Die Erfindung wird nachfolgend anhand von schematischen Zeichnungen näher erläutert.

Es zeigen:

Fig. 1 die strukturierte Beschichtung eines Substrats,

Fig. 2 das beschichtete Substrat gemäß Fig. 1.

Fig. 1 zeigt ein flächiges Substrat 1 auf dessen Oberfläche 1S eine metallische Schicht abgeschieden werden soll. Das Substrat ist bei dem hier dargestellten Ausführungsbeispiel aus Aluminiumoxid (Al₂O₃) gefertigt. Die metallische Beschichtung kann jedoch auch auf anderen Substraten (hier nicht dargestellt) ausgebildet werden, die aus einem organischen oder anorganischen Werkstoff gefertigt sind, der mindestens bis zu Temperaturen von -200°C beständig ist. Das Substrat 1 wird bei dem hier dargestellten Ausführungsbeispiel vor der Beschichtung mit flüssigem Stickstoff (hier nicht dargestellt) auf -196°C gekühlt. Anschließend wird eine chemische Verbindung mit einer Metallkomponente 2 in Form eines Acetylacetonats oder ein Metallalkyl bei etwa 440°C verdampft und mit Hilfe eines Trägergases der Oberfläche des Substrats 1 zugeführt. Da das Substrat auf - 198°C gekühlt ist, kondensiert die verdampfte Verbindung auf der Oberfläche und wird dort adsorbiert. Bei dem hier dargestellten Ausführungsbeispiel wird Kupferacetylacetonat auf der Oberfläche abgeschieden. Die Dicke der abgeschiedenen Schicht wird so gewählt, daß die zu bildende metallische Schicht 2M nach der Fertigstellung eine Dicke zwischen 0,5 und 50 nm aufweist. Anstelle von Kupferacetylacetonat kann auch eine metallorganische Verbindung aufgetragen werden, deren Metallkomponente Palladium ist. Ebenso kann ein Metallalkyl verwendet werden, das als metallische Komponente Al, Ga, In, Si, Ge, Zn oder Pb aufweist.

Wie Fig. 1 zeigt, ist in definiertem Abstand über der zu beschichtenden Oberfläche 1S des Substrats ein UV-Hochleistungsstrahler 3 angeordnet. Eine detaillierte Beschreibung dieses Hochleistungsstrahlers kann der EP-OS 02 54 111 entnommen werden. Der Hochleistungsstrahler 3 besteht aus einem durch eine einseitig gekühlte Metallelektrode (hier nicht dargestellt) und ein Dielektrikum (ebenfalls hier nicht dargestellt) begrenzten und mit einem Edelgas oder Gasgemisch gefüllten Entladungsraum (hier nicht dargestellt). Das Dielektrikum und die auf der dem Entladungsraum abgewandten Oberfläche des Dielektrikums liegende zweite Elektrode sind für die durch stille elektrische Entladung erzeugte Strahlung transparent. Durch diese Konstruktion und durch eine geeignete Wahl der Gasfüllung wird ein großflächiger Hochleistungsstrahler zur Erzeugung inkohärenter UV-Strahlung mit hohem Wirkungsgrad geschaffen. Mit Hilfe einer Gasfüllung aus Helium bzw. Argon kann UV- Strahlung mit einer Wellenlänge zwischen 80 und 100 nm bzw. 107 und 165 nm erzeugt werden. Eine Xenongasfüllung erlaubt die Erzeugung einer UV-Strahlung mit einer Wellenlänge zwischen 180 und 190 nm, wobei das Maximum hierbei bei 172 nm liegt. Mit einer Gasfüllung aus Argonfluorid bzw. Kryptonfluorid kann UV-Strahlung im Wellenlängenbereich zwischen 180 bis 200 nm bzw. 240 bis 250 nm erzeugt werden. Mit einem Gasgemisch aus Xenon und Chlor läßt sich mit dem Hochleistungsstrahler eine UV-Wellenlänge von 300 bis 320 nm erzeugen. Falls die auszubildende metallische Schicht 2M eine definierte Struktur aufweisen soll, kann zwischen dem Hochleistungsstrahler 3 und der Oberfläche 1S des Substrats 1 eine Maske 4 angeordnet werden, die an den Stellen Durchlässe 4D aufweist, an denen auf der Oberfläche 1S des Substrates 1 eine metallische Schicht ausgebildet werden soll. Durch das Bestrahlen der abgeschiedenen Schicht 2 wird diese zersetzt, und es kommt zur Ausbildung einer metallischen Schicht. Das Substrat 1 wird sowohl beim Abscheiden der chemischen Verbindung 2 als auch beim Bestrahlen der abgeschiedenen Schicht 2 auf der Mindesttemperatur von -198°C gehalten. Ist die Schicht 2 zersetzt, so kann die Kühlung des Substrats 1 beendet werden. Die bei der Bestrahlung durch die Maske 4 nicht zersetzten Bereiche des Schicht 2 müssen nun noch von der Oberfläche 1S entfernt werden. Hierfür kann das Substrat 1 beispielsweise auf die Sublimationstemperatur der chemischen Verbindung erwärmt werden, wenn dieses nicht aus einem temperaturempfindlichen Werkstoff gefertigt ist. Dadruch sublimieren die nicht zersetzten Bereiche der Schicht 2. Zurück bleiben die in Fig. 2 dargestellten strukturierten metallischen Schichten 2M auf der Oberfläche 1S des Substrates 1.