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Dokumentenidentifikation DE4033658A1 30.04.1992
Titel Verfahren zur Bearbeitung von Grabenflanken in Halbleitersubstraten
Anmelder Siemens AG, 8000 München, DE
Erfinder Stein, Karl-Ulrich, Dr.-Ing., 8025 Unterhaching, DE
DE-Anmeldedatum 23.10.1990
DE-Aktenzeichen 4033658
Offenlegungstag 30.04.1992
Veröffentlichungstag im Patentblatt 30.04.1992
IPC-Hauptklasse H01L 21/31
IPC-Nebenklasse H01L 21/285   H01L 21/265   H01L 31/18   
IPC additional class // H01L 27/108  
Zusammenfassung Es wird ein Verfahren vorgeschlagen, bei dem ein bestimmter Flankenabschnitt eines in einem Halbleitersubstrat geätzten Grabens ohne zusätzlichen Lithographieschritt bearbeitet werden kann. Dazu werden anisotrope Bearbeitungsschritte in einem ausgewählten Einfallswinkel derart durchgeführt, daß die dem zu bearbeitenden Flankenabschnitt gegenüberliegende Flanken/Substratkante eine Abschattung des unteren Flankenabschnitts erzeugt. Durch weitere anisotrope Bearbeitungsschritte unter geändertem Einfallswinkel lassen sich auch komplexe streifenförmige Strukturen in einfacher Weise mit hoher Genauigkeit erzeugen.

Beschreibung[de]

Gräben und Löcher in der Oberfläche von Halbleitersubstraten können zur Aufnahme von elektrisch leitendem Material, zur Aufnahme von Isolationsmaterial zum Erzeugen einer Grabenisolierung oder mit dotierten Grabenwänden und mit Dielektrikum gefüllt als Trenchzellen dienen.

Mit zunehmender Integrationsdichte von Halbleiterbauelementen gewinnt neben der Strukturierung horizontaler Flächen auch eine vertikale Strukturierung an Bedeutung. Das Konzept der sogenannten 3-D-Integration beinhaltet das übereinander Anordnen von Einzelbauelementen und wird beispielsweise für höchstintegrierte Speicherbauelemente, zum Beispiel für einen 16 M- DRAM verwendet.

Eine andere Kategorie von Bauelementen, die Gräben und andere Vertiefungen auf ihrer Oberfläche aufweisen, stellen bestimmte Typen von Hochleistungssolarzellen aus zum Beispiel kristallinem Silizium dar. Deren Oberfläche ist durch ein regelmäßiges Graben- oder Lochmuster "aufgerauht", um den Anteil der durch Reflexion für die photovoltaische Energieumwandlung verlorenen Sonnenstrahlung zu minimieren. Nicht um eine höhere Dichte von Strukturen zu erzeugen, sondern um Abschattungsverluste zu verringern und so den Wirkungsgrad dieser Solarzellen zu erhöhen, ist auch hier bei der Herstellung eine exakte Strukturierung mit maßgenauen Bearbeitungsschritten notwendig.

Eine derartige Solarzellenstruktur wird beispielsweise in einem Artikel von A. Cuevas et al in IEEE Electron Device Letters, Vol. 11, Nr. 1, 1990, Seiten 6 bis 9 beschrieben. Die aktiven Bereiche der Oberfläche dieser Zelle weisen ein Lochmuster aus invertierten Pyramiden auf. Auf durchgehenden Stegen mit V-förmigem Querschnitt sind punktförmige hochdotierte Zonen angebracht, die über entlang dieser Stege verlaufende Metallstreifen kontaktiert werden. Die dotierten Bereiche werden durch Eröffnung punktförmiger Fenster in einer die gesamte Oberfläche der Solarzelle bedeckenden Oxidschicht und anschließender Eindiffusion von Dotierstoffen (zum Beispiel aus phosphorhaltigem Glas) erzeugt. Diese Dotierfenster werden dabei ausschließlich im oberen Bereich der genannten Stege eröffnet.

Der mit diesem Solarzellentyp erreichte hohe Wirkungsgrad von 26 Prozent unter konzentriertem Licht ist allerdings mit einem äußerst aufwendigen Herstellungsprozeß verbunden. Er erfordert auf der Lichteinfallsseite mindestens vier photolithographische Schritte und mindestens einen auf der Rückseite, wobei eine Strukturfeinheit bis herab zu 2 µm notwendig ist. Erschwerend kommt hinzu, daß ein Teil dieser Lithographieschritte über stark geneigten Flächen und einige wiederum nur in den oberen Flankenabschnitt der Gräben und Löcher durchzuführen sind.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein vereinfachtes Verfahren anzugeben, mit dem gezielt in den oberen Flankenabschnitten von Gräben eine Bearbeitung durchgeführt werden kann, und welches auf eine aufwendige Photolacktechnik verzichtet.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch ein Verfahren zur Bearbeitung eines oberen Flankenabschnittes von in Halbleitersubstrate geätzten Gräben mit einem Teilchenstrom, wobei der Teilchenstrom anisotrop mit einem ausgewählten Einfallswinkel W derart auf die Substratoberfläche gerichtet wird, daß der nicht zu bearbeitende untere Flankenabschnitt durch die im Graben gegenüberliegende Kante der Substratoberfläche abgeschattet wird.

Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen.

Das erfindungsgemäße Verfahren zeichnet sich durch seine Einfachheit aus und kann bei Verwendung ausreichend anisotroper Schritte ein aufwendiges Lithographieverfahren ersetzen. Die Abschattung wird bei geeignetem Einfallswinkel W durch die jeweils in Einfallsrichtung liegende Flanken/Substratkante bewirkt, welche gewissermaßen eine Maske darstellt. Damit ist es möglich, die Bearbeitung ausschließlich in einem oberen Flankenabschnitt durchzuführen und den unteren Flankenabschnitt von der Bearbeitung auszusparen.

Die Genauigkeit des Verfahrens bzw. die Höhe des Kontrasts an der Grenze zwischen unbearbeitetem und bearbeitetem Flankenabschnitt ist abhängig von der Anisotropie des zur Bearbeitung verwendeten Teilchenstromes, von der Beschaffenheit der Substratkanten, von der Struktur der Flankenoberflächen und außerdem vom Einfallswinkel W und vom Flankenwinkel FW, den die Flankenwand gegen die Substratoberfläche bildet.

Das Verfahren kann bei beliebig geformten Gräben angewendet werden. Die Einstellung des Einfallswinkels ist einfach vorzunehmen, zum Beispiel durch Neigung des Substrat gegenüber der Teilchenstromquelle bzw. der Vorzugsrichtung des Teilchenstroms. Sollen bei unterschiedlichen Gräben einzelne von der Bearbeitung ausgenommen werden, so können diese durch eine einfache Photolacktechnik mit Hilfe eines gegenüber der Bearbeitungsart geeigneten Resists abgedeckt werden. Das Verfahren ist also insbesondere zur unterschiedlichen Bearbeitung von Flankenabschnitten, bzw. zur ausschließlichen Bearbeitung eines oberen Flankenabschnittes in entsprechenden Gräben geeignet.

Zur Durchführung des Verfahrens geeignete Gräben können senkrechte oder geneigte Flanken aufweisen, wobei sich der Durchmesser eines Grabens nach unten verengen oder auch erweitern kann, so daß im gewissen Umfang auch überhängende Grabenflanken bearbeitet werden können. Der Flankenwinkel FW, den eine Grabenflanke gegen die Oberfläche bildet, kann über die Grabentiefe variieren, wobei sowohl konvex als auch konkav gewölbte Flanken geeignet sind. Auch im horizontalen Querschnitt ist die Grabenform beliebig, wobei der Begriff Graben im weitesten Sinn auszulegen ist. Geeignet sind runde bis ovale Gräben, die sich auch noch als Loch bezeichnen lassen. Bevorzugt sind jedoch Gräben mit rechteckigem Querschnitt und einem hohen Verhältnis von Grabenlänge zu Grabenbreite. Die Flankenflächen an den Schmalseiten solcher Gräben fallen dabei nicht ins Gewicht, so daß eine entsprechende Bearbeitung eine oder beide der Flanken umfaßt, welche die Längsseiten des Grabens bilden. Zum Vermeiden weiterer und ungewollter Abschattungen bei der Bearbeitung der Flanken ist es weiterhin von Vorteil, wenn diese keine weiteren Ecken und Kanten aufweisen.

Das Aspektverhältnis von zur Bearbeitung geeigneten Gräben kann zwar beliebig hoch sein, darf aber nicht zu niedrig gewählt werden, damit sich bei handhabbaren Einfallswinkeln noch Abschattungen durch die gegenüberliegenden Substratkanten erzeugen lassen.

Die Grabenbreite parallel zur Bearbeitungsrichtung darf nicht zu groß sein, um Unschärfen bei der "Abbildung" zu vermeiden. Sie entspricht dabei gewissermaßen dem Maskenabstand bei einer Photolithographie, welcher mit zunehmender Größe ebefalls Unschärfen bei der Abbildung erzeugt, weil dadurch der negative Einfluß von Streu- und Beugungseffekten sowie vom isotropen Anteil des Teilchenstroms verstärkt wird.

Zur Anwendung im Verfahren sind alle anisotropen Teilchenströme geeignet, wobei als Bearbeitung ein Ätzen oder eine Materialabscheidung resultiert, oder wobei sich die bearbeitete Oberfläche chemisch oder physikalisch verändert. Bearbeitungen mit einem Teilchenstrahl können sein: Ionenstrahl- oder Plasmaätzen, Plasmaabscheidung, CVD-Verfahren, Aufdampfen, Sputterätzen, Sputterabscheiden, Implantieren, Verdichten oder Oxidieren. Sofern diese Verfahren nicht von sich aus mit einem hoch anisotropen Teilchenstrahl arbeiten, kann die Anisotropie durch weitere Maßnahmen erhalten bzw. verstärkt werden. Durch Anlegen bzw. Verbessern des Vakuums während der Bearbeitung werden Stöße der Teilchen im Teilchenstrom vermindert. Es wird daher ein möglichst gutes Vakuum angestrebt, vorzugsweise unter 10-5 Torr. Besteht der Teilchenstrom aus geladenen Teilchen, so werden diese vorzugsweise mit geringer kinetischer Energie erzeugt und anschließend stark beschleunigt. Bei einem Teilchenstrahl aus ungeladenen Teilchen nimmt die Divergenz der auf dem Substrat auftreffenden Teilchen mit zunehmender Entfernung des Substrats von der Teilchenstromquelle ab. Zusätzliche Vorrichtungen zur Bündelung des Teilchenstroms können elektromagnetische Linsen oder für ungeladene Teilchen auch Blenden sein.

Zum Erzeugen einer Abschattung muß der Einfallswinkel W kleiner als 90° und bei schrägen Flanken zusätzlich kleiner als der Flankenwinkel FW gewählt werden. Eine scharfe Abbildung durch den Abschattungseffekt der in Richtung Teilchenstromquelle gelegenen Substrat/Grabenkante wird mit steilerem und vorzugsweise 90° betragendem Auftreffwinkel des Teilchenstroms auf die Grabenflanke erhalten. Dieser Fall tritt ein, wenn sich der Einfallswinkel W und die Neigung der Grabenflanke FW zumindest im Auftreffbereich des Teilchenstroms zu 90° addieren, bzw. nicht zu stark von diesem Wert abweichen.

Für verschiedene Anwendungen kann es nötig sein, einen möglichst kleinen oberen Flankenabschnitt zu bearbeiten. In diesem Fall wird der Einfallswinkel W so klein wie möglich gewahlt.

Kompliziertere Strukturen können mit dem erfindungsgemäßen Verfahren durch Hintereinander-Ausführen mehrerer anisotroper Bearbeitungsschritte erzeugt werden, wobei für unterschiedliche Bearbeitungsschritte unterschiedliche Einfallswinkel W gewählt werden können.

Auch eine Inversion des Arbeitsprinzips ist möglich, um so einen unteren Flankenabschnitt zu bearbeiten. Dazu wird mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens ein erster Bearbeitungsschritt unter einem ersten Einfallswinkel W1 derart durchgeführt, daß sich gegenüber einem zweiten Bearbeitungsschritt ein unterschiedliches Verhalten des oberen Flankenabschnitts zu dem unteren im ersten Bearbeitungsschritt abgeschatteten Flankenabschnitt ergibt. Der zweite Bearbeitungsschritt kann ebenfalls erfindungsgemäß unter Ausnützung eines Abschattungseffektes mit einem größeren Einfallswinkel W2 erfolgen. Auch ist es möglich, den zweiten Bearbeitungsschritt so durchzuführen, daß die gesamte Substratoberfläche mit Ausnahme der oberen Flankenabschnitte davon erfaßt wird. Beispielsweise kann im ersten Bearbeitungsschritt im oberen Flankenabschnitt eine Maske erzeugt werden, die resistent gegen einen zweiten Bearbeitungsschritt ist, beispielsweise eine Implantation oder ein Ätzschritt. Auch kann im ersten Bearbeitungsschritt eine ganzflächig erzeugte Dotierstoff enthaltende Schicht im oberen Flankenabschnitt entfernt werden, wobei im zweiten Bearbeitungsschritt durch Erhöhung der Temperatur der Dotierstoff in das Substrat eingetrieben wird.

Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren wird zunächst nur die in Bearbeitungsrichtung weisende Grabenflanke bearbeitet. In andere Richtungen weisende Grabenflanken können durch Wiederholen des Bearbeitungsschrittes erfaßt werden, wobei das Substrat vorher um den Winkel gedreht wird, den die neu zu bearbeitende Flanke mit der zuerst bearbeiteten einschließt. Bei im wesentlichen sich in die Länge erstreckenden Gräben sind dies zum Beispiel 180°C.

Weist ein Graben im horizontalen Querschnitt keine geraden Begrenzungslinien auf, so daß keine einzelnen Flanken unterschieden werden können, so kann der obere Flankenabschnitt im gesamten Umfang des Grabens gleichmäßig dadurch bearbeitet werden, daß das Substrat während der Bearbeitung um eine vertikal zu seiner Oberfläche oder parallel zum Teilchenstrom liegende Achse gedreht wird.

Im folgenden wird das Verfahren anhand eines Ausführungsbeispiels und der dazugehörigen sechs schematischen Figuren näher erläutert. Dabei zeigen

Fig. 1 einen Siliziumwafer mit V-förmig geätzten Gräben in perspektivischer Ansicht,

Fig. 2 diesen Wafer im schematischen Querschitt während eines ersten anisotropen Bearbeitungsschrittes, die

Fig. 3 und 4 den Wafer während weiterer Bearbeitungsschritte und die

Fig. 5 und 6 zwei Ausführungsformen einer fertigen Solarzelle im schematischen Querschnitt.

Herstellung einer Solarzelle mit einer V-förmige Gräben aufweisenden Oberfläche.

Mit Hilfe einer üblichen Photolithographie wird auf einem undotierten oder leicht n- oder p-dotierten kristallinen Silizium- Wafer eine streifenförmige Maske ausgebildet. Diese besteht beispielsweise aus ca. 10 bis 30 µm breiten Oxidstreifen, die parallel zueinander im Abstand von ca. 1 bis 2 µm verlaufen. Im nächsten Schritt wird ein kristallorientiertes anisotropes Ätzen mit Alkali durchgeführt, oder auch wie in der genannten Schrift von Cuevas vorgeschlagen mittels Ammoniumhydroxid. Diese besondere Art der Ätzung erzeugt Gräben mit V-förmigem Querschnitt. Die Ätzung wird dabei solange durchgeführt, bis die Grabenkanten zweier benachbarter Gräben zusammenfallen. Somit ist die gesamte ursprüngliche Substratoberfläche weggeätzt, wobei gleichzeitig die Oxidmaske abgehoben wird. Fig. 1 zeigt die Oberfläche des derart behandelten Siliziumsubstrats S mit den parallelen V-förmigen Gräben in der Substratoberfläche.

Im oberen Flankenabschnitt OFA wird nun durch eine erfindungsgemäße anisotrope Schrägimplantation von Boratomen oder Bor enthaltenden Ionen eine p&spplus;-Dotierung erzeugt. Die Schrägimplantation, in der Fig. 2 dargestellt durch die Pfeile TSi, erfolgt unter einem Einfallswinkel W1, wobei die Substratkante SK den unteren Flankenabschnitt UFA vom Teilchenstrom abschattet, ebenso wie die Gegenflanke GF.

In einer sauerstoffhaltigen feuchten Atmosphäre wird nun unter erhöhter Temperatur eine Oxidation der gesamten Substratoberfläche durchgeführt. Dabei wird gleichzeitig die durch Schrägimplantation erzeugte p&spplus;-Dotierung durch Diffusion tiefer in das Substrat eingetrieben und erzeugt dort dotierte Bereiche DB mit p&spplus;-Dotierung. Fig. 3 zeigt die Anordnung nach diesem Schritt. Die Oxidschicht OS wird so ausgeführt, daß sie gleichzeitig als Antireflexschicht der späteren Solarzelle dienen kann. Dazu wird Dicke und Dichte der Oxidschicht kontrolliert und beispielsweise eine Schichtdicke von 110 nm eingestellt.

Mittels eines Ionenstrahlätzprozesses wird nun im Bereich des oberen Flankenabschnitts OFA ein Kontaktfenster KF in der Oxidschicht OS geöffnet. Dazu wird für die Ionenstrahlätzung ein Einfallswinkel W2 gewählt, wobei vorzugsweise W2 kleiner W1 ist. Die von der Oxidschicht befreiten streifenförmigen Kontaktfenster KF im oberen Flankenabschnitt haben vorzugsweise eine Breite von maximal 1 bis 2 µm.

Fig. 4 zeigt die Anordnung unmittelbar zu Beginn des darauf folgenden Bearbeitungsschrittes, bei dem über dem Kontaktfenster KF ein Leiterstreifen durch anisotropes Aufdampfen von Aluminium erzeugt wird. Der dazu verwendete Teilchenstrahl TS wird mit einem Einfallswinkel W3 auf das Substrat S gerichtet, wobei W3 zumindest größer als W2 eingestellt wird.

Fig. 5 zeigt die fertige Solarzelle mit den aufgedampften Aluminium-Leiterstreifen LS. Wie aus der Figur zu erkennen, überlappen die Leiterstreifen LS zu einem geringen Teil die Oxidmaske OM.

Für die Strukturierung der dem Lichteinfall gegenüberliegenden Substratrückseite gibt es mehrere Möglichkeiten. In der dargestellten Ausführungsform sind die hochdotierten Bereiche HB als punktförmige Kontakte ausgebildet, entsprechend der von Cuevas vorgeschlagenen Struktur. Dazu wird die Waferrückseite ganzflächig mit einer dicken Oxidschicht O versehen. In diese werden dann punktförmige Kontaktfenster geätzt. Die dotierten Bereiche können durch Implantation von Dotierstoff und anschließendes Eintreiben erzeugt werden, wobei der Eintreibungsprozeß in das Verfahren zur Strukturierung der Solarzellenvorderseite integriert werden kann. Möglich ist auch das Aufbringen einer dotierstoffhaltigen Schicht, beispielsweise einer Phosphorsilikatglasschicht, die als Diffusionsquelle für den Eintreibungsprozeß dienen kann. Nach Eintreiben des Dotierstoffes und Entfernen der Glasschicht wird ganzflächig eine Rückelektrode RE erzeugt, die die hochdotierten Bereiche in den Kontaktfenstern kontaktiert.

Eine weitere Ausführungsform betrifft eine Solarzelle, deren Rückseite ähnlich wie die Vorderseite strukturiert ist. Fig. 6 zeigt diese Anordnung, bei der einschließlich Grabenätzen, Schrägimplantation, Oxidation mit Eintreiben der Dotierstoffe und Eröffnen der streifenförmigen Kontaktfenster analog der Vorderseitenstrukturierung verfahren wird. Als Dotierstoff wird ein eine n-Dotierung erzeugendes Material, zum Beispiel Phosphor verwendet. Da die Solarzellenrückseite nicht für den Lichteinfall vorgesehen ist, kann auch in diesem Ausführungsbeispiel die Rückseitenelektrode ganzflächig über den Kontaktfenstern und der Oxidschicht abgeschieden werden.

Diese zweite Ausführungsform, bei der neben der Vorderseite auch noch die Rückseite der Solarzelle durch V-förmige Gräben strukturiert ist, benötigt zur Herstellung pro Oberfläche nur einen Lithographieschritt zur Erzeugung der streifenförmigen Oxidmaske für die Grabenätzung. Alle übrigen strukturierenden Schritte verwenden das erfindungsgemäße Verfahren, bei dem in einfacher Weise durch Einstellung eines Einfallswinkels eine streifenförmige Strukturierung der hier nur aus Grabenflanken bestehenden Substratoberfläche gelingt. Durch Einsparung der Lithographieschritte wird der Gesamtherstellungsprozeß vereinfacht und verkürzt. Durch das Verfahren ist es möglich, die Abschattung aktiver Solarzellenoberfläche durch schmale Ausführung der Leiterstreifen äußerst gering zu halten und die Leiterstreifen außerdem an den Oberkanten der Gräben zu positionieren, die auch ohne Leiterstreifen ein hohes Reflexionspotential aufweisen und daher wenig zum Lichteinfang und zum Wirkungsgrad der Solarzelle beitragen.

Für erfindungsgemäß hergestellte Solarzellen werden daher ähnlich hohe Wirkungsgrade erwartet, wie bei den in dem Artikel von Cuevas beschriebenen Punktkontaktsolarzellen, die unter normaler Beleuchtung 21 Prozent, unter konzentriertem Licht jedoch 26 Prozent erreichen.


Anspruch[de]
  1. 1. Verfahren zur Bearbeitung eines oberen Flankenabschnittes von in Halbleitersubstrate geätzten Gräben mit einem Teilchenstrom, wobei in einem Bearbeitungschritt ein anisotroper Teilchenstrom in einem ausgewählten Einfallswinkel W derart auf die Substratoberfläche gerichtet wird, daß der nicht zu bearbeitende untere Flankenabschnitt durch die im Graben gegenüberliegende Kante der Substratoberfläche abgeschattet wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Teilchenstrom ein Plasma ist.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Teilchenstrom ein Ionenstrahl ist.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Teilchenstrom ein Metalldampf ist.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Bearbeitungsschritt eine Implantation zum Erzeugen einer Dotierung durchgeführt wird.
  6. 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere anisotrope Bearbeitungsschritte hintereinander und gegebenenfalls unter verschiedenen Einfallswinkeln durchgeführt werden.
  7. 7. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest ein Bearbeitungsschritt unter einem geänderten Einfallswinkel von 180° minus W wiederholt wird.
  8. 8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitersubstrat während eines oder zwischen zwei Behandlungsschritten um eine Achse senkrecht zur Oberfläche des Substrats gedreht wird.
  9. 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der obere Flankenabschnitt des Grabens durch einen ersten Bearbeitungsschritt derart in seinen Eigenschaften verändert wird, daß er in einem zweiten darauf folgenden Bearbeitungsschritt als Maske dient, so daß im zweiten Bearbeitungsschritt ausschließlich der untere Flankenabschnitt bearbeitet wird.
  10. 10. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung einer Solarzelle
    1. - das Halbleitersubstrat mehrere parallele Reihen V-förmig geätzter Gräben (V-Grooves) aufweist,
    2. - in einem ersten Bearbeitungsschritt im oberen Flankenabschnitt UFA der Gräben mittels einer Schrägimplantation unter Einfallswinkel W1 eine Dotierung eines ersten Leitfähigkeitstyps erzeugt wird,
    3. - in einem Temperschritt auf der gesamten Oberflächen des Substrats S eine Oxidschicht OS erzeugt wird, wobei durch Eintreiben des Dotierstoffes dotierte Bereiche DB entstehen,
    4. - über den dotierten Bereichen DB durch Ionenstrahlätzen in einem W1-ähnlichen Winkel W2 Kontaktfenster KF in der Oxidschicht OS geöffnet werden,
    5. - durch Schrägaufdampfen unter einem Einfallswinkel W3 eines elektrisch leitfähigen Metalles Leiterstreifen LS über dem Kontaktfenster KF erzeugt werden, und daß
    6. - auf der Rückseite des Substrats hochdotierte Bereiche eines zweiten Leitfähigkeitstyps vorgesehen werden, welche durch in einer darüber liegenden Oxidschicht angeordnete Kontaktfenster mit einer ganzflächigen Rückelektrode kontaktiert werden.






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