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Dokumentenidentifikation DE68906133T2 21.10.1993
EP-Veröffentlichungsnummer 0374690
Titel Programmierbare schmelzbare Verbindungsstruktur, die Plasmametallätzen erlaubt.
Anmelder National Semiconductor Corp., Santa Clara, Calif., US
Erfinder Marazita, Frank, San Jose, CA 95112, US;
Readdie, John Easton, San Jose, CA 95129, US;
McFarlane, Brian, Campbell, CA 95008, US
Vertreter Sparing, K., Dipl.-Ing.; Röhl, W., Dipl.-Phys. Dr.rer.nat.; Henseler, D., Dipl.-Min. Dr.rer.nat., Pat.-Anwälte, 40237 Düsseldorf
DE-Aktenzeichen 68906133
Vertragsstaaten DE, FR, GB, IT, NL
Sprache des Dokument En
EP-Anmeldetag 12.12.1989
EP-Aktenzeichen 891228983
EP-Offenlegungsdatum 27.06.1990
EP date of grant 21.04.1993
Veröffentlichungstag im Patentblatt 21.10.1993
IPC-Hauptklasse H01L 21/90

Beschreibung[de]

Diese Erfindung betrifft integrierte Schaltkreiskomponenten und insbesondere Verfahren für die Bildung von aufschmelzbaren Verbindungen in einer integrierten Schaltkreiskomponente und die resultierenden Durchschmelzverbindungsstrukturen.

Integrierte Schaltkreise, welche durchschmelzbare Verbindungen verwenden, sind im Stand der Technik bekannt; das Verfahren bzw. die Struktur, die in der Präambel der Patentansprüche 1 bzw. 16 definiert sind, wurden durch EP-A-0 162 145 offenbart. Derartige durchschmelzbare Verbindungen sind beispielsweise brauchbar für das an Ort und Stelle erfolgende Programmieren, d.h. nachdem das Bauteil produziert und montiert worden ist durch den Hersteller und zum Kunden versandt worden ist. Beispielsweise verwenden programmierbare Festwertspeicher (PROMs) und vor Ort programmierbare Logikmatrixen (FPLAs) Durchschmelzverbindungen, um dem Kunden zu ermöglichen, ein Bauteil elektrisch zu programmieren, anstatt die Herstellung eines teuren und zeitaufwendigen Satzes von Masken zu erfordern, um Komponenten bei der Herstellung durch den Halbleiterhersteller zu programmieren.

Eine Anzahl von Techniken ist verwendet worden, um Durchschmelzverbindungen herzustellen. Beispielsweise wurden polykristallines Silicium, Wolfram,Titanwolfram und Nickelchrom sämtlich als Durchschmelzverbindungsmaterial bei integrierten Schaltkreisen eingesetzt.

Jüngere Durchschmelzverbindungsstrukturen haben sich auf die Verwendung einer einzelnen Schicht aus Titanwolfram konzentriert, die sowohl als Durchschmelzverbindung wie auch als Metallisierungsbarriere dient zum Eliminieren unerwünschter Legierung von Aluminium-Metallisierung und Silicium. In der Praxis wird eine Schicht aus Metallisierungsmaterial, wie Aluminium, über einer Schicht aus Durchschmelzmaterial gebildet, und unter Anwendung geeigneter Maskiertechniken wird die Metallisierungsschicht bemustert zum Bilden eines gewünschten elektrischen Verdrahtungsmusters. Danach werden unter Anwendung einer anderen Maske freigelegte Abschnitte der Schicht aus Durchschmelzmaterial geätzt zum Bilden diskreter Durchschmelzverbindungen. Sowohl Wolfram als auch Titanwolfram können mittels geeigneter Naßätztechniken geätzt werden, um die Schicht aus Durchschmelzmaterial in diskrete Durchschmelzverbindungen zu bemustern, während eine gute Ätzselektivität vorgesehen wird, d.h. durch Ätzen des Wolframs oder Titanwolframs mit guter Geschwindigkeit ohne merkbares Ätzes der Metallisierung. In ähnlicher Weise können Metallisierungsschichten, wie Aluminium, naßgeätzt werden unter Anwendung beispielsweise von Phosphorsäure, um die Metallisierungsschicht in ein gewünschtes elektrisches Verdrahtungsmuster zu bemustern, während das Durchschmelzmaterial nicht merkbar geätzt wird. Infolge der guten Ätzselektivität, die bezüglich der Metallisierung gegenüber dem Durchschmelzmaterial zur Verfügung steht, wurden getrennte Schritte des Naßätzens des Metallisierungs- und Durchschmelzmaterials ausgenutzt, um ein elektrisches Verdrahtungsmuster und diskrete Durchschmelzverbindungen zu bilden.

Bei der Verdichtung integrierter Schaltkreise hat Plasma-Ätzen Anwendung gefunden als Ersatz für Naßätzen, da Plasma-Ätzen kleinere Geometrien ermöglicht mit deutlich weniger Hinterschnitt und lateralem Ätzen. Die Plasma-Bedingungen jedoch, die geeignet sind für das Ätzen von Aluminium, wie C1, CCl&sub4; oder eine Kombination derselben, haben keine gute Selektivität bezüglich des Ätzens von Wolfram und Titanwolfram. Demgemäß stand Plasma-Ätzen nicht unmittelbar zur Verfügung zum Bilden von Durchschmelzverbindungsstrukturen, und Naßätztechniken bleiben die Norm für die Bemusterung der ersten Metallisierungsschicht wie auch für die Schicht aus Durchschmelzmaterial. Eine im Stand der Technik bekannte Technik verwendet einen ersten Plasma-Ätzschritt für das Ätzen einer Aluminiumschicht während einer Zeitdauer, die nicht hinreicht, das unterlagerte Durchschmelzmaterial zu ätzen, und einen nachfolgenden Naßätzschritt für die Bemusterung des unterlagerten Durchschmelzmaterials. Während diese Technik nach dem Stand der Technik theoretisch die gewünschte Selektivität zwischen dem Ätzen von Aluminium-Metallisierung und unterlagertem Durchschmelzmaterial schafft, handelt es sich um einen Zwei-Schritte-Prozeß und ist sehr schwierig durchzuführen, da jedes exzessive Plasma-Ätzen unerwünschtes Atzen nicht nur des Aluminiums, sondern auch des darunterliegenden Durchschmelzmaterials bewirkt.

Eine typische Schmelzkomponente nach dem Stand der Technik und ihr Herstellverfahren ist in Figuren 1a bis 1c dargestellt. Wie in Figur 1a gezeigt, umfaßt ein Halbleitersubstrat 10 aktive Bereiche, wie Transistoren. Auf der oberen Oberfläche des Substrats 10 ist eine Schicht 11 aus Titanwolfram bis zu einer Dicke von etwa 7 x 10&supmin;&sup8; m (700 Å) gebildet. Die Aluminium-Metallisierungsschicht 12 wird dann auf der Titanwolframschicht 11 gebildet und bemustert in das gewünschte Metallisiserungsverdrahtungsmuster, beispielsweise unter Verwendung von Phosphorsäure, die die Aluminiumschicht 12 ätzt, jedoch die unterlagerte Titanwolframschicht 11 nicht merkbar angreift. Wie in Figur 1a gezeigt, ist jedes Ende einer zu bildenden Durchschmelzverbindung 14 (Figur 1c) elektrisch in Kontakt mit getrennten Abschnitten der Metallisierungsschicht 12, wobei dazwischen Spalte 15 gebildet sind.

Gemäß Figur 1b wird eine Maskierschicht 13, wie Photoresist, gebildet, um jene Abschnitte der Titanwolframschicht 11 zu definieren, die in Bereichen bleiben müssen, die nicht überdeckt sind von verbleibenden Abschnitten der Aluminium-Metallisierungsschicht 12 und demgemäß als diskrete Durchschmelzverbindungen dienen werden.

Gemäß Figur 1c werden die freigelegten Abschnitte der Titanwolframschicht 11 dann abgetragen durch Naßätzen, beispielsweise mit H&sub2;O&sub2;, das nicht merkbar die verbleibenden Abschnitte der Aluminium- Metallisierungsschicht 12 angreift. Das Maskiermaterial 13 wird dann entfernt, und eine doppelbogenförmige Schmelzsicherung 14 zeigt sich elektrisch verbunden mit jedem ihrer Enden mit einem Abschnitt der bemusterten Metallisierungsverdrahtungsschicht 12.

Es ist wichtig, daß die Struktur gemäß Figuren 1a bis 1c nach dem Stand der Technik einschließlich Metallisierungsverdrahtungsschicht 12 und Sicherung 14 unter Verwendung von Naßätzen hergestellt werden muß, da Plasma-Atmosphären, die zum Ätzen der Aluminiumschicht 12 in ein gewünschtes Muster verwendet werden könnten, auch in unerwünschter Weise die Titanwolframschicht 11 ätzen würden und umgekehrt. Es ist natürlich möglich, Abschnitte der Aluminiumschicht 12, die intakt bleiben müssen, mit Photoresistschicht 13 abzudecken, um einen Schutz während des Ätzens der Schmelzschicht 11 zu schaffen, obwohl dies sehr präzise Ausfluchtung erforderlich machen würde oder die Auswahl der Endabmessungen der fertiggestellten Sicherung größer gemacht werden müßte, um einen Ausgleich für Fehlausfluchtung zwischen Maskierschicht 13 und Aluminiumverdrahtungsschicht 12 zu schaffen.

Es ist jedoch nicht möglich, zuverlässig das Plasma-Ätzen von Abschnitten der Aluminium-Metallisierungsschicht 12 ohne merkbare Beschädigung an den unterlagerten Abschnitten der Titanwolframschicht 11 durchzuführen, wenn einmal das überlagerte Aluminium abgetragen ist. Ein weiteres Problem mit der Technik nach dem Stand der Technik gemäß Figuren 1a bis 1c besteht darin, daß die Titanwolframschicht 11 nicht nur als Sicherungsmaterial dient, sondern als Barrierematerial, das dazu dient, das Legieren zu verhindern, was elektrische Kurzschlüsse hervorrufen würde zwischen der Aluminium-Metallisierungsschicht 12 und diffundierten Bereichen innerhalb des Substrates 10, mit dem sie verbunden ist. Dies bedeutet, daß die Dicke der Titanwolframschicht 11 ausreichen muß, um die Legierungsbildung zu vermeiden, und nicht auf einen Wert herabgesetzt werden kann, der unter dieser Dicke liegt, wie es wünschenswert wäre, um den Strom und die Spannung zu reduzieren, die erforderlich sind, um die Sicherung 14 während des Programmierens zu öffnen.

Noch ein weiterer Nachteil dieser Vorgehensweise nach dem Stand der Technik sind die Reflexionen von den Seitenwandungen der Aluminiumschicht 12 während der Bemusterung der Photoresistschicht 13, was die Anwendung der doppelbogenförmigen Form der Sicherung notwendig macht anstatt der Anwendung einer stabförmigen (rechteckigen) Sicherung. Wie im Stand der Technik bekannt, resultieren solche Reflexionen von den Seitenwandungen der Aluminiumschicht 12, wie in Figur 1d gezeigt, in unerwünschten Einschnürungen 17 in der Sicherung 14 infolge Überexposition von Abschnitten der Photoresistschicht infolge solcher Reflexionen. Dieses Einschnüren tritt sehr dicht an jenen Abschnitten der Metallisierungsschicht 12 auf, die als elektrische Verbindungen zu der Sicherung 14 dienen. Während des Programmierens ist es erwünscht, die Sicherung nahe der Mitte der Sicherung zu öffenen anstatt an den Enden. Leider wird das Einschnürungsproblem, das in Figur 1d gezeigt ist, bewirken, daß die Sicherung sich nahe der Metallisierungsschicht 12 während des Programmierens öffnet, was zu Zuverlässigkeitsproblemen führt.

Gemäß den Lehren dieser Erfindung wird eine neuartige Sicherungsstruktur und Verfahren der Herstellung gelehrt, die es ermöglichen, das Plasma-Ätzen von Metallisierungsmaterialien anzuwenden, ohne in unerwünschter Weise Sicherungsmaterialien zu ätzen und umgekehrt. Gemäß einer Ausführungsform dieser Erfindung wird eine Schicht aus Durchschmelzmaterial, wie Wolfram, das in Sicherungselemente zu mustern ist, auf der Oberfläche eines Substrats gebildet. In dem Sicherungsbereich wird eine Maskierschicht gebildet und bemustert, um die zu bildenden Sicherungselemente zu definieren, und danach wird ein Barrieremetall, wie Titanwolfram, über der gesamten Oberfläche der Vorrichtung gebildet, um als Barrieremetall zwischen nachfolgend gebildeter Aluminium-Metallisierung und dem Substrat zu dienen. Eine Metallisierungsschicht wird dann auf der gesamten Oberfläche der Komponente gebildet. Eine Metallmaske wird dann auf der Vorrichtung gebildet, und ungewünschte Abschnitte der Metallisierungsschicht werden abgetragen unter Belassung eines gewünschten Metallisierungsverdrahtungsmusters. Gleichzeitig werden Abschnitte der Schicht aus Sicherungsmaterial in Bereichen abgetragen, die nicht durch die verbleibenden Abschnitte der Metallisierungsschicht geschützt sind oder durch die Maskierschicht, welche die gewünschten Sicherungen überdeckt. Die Anwendung der Maskierschicht dient als Ätzbarriere während des Plasma-Ätzens der Metallisierung, wodurch die Sicherungselemente gegenüber dem Plasma-Atzmittel maskiert werden.

In einer anderen Ausführungsform dieser Erfindung wird die vorerwähnte Wolframschicht ersetzt durch eine Schicht aus Titanwolfram, die sowohl als Sicherungselement wie auch als Barrierematerial dient.

Gemäß dieser Ausführungsform wird eine nachfolgende Schicht aus Titanwolfram nicht benötigt.

Figuren 1a bis 1c zeigen ein typisches Sicherungselement nach dem Stand der Technik und sein Herstellverfahren;

Figur 1d zeigt das Problem mit Einschnürungen infolge Reflexionen von Seitenwandungen einer Metallisierungsschicht;

Figuren 2a bis 2e zeigen eine Ausführungsform eines Sicherungselement, aufgebaut gemäß den Lehren dieser Erfindung, und eine Ausführungsform des Verfahrens für die Herstellung eines solchen Sicherungselements; und

Figur 3 ist ein Diagramm, das eine alternative Ausführungsform eines Sicherungselements zeigt, aufgebaut gemäß den Lehren dieser Erfindung.

Figuren 2a bis 2e zeigen eine Ausführungsform einer Durchschmelzverbindungsstruktur, aufgebaut gemäß den Lehren dieser Erfindung, zusammen mit einer Ausführungsform eines Verfahrens für die Herstellung einer solchen Struktur. Wie in Figur 2a gezeigt, umfaßt das Substrat 20 ein oder mehrere aktive Bereiche einschließliche Elementen, wie Transistoren oder dergleichen. Auf dem Substrat 20 ist eine Schicht 21 aus Durchschmelzmaterial, wie Wolfram, Titanwolfram oder Nickelchrom, gebildet. Obwohl in Figuren 2a bis 2e nicht dargestellt, besteht das Substrat 20 aus einer Halbleiterschicht mit einer darauf gebildeten dielektrischen Schicht derart, daß die Schicht 21 aus Durchschmelzmaterial von dem darunterliegenden Halbleitermaterial durch die dielektrische Schicht isoliert ist. Die Schicht 21 wird typischerweise bis zu einer Dicke ausgebildet innerhalb des Bereiches von etwa 2 x 10&supmin;&sup8;m (200 Å) bis 8 x 10&supmin;&sup8;m (800 Å), beispielsweise durch eine bekannte Aufsputtertechnik. Natürlich versteht es sich, daß die Lehren dieser Erfindung durchaus anwendbar sind unabhängig von dem Typ des angewandten Aufschmelzmaterials, seiner Dicke oder dem Verfahren seiner Ausbildung.

Immer noch gemäß Figur 2a wird auf der Schicht 21 in Bereichen, wo Sicherungen zu bilden sind, eine Schicht 22 aus Maskiermaterial ausgebildet, beispielsweise Oxid, Nitrid oder eine Kombination derselben. In einer Ausführungsform dieser Erfindung wird die Maskierschicht 22 durch chemischen Dampfniederschlag (CVD) von Oxid bis zu einer Dicke innerhalb des Bereichs von etwa 10&supmin;&sup7; m (1000 Å) bis 2 x 10&supmin;&sup7; m (2000 Å) gebildet. Unter Anwendung geeigneter bekannter photolithographischer und Ätztechniken wird die Maskierschicht 22 bemustert, wie in Figur 2a gezeigt, zum Schutz jenes Abschnitts der Schicht 21, der als eine Sicherung verbleiben soll.

Gemäß Figur 2b wird eine Barriereschicht 23 auf der Oberfläche der Komponente gebildet. Die Barriereschicht 23 wird beispielsweise aus Titanwolfram gebildet, aufgesputtert bis zu einer Dicke innerhalb eines Bereichs von etwa 10&supmin;&sup7; m (1000 Å) bis 2 x 10&supmin;&sup7; m (2000 Å). Natürlich können irgendwelche anderen geeigneten Barrierematerialien, Dicken und Verfahren der Aufbringung angewandt werden, oder, falls erwünscht, kann die Schicht aus Barrierematerial weggelassen werden.

Gemäß Figur 2c wird dann die Metallisierungsschicht 24 auf der Oberfläche der Komponente gebildet. Die Metallisierungsschicht 24 wird typischerweise aus Aluminium, oder einer Legierung desselben gebildet oder eine Mehrlagenkonstruktion einschließlich einer Endschicht, die als eine Anti-Reflexionsbeschichtung dient, wird gebildet. Die Metallisierungsschicht 24 wird typischerweise bis zu einer Dicke innerhalb des Bereichs von etwa 5 x 10&supmin;&sup7; m bis 1,5 x 10&supmin;&sup6; m (5000 Å bis 15000 Å), beispielsweise durch bekannte Aufsputtertechniken, gebildet.

Gemäß Figur 2d wird eine Schicht aus Maskiermaterial 25, wie Photoresist, auf der Metallisierungsschicht 24 gebildet, um jene Abschnitte der Metallisierungsschicht 24 zu exponieren, die abzutragen sind, um zu bewirken, daß die Metallisierungsschicht 24 ein gewünschtes Muster annimmt für die Schaffung elektrischer Verbindung zwischen verschiedenen aktiven Bereichen innerhalb des Substrats 10, zu bildenden Sicherungen und höheren Niveaus elektrischer Verdrahtungen (nicht dargestellt). Wie in Figur 2d gezeigt, beläßt die Bemusterung des Maskiermaterials 25 Öffnungen 26 über zu bildenden Sicherungskomponenten 29, exponiert jedoch auch andere Bereiche der Metallisierungsschicht 24, die abzutragen sind.

Gemäß Figur 2e werden dann unmaskierte Abschnitte der Metallisierungsschicht 24 abgetragen, beispielsweise durch Plasma-Ätzen in einer Atmosphäre von Cl&sub2;, CCl&sub4; oder einer Kombination derselben. Zusätzlich zum Abtrag unmaskierter Abschnitte der Metallisierungsschicht 24 bildet dieses Ätzen einen Graben 27, der durch jenen Abschnitt der Barriereschicht 23 ätzt, der über der Sicherungskomponente 29 liegt, und möglicherweise abhängig von den Ätzcharakteristiken eines die Sicherung maskierenden Abschnitts 28 der Schicht 22 fortfährt, geringfügig in den Maskierabschnitt 28 hineinzuätzen, nicht jedoch durch diesen hindurch. Die Maskierschicht 22 wird nicht merkbar geätzt während dieser Zeit infolge ihrer relativ hohen Ätzselektivität bzw. des Materials, das die Metallisierungsschicht 24, die Barrierschicht 23 und das schmelzbare Material der Schicht 21 bildet. Diese Ätzung trägt auch unerwünschte Abschnitte der Barriereschicht 23 und der Schmelzmaterialschicht 21 außerhalb des Sicherungsbereichs ab, wenn sie exponiert werden durch das Abtragen der darüberliegenden Metallisierung. Auf diese Weise wird eine Ätzung verwendet, die nicht selektiv ist bezüglich des Metallisierungsmaterials der Metallisierungsschicht 24, des Barriermaterials der Barriereschicht 23 und des Aufschmelzmaterials der Sicherungsschicht 21, um gleichzeitig unerwünschte Abschnitte jeder dieser drei Schichten abzutragen, während die gewünschten Abschnitte der Metallisierungsschicht 24 geschützt werden durch die Maskierschicht 25 und gewünschte Abschnitte der Sicherungsschicht 21, beispielsweise Sicherungskomponente 29, durch die Maskierschicht 28 geschützt sind.

Gemäß den Lehren dieser Erfindung ermöglicht die Ausführungsform der Figur 2e, daß die Dicke der Schmelzschicht 21 so dünn wie möglich gemacht werden kann, beispielsweise innerhalb des Bereichs von 2 x 10&supmin;&sup8; in bis 5 x 10&supmin;&sup8; m (200 Å bis 500 Å) ohne die Möglichkeit der unerwünschten Legierungsbildung zwischen der Metallisierungsschicht 24 und dem Substrat 20, da eine getrennte Barrierschicht 23 von irgendeiner zweckmäßigen Dicke verwendet wird. Indem man zuläßt, daß die Schmelzmaterialschicht 21 so dünn als möglich gemacht wird, sind niedrige Durchschmelzspannungen und -ströme erforderlich.

Bei einer alternativen Ausführungsform dieser Erfindung, wie in Figur 3 gezeigt, wird eine einzige Schicht 31 verwendet, entweder als Schicht aus Durchschmelzmaterial, wie Wolfram, oder eine Schicht, die sowohl als Durchschmelzmaterial wie auch als Barrierematerial dient, wie Titanwolfram. In dieser Ausführungsform ist die getrennte Schicht, wie Schicht 23 der Figur 2e, nicht erforderlich.

Gemäß den Lehren dieser Erfindung kann die Struktur entweder gemäß Figur 2e oder gemäß Figur 3 hergestellt werden unter Anwendung von Stabsicherungen mit einem rechteckigen Grundriß anstatt der doppelbogenförmigen Sicherung nach Figur 1c. Gemäß den Lehren dieser Erfindung wird das Sicherungsmuster definiert innerhalb Maskierschicht 22 vor der Bemusterung der Metallisierungsschicht 24, und demgemäß wird die Photoresistschicht, verwendet zum Definieren der Durchschmelzschicht nicht beeinträchtigt durch Reflexionen oder Verzerrungen von einer Metallisierungsschicht. Demgemäß ermöglichen die Lehren dieser Erfindung kompaktere Sicherungen mit höherer Zuverlässigkeit als im Stand der Technik möglich.


Anspruch[de]

1. Ein Verfahren zum Bilden einer Schmelzsicherung in einem integrierten Schaltkreis, umfassen die Schritte:

Bilden einer Schicht aus schmelzbarem Material (21) über einer Oberfläche eines Substrats (20);

Bilden einer bemusterten Maskiermaterialschicht (22) über der Schicht aus schmelzbarem Material;

Bilden einer Metallisierungsschicht (24) auf der Oberfläche des integrierten Schaltkreises und Ätzen jener Abschnitte der Metallisierungsschicht, die abzutragen sind, wodurch die unerwünschten Abschnitte der Metallisierungsschicht abgetragen werden unter Belassung eines definierten Metallisierungsverdrahtungsmusters, wobei das Ätzmittel nicht durch die Maskiermaterialschicht ätzt, dadurch gekennzeichnet, daß

die Maskiermaterialschicht (22) über der Schicht aus schmelzbarem Material (21) in einem Muster gebildet wird, die den Abschnitt der genannten Schicht (21) definiert, welcher intakt bleiben muß, um als Schmelzsicherung zu dienen.

2. Ein Verfahren nach Anspruch 1, das den weiteren Schritt umfaßt der Bildung einer Schicht aus Barrierematerial (23) auf der Oberfläche der Schicht aus schmelzbarem Material und der bemusterten Maskiermaterialschicht.

3. Ein Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Schicht aus schmelzbaren Material Wolfram oder Titanwolfram umfaßt.

4. Ein Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Maskiermaterialschicht ein Oxid, ein Nitrid oder eine Kombination aus einem Oxid und einem Nitrid umfaßt.

5. Ein Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Metallisierungsschicht Aluminium, eine Aluminiumlegierung oder eine Mehrschichtenstruktur einschließlich einer anti-reflektiven Beschichtung umfaßt.

umfaßt.

6. Ein Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Ätzmittel in der Lage ist, die Metallisierung und das schmelzbare Material ohne merkliche Selektivität zu itzen.

7. Ein Verfahren nach Anspruch 2, bei dem das Ätzmittel in der Lage ist, die Metallisation, das schmelzbare Material und das Barrierematerial ohne merkbare Selektivität zu ätzen.

8. Ein Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, bei dem das Ätzmittel ein Plasma ist.

9. Ein Verfahren nach Anspruch 8, bei dem das Plasma Cl&sub2;, CCl&sub4; oder eine Kombination derselben umfaßt.

10. Ein Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Schicht aus schmelzbarem Material Wolfram umfaßt, gebildet mit einer Dicke innerhalb des Bereichs von etwa 200 Å bis 500 Å.

11. Ein Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Schicht aus schmelzbarem Material Titanwolfram umfaßt, gebildet mit einer Dicke im Bereich von etwa 200 Å bis 500 Å.

12. Ein Verfahren nach Anspruch 7, bei dem die Schicht aus schmelzbarem Material Wolfram und die Schicht aus Barrierematerial Titanwolfram umfaßt.

13. Ein Verfahren nach Anspruch 12, bei dem die Wolframschicht mit einer Dicke im Bereich von etwa 200 Å bis 500 Å gebildet wird.

14. Ein Verfahren nach Anspruch 12, bei dem die Titanwolframschicht mit einer Dicke im Bereich von etwa 1000 Å bis 2000 Å gebildet wird.

15. Ein Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Schmelzsicherung in Draufsicht im wesentlichen rechteckig ist.

16. Eine integrierte Schaltkreisstruktur, umfassend:

ein Halbleiterstruktur (20) mit einer oberen Oberfläche,

eine Schicht aus schmelzbarem Material (21), gebildet über der oberen Oberfläche des Substrats,

eine Schicht aus Maskiermaterial, gebildet über der Schicht aus schmelzbarem Material,

eine Metallisationsschicht (24), gebildet über der oberen Oberfläche des Substrats der Schicht aus schmelzbarem Material und der Schicht aus Maskiermaterial, wobei die Metallisationsschicht bemustert ist in ein gewünschtes elektrisches Verdrahtungsmuster, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht aus Maskiermaterial (22) in einem Muster gebildet wird, das die Stelle einer oder mehrerer Schmelzsicherungen definiert.

17. Eine Struktur nach Anspruch 16, bei der die Schicht aus schmelzbarem Material Wolfram oder Titanwolfram umfaßt.

18. Eine Struktur nach Anspruch 16, bei der die Schicht aus Maskiermaterial ein Oxid, ein Nitrid oder eine Kombination eines Oxids und eines Nitrids umfaßt.

19. Eine Struktur nach einem der Ansprüche 16 oder 18, bei der die Metallisationsschicht Aluminium umfaßt, eine Aluminiumlegierung oder eine Mehrlagenstruktur einschließlich einer anti-reflektiven Beschichtung.

20. Eine Struktur nach einem der Ansprüche 16 bis 19, bei der die Schicht aus schmelzbarem Material Wolfram oder Titanwolfram umfaßt, gebildet mit einer Dicke innerhalb des Bereichs von etwa 200 Å bis 500 Å.

21. Eine Struktur nach Anspruch 16, 18 oder 19, die ferner eine Schicht aus Barrierematerial umfaßt, gebildet zwischen der Metallisationsschicht und den Schichten aus schmelzbarem Material und der bemusterten Schicht aus Maskiermaterial.

22. Eine Struktur nach Anspruch 21, bei der die Schicht aus schmelzbarem Material Wolfram umfaßt und die Schicht aus Barrierematerial Titanwolfram umfaßt.

23. Eine Struktur nach Anspruch 22, bei der die Wolframschicht in einer Dicke im Bereich von etwa 200 Å bis 500 Å gebildet ist.

24. Eine Struktur nach Anspruch 22 oder 23, bei der die Schicht aus Titanwolfram mit einer Dicke innerhalb des Bereichs von etwa 1000 Å bis 2000 Å gebildet ist.







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