebildet werden, vorgesehen wird, daß Öffnungen zur Ausbildung der die Kathodenzonen aufbauenden Störstellendiffusionszonen im Oxidfilm vorgesehen werden, daß die die Kathodenzonen aufbauenden Störstellendiffusionszonen mittels einer Wärmediffusion von Fremdatomen, die durch die Öffnungen in die Oberfläche geleitet werden, ausgebildet werden, so daß die Kathodenzonen die die Gatezonen aufbauenden Störstellendiffusionszonen teilweise überlappen, daß in den Öffnungen ein dünner Oxidfilm vorgesehen wird und daß mittels einer Ätzung, die zur selektiven Beseitigung des dünnen Oxidfilms in den Öffnungen ausgeführt wird, Kathoden und Elektroden ausgebildet werden.
  2. 2. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Öffnungen zur Ausbildung der die Kathodenzonen aufbauenden Störstellendiffusionszonen so ausgebildet werden, daß sie mit den die Gatezonen aufbauenden Störstellendiffusionszonen teilweise überlappen.
  3. 3. Anreicherungs-Influenz-Halbleiterbauelement mit einem Halbleitersubstrat, mit auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrates vorgesehenen Gatezonen, die jeweils eine auf ihnen geschaffene Gateelektrode aufweisen, mit auf dieser Oberfläche des Halbleitersubstrates ausgebildeten Kathodenzonen, die eine in bezug auf die Gatezonen aufrechterhaltene, ausreichende Spannungsfestigkeit des Überganges in Sperr- Richtung und jeweils eine auf ihnen geschaffene Kathodenelektrode aufweisen, und mit einer auf einer Rückseite des Halbleitersubstrates ausgebildeten Anodenzone, die eine auf ihr ausgebildete Anodenelektrode aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die Kathodenzonen so ausgebildet sind, daß sie mit den Gatezonen teilweise überlappen.
  4. 4. Bauelement gemäß Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Gatezonen so angeordnet sind, daß die Kanalbreite ausreichend klein gemacht wird.






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