Die einzige zur Beschreibung gehörende Zeichnung zeigt einen Reaktor 1, in dem ein Substrat 2 angeordnet ist. Ferner ist innerhalb des Reaktors 1 ein UV-Hochleistungsstrahler 3 installiert, der nachfolgend auch Excimerstrahler genannt wird. Der Reaktor 1 weist ferner die Zuleitung 4 für ein Gas auf. Der UV-Hochleistungsstrahler 3 ist ausführlich in der EP-OS 02 54 111 offenbart. Er besteht aus einem durch eine einseitig gekühlte Metallelektrode (hier nicht dargestellt) und ein Dielektrikum (ebenfalls nicht dargestellt) begrenzten und mit einem Edelgas oder Gasgemisch gefüllten Entladungsraum (hier nicht dargestellt). Das Dielektrikum und die auf der dem Entladungsraum abgewandten Oberfläche des Dielektrikum liegende zweite Elektrode (hier nicht dargestellt) sind für die durch stille elektrische Entladung erzeugte Strahlung transparent. Durch die Konstruktion und durch eine geeignete Wahl der Gasfüllung wird ein großflächiger UV-Hochleistungsstrahler 3 mit hohem Wirkungsgrad geschaffen. Mit Hilfe einer Gasfüllung aus Helium und Argon kann eine UV-Strahlung mit einem Wellenlängenbereich zwischen 60 und 100 nm bzw. 107 und 165 nm erzeugt werden. Mit einer Gasfüllung aus Xenon kann mit dem Hochleistungsstrahler 3 UV-Strahlung mit einer Wellenlänge zwischen 160 und 190 nm erzeugt werden, wobei das Maximum hierbei bei 172 nm liegt. Eine Gasfüllung aus Argonfluorid bzw. Kryptonfluorid erlaubt die Erzeugung einer UV-Strahlung im Bereich von 180 bis 200 nm bzw. 240 bis 255 nm. Mit einem Gasgemisch aus Xenon und Chlor läßt sich mit dem Hochleistungsstrahler eine UV-Wellenlänge von 300 bis 320 nm und mit einem Gemisch aus Krypton und Chlor eine Wellenlänge von 222 nm erzeugen. Der Hochleistungsstrahler 3 arbeitet im quasi gepulsten Betrieb. Soll das in dem Reaktor 1 angeordnete Substrat auf seiner gesamten Oberfläche behandelt werden, so wird ein Hochleistungsstrahler 3 verwendet, dessen Strahlungsfeld ebenso groß ist, wie die Substratoberfläche 2S. Über die Zuleitung 4 kann Luft, Sauerstoff, Ammoniak, Chlor, Fluor, Chlorwasserstoff, Fluorwasserstoff oder ein anderes Gas eingeleitet werden, das durch Bestrahlung mit UV-Strahlung in reaktive Radikale aufgespalten wird. Das Substrat 2 ist beispielsweise aus einer Polycarbonat/Styrol-Polymerlegierung (PC/ABS) hergestellt. Der Hochleistungsstrahler 3 wird mit einer Gasfüllung aus Xenon versehen. Die Xenonentladung führt durch Elektronenstoß zur Bildung angeregter Xenonatome und im Anschluß daran zur Excimerbildung. Die erzeugte UV-Strahlung weist eine Wellenlänge von 172 nm auf. Wird nun über die Zuleitung 4 Luft oder Sauerstoff in den Reaktor 1 eingeleitet, so werden die Sauerstoffmoleküle gespalten. Die Strahlung wird bei Atmosphärendruck bereits in einer dünnen Sauerstoffschicht von etwa 1 mm Dicke absorbiert. Durch Herabsetzung des Druckes bis in den Vakuumbereich (10^-6 mbar) oder Beimischung eines in diesem Spektralbereich nicht absorbierbaren inerten Gas, wie beispielsweise Argon oder Helium, kann die Absorptionslänge so eingestellt werden, daß die UV-Strahlung bis zur Substratoberfläche durchdringt. Bei der Spaltung der Sauerstoffmoleküle mit der UV-Strahlung entstehen die sehr reaktiven Fragmente O (³P) und O (¹D), die mit der freien Substratoberfläche bzw. adsorbierenden Schichten der Oberfläche reagieren. Ferner bildet sich aus Reaktionen der Sauerstoffatome mit den Sauerstoffmolekülen Ozon, das ebenfalls sehr reaktionsfreudig ist, und mit der Oberfläche des Substrats 2 ebenfalls reagiert. Die Behandlung der Substratoberfläche 2S dauert etwa 0,05 bis 10 Minuten. Das Substrat kann dann weiter bearbeitet werden. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren können nicht nur Bauteile aus Metall, sondern auch aus Kunststoff, Keramik sowie faserförmigen Materialien, Glas, Vliesstoffen, Geweben oder Folien behandelt werden.

Anstelle von Sauerstoff können auch andere Gase in Form von Ammoniak, Chlor, Fluor, Chlorwasserstoff, Fluorwasserstoff und Distickstoffmonoxid in den Reaktor eingeleitet werden. Die Wahl des einzuleitenden Gases richtet sich zum einen danach, aus welchem Material das Substrat gefertigt ist, und zum anderen danach, welche Oberflächenbehandlung vorgesehen ist. Ob beispielsweise die Ausbildung einer Oxidschicht gewünscht wird bzw. das Abtragen von Material vorgesehen ist. Eine drastische Erhöhung der Haftfestigkeit von stromlos abgeschiedenem Kupfer auf PC/ABS kann durch Belichtung dieses Werkstoffes im Grobvakuum bei 10^-3 mbar erzielt werden. Die Belichtungszeiten liegen zwischen ca. 1 und 3 min bei 300 W und einer UV-Wellenlänge von 172 nm. Bei Verwendung stärkerer UV-Eximerstrahler kann die Belichtungszeit wesentlich verkürzt werden. Auch im Vakuum zwischen 10^-1 bis 10^-6 mbar kann durch die UV-Bestrahlung die Oberfläche gereinigt und reaktiv werden. Hierbei kommt es zum Aufbrechen von einzelnen Bindungen von Kunststoffmolekülen an der Oberfläche.