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Dokumentenidentifikation DE3871851T2 03.12.1992
EP-Veröffentlichungsnummer 0289131
Titel Trockenätzverfahren für Aluminiumschichten.
Anmelder Fujitsu Ltd., Kawasaki, Kanagawa, JP
Erfinder Nakamura, Moritaka, Yokohama-shi Kanagawa 227, JP;
Kurimoto, Takashi, Kawasaki-shi Kanagawa 211, JP
Vertreter Seeger, W., Dipl.-Phys.; Seeger, A., Dipl.-Phys., Pat.-Anwälte, 8000 München
DE-Aktenzeichen 3871851
Vertragsstaaten DE, FR, GB
Sprache des Dokument En
EP-Anmeldetag 24.03.1988
EP-Aktenzeichen 883026155
EP-Offenlegungsdatum 02.11.1988
EP date of grant 10.06.1992
Veröffentlichungstag im Patentblatt 03.12.1992
IPC-Hauptklasse H01L 21/31

Beschreibung[de]

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Trockenätzverfahren, und im besonderen auf Verfahren zum reaktiven Ionenätzen (RIE) von Aluminium oder einer Aluminiumlegierung z. B. in Leiterbahnen (Verdrahtungsmustern) einer Halbleiteranordnung.

Bei der Herstellung einer Halbleiteranordnung (LSI etc.) werden Trockenätzverfahren auf Grund ihrer Überlegenheit gegenüber Naßätzverfahren bezüglich Selektivität, Feinmuster-Bildbarkeit, Steuerbarkeit, Säuberbarkeit und dergleichen eingesetzt. Unter Berücksichtigung der Produktivität und des anisotropen Ätzens ist besonders eine reaktive Ionenätzvorrichtung weit verbreitet.

Die Dichte (der Integrationsgrad) von Halbleiteranordnungen ist beachtlich erhöht worden, und die Leiterbahnen aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung (nachstehend Al) werden in feineren Mustern gebildet. Und zwar wird die Breite einer Al-Leiterbahn verringert und der Abstand zwischen jeder der Al-Leiterbahnen wird auch verringert. Wo eine Al-Schicht durch ein RIE-Verfahren selektiv geätzt (d. h. gemustert) wird, hat eine Seitenwand der Al-Leiterbahn gewöhnlich einen Winkel (Neigungswinkel) von etwa 90º (senkrecht) zu einer Grundfläche. Wenn dann eine Isolierschicht aus PSG oder dergleichen gebildet wird, um die Al-Leiterbahnen zu bedecken, wird die Oberflächenunebenheit der Isolierschicht größer, was zu Stufenabdeckungsdefekten von oberen Leiterbahnen führt, die auf der unebenen Oberfläche gebildet werden, d. h. Riß in der Isolierschicht an Kanten, die durch die Seitenwand und die Grundfläche begrenzt sind, und Hohlräume in der Isolierschicht bei dem engen Raum zwischen den Al-Leiterbahnen. Diese Defekte verkürzen die Lebensdauer der Halbleiteranordnung. Dementsprechend treten Probleme bezüglich der Isolierschicht zwischen Leitermustern auf. Eine Lösung des Problems wurde vorgeschlagen, indem ein Verfahren zum Abschrägungsätzen einer Al-Schicht eingesetzt wurde für Al- Leiterbahnen, die geneigte Seitenwände haben.

Zwei Arten des Abschrägungsätzverfahrens sind vorgeschlagen worden, d. h. ein Verhältnis einer Ätzrate von Al zu der eines Maskenmusterresists (eine Selektivität von Al gegenüber dem Resist) wird verringert, so daß die Maskendimensionen durch das Ätzen allmählich verkleinert werden, mit dem Ergebnis, daß die geneigten Seitenwände der Al-Leiterbahnen gebildet werden (vgl. zum Beispiel die japanische geprüfte Patentveröffentlichung (Kokoku) Nr. 61-59658), oder ein Kohlenstoff enthaltendes Gas, wie C&sub2;H&sub2; oder CHCl&sub3;, das auf der Al-Seitenwand eine Abscheidung erzeugt, wird einem Ätzgas beigegeben, um die geneigten Seitenwände zu bilden, vgl. zum Beispiel News review "Vacuum Magnetron RIE Apparatus Able to Dig Groove at High Speed and to Perform Taper Etching of Al", Nikkei Microdevice, Februar 1987, S. 148 - 149).

Bei dem früheren Abschrägungsätzverfahren ist jedoch, da eine Al-Schicht für Al-Leiterbahnen auf Grund einer unebenen Grundfläche eine unebene Oberfläche hat, die Dicke des Maskenmusterresists nicht konstant. So wird ein dünner Teil des Resists mit einer schnelleren Rate als jene eines dicken Teils verkleinert, so daß ein unerwünschtes Überätzen von Al-Leiterbahnen, die mit dem dünnen Teil bedeckt sind, auftritt, und es kann ein Bruch der Al-Leiterbahnen auftreten. Bei letzterem Abschrägungsätzverfahren wird die Abscheidung auf einer Kammerwand, auf Elektroden und dergleichen gebildet, und die Abscheidung wird dann abgeschält, um eine Verunreinigung zu bilden. Diese Probleme verhindern jede Verbesserung beim LSI-Produktionsausstoß.

Bei dem RIE von Al erhöhen das Beschießen von in einem Plasma erzeugten aktiven Radikalen und Ionen und die exotherme Reaktion von Chlor (Cl) mit Aluminium die Temperatur eines Substrats (z. B. Wafer). Dementsprechend wird bei einer hohen HF-Energie und/oder einer hohen Ätzrate die Substrattemperatur zu hoch und verkohlt das Maskenmusterresist, und eine abnormale Reaktion tritt im Substrat auf. Um dieses Verkohlen und die abnormale Reaktion zu verhindern, wird das Substrat gewöhnlich auf einer wassergekühlten Stufe angeordnet und das RIE-Verfahren wird ausgeführt, während das Substrat gekühlt wird. Unter diesen Bedingungen ist der Kontakt zwischen dem Substrat und der gekühlten Stufe klein, und deshalb erfolgt keine ausreichende Wärmeübertragung, mit dem Resultat, daß die Substrattemperatur während des Ätzens ansteigt. Wenn die Substrattemperatur beim RIE von Al unter Verwendung eines kontaktlosen Thermometers (ein Fluoreszenz-Lichtleitfaserthermometer) gemessen wurde, wurden folgende Resultate erreicht. Wenn viele Substrate der Ätzbehandlung gleichzeitig ausgesetzt wurden (wobei der Ladeeffekt die Ätzrate und die HF-Energiedichte verringerte), betrug die Substrattemperatur 100 ºC oder mehr, und wenn die Substrate der Ätzbehandlung nacheinander ausgesetzt wurden, betrug die Substrattemperatur 130 ºC oder mehr. Unter diesen Bedingungen wurde das Al in einer vertikalen Richtung oder in einer inversen Schräge geätzt. Um ein Abschrägungsätzen auszuführen, müssen deshalb eine Verringerung der Selektivität des Al gegenüber dem Resist oder die Beigabe eines Kohlenstoff enthaltenden Gases vorgenommen werden, wie oben beschrieben.

Gemäß dem Prinzip der Fluoreszenz-Lichtleitfaser- Thermometrie wird eine kleine Menge Phosphor auf der Rückseite des Substrats aufgetragen, ein Anregungslicht wird durch einen Lichtleiter an den Phosphor angelegt, die Fluoreszenz des Phosphors wird durch den Leiter überwacht und die Fluoreszenzabfallzeit wird gemessen, um die Substrattemperatur zu bestimmen. Auf diese Weise kann die Temperatur leicht gemessen werden, ohne das Problem, den Prozeß zu stören.

Solid State Technology, Band 28, Nr. 4, S. 251 - 255, (1985) offenbart eine Triodenätzvorrichtung und ein Verfahren zum reaktiven Ionenätzen mit den Merkmalen der Präambel des beiliegenden Anspruches 1. Bei dieser Triodenätzvorrichtung ist der Wafer auf der unteren Elektrode angeordnet, und eine Gasmischung aus SiCl&sub4; und Cl&sub2; wird zum Ätzen des Aluminium-Siliziums verwendet.

Gemäß der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum reaktiven Ionenätzen von Aluminium oder einer Aluminiumlegierung unter Verwendung einer reaktiven Ionenätz -vorrichtung vorgesehen, bei dem ein Substrat mit einer Aluminium- oder Aluminiumlegierungsschicht und eine Resistschicht, die über der genannten Aluminium- oder Aluminiumlegierungsschicht gebildet ist, in einer Kammer gehalten wird, die eine obere Elektrode und eine untere Elektrode umfaßt und ein Ätzgas enthält, und bei dem das genannte Substrat auf einer Temperatur von 60 ºC oder weniger gehalten wird, durch Kühlen des Substrates während des Ätzens, so daß die genannte Schicht sich verschmälernd geätzt wird, um Leiterbahnen zu bilden, die positiv abgeschrägte Seitenwände haben; dadurch gekennzeichnet, daß :das genannte Substrat mit der Oberseite nach unten auf der genannten oberen Elektrode angeordnet ist und das Ätzgas BCl&sub3; enthält.

Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann ein Verfahren zum Abschrägungsätzen von Al vorsehen, das sich von den früheren Abschrägungsätzverfahren unterscheidet, um die obengenannten Probleme zu vermeiden.

Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann ein Verfahren zum RIE von Al verbessern.

Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann die Zuverlässigkeit, den Produktionsausstoß und die Produktivität von Halbleiteranordnungen verbessern.

Die Substrattemperatur sollte vorzugsweise zwischen 30 º und 60 ºC liegen.

Wenn die Wärmeübertragung zwischen dem Substrat und der Stufe verbessert wird, um die Kühleffektivität des Substrates, das auf einer Temperatur von 60 ºC oder weniger gehalten wird, zu erhöhen, wird das Abschrägungsätzen ohne Veränderung der Selektivität von Al gegenüber dem Resist oder Beigabe des Kohlenstoff enthaltenden Gases erreicht.

Um das Substrat zu kühlen, wird das Substrat vorzugsweise an einer gekühlten Elektrode (d. h. Stufe) einer RIE- Vorrichtung durch eine elektrostatische Spanneinrichtung (zum Beispiel wie in der japanischen geprüften Patentveröffentlichung Nr. 57-44747 offenbart) befestigt. Der Grad des Kontaktes zwischen dem Substrat und der elektrostatischen Spanneinrichtung, als direkte Stufe, kann durch das Verändern einer Spannung über ein Elektrodenpaar in der elektrostatischen Spanneinrichtung gesteuert werden. Da die elektrostatische Spanneinrichtung durch die gekühlte Elektrode (Stufe) gekühlt wird, wird die Wärme des Substrates zu der gekühlten Elektrode durch die elektrostatische Spanneinrichtung übertragen. Deshalb wird der Grad des Kontaktes gesteuert, und so wird die Substrattemperatur gesteuert. Es ist möglich, die Substrattemperatur durch das Verändern der Temperatur des Kühlmittels (Wasser) zu steuern, das in der gekühlten Elektrode (Stufe) zirkuliert, solange die elektrostatische Spanneinrichtung bei Konstantspannung betrieben wird. Ferner kann ein geeignetes Mittel für die Substrattemperatursteuerung eingesetzt werden.

Anhand eines Beispiels wird Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen genommen, in denen:

Fig. 1 eine schematische Ansicht einer RIE- Vorrichtung ist;

Fig. 2 eine schematische Querschnittsansicht einer elektrostatischen Spanneinrichtung und ein Verdrahtungsdiagramm für die Spanneinrichtung ist;

Fig. 3a bis 3f Querschnittsansichten einer Al- Leiterbahn unter verschiedenen Bedingungen sind, gemäß einer Spannung, die an die elektrostatische Spanneinrichtung angelegt wird; und,

Fig. 4a bis 4f Querschnittsansichten einer Al- Leiterbahn unter verschiedenen Bedingungen sind, gemäß einer Temperatur der gekühlten Elektrodenstufe.

Wie in Fig. 1 dargestellt, ist eine RIE-Vorrichtung eine Vorrichtung des Parallelplattensystemtyps, die mit einer in Fig. 2 gezeigten elektrostatischen Spanneinrichtung versehen ist. Die Struktur der RIE-Vorrichtung ist im Grunde dieselbe wie jene einer Vorrichtung, die in der japanischen geprüften Patentveröffentlichung Nr. 57-44747 offenbart wurde. Die RIE-Vorrichtung umfaßt eine Ätzkammer 1, eine Anodenelektrode 2 und eine Katodenelektrode 3 als wassergekühlte Stufe, welche Elektroden in der Kammer 1 einander gegenüber angeordnet sind. Die Ätzkammer 1 wird durch eine Vakuumpumpe (nicht gezeigt) durch ein Abzugsrohr 4 evakuiert, um ein Vakuum zu erzeugen, und ein Reaktionsgas (ein Ätzgas) wird durch ein Einlaßrohr 5 in die Kammer 1 geleitet. Die Anode 2 wird geerdet und die wassergekühlte Stufe (Katode) 3 wird mit einer HF- (Hochfrequenz-) -Energie 7 durch einen Kondensator 6 verbunden. Die elektrostatische Spanneinrichtung 8 wird auf der wassergekühlten Stufe 3 angeordnet und hält (zieht an) ein Substrat (Wafer) 9 mit einer zu ätzenden Al-Deckschicht. Das Substrat 9 wird mit der Oberseite nach unten, wie in Fig. 1 gezeigt, befestigt, was zu einer Verhinderung einer Verunreinigungsadhäsion beiträgt.

Wie in Fig. 2 dargestellt, umfaßt die elektrostatische Spanneinrichtung 8 eine Isolierplatte 13, in der ein Paar von Plattenelektroden 12A und 12B vergraben ist. Ein positives Potential und ein negatives Potential von einer veränderlichen Gleichstromenergie 14 wird an die Elektroden 12A und 12B durch die Energieschalter 16 und 17 und Drosselspulen 18 bzw. 19 angelegt, so daß die Spanneinrichtung 8 das Substrat 9 elektrostatisch anzieht, wie in Fig. 2 gezeigt. Ein Ableitungsschalter 20 ist vorgesehen und wird zum Entfernen von elektrischen Ladungen verwendet, die sich in den Elektroden 12A und 12B angesammelt haben.

Beispiel 1

Die elektrostatische Spanneinrichtung 8 wurde unter Verwendung eines Silikonharzes für das Isolierplattenmaterial 13 hergestellt, wie in Fig. 2 gezeigt. Die Spanneinrichtung 8 wurde auf einer oberen Katodenelektrode (d. h. eine wassergekühlte Stufe) 3, die einen Durchmesser von 180 mm hat, der RIE-Vorrichtung (Fig. 1) angeordnet. Viele Substrate mit einer Al-Schicht wurden auf folgende Weise vorbereitet. Ein Silizium- (Si) -Wafer 31 mit einem Durchmesser von 6 Zoll und einer Dicke von 650 um wurde thermisch oxydiert, um eine SiO&sub2;-Schicht 32 mit einer Dicke von 100 nm zu bilden, und eine Al-Si- (1 %) -Legierungsschicht 33 mit einer Dicke von 1,0 um wurde auf der SiO&sub2;- Schicht 32 durch ein Zerstäubungsverfahren gebildet, wie in Fig. 3a und Fig. 4a gezeigt. Die Al-Si-Legierungsschicht 33 wurde mit einem Resist (TSMR 8800, hergestellt von Tokyo Oka Co.) überzogen, um eine Resistschicht 34 mit einer Dicke von 1,6 um zu bilden. Die Resistschicht 34 wurde vorgebacken, belichtet, entwickelt und bei einer Temperatur von 110 ºC nachgebacken, um eine Resistmaske mit einem Leiterbahnmuster zu bilden.

Das Substrat 9 wurde zur elektrostatischen Spanneinrichtung 8, die auf der gekühlten oberen Elektrodenstufe 3 angeordnet ist, angezogen, wie in Fig. 1 gezeigt, und nachdem die Ätzkammer 3 evakuiert wurde, wurde ein gemischtes Gas aus BCl&sub3;, SiCl&sub4; und Cl&sub2; als Ätzgas in die Kammer 3 geleitet, und der Innendruck der Kammer wurde auf etwa 16 Pa (0,12 Torr) gehalten. Dann wurde eine HF-Energie von 350 W (1,38 w/cm²) mit einer Frequenz von 13,56 MHz an die Elektrode 3 der RIE-Vorrichtung angelegt, um ein Plasma zu erzeugen. In dem Plasma wurden Radikale und Ionen des Ätzgases erzeugt, um die Al-Si-Legierungsschicht selektiv zu ätzen. Die gekühlte Elektrodenstufe 3 wurde auf einer konstanten Temperatur von 30 ºC gehalten, und die der elektrostatischen Spanneinrichtung 8 zugeführte Spannung (ein positives Potential wurde an die Plattenelektrode 12A und ein negatives Potential wurde an die andere Plattenelektrode 12B angelegt) wurde auf ±0,5 kV, ±0,8 kV, ±1,1 kV, ±1,5 kV, ±2,0 kV und ±2,5 kV verändert, und das RIE der Al-Si-Legierung wurde unter den obengenannten Bedingungen ausgeführt. Die Temperatur des Substrates 9 wurde durch ein Fluoreszenz-Lichtleitfaserthermometer während jeder RIE- Behandlung gemessen, und die Querschnittsform einer Al-Si- Leiterbahn, die durch das RIE gebildet wurde, wurde durch ein Rasterelektronenmikroskop (SEM) untersucht. Die Resultate sind in Tabelle 1 und in Fig. 3a bis 3f gezeigt.

TABELLE 1
Angelegte Spannung (kV) Substrattemperatur (ºC) Figur

Wie aus diesen Resultaten hervorgeht, werden bei einer angelegten Spannung von ±0,8 eV oder weniger und einer Substrattemperatur von 82 ºC oder mehr die Al-Si-Legierungsschichten umgekehrt abschrägend geätzt (Fig. 3a und 3b); bei ±1,1 kV und 62 ºC wird die Schicht vertikal geätzt (Fig. 3c); und bei 2,5 kV oder mehr und 40 ºC oder weniger wird die Schicht ungenügend geätzt und ein Teil der Schicht bleibt bestehen (Fig. 3f). Die Leiterbahnen, die in diesen Fällen gebildet werden, sind unerwünscht. Bei der angelegten Spannung von ±1,5 kV bis ±2,0 kV und der Substrattemperatur von 57 ºC bis 52 ºC werden die Al-Si-Legierungsschichten abschrägend geätzt (Fig. 3d und 3e), so daß wünschenswerte geneigte Seitenwände gebildet werden.

Wenn eine Al-Si (1 %) - CU (2 %) Legierung anstelle der Al-Si-Legierung verwendet wurde, wurden Resultate ähnlich den obengenannten Resultaten erreicht.

Beispiel 2 (nicht gemäß der vorliegenden Erfindung)

Die elektrostatische Spanneinrichtung 8 wurde unter Verwendung serienmäßiger Aluminiumoxidkeramik für das Isolierplattenmaterial 13 hergestellt, wie in Fig. 2 gezeigt, anstelle des bei Beispiel 1 verwendeten Silikonharzes. Da Keramik nicht die Elastizität von Silikonharz besitzt, zog die keramische elektrostatische Spanneinrichtung 8 das Substrat 9 mit einem kleineren Kontaktgrad als in Beispiel 1 an. Um eine Wärmeübertragung vom Substrat 9 zu der Spanneinrichtung 8 zu sichern, wurde dann die Lücke zwischen dem Substrat und der Spanneinrichtung mit einem Helium- (He) -Gas als Wärmeübertragungsmedium gefüllt. In diesem Fall wurde in der Spanneinrichtung 8 ein kleines Durchgangsloch (nicht gezeigt) gebildet, und das Heliumgas strömte hindurch, wobei der Gasdruck die Anziehungskraft der elektrostatischen Spanneinrichtung 8 nicht überstieg. Die Spanneinrichtung 8 wurde auf der Katodenelektrode (d. h. der wassergekühlten Stufe) 3, die einen Durchmesser von 240 mm hat, angeordnet, wie in Fig. 1 gezeigt. Das Substrat 31 mit der SiO&sub2;-Schicht 32, der Al-Si-Legierungsschicht 33 und der Resistmaske 34, hergestellt bei Beispiel 1, wurde von der keramischen elektrostatischen Spanneinrichtung 8 angezogen.

Nachdem die Ätzkammer 3 evakuiert wurde, wurde eine Mischung aus SiCl&sub4; und Cl&sub2; als Ätzgas in die Kammer 3 geleitet, und der Innendruck der Kammer 3 wurde auf 3,3 Pa (0,1 Torr) gehalten. Eine HF-Energie von 600 W (1,33 w/cm²) mit einer Frequenz von 13,56 MHz wurde angelegt, um in der Kammer 3 ein Plasma zu erzeugen. In dem Plasma wurden Radikale und Ionen des Ätzgases erzeugt, um die Al-Si- Legierungsschicht selektiv zu ätzen. Die der elektrostatischen Spanneinrichtung 8 zugeführte Spannung wurde auf ±1,5 kV festgelegt, und das He-Gas mit einem Druck von 133 Pa (10 Torr) füllte die Lücke zwischen dem Substrat 9 und der Spanneinrichtung 8 (in der Praxis strömte eine kleine Menge von He-Gas heraus), und die Temperatur der gekühlten Elektrodenstufe 3 wurde verändert, indem die Kühlwassertemperatur bei jeder RIE-Behandlung geändert wurde. Das RIE der Al-Si-Legierung wurde unter den obengenannten Bedingungen ausgeführt, währenddem die Substrattemperatur in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 gemessen wurde. Nach dem RIE wurde die Querschnittsform der erhaltenen Al-Si-Leiterbahn durch ein SEM untersucht. Die Resultate sind in Tabelle 2 und Fig. 4a bis 4f gezeigt.

TABELLE 2
Elektrodensstufen-Temperatur (ºC) Substrattemperatur (ºC) Figur

Wie aus diesen Resultaten hervorgeht, wird bei einer Temperatur der gekühlten Elektrodenstufe 3 von 60 ºC oder mehr und einer Substrattemperatur von 82 ºC oder mehr die Al-Si-Legierungsschicht umgekehrt abschrägend geätzt (Fig. 4a und 4b); bei einer Stufentemperatur von 40 ºC und einer Substrattemperatur von 62 ºC wird die Schicht vertikal geätzt (Fig. 4c); und bei einer Stufentemperatur von 10 ºC oder weniger und einer Substrattemperatur von 28 ºC oder weniger wird die Schicht ungenügend geätzt und ein Teil der Schicht bleibt bestehen (Fig. 4f). Die in diesen Fällen gebildeten Leiterbahnen sind unerwünscht. Bei einer Stufentemperatur von 30 ºC bis 20 ºC und einer Substrattemperatur von 52 ºC bis 43 ºC werden die Al-Si-Legierungsschichten abschrägend geätzt (Fig. 4d und 4e), so daß erwünschte geneigte Seitenwände gebildet werden.

Wenn die gekühlte Elektrodenstufe auf einer konstanten Temperatur von 30 ºC gehalten wurde und die Temperatur nicht verändert wurde, und die Kühleffektivität des He-Gas- Wärmeübertragungsmediums durch Ändern des He-Gasdruckes verändert wurde, wurden Resultate ähnlich den obigen Resultaten erreicht.

In Fig. 3f und 4f wird, da die Substrattemperatur abfällt, eine Menge von Kohlenstoff, der in dem Resist enthalten ist und auf der belichteten Oberfläche der Al-Si- Legierungsschicht haftet, vergrößert, und AlCl&sub3; oder Al&sub2;Cl&sub6;, das durch eine Reaktion von Al mit Cl oder Cl&sub2; gebildet wurde, verflüchtigt sich nicht leicht. Dies verhindert ein vollständiges Ätzen der Al-Si-Legierungsschicht.

Wie oben erwähnt, wird die Substrat- (Wafer) -Temperatur beim RIE von Al auf 60 ºC oder weniger gesteuert, was niedriger ist als bei frühren Verfahren, wodurch ein Abschrägungsätzen von Al unter Verwendung eines gewöhnlichen Ätzgases und ohne Verringerung der Selektivität des Al gegenüber dem Resist ausgeführt werden kann. Verglichen mit einem herkömmlichen Abschrägungsätzverfahren unter Verwendung eines zusätzlichen Gases, das eine Abscheidung bildet, wird bei dem RIE-Verfahren, das die vorliegende Erfindung verkörpert, der Produktionsausstoß verbessert, da die Verunreinigung verringert wird, und die Anzahl der Reinigungsvorgänge der Ätzkammer wird reduziert, und die Produktivität wird erhöht.


Anspruch[de]

1. Verfahren zum reaktiven Ionenätzen von Aluminium oder Aluminiumlegierung, unter Verwendung einer reaktiven Ionenätzvorrichtung, in der ein Substrat (9), das eine Aluminium- oder Aluminiumlegierungsschicht (33) hat, und eine Resistschicht (34), die über der Aluminium- oder Aluminiumlegierungsschicht (33) gebildet ist, in einer Kammer (1) gehalten wird, die eine obere Elektrode (3) und eine untere Elektrode (2) umfaßt und ein Ätzgas enthält und bei dem das genannte Substrat auf einer Temperatur von 60ºC oder weniger gehalten wird, durch Kühlen des Substrates während des Ätzens, so daß die genannte Schicht sich verschmälernd geätzt wird, um Leitenbahnen zu bilden, die positiv abgeschrägte Seitenwände haben; dadurch gekennzeichnet, daß :das Substrat (9) umgekehrt auf der genannten oberen Elektrode (3) angeordnet ist und das genannte Ätzgas BCl&sub3; enthält.

2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die genannte Substrattemperatur im Bereich von 30 bis 60ºC liegt.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem das genannte Substrat (9) an die genannte obere Elektrode (3) durch ein elektrostatische Anspannplatte (8) geklemmt ist, wobei die obere Elektrode gekühlt wird.

4. Verfahren nach Anspruch 3, bei dem die genannte obere Elektrode (3) eine wassergekühlte Elektrode ist.







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