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Dokumentenidentifikation DE4136511A1 03.06.1993
Titel Verfahren zur Herstellung eienr Si/FeSi2-Heterostruktur
Anmelder Forschungszentrum Jülich GmbH, 5170 Jülich, DE
Erfinder Radermacher, Klaus, 5370 Kall, DE;
Mantl, Siegfried, Dr., 5170 Jülich, DE
DE-Anmeldedatum 06.11.1991
DE-Aktenzeichen 4136511
Offenlegungstag 03.06.1993
Veröffentlichungstag im Patentblatt 03.06.1993
IPC-Hauptklasse H01L 21/328
IPC-Nebenklasse H01L 29/267   C30B 31/22   
IPC additional class // H01L 29/73,31/032,H01S 3/19,3/085,H01L 31/109,C01B 33/06,G02B 1/02  
Zusammenfassung Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer Silizium-Eisensilizid-Heterostruktur für ein elektronisches Bauelement. Es ist Aufgabe der Erfindung, ein solches Verfahren zu schaffen, bei dem zur Ermöglichung der Integration optoelektronischer Bauelemente in die Siliziumtechnologie aus Silizium und halbleitendem FeSi2 bestehende Heterostrukturen hergestellt werden können. Erfindungsgemäß werden dazu zunächst hochenergetische Fe-Ionen im Siliziumsubstrat implantiert. Diese Struktur wird sodann bei einer Temperatur oberhalb der Umwandlungstemperatur des FeSi2 solange getempert, daß eine kontinuierliche, aus metallischem FeSi2 bestehende Schicht im Siliziumsubstrat entsteht. Danach werden in dieser Schicht Keime eingebaut. Schließlich wird diese Si/FeSi2-Heterostruktur unterhalb der Umwandlungstemperatur getempert. Im Ergebnis bildet sich eine kontinuierliche, aus halbleitendem FeSi2 bestehende Schicht.

Beschreibung[de]

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer Silizium-Eisensilizid-(Si/FeSi2)- Hererostruktur für ein elektronisches, optisches oder optoelektronisches Bauelement, insb. einen Permeable Base Transistor, einen Hetero-Bipolar-Transistor, einen Wellenleiter, einen Laser, einen Infrarot-Detektor oder eine Photodiode.

Der Elementhalbleiter Silizium zeichnet sich durch eine gute technologische Beherrschbarkeit gerade auch bei immer höher werdenden Integrationsdichte von Bauelementen aus. Aus physikalischen Gründen ist es aber in der Siliziumtechnologie nicht möglich, Bauelemente wie z. B. Photodioden oder Halbleiterlaser herzustellen. Insbesondere diese Bauelemente werden gegenwärtig auf der Basis von Verbindungshalbleitern wie z. B. Galiumarsenit GaAs oder Indiumphosphit InP hergestellt. Dabei hat man Epitaxieverfahren entwickelt, bei denen ternäre oder sogar quaternäre Legierungen des Typs AlxGa1-xAs oder GaxIn1-xAlyPl-y abgeschieden werden. Nachteilig bei diesen Verbindungshalbleitern ist die relativ geringe Integrationsdichte sowie die Umweltunverträglichkeit der Ausgangsstoffe.

Zur Herstellung optoelektronischer Komponenten auf Si-Basis wäre es physikalisch erforderlich im Silizium einen direkten Bandübergang zu erreichen. Zu diesem Zweck versucht man, z. B. nach R. Zachai et al "Photoluminescence in Short-Period Si/Ge Strained-Layer Superlattices", Phys. Rev. Lett. 64 (1990) 1055-1058 durch das Wachstum von geeigneten Silizium-Germanium Übergittern ein "Falten" elektronischer Bänder zu erreichen. Um optoelektronische Komponenten in Silizium (Si) zu integrieren, versucht man z. B. nach P. N. Favenec et al in "Optical Activation of Er Implanted in Silicon by Oxygen Impurities", Jap. J. Appl. Phys. 29 (1990) L524-L526

  • - gegenwärtig noch ohne Erfolg - laseraktive Ionen, wie z. B. Erbium in Silizium zu implantieren und Silizium als Wirtskristall für diese Ionen zu verwenden.


Aus optischen Absoptions- und elektronenspektroskopischen Messungen, z. B. aus M. C. Bost and J. E. Mahen, Optical properties of semiconducting iron disilicide thin films", J. Appl. Phys. 58 (1985) 2696-2703 oder A. Rizzi, H. Moritz and H. Lüth, "Elektronic an vibrational properties of semiconducting crystalline FeSi2 layers grown on Si(111)", J. Vac. Sei Technol. A9 (1991) 912-916 deutet es sich an, daß das Material β-FeSi2 sich elektronisch ähnlich wie die Verbindungshalbleiter verhält. Dabei kann FeSi2 kristallin auf Silizium abgeschieden werden.

Das halbleitende β-FeSi2 hat einen direkten Band- Übergang mit einer Energie von ca. 0,85 eV, was einer Wellenlänge von 1,45 µm entspricht. Diese Wellenlänge liegt günstig in der Nähe des Adsorptionsminimum optischer Glasfaser von 1,55 µm. Weiterhin kann man die Energie des Bandüberganges über eine geeignete Dotierung in gewissen Grenzen einstellen. So führt eine Zugabe von Mangan zu einer Abnahme der Bandlücke mit zunehmender Mangankonzentration.

Neben der halbleitenden Phase des β-FeSi2 existiert oberhalb einer Phasenumwandlungstemperatur Tu von ungefähr 940°C die metallische α-FeSi2-Phase die auch für elektronische Bauelemente von Bedeutung sein könnte.

In einem Vortrag während der Tagung "E-MRS 1991 Spring Meeting" vom 27. bis zum 31. Mai 1991 in Strasbourg (Frankreich) hat der Erfinder über wissenschaftliche Ergebnisse an vergrabenen epitaktischen FeSi2-Schichten in Silizium-Substraten berichtet. Über die Herstellung solcher Strukturen wurde nur insoferne berichtet, als daß nach einer Implantation eines Si-Substrats mit Fe-Ionen zur Herstellung solcher Si/SiFe2-Strukturen zwei Temperungen zunächst bei 1150°C für 10 sec und danach bei 800°C für 17 Stunden durchgeführt wurden. Insgesamt war auf Grundlage dieser unvollständigen Angaben ein Herstellungsverfahren nicht bekannt.

Aufgabe der Erfindung ist ein Verfahren der eingangs bezeichneten Art, bei dem zur Ermöglichung der Integration optoelektronischer Bauelemente in die Siliziumtechnologie aus Silizium und halbleitendem FeSi2 bestehende Heterostrukturen hergestellt werden können.

Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen a bis d gemäß Anspruch 1 gelöst.

Nach diesem Verfahren können Si/FeSi2 -Heterostrukturen mit Hilfe der Ionenstrahlsynthese hergestellt werden. Hierbei werden hochenergetische Fe-Ionen in Siliziumsubstrate implantiert. Mit Hilfe einer anschließenden - ersten - Temperung oberhalb der Umwandlungstemperatur Tu des FeSi2 erhält man eine kontinuierliche Schicht aus metallischem FeSi2. Während dieser Temperung heilen auch die aufgrund der Implantation verursachten Gitterschäden im Si- Substrat aus.

Da die so entstandene metallische α-FeSi2-Schicht in der Silizium-Matrix auch unterhalb der Phasenumwandlungstemperatur - insb. auch bei längerer Temperung - stabil ist, kommt dem gezielten Einbau zur Nukleation und/oder Wachstum vorgesehener Keime im Bereich dieser α-FeSi2-Schicht entscheidende Bedeutung zu. Nur aufgrund dieser Maßnahme ermöglicht eine sich daran anschließende - zweite - Temperung unterhalb der Umwandlungstemperatur Tu des FeSi2 die Umwandlung der metallischen α-FeSi2-Schicht in eine kontinuierliche, aus halbleitendem β-FeSi2 bestehenden Schicht.

Dabei ist es zur Keimbildung in der α-FeSi2-Schicht vorteilhaft in dieser Schicht hochenergetische Ionen zu implantieren, die Ionendosis ist dabei möglichst gering, insb. unterhalb eines Wertes von 6×1014 Fe-Ionen pro cm3 zu halten, sowie die Ionenimplantation bei Temperaturen im Bereich von bis zu 300°C durchzuführen. Untersuchungen mit Hilfe der Transmissionselektronenmikroskopie zeigen im Ergebnis im Siliziumsubstrat vergrabene halbleitende β-FeSi2 Schichten mit schaffen Grenzflächen.

Alternativ und vorteilhafterweise kenn zur Keimbildung in der α-FeSi2-Schicht eine selektive Amorphisierung dieser metallischen Schicht vorgenommen werden. Zweckmäßigerweise erreicht man diese selektive Amorphisierung mit Hilfe einer Ionenimplantation, insb. mit Dosis-Werten bis zu 6×1014 Fe-Ionen pro cm2. Bei geeigneter Wahl der Implantationsparametern kann dadurch eine Amorphisierung der FeSi2- Schicht erreicht werden, ohne dabei die Kristallstruktur der Siliziumdeckschicht zu vollständig zerstören.

Ein weiterer Vorteil der Maßnahme der selektiven Amorphisierung liegt darin, daß zur Rekristallisierung der FeSi2-Schicht eine relativ sehr kurze Temperung bei Temperaturen unterhalb der Umwandlungstemperatur Tu genügt, um halbleitende FeSi2-Schicht zu bilden. Ein weiterer Vorteil liegt darin, daß gleichzeitig die Bildung einer epitaktischen Siliziumdeckschicht verbunden mit der halbleitenden β-FeSi2-Schicht erfolgt. Diese Deckschicht kann als Substrat zu weiteren Epitaxieschritten mit Silizium verwendet werden kenn.

Weitere vorteilhafte oder zweckmäßige Ausführungsformen enthalten die kennzeichnenden Merkmale der Ansprüche 8 bis 17. Insbesondere vorteilhaft ist die gemäß dem kennzeichnenden Merkmal des Anspruchs 10 aufgeführte Maßnahme, Masken zwecks selektiver Ionenimplantation einzusetzen. Diese Maßnahme ermöglicht eine lateral unterschiedliche Verteilung einer oder mehrerer metallischen und/oder halbleitenden FeSi2- Schichten im Siliziumsubstrat.

Mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens mögliche Bauelemente werden in den nachfolgenden Zeichnungen schematisch dargestellt und näher erläutert:

Es zeigt

Fig. 1 Si/FeSi2-Heterostruktur mit lateraler In-situ Strukturierung des FeSi2

Fig. 2a p-n-Übergang mittels FeSi2

Fig. 2b p-n-Übergang mittels FeSi2

Fig. 3 Struktur eines Halbleiterlasers auf der Basis FeSi2

Fig. 4 Hetero-Bipolar-Transistor

Fig. 5 mikroskopischer Querschnitt

Fig. 5 Querschnitt einer mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellten Si/FeSi2-Heterostruktur.

In der Fig. 1 ist eine Si/FeSi2-Heterostruktur mit lateraler in-situ-Strukturierung des FeSi2 dargestellt. Diese Struktur läßt sich durch eine zweifache Implantation mit Hilfe jeweils unterschiedlicher Masken herstellen.

Zunächst wird mit Hilfe einer geeigneten Maske lateral begrenzt eine Implantation mit Fe-Ionen in das Siliciumsubstrat 1 vorgenommen. Die Fe-Ionen werden dabei nur dort, wo keine Maske das Eindringen der Ionen verhindert (hier: Bereiche 4 und 5), in das Siliciumsubstrat 1 eindringen. Anschließend wird die Maske samt darin enthaltenen Fe-Ionen entfernt. Während einer ersten Temperung oberhalb der Phasenumwandlungstemperatur Tu zieht sich die Fe- Verteilung zu einer strukturiert vergrabenen, metallischen α-FeSi2-Schicht zusammen (Bereiche 4 und 5). Zwischen diesen Strukturen befindet sich epitaktisches Silicium (Bereich 2), da aufgrund der Maskierung an dieser Stelle eine Implantation mit Fe- Ionen hier nicht stattgefunden hat. Zur Umwandlung eines Teilbereichs der so erhaltenen metallischen α-FeSi2-Struktur ist eine weitere geeignete Maske sowie eine weitere Implantation zur Bildung von Nukleationskeimen für eine halbleitende β-FeSi2- Struktur notwendig. Eine solche lateral begrenzte zweite Implantation mit z. B. Fe- oder Si-Ionen ist in Fig. 1 im Bereich 5 geschehen. Nach Entfernen der Maske wurde mit Hilfe einer zweiten Temperung unterhalb Tu im Bereich 5 der vorliegenden Si/FeSi2- Heterostruktur halbleitendes β-FeSi2 gebildet.

Vorteilhafterweise liegt die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte FeSi2-Schicht als vergrabene Struktur unterhalb einer epitaktischen Deckschicht aus Silicium vor, die als Substrat für weitere Epitaxieschritte dienen kann.

Des weiteren können mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens auch folgende Bauelemente hergestellt werden:

Anwendungsbeispiel 1: Photodiode

Damit die Energie, die ein Elektron bei einem Sprung vom Leitungsband zum Valenzband von halbleitendem β-FeSi2 in Form eines Photons abgibt, ist zur Bildung einer Photodiode ein p-n-Übergang erforderlich. Ein solcher Übergang kann durch eine in Fig. 2a dargestellte Schichtenfolge aus p-FeSi2 als Schicht und darauf gebildetem n-FeSi2 als Schicht 2 gebildet werden. Dabei erfolgt die Dotierung des FeSi2 durch geeignete Zugabe von Dotieratomen. Beispielsweise könnte zur Bildung des p-leitenden FeSi2 Mangan oder Aluminium und zur Bildung des n-leitenden FeSi2 beispielsweise Cobalt gewählt werden.

Eine alternative Möglichkeit zur Herstellung eines p-n-Übergangs liegt darin, eine Schichtenfolge herzustellen, die aus einer p-leitenden FeSi2-Schicht 1 und einer darauf gebildeten n-leitenden Siliciumschicht 3 hergestellt ist. Des weiteren wäre auch die Kombination p-leitendes Silicium auf n-leitendem FeSi2 denkbar.

Ein solcher p-n-Übergang ist schließlich noch in Durchlaßrichtung vorzuspannen, damit eine Photoquelle im Infraroten gegeben ist.

Anwendungsbeispiel 2: Laserdiode

Die oben beschriebene Photodiode läßt sich beispielsweise durch Einbau in einen geeigneten Resonator zu einer Laserdiode umbauen. In Fig. 3 ist die Struktur eines solchen Halbleiterlasers schematisch dargestellt. Die optisch aktive FeSi2-Schicht 3 wird durch zwei geeignete Spiegel 1, 2 abgeschlossen. Diese Spiegel bestehen aus Reflexionsgittern, bei denen eine Brechungsindexänderung mit der Periode von 1/4 der Wellenlänge erzeugt wurde. Diese Spiegel können durch eine selektive Herstellung von metallischem α- und β-FeSi2 gebildet werden. Auch die Implantation von geeigneten Ionen, die den Brechungsindex von halbleitendem FeSi2 verändern, können mit Hilfe einer Implantationsmaske solcher Spiegel hergestellt werden. Die Form der optisch aktiven Schicht kann durch normale optische Lithographietechniken strukturiert werden. Bei der Verwendung der Ionenstrahlsynthese lassen sich solche Strukturen in einfacher Weise bei der Implantation durch geeignete Masken herstellen. Die Konzentration der Dotierstoffe (z. B. Mangan) in halbleitendem β-FeSi2 kann so eingestellt werden, daß die Wellenlänge des Lasers gerade in das Absorptionsminimum von optischen Glasfasern fällt.

Anwendungsbeispiel 3: Optischer Verstärker

Die beschriebene Photodiode läßt sich ebenfalls als optischer Verstärker verwenden. Dabei werden als Eingangssignal Photonen in dem Verstärker eingekoppelt. Daraufhin erzeugen sie im Verstärker durch induzierte Emission Übergänge von Elektronen vom Leitungsband in das Valenzband und verstärken die Intensität des Eingangssignals. Die Verstärkung kann durch die Länge des Verstärkers (mit Rücksicht darauf, daß die Verstärkung bei sehr geringen Eingangssignalen im wesentlichen exponentiell von der Länge des Verstärkers abhängt) und durch die anliegenden Strom-Spannungswerte in geeigneter Weise variiert werden. Ein solcher optischer Verstärker kann in optischen Glasfaserkabeln eingesetzt werden.

Anwendungsbeispiel 4: Infrarotdetektor und Solarzelle

Bei der Absorption von Photonen haben sich Bauelemente auf Siliciumbasis bereits gut bewährt, wie z. B. die Solartechnologie auf Silicium zeigt. Eine Verbesserung hinsichtlich des Wirkungsgrades von Infrarotdetektoren könnte mit Hilfe von p-n-Übergängen aus halbleitendem β-FeSi2 zu Silicium erreicht werden. Die oben aufgeführten Photodiodenstrukturen lassen sich bei einer Vorspannung in Sperrichtung auch als Detektoren von Photonen verwenden. Bei der Absorption von Photonen werden dann Elektronen vom Valenzband ins Leitungsband gehoben und als Strom nachgewiesen. Neben der für einen höheren Wirkungsgrad dieser Detektoren verantwortlichen Eigenschaft, daß der Bandübergang von FeSi2 direkt ist, hat eine solche Heterostruktur zusätzlich den Vorteil eines fast atomar abrupten p-n-Überganges, was eine hohe elektrische Feldstärke im Übergang zur Folge hat. Damit werden durch Photoabsorption entstandene Elektron-Loch-Paare durch das elektrische Feld schneller getrennt und können nicht mehr rekombinieren. Auch dies führt bei Photodetektoren und insbesondere Solarzellen zu einer Erhöhung des Wirkungsgrades dieser Bauelemente.

Anwendungsbeispiel 5: Wellenleiter in Silicium

Neben der Erzeugung und Detektion von Photonen ist für eine integrierte Optik in Silicium eine Führung der Photonen von einem Punkt zu einem anderen Punkt des Wafers von Bedeutung. Ein Bauelement, das die optische Information ohne Absorption und mit möglichst geringen Verlusten transportiert, ist der Wellenleiter. Auch hier bietet sich undotiertes halbleitendes FeSi2 als mögliche Komponente zur Bildung eines Wellenleiters an. Dabei ist der große Brechungsindexsprung von FeSi2 zu Silicium (Brechungsindex ungefähr 5,6 bzw. ungefähr 3,5) vorteilhaft für den Einsatz von FeSi2 als Schichtwellenleiter in Silicium. Die Größe dieses Brechungsindexsprungs bildet eine gute Voraussetzung zur Führung von Photonen in Silicium. Insbesondere in Silicium vergrabene halbleitende FeSi2-Schichtwellenleiter eignen sich besonders gut, da sich in diesem Falle oberhalb und unterhalb des Schichtwellenleiters ein Material mit gleichem Brechungsindex, nämlich Silicium, befindet. Es läßt sich abschätzen, daß die kritische Schichtdicke des Wellenleiters für eine geführte Ausbreitung einer Welle in der Größenordnung von etwa 100 nm und damit besonders klein ist. Darüber hinaus hat undotiertes FeSi2 eine höhere Bandlücke als die optoelektronischen Bauelemente (Halbleiter, Leser und Photodetektor), mit der Folge, daß keine Elektronen vom Valenzband Leitungsband angeregt und somit nicht absorbiert werden können.

Anwendungsbeispiel 6: Hetero-Bipoler-Transistort

Die Grenzfrequenz und die Verstärkung eines Bipolar-Transistors kann deutlich gesteigert werden, wenn die Basis sehr dünn, mit einem abrupten Übergang und aus einem Material mit einer geringeren Bandlücke als Silicium hergestellt wird. Diese Hetero-Bipolar- Transistoren werden bereits schon mit einer Basis aus einem Silicium-Germanium-Mischkristall produziert. Da sich aber mit halbleitendem FeSi2 sehr abrupte Übergänge in Silicium herstellen lassen und außerdem die Bandlücke von FeSi2 geringer als die des Siliciums ist, kann die Basis eines Hetero-Bipolar-Transistors aus FeSi2 aufgebaut werden und die Verstärkung und die Grenzfrequenz des Transistors erhöhen. In der Fig. 4 ist schematisch ein n-p-n- und ein p-n-p- Transistor mit FeSi2 als Basis dargestellt. Wahlweise kann p-FeSi2 als Basis 2 oder n-FeSi2 als Basis 3 ausgebildet werden. Dabei ist die Basis von als Emitter und Kollektor ausgestaltete Schichten aus n-Silicium bzw. p-Silicium umgeben (Emitter/Kollektor 1/1 bzw. 4/4).

Anwendungsbeispiel 7: Permeable-Base-Transistor

Neben der halbleitenden β-FeSi2-Phase ist die metallische α-Phase von FeSi2 für die Anwendung als Basismaterial in einem Permeable-Base-Transistor interessant, da sich das FeSi2 durch eine hohe Schottky-Barrierenhöhe von ungefähr 0,85 eV zu n- leitendem Silicium auszeichnet.

Im übrigen lassen sich durch eine Kombination dieser Einzelelemente für die Anwendung interessante Strukturen aufbauen.

In der Fig. 5 ist ein mikroskopischer Querschnitt durch eine Silicium/ β-FeSi2-Heterostruktur, wie sie nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt wurde, dargestellt. Deutlich ist die äußerst scharf begrenzte β-FeSi2-Schicht mit einer Dicke von ca. 80 nm, benachbart von dem Si-Substrat auf der Unterseite und einer Si-Deckschicht auf der oberen Seite sichtbar.


Anspruch[de]
  1. 1. Verfahren zur Herstellung einer Silizium-Eisensilizid-(Si/FeSi2)-Heterostruktur für ein elektronisches, optisches oder optoelektronisches Bauelement, insb. einen Hetero-Bipolar-Transistor, einen Wellenleiter, einen Laser, einen Infrarot-Detektor oder eine Photodiode, dadurch gekennzeichnet, daß
    1. a) zunächst hochenergetische Fe-Ionen im Siliziumsubstrat implantiert werden,
    2. b) diese Struktur bei einer Temperatur oberhalb der Umwandlungstemperatur Tu des FeSi2 solange getempert wird, daß eine kontinuierliche aus metallischen α-FeSi2 bestehende Schicht im Siliziumsubstrat entsteht,
    3. c) danach im Bereich dieser α-FeSi2-Schicht zur Nukleation und/oder Wachstum vorgesehene Keime eingebaut werden und
    4. d) schließlich diese Si/FeSi2-Heterostruktur unterhalb der Umwandlungstemperatur Tu des FeSi2 getempert wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Keimbildung in der α-FeSi2-Schicht in dieser hochenergetische Ionen implantiert werden.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß bei der zur Keimbildung vorgesehenen Implantation die Ionendosis gering, insb. unterhalb eines Wertes von 6×1014 Fe-Ionen pro cm2 gehalten wird.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 2 oder Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die zur Keimbildung vorgesehene Ionenimplantation bei Temperaturen bis zu 300°C insb. bis zu Raumtemperatur, durchgeführt wird.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Keimbildung in der metallischen α-FeSi2- Schicht diese selektiv amorphisiert wird.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die selektive Amorphisierung der α-FeSi2- Schicht mittels Ionenimplantation erreicht wird.
  7. 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die zur selektiven Amorphisierung erforderlichen Ionenimplantation mit Dosis-Werten bis zu 6×1014 Fe-Ionen pro cm2 durchgeführt wird.
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 6 oder Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die zur selektiven Amorphisierung der α-FeSi2-Schicht vorgesehene Ionenimplantation bei Temperaturen im Bereich von 4K bis 373K, insb. bei Raumtemperatur durchgeführt wird.
  9. 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß als Ionensorte Fe und/oder Si verwendet wird.
  10. 10. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Ionenimplantation im räumlichen Bereich der FeSi2-Schicht selektiv insb. räumlich begrenzt, eingesetzt wird.
  11. 11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, daß zur selektiven Ionenimplantation Masken eingesetzt werden.
  12. 12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, deß die Temperung der mit hochenergetischen Fe- Ionen dotierten Siliziumstruktur bei einer Temperatur im Bereich zwischen 950°C und 1200°C, insb. bei 1150°C durchgeführt wird.
  13. 13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperung der mit hochenergetischen Fe- Ionen dotierten Siliziumstruktur oberhalb der Umwandlungstempertur Tu des FeSi2 im Zeitbereich von 0,5 sec bis zu 60 min, insb. 10 sec, erfolgt.
  14. 14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die unterhalb der Umwandlungstemperatur Tu des FeSi2 stattfindende Temperung im zeitlichen Bereich von 1 sec bis zu 12 min, insb. 10 sec erfolgt.
  15. 15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die unterhalb der Umwandlungstemperatur Tu des FeSi2 stattfindende Temperung im zeitlichen Bereich von 12 min bis zu 30 Std erfolgt.
  16. 16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperung unterhalb der Umwandlungstemperatur Tu des FeSi2 im Bereich von 600°C bis 900°C, insb. 750°C bis 800°C erfolgt.
  17. 17. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zur Implantation des Siliziumsubstrats hochenergetische Fe-Ionen mit einer Energie im Bereich von 20 keV bis 20 MeV, insb. von 100 bis 400 keV, vorgesehen sind.






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