Die Erfindung wird nachfolgend anhand von schematischen Zeichnungen näher erläutert.

Es zeigt:

Fig. 1 die Behandlung einer Substratoberfläche,

Fig. 2 das durch die Behandlung gemäß Fig. 1 hergestellte Substrat.

Fig. 1 zeigt ein flächiges Substrat 1, mit einem rechteckigen Querschnitt, das aus einem Polymer gefertigt ist. Es wird davon ausgegangen, daß es sich bei dem Polymer um Polyimid handelt. Substrate aus Polycarbonat können ebenfalls so behandelt werden. In definiertem Abstand von der Oberfläche 1S des Substrats 1 ist ein Excimerstrahler 3 angeordnet. Dieser ist in Fig. 1 nur schematisch dargestellt. Eine detaillierte Beschreibung eines solchen Excimerstrahlers 3 kann der EP-OS 02 54 111 entnommen werden. Der Excimerstrahler 3 besteht aus einem durch eine einseitig gekühlte Metallelektrode (hier nicht dargestellt) und ein Dielektrikum oder durch zwei Dielektrika (hier ebenfalls nicht dargestellt) begrenzten und mit einem Edelgas oder Gasgemisch gefüllten Entladungsraum (hier nicht dargestellt). Das Dielektrikum und die auf der dem Entladungsraum abgewandten Oberfläche des Dielektrikums liegende zweite Elektrode sind für die durch stille elektrische Entladung erzeugte Strahlung transparent. Durch diese Konstruktion und durch eine geeignete Wahl der Gasfüllung wird ein großflächiger UV-Hochleistungsstrahler 3 mit hohem Wirkungsgrad geschaffen. Mit Hilfe der jeweiligen Gasfüllung kann UV-Strahlung mit einem Wellenlängenbereich zwischen 60 und 400 nm erzeugt werden. Das wichtigste Merkmal dieses Entladungstyps ist die Existenz einer dielektrischen Barriere, also eines Isolators im Strompfad zwischen den Elektroden. Da dieser Isolator keinen Gleichstrom durchläßt, kann die Entladung nur mit Wechselstrom betrieben werden. Dabei speist der dielektrische Verschiebungsstrom die Entladung oder anders ausgedrückt, bewirkt das Dielektrikum eine kapazitive Kopplung zwischen der treibenden elektrischen Quelle und dem Entladungsplasma. Wird die stille Entladung bei einem Druck oberhalb von ca. 0,1 bar betrieben, so bilden sich sehr viele dünne Stromfäden aus. Diese Mikroentladungen bestehen jeweils aus einer annähernd zylindrischen Plasmasäule und münden beim Übergang auf das Dielektrikum in eine Oberflächenentladung.

Die UV-Strahlung wird durch Excimerbildung in den Mikroentladungen erzeugt.

Soll nun beispielsweise das aus Polyimid hergestellte Substrat 1 mit einer Oberflächenstruktur versehen werden, so wird, wie in Fig. 1 dargestellt, auf die Oberfläche des Substrats 1 eine Maske 4 aufgelegt. Diese ist mit Durchlässen 4D versehen. Durch diese Durchlässe 4D kann das von dem Excimerstrahler 3 kommende Licht auf die Oberfläche des Substrates 1 gelangen. Es hat sich gezeigt, daß durch Verwendung von UV-Strahlung mit einer Wellenlänge von 172 nm ein Abätzen des Polymers möglich ist. Um mit Hilfe des Hochleistungsstrahlers 3 eine solche UV-Strahlung erzeugen zu können, erhält dieser eine Gasfüllung aus Xenon. Die Xenonentladung führt durch Elektronenstoß zur Bildung angeregter Xenonatome Xe* und im Anschluß daran zur Excimerbildung.

In der Entladung laufen zusätzliche Reaktionen zwischen weiteren angeregten Reaktionspartnern Xe**, Xe₂** sowie positiven Ionen Xe&spplus;, Xe₂&spplus; und Elektronen ab. Die gebildeten Me₂*-Excimere zerfallen innerhalb weniger Nanosekunden und geben ihrer Bindungsenergie in Form von VUV-Strahlung ab. Der Hochleistungsstrahler 3 wird mit einer Wechselspannung gespeist, deren Frequenz zwischen 50 Hz und 1 MHz liegt, und deren Amplitude einige Kilovolt beträgt. Durch geeignete Wahl des Fülldrucks und der Entladungsparameter entsteht ein Spektrum, in dem nur das zweite Kontinuum des Xe₂*-Excimers erscheint. Es handelt sich um eine relativ schmalbandige Emmission, deren Maximum bei 172 nm im Vakuumultraviolett liegt und deren Halbwertsbreite etwa 12 nm beträgt. Diese Strahlung entspricht einer Photonenenergie von 7.2 eV und ist damit energetisch in der Lage, diverse chemische Molekülverbindungen direkt zu spalten. Zu diesen Molekülverbindungen gehören auch die von Polyimid, aus dem das Substrat 1 hergestellt ist. Die mit dem Hochleistungsstrahler erreichbaren Photonenflüsse liegen bei 10¹⁶ bis 10¹⁷ Photonen pro Sekunde und pro cm² Elektrodenfläche (Größenordnung: 100 mW/cm²). Durch Vergrößerung der Elektrodenfläche oder durch die Parallelschaltung mehrerer solcher Hochleistungsstrahler lassen sich sehr hohe VUV-Leistungen erzielen. Die Oberfläche 1S des in Fig. 1 dargestellten Substrats 1 wird nun durch die Maske 4 mit einem solchen Hochleistungsstrahler 3, der UV-Strahlung mit einer Wellenlänge von 172 nm aussendet, bestrahlt. Es entsteht nach einer Belichtungszeit von 30 Minuten, wobei die ganze Anordnung im Vakuum angeordnet ist, das in Fig. 2 dargestellte Substrat, mit der gezeigten Oberflächenstrukturierung. Im Bereich der Durchlässe 4D ist die Oberflächenschicht 1S bis zu einer Tiefe von 1.5 µm abgeätzt. Die von der Maske 2 geschützten Flächen sind nicht abgeätzt. Erfindungsgemäß besteht die Möglichkeit, mit Hilfe des Hochleistungsstrahlers 3 auch die gesamte Oberfläche 1S des Substrates 1 um 1,5 µm abzutragen. Hierfür wird auf die Anordnung der Maske 4 vollständig verzichtet, so daß eine ganzflächige Bestrahlung möglich ist. In gleicher Weise können Substrate 1 aus Polycarbonat mit einer strukturierten Oberfläche 1S versehen werden.