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Dokumentenidentifikation DE3689593T2 16.06.1994
EP-Veröffentlichungsnummer 0434114
Titel Element für optische Speicherung und Verfahren zu dessen Herstellung.
Anmelder Sharp K.K., Osaka, JP
Erfinder Kenji, Ohta, Kitakatsuragi-gun, Nara-ken, JP;
Junji, Hirokane, Tenri-shi, Nara-ken, JP;
Akira, Takahashi, Nara-ken, JP;
Tetsuya, Inui, Nara-ken, JP;
Shohichi, Katoh, Yamatokoriyama-shi, Nara-ken, JP;
Toshihisa, Deguchi, Daiya-Heights, Nara-shi, Nara-ken, JP
Vertreter Stolberg-Wernigerode, Graf zu, U., Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.; Suchantke, J., Dipl.-Ing.; Huber, A., Dipl.-Ing.; von Kameke, A., Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.; Voelker, I., Dipl.-Biol.; Franck, P., Dipl.-Chem.ETH Dr.sc.techn.; Both, G., Dipl.-Phys. Dr.rer.nat.; van Heesch, H., Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.; Gross, U., Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.; Stürken, J., Dipl.-Biol., Pat.-Anwälte, 22607 Hamburg
DE-Aktenzeichen 3689593
Vertragsstaaten DE, FR, GB, IT
Sprache des Dokument En
EP-Anmeldetag 29.08.1986
EP-Aktenzeichen 902031772
EP-Offenlegungsdatum 26.06.1991
EP date of grant 26.01.1994
Veröffentlichungstag im Patentblatt 16.06.1994
IPC-Hauptklasse G11B 7/26

Beschreibung[de]
Hintergrund der Erfindung

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein optisches Speicherelement, das mindestens eine der Aufzeichnungs-, Wiedergabe- und Löschoperationen durch Lichtstrahlirradiation ausführen kann oder spezifischer, auf ein optisches Speicherelementsubstrat und eine Fotomaske für die Verwendung beim Aufnehmen eines Führungsspur- und eines Adreßspurmusters auf das optische Speicherelementsubstrat.

In letzter Zeit erhöht sich der Bedarf für optische Speicherelemente auf Grund ihrer hohen Speicherdichte und ihrer großen Speicherkapazität von Jahr zu Jahr. Optische Speicherelemente können nach ihrer Verwendung in drei Typen einklassifiziert werden: Festspeicher, Erweiterungsspeicher und löschbare Speicher.

Die optischen Speicherelemente sichern eine hohe Speicherdichte und eine große Speicherkapazität, weil ein Bit (Informationsaufzeichnungseinheit), das allein durch den Durchmesser des Lichtstrahls bestimmt wird, etwa 1 um klein gehalten werden kann. Diese Tatsache verursacht jedoch eine Anzahl von Restriktionen für ein optisches Speichersystem. Die Lichtstrahlpositionierung muß äußerst genau sein, um die Information präzise an einem vorher festgelegten Punkt aufzuzeichnen oder um eine richtige, an einem vorher ausgewählten Punkt aufgezeichnete Information, wiederzugeben. Bei einem optischen Speicher vom ROM-Typ können im allgemeinen die Adreßdaten zusammen mit der Dateninformation aufgezeichnet werden, so daß es möglich ist, den Lichtstrahl richtig zu positionieren, während die aufgezeichnete Dateninformation wiedergegeben wird. Für Erweiterungsspeicher oder löschbare Speicher ist es andererseits schwierig, die Adreßdaten zusammen mit der Dateninformation im Speicher aufzuzeichnen. Daher werden bei Erweiterungs- oder löschbaren Speichern die Führungssignale oder die Führungsadressen normalerweise auf dem Speichersubstrat aufgezeichnet.

So weist zum Beispiel ein optisches Speicherelement, das als Erweiterungs- oder löschbarer Speicher verwendet werden soll, normalerweise Führungsspuren im Substrat auf, um den Informationsaufzeichnungs- oder -wiedergabe-Strahlpunkt zu einer festgelegten Position auf dem optischen Speicherelement zu führen. In vielen Fällen sind die Adreßspuren-Anzeigedaten in einen Teil jeder Führungsspur geschrieben, um die Führungsspur zu fixieren.

Fig. 1 zeigt den wesentlichen Teil des Speichersubstrates des Erweiterungs- oder löschbaren Speichers in perspektivischer Ansicht. Wie gezeigt ist, sind streifenförmige Rillen im Substrat gebildet und die Information wird entlang den Rillen aufgezeichnet oder wiedergegeben. Obwohl nicht gezeigt, sind die Rillen in der Umfangsrichtung unterbrochen, so daß eine Adreßbitinformation für jede Rille zur Verfügung gestellt wird. Bei einem plattenförmigen optischen Speicherelement, wie es in Fig. 2 gezeigt ist, sind insbesondere die Führungsspuren 3 und der Adreßspurteil 2 (zusammen mit dem Adreßsektor, wenn die Spuren in viele Sektoren unterteilt sind), konzentrisch oder spiralförmig im Substrat 1 ausgebildet. Aus Gründen der Einfachheit sind in Fig. 2 nur eine Spur 3 und nur ein Adreßteil 2 dargestellt.

Eine Anzahl von Verfahren wurde für die Herstellung eines Plattensubstrates, versehen mit Spuren und Adressen, wie vorher beschrieben, angewendet. Eine Maske mit Führungsspuren und Adressen darauf kann luftdicht auf einer Resistschicht angeordnet werden, die auf ein Plattenglas aufgebracht ist, um die Spuren und Adressen in Form von Rillen oder Pits (Vertiefungen) direkt auf dem Plattenglas zu bilden. Bei diesem Verfahren ist es wichtig, die Führungsspuren so auszubilden, daß der Mittelpunkt der Führungsspur so präzise wie möglich mit dem Mittelloch des Plattenglases übereinstimmt. Bei schlechter Konzentrizität zwischen den Führungsspuren und dem Plattenglas vibrieren bei Drehung des Plattenglases zur Aufnahme, Wiedergabe oder zum Löschen mit dem Mittelloch auf einer drehbaren Welle 4 befestigt, wie in Fig. 3 dargestellt, die Führungsspuren wesentlich in Bezug auf einen Aufnahme-, Wiedergabe- oder Löschlaserstrahl 5 und behindern einen Spuren-Servorbetrieb für die Steuerung der Linsenstellung. Aus dem vorher genannten Grund ist es erforderlich den Mittelpunkt der Führungsspur und den Mittelpunkt des Plattenloches so präzise wie möglich (mit einer Exzentrizitätstoleranz vorzugsweise innerhalb von 20 um) in der optischen Exposition für die Führungsspuren zu vereinen.

Das vorher genannte Herstellungsverfahren kann ein anderes Problem beim Umsetzungsprozeß des Führungsspur- und Adreßspurmusters hervorrufen. Die Resistschicht 6 neigt bei ihrer Auftragung dazu, am peripheren Teil des Plattenglases, wie in Fig. 4 gezeigt, eine partielle Erhebung 8 aufzuweisen. Diese Erhebung 8 beinträchtig oft den engen Kontakt zwischen der Resistschicht 6 und der Fotomaske 7, obwohl es wünschenswert ist, daß sie sich in einem engen Kontakt miteinander befinden. Die Breite dieses mangelhaften engen Kontaktes beträgt normalerweise 1-2 mm. In Fig. 4 ist das Führungsspur- und Adreßspurmuster auf der Fotomaske 7 weggelassen. Dieser Mangel an engem Kontakt verhindert, daß die Führungsspur- und die Adreßspuren an ihren richtigen Positionen gebildet werden.

Verschiedene Lösungen wurden zum Problem des beeinträchtigten engen Kontaktes zwischen der Resistschicht und der Fotomaske vorgeschlagen. In den japanischen Patent Abstracts, Jahrgang 8, Nr. 219 (P-306) (1656) und im US-Patent 3,936,301 (Schneider) ist in der Fotomaske eine Rille vorgesehen, um die periphere Erhebung in der Resistschicht aufzunehmen. Im US-Patent 3,824,014 (Abita) wird das Problem dadurch gelöst, daß der zentrale Teil der Maske mit einem erhöhten Damm versehen ist. Im US-Patent 4,111,698 (Sato) ist die Peripherie der Maskenauflage entfernt, so daß die Oberfläche der belegten Schicht der Peripherie im Vergleich zur Oberfläche der belegten Schicht in der Mitte nicht erhöht ist.

Die europäische Patentanmeldung EP-A2-0,155,000 des Anmelders des vorliegenden Patentes offenbart ein Verfahren zur Herstellung eines optischen Speicherelementes bestehend aus den Schritten: Vorsehen eines scheibenförmigen Substrates; Aufbringen einer Resistschicht auf dem Substrat; Vorsehen einer Fotomaske mit einem Führungsrillenmuster auf der Resistschicht; Bildung einer latenten Abbildung eines Führungsrillenmusters auf der Resistschicht; Entwicklung der auf der Resistschicht gebildeten latenten Abbildung des Führungsrillenmusters; Durchführung eines Ätzarbeitsganges durch das entwickelte Führungsrillenmuster, um die Führungsrillen im Substrat zu bilden; Entfernen der Resistschicht vom Substrat und Anordnung einer Schicht des Aufzeichnungsmediums auf dem Substrat mit darin ausgeformten Führungsrillen.

Es würde wünschenswert sein:

ein optisches Speicherelement zur Verfügung zu stellen, bei dem die Führungsspur und die Adreßspuren auf dem Substrat des optischen Speicherelementes präzise ausgebildet sind;

ein Verfahren zur Herstellung eines optischen Speicherelementes zur Verfügung zu stellen, das eine präzise Bildung der Führungsspuren und der Adreßspuren sichert;

eine Maske zur Verfügung zu stellen, die die Übereinstimmung zwischen dem Mittelpunkt der Führungsspur und des Plattenmittelloches beim Umsetzen der Führungsspuren und Adressen auf einer auf die Platte aufgetragenen Resistschicht verbessert;

eine Fotomaske zur Verfügung zu stellen, die verhindert, daß ein unzureichend enger Kontakt zwischen einer Resistschicht und der Fotomaske durch eine Erhöhung der Resistschicht auf dem peripheren Teil des Plattenglases entsteht; und

eine Verbesserung in der Konfiguration des Glassubstrates zur Verfügung zu stellen, um Führungsspuren und Adreßanzeigerillen mit genauerer Form zu erreichen.

Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren für die Herstellung eines plattenförmigen Speicherelementes mit Führungsspuren und Adreßspuren für das Speichern von Informationen zur Verfügung gestellt, wobei das Verfahren aus den folgenden Schritten besteht:

Aufbringen einer Foto-Resistschicht auf ein plattenförmiges Substrat;

Anordnung einer plattenförmigen Fotomaskenplatte mit einem kreisförmigen Führungsspurmaskenmuster auf der Foto-Resistschicht, wobei die Maskenplatte einen Durchmesser größer als der des Substrates aufweist;

Übertragen des Maskenmusters von der Maskenplatte auf das Substrat, um Führungsspuren und Adreßspuren darauf zu bilden; und

Anordnung eines Speichermediums auf dem Substrat, um das optische Speicherelement zu bilden;

dadurch gekennzeichnet daß:

die Maskenplatte einen peripheren ringförmigen Maskenteil aufweist, der sich über die Peripherie der Foto-Resistschicht hinaus erstreckt und der so geformt ist, daß er jeden erhöhten Teil einer nicht ordnungsgemäßen Dicke der Foto-Resistschicht aufnimmt;

die Maskenplatte mindestens eine kreisförmige Markierung (C) aufweist, die gleichzeitig und konzentrisch mit dem Führungsspurmaskenmuster gebildet wird;

und durch den Schritt:

des Ausfluchtens mindestens einer kreisförmigen Markierung (C) mit einem Mittelloch des plattenförmigen Substrates.

Eine Maskenplatte für die Verwendung im vorher beschriebenen Verfahren ist im beigefügten Patentanspruch 11 definiert.

Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren für die Herstellung eines plattenförmigen optischen Speicherelementes mit Führungsspuren und Adreßspuren für die Speicherung von Informationen zur Verfügung gestellt, wobei das Verfahren aus den folgenden Schritten besteht:

Aufbringen einer Foto-Resistschicht auf ein plattenförmiges Substrat;

Anordnung einer scheibenförmigen Fotomaskenplatte mit einem kreisförmigen Führungsspurmaskenmuster auf der Foto-Resistschicht;

Übertragung des Maskenmusters von der Maskenplatte auf das Substrat, um Führungsspuren und Adreßspuren darauf zu bilden; und

Anordnung eines Aufzeichnungsmediums auf dem Substrat, um das optische Speicherelement zu bilden, dadurch gekennzeichnet, daß

das Substrat einen peripheren Teil aufweist, der entfernt ist, um jeden erhöhten Teil einer nicht ordnungsgemäßen Dicke der Foto-Resistschicht aufnehmen zu können;

die Maskenplatte mindestens eine kreisförmige Markierung (C) aufweist, die gleichzeitig und konzentrisch mit dem Führungsspurmaskenmuster gebildet wird

und durch den Schritt:

Ausfluchten mindestens einer kreisförmigen Markierung (C) mit einem Mittelloch des plattenförmigen Substrates.

Gemäß einem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Substrat zur Verfügung gestellt, das verwendet wird, um ein plattenförmiges optisches Speicherelement zu bilden, das Speicherelement Führungsspuren und Adreßspuren für die Speicherung der Informationen aufweist, das Substrat aus einer Platte besteht mit einem ersten Substratteil, auf dem bei der Herstellung des Speicherelementes die Rillen für die Führungs- und die Adreßspuren gebildet werden und einem zweiten Substratteil, auf dem die Rillen nicht gebildet werden, dadurch gekennzeichnet, daß, um jede Erhöhung im peripheren Teil einer Resistschicht aufzunehmen, die auf der Platte bei der Herstellung des Speicherelementes gebildet wird, der zweite Substratteil eine äußere angefaste Fläche aufweist, die die Kante der Platte schneidet und eine innere Fläche, die sich kegelförmig von der Oberflächenebene der Platte zur äußeren angefasten Fläche erstreckt.

Andere Merkmale der vorliegenden Erfindung werden aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen sichtbar. Es ist jedoch klar, daß die detaillierte Beschreibung spezifischer Beispiele unter Angabe bevorzugter Ausführungen der Erfindung, nur zur Erläuterung dient, da zahlreiche Änderungen und Modifikationen im Schutzumfang der Erfindung den Fachleuten aus dieser detaillierten Beschreibung deutlich werden.

Kurzbeschreibung der Zeichnungen

Fig. 1 ist eine Perspektivansicht des wesentlichen Teils eines Glassubstrates eines Erweiterungs- oder löschbaren Speichers nach Ausbildung der Rillen darauf;

Fig. 2 ist eine Perspektivansicht eines typischen optischen Speicherelementes (optische Speicherplatte);

Fig. 3 ist ein Schnitt, der einen Teil eines optischen Speicherplattensystems darstellt;

Fig. 4 ist ein Schnitt, der den Kontakt zwischen dem Glassubstrat und der Fotomaske eines konventionellen optischen Speicherelementes zeigt;

Fig. 5 ist ein Schnitt zur Erläuterung der Herstellungsschritte eines optischen Speicherelementes gemäß der vorliegenden Erfindung;

Fig. 6 ist eine Draufsicht auf eine Ausführung der Fotomaske einer optischen Speicherplatte gemäß der vorliegenden Erfindung;

Fig. 7 ist eine Draufsicht, die einen Teil einer anderen Ausführung der Fotomaske einer optischen Speicherplatte gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 8 ist ein partieller vergrößerter Schnitt einer anderen Ausführung der Photomaske einer optischen Speicherplatte gemäß der vorliegenden Erfindung;

Fig. 9 ist ein Schnitt, der die gesamte Fotomaske nach Fig. 8 zeigt;

Fig. 10(a) und (10b) sind partielle vergrößerte Schnitte, die andere Ausführungen der Fotomaske eines optischen Speicherelementes gemäß der vorliegenden Erfindung zeigen;

Fig. 11 ist ebenfalls ein partieller vergrößerter Schnitt, der eine noch andere Ausführung der Fotomaske eines optischen Speicherelementes gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 12(a) und 12(b) sind eine Draufsicht bzw. ein Schnitt des Glassubstrates für ein optisches Speicherelement;

Fig. 13(a), 13(b) und 13(c) sind partielle vergrößerte Schnitte des Glassubstrates für ein optisches Speicherelement gemäß der vorliegenden Erfindung; und

Fig. 14(a), 14(b) und 14(c) sind partielle vergrößerte Schnitte des Glassubstrates des optischen Speicherelementes, auf die die Resistschicht aufgetragen ist.

Detaillierte Beschreibung der Erfindung

Eine Ausführung eines optischen Speicherelementes der vorliegenden Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen detailliert beschrieben.

Fig. 5 zeigt die Herstellungsschritte des Substrates des optischen Speicherelementes der vorliegenden Erfindung. Unter Bezugnahme auf Fig. 5 wird das Herstellungsverfahren des Substrates des optischen Speicherelementes nach Schritten beschrieben.

Schritt I

Ein Glassubstrat eines optischen Speicherelementes, das in Bezug auf Sauerstoff- und Feuchtigkeitsdurchdringung höchst zuverlässig ist (oder das keine Sauerstoff- und Feuchtigkeitsdurchdringung gestattet) wird gereinigt. Eine Foto-Resistschicht 6 wird auf das Glassubstrat 1 aufgetragen (siehe Fig. 5(a)). Die Dicke der Foto-Resistschicht 6 beträgt vorzugsweise 100-500 nm.

Schritt II

Eine Maskenplatte 7, auf der sich ein Führungsspuren- und Adreßinformationsmuster befindet, wird luftdicht über der Foto-Resistschicht 6 auf dem Glassubstrat 1 angeordnet. Dann wird die Maskenplatte 7 mit dem Ultraviolett-Strahl A bestrahlt, um das Maskenmuster oder die Maskenplatte 7 auf die Foto-Resistschicht 6 zu übertragen (siehe Fig. 5(b)). Da das optische Speicherelement Plattenform aufweist, ist es wünschenswert, daß die Maskenplatte 7 rund ist.

Schritt III

Die Foto-Resistschicht 6 mit dem Maskenmuster darauf ist entwickelt, so daß Rillen in der Resistschicht 6 gebildet sind (siehe Fig. 5(c)).

Schritt IV

Das Glassubstrat 1, beschichtet mit der Foto-Resistschicht 6 mit darin ausgebildeten Rillen, wird einem Naßätz-Arbeitsgang oder einem Trockenätz-Arbeitsgang, wie zum Beispiel einer Zerstäubung (reaktives Ion-Ätzen) in einer Ätzgasatmosphäre, wie z. B. CF&sub4; oder CHF&sub3;, ausgesetzt. Die Rillen 8' werden dann im Glassubstrat 1 gebildet (siehe Fig. 5(d)).

Schritt V

Die entwickelte Resistschicht 6 wird vom Glassubstrat 1 durch Zerstäuben in der O&sub2;-Atmosphäre oder durch Auflösen in einem Lösungsmittel wie zum Beispiel Aceton entfernt. Auf diese Weise wird das Glassubstrat 1 mit den darin gebildeten Rillen 8' geformt (siehe Fig. 5(e)).

Schritt VI

Nach dem Schritt V wird auf dem Glassubstrat 1 eine Speichermediumsschicht mit darin ausgebildeten Rillen 8 geformt.

Das Glassubstrat 1 mit den Rillen für die Führungsspuren und die Adreßinformation ist durch den vorher beschriebenen Prozeß fertiggestellt. Gemäß diesem Prozeß wird die Maskenplatte 7 mit dem Muster für die Führungsspuren und mit der Führungsadreßinformation darauf, die vorher vorbereitet wurde, luftdicht über dem Glassubstrat 1, das mit der Foto-Resistschicht bedeckt ist, angeordnet, um das Maskenmuster der Maskenplatte 7 zu übertragen. Daher kann die erforderliche Zeit für das Übertragen des Führungsmusters wesentlich reduziert werden.

Nachfolgend wird die optische Speicherplattenmaske 7, auf die beim vorher dargestellten Herstellungsprozeß Bezug genommen wurde, beschrieben.

Fig. 6 ist eine Draufsicht auf eine Ausführung einer optischen Speicherplattenmaske gemäß der vorliegenden Erfindung. Die Maske 7 wurde durch Ausbilden einer Cr- oder CrO-Schicht über z. B. einer optischen Quarzglasspeicherplatte und Ätzen der Schicht zum Herstellen des in Fig. 6 gezeigten Musters hergestellt. Unter Bezugnahme auf Fig. 6 zeigt die schraffierte Fläche den Bereich an, in dem Cr oder CrO unentfernt bleibt. "a" ist ein Informationsbereich, in dessen einem Teil Spuren 3 und Adressen 2 in Spiralform oder konzentrisch gebildet sind. Im Bereich "b" der Maske 7 ist das Cr oder CrO entfernt. Eine Positionierungsmarkierung C ist im Bereich "b" vorgesehen. Die Konzentrizität mit den Spuren kann durch gleichzeitiges Aufzeichnen der Bezugsmarkierung C und der Führungsspuren unter Verwendung der gleichen Aufzeichnungsvorrichtung gesichert werden.

Wenn zum Beispiel die Markierung C im Grunde genommen den gleichen Durchmesser aufweist, wie das Mittelloch der Glasplatte, kann die Markierung C leicht auf das Mittelloch der Platte eingestellt werden, wenn man zwecks Musterübertragung die Maske auf der Glasplatte anordnet, so daß es leicht ist, die Konzentrizität der Spuren mit der Platte zu erreichen.

Die Markierung braucht nicht auf die oben angeführte Ausführung beschränkt zu sein. Wie in Fig. 7 gezeigt ist, können zwei Markierungen in einem Intervall von 10-20 um und mit solchen Durchmessern aufgezeichnet werden, daß das Mittelloch der Glasplatte zwischen den beiden Markierungen liegt. Unter der Annahme, daß das Mittelloch der Glasplatte einen Durchmesser von 15 mm aufweist, können zum Beispiel die beiden Markierungen Durchmesser von etwa 14,09 mm bzw. 15,01 mm besitzen. Mit solchen Markierungen ist es einfach, die Maske in bezug auf das Mittelloch der Glasplatte zu positionieren. Im allgemeinen hat das Mittelloch einer Glasplatte einen hohen Rundungsgrad, differiert jedoch in Abhängigkeit vom Herstellungsprozeß oft im Durchmesser, zum Beispiel in der Größenordnung von etwa 15 ± 0,5 mm. Um verschiedene Durchmesser des Mittelloches zu brücksichtigen, kann eine Mehrzahl von Markierungen C mit unterschiedlichen Durchmessern konzentrisch auf einer Maske gebildet werden, so daß die gleiche Maske für Platten mit verschiedenen Mittellochdurchmessern verwendet werden kann. Andererseits ist es anstelle der Verwendung der Markierung C von Fig. 6 möglich, den Bereich "b" als Markierung zu verwenden, wenn der Bereich "b" schmaler ausgeführt ist. In der vorher angeführten Ausführung ist im schraffierten Bereich der Fig. 6 Cr oder CrO verwendet, obwohl natürlich auch eine andere Metallschicht, wie zum Beispiel Ni, Ti oder Ta anstelle von Cr oder CrO verwendet werden kann.

Wie aus den vorhergehenden Ausführungen ersichtlich ist, ist es unter Verwendung der Maske der vorliegenden Erfindung möglich, die Konzentrizität der Speicherplattenführungsspur mit dem Mittelloch der Speicherplatte zu verbessern und dadurch die Schwingungen der Führungsspur in Bezug auf den Lichtstrahl bei der Aufzeichnung, Wiedergabe oder beim Löschen von Informationen auf die bzw. von der Platte zu minimieren. Daher ist der Servoreinsatz einer Objektivlinse zur Kondensierung eines Laserstrahls leicht auszuführen.

Ein anderes Merkmal der Maske 7, die beim Herstellungsverfahren der vorliegenden Erfindung verwendet wird, wird nachfolgend beschrieben.

Fig. 8 ist ein partieller vergrößerter Schnitt einer anderen Ausführung der Fotomaske eines optischen Speicherelementes gemäß der vorliegenden Erfindung. Wie gezeigt wird, wird an der Position, die dem peripheren Teil der Glasplatte 1 gegenüberliegt, eine Rille 1 in der Fotomaske 7 gebildet, um die Erhöhung 8 der Resistschicht 6 aufzunehmen und dadurch den unzureichend engen Kontakt zwischen der Glasplatte 1 und der Fotomaske 7 zu beseitigen.

Für eine Glasscheibe mit einem Durchmesser von zum Beispiel etwa 130 ± 0,1 mm sollte die Rille die Breite "Y" aufweisen (zum Beispiel 4 mm), wobei der Innendurchmesser des durch die Rille definierten Kreises "X" ist (zum Beispiel 127 mm), wie in Fig. 9 gezeigt ist. Die Tiefe "Z" der Rille sollte etwa 0,2 bis 0,5 mm betragen. Der Querschnitt der Rille muß nicht, wie in Fig. 9 gezeigt ist, rechteckig sein. Er kann auch dreieckig sein, wie in der Fig. 10(a) gezeigt ist oder halbkreisförmig, wie in der Fig. 10(b) gezeigt ist. Kurz gesagt, die in der Fotomaske vorgesehene Rille kann jede beliebige Form aufweisen, wenn sie die Erhöhung 8 der Resistschicht 6 auf der Peripherie der Glasplatte 1 ausgleichen kann. In diesem Sinne kann, wie in Fig. 11 gezeigt ist, anstelle der Ausbildung einer Rille, der periphere Teil 10 der Fotomaske 7 dünner ausgeführt sein als der zentrale Teil, um die Erhöhung 8 der Resistschicht 6 auszugleichen.

Unter Verwendung der Fotomaske der vorliegenden Erfindung kann das Führungsspur- und Adreßspurmuster für ein optisches Speicherelement richtig auf die Resistschicht übertragen werden, die auf das Substrat des optischen Speicherelementes aufgetragen ist.

Nachfolgend wird die Querschnittsform des Glasplattensubstrates unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.

Fig. 12(a) ist eine Draufsicht auf das Glasplattensubstrat 1 und Fig. (12(b) ist ein Schnitt des Glasplattensubstrates 1. Die Außenkanten 15 des Glasplattensubstrates 1 sind, wie gezeigt, angefast.

Fig. 13 ist ein vergrößerter Schnitt der angefasten Kante 15. Fig. 13(a) ist ein Schnitt der angefasten Kante für ein konventionelles Glasplattensubstrat und Fig. 13(b) und 13(c) sind Schnitte, die die Ausführung der angefasten Kante des Glasplattensubstrates der vorliegenden Erfindung darstellen. In beiden Fig. 13(b) und 13(c) ist der Oberflächenteil 17 ohne Führungsspuren abgeschliffen, um niedriger als die Glasplattensubstrat- Oberflächenebene 18 zu sein.

Fig. 14(a), 14(b) und 14(c) sind Schnitte der Glasplattensubstrate, die die Kanten aufweisen, die in Fig. 13(a), 13(b) bzw. 13(c) gezeigt sind, wobei die Resistschicht nach dem Spin-Auftragsverfahren auf das Substrat aufgetragen ist. An der Kante des Glasplattensubstrates weist die Resistschicht auf Grund der Oberflächenspannung eine Erhöhung 8 auf.

Auf dem Glasplattensubstrat in der konventionellen Form, gezeigt in Fig. 14(a), ist die Erhebung 8 der Resistschicht 6 höher als die Resistschicht-Oberflächenebene 11. Bei der Anordnung der Maskenplatte auf dem Glassubstrat 1 beim Herstellungsschritt II, wird unter dieser Bedingung die Maskenplatte 7 in der Ebene 11' angeordnet, dadurch ergibt sich ein unzureichender Kontakt über einen großen Bereich zwischen der Maskenplatte 7 und der Resistschicht 6. Auf dem Glassubstrat, das in Fig. 14(b) oder 14(c) gezeigt ist, ist im Gegensatz die Erhebung 8 der Resistschicht 6 niedriger als die Resistschicht-Oberflächenebene 11, so daß die Maskenplatte auf der Resistschicht-Oberflächenebene 11 angeordnet werden kann. Daher- kann ein zufriedenstellender Kontakt zwischen der Maskenplatte 7 und der Resistschicht 6 über den Bereich 16 mit darauf ausgebildeten Führungsrillen erreicht werden. Wie aus den vorherigen Ausführungen erkennbar ist, weisen die Führungsrillen im optischen Speicherelement insgesamt eine richtige Form auf und reduzieren dadurch das Rauschen in den wiedergegebenen Signalen.


Anspruch[de]

1. Verfahren für die Herstellung eines plattenförmigen optischen Speicherelementes mit Führungsspuren (3) und Adreßspuren (2) für das Speichern von Informationen, bestehend aus den Schritten:

Aufbringen einer Photo-Resistschicht (6) auf ein plattenförmiges Substrat (1);

Anordnung einer plattenförmigen Fotomaskenplatte (7) mit einem kreisförmigen Führungsspurenmuster auf der Foto-Resistschicht, wobei die Maskenplatte einen Durchmesser größer als der des Substrates aufweist;

Übertragen des Maskenmusters von der Maskenplatte auf das Substrat, um Führungsspuren und Adreßspuren (8') darauf zu bilden; und

Anordnung eines Speichermediums auf dem Substrat, um das optische Speicherelement zu bilden;

dadurch gekennzeichnet, daß

die Maskenplatte (7) einen peripheren ringförmigen Maskenteil aufweist, der sich über die Peripherie der Foto-Resistschicht hinaus erstreckt und der so geformt ist, daß er jeden erhöhten Teil (8) einer nicht ordnungsgemäßen Dicke der Foto-Resistschicht (8) aufnimmt;

die Maskenplatte (7) mindestens eine kreisförmige Markierung (C) aufweist, die gleichzeitig und konzentrisch mit dem Führungsspurmaskenmuster gebildet wird;

und durch den Schritt:

des Ausfluchtens mindestens einer kreisförmigen Markierung (C) mit einem Mittelloch des plattenförmigen Substrates (1).

2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der periphere Maskenteil eine Rille (9) aufweist, die den erhöhten Teil der nicht ordnungsgemäßen Dicke der Foto-Resistschicht aufnimmt.

3. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem die Rille (9), rechteckig, kegelig oder gekrümmt ist.

4. Verfahren nach Anspruch 2 oder Anspruch 3, bei dem die Rille mit einer Tiefe (Z) von etwa 0,2 bis 0,5 mm ausgebildet ist.

5. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der periphere Maskenteil (10) dünner ist als der Mittelteil der Fotomaskenplatte (7), um jeden erhöhten Teil (8) der nicht ordnungsgemäßen Dicke der Foto-Resistschicht (6) aufnehmen zu können.

6. Verfahren zur Herstellung eines plattenförmigen optischen Speicherelementes mit Führungsspuren (3) und Adreßspuren (2) für die Speicherung von Informationen, wobei das Verfahren aus den folgenden Schritten besteht:

Aufbringen einer Foto-Resistschicht (6) auf das plattenförmige Substrat (1);

Anordnung einer plattenförmigen Fotomaskenplatte (7) mit einem kreisförmigen Führungsspurmaskenmuster auf der Foto- Resistschicht;

Übertragung des Maskenmusters von der Maskenplatte auf das Substrat, um Führungsspuren und Adreßspuren (8') darauf zu bilden; und

Anordnung eines Aufzeichnungsmediums auf dem Substrat, um das optische Speicherelement zu bilden;

dadurch gekennzeichnet, daß

das Substrat einen peripheren Teil (17) aufweist, der entfernt ist, um jeden erhöhten Teil (8) einer nicht ordnungsgemäßen Dicke der Foto-Resistschicht (6) aufnehmen zu können;

die Maskenplatte (7) mindestens eine kreisförmige Markierung (C) aufweist, die gleichzeitig und konzentrisch mit dem Führungsmaskenmuster gebildet wird;

und durch den Schritt:

Ausfluchten mindestens einer kreisförmigen Markierung (C) mit einem Mittelloch des plattenförmigen Substrates (1).

7. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem der periphere Teil (17) entfernt ist, um eine äußere geneigte Substratkante zu bilden.

8. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem die äußere Kante des Substrates eine abgefaste Kante ist.

9. Verfahren nach jedem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem die Maskenplatte (7) zwei kleine kreisförmige Markierungen (C) aufweist, deren Durchmesser kleiner bzw. größer als der Durchmesser des Mittelloches ist und der Schritt des Ausfluchtens aus dem Positionieren des Mittelloches zwischen den beiden Markierungen besteht.

10. Verfahren nach jedem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem die Maskenplatte (7) eine Anzahl von kreisförmigen Markierungen (C) mit unterschiedlichem Durchmesser aufweist, um die Toleranz im Durchmesser des Mittelloches auszugleichen.

11. Plattenförmige Maskenplatte (7) für die Verwendung bei der Herstellung eines plattenförmigen optischen Speicherelementes, wobei die Platte ein kreisförmiges Maskenmuster aufweist und das Maskenmuster mit Führungsspur- und Adreßspurmustern versehen ist; dadurch gekennzeichnet, daß

die Maskenplatte mindestens eine kreisförmige Markierung (C) aufweist, die gleichzeitig und konzentrisch mit dem Maskenmuster zur Positionierung der Maskenplatte in genauer Flucht mit einem Mittelloch eines plattenförmigen Substrates (1) des optischen Speicherelementes gebildet wird; und

die Maskenplatte zur Aufnahme jeder Erhöhung (8) im peripheren Teil einer Foto-Resistschicht (6), die bei der Herstellung des optischen Speicherelementes auf das Substrat aufgebracht wird, eine kreisförmige periphere Sektion (9) aufweist, die in der Position einem peripheren Teil des Substrates (1) entspricht.

12. Maskenplatte, wie in Anspruch 11 definiert, wobei die periphere entfernte Sektion ein Rille (9) in Rechteckform ist.

13. Maskenplatte, wie in Anspruch 11 definiert, wobei die periphere entfernte Sektion eine Rille (9) in Dreieckform ist.

14. Maskenplatte, wie in Anspruch 11 definiert, wobei die periphere entfernte Sektion eine Rille (9) in Halbkreisform ist.

15. Maskenplatte, wie in Anspruch 11 definiert, wobei die periphere entfernte Sektion sich von einem zentralen Teil zur peripheren Kante der Maskenplatte erstreckt.

16. Maskenplatte, wie in jedem der Ansprüche 1 bis 15 definiert, mit zwei kreisförmigen Markierungen (C) mit Durchmessern, die kleiner bzw. größer als der Durchmesser des Mittelloches des Substrates ist.

17. Maskenplatte, wie in jedem der Ansprüche 11 bis 16 definiert, mit einer Anzahl von Markierungen (C) mit unterschiedlichem Durchmesser, um die Toleranz im Durchmesser des Mittelloches auszugleichen.

18. Substrat, verwendet, um ein plattenförmiges optisches Speicherelement zu bilden, das Speicherelement Führungsspuren (3) und Adreßspuren (2) für die Speicherung der Informationen aufweist, das Substrat aus einer Platte (1) besteht mit einem ersten Substratteil (16), auf dem bei der Herstellung des Speicherelementes die Rillen für die Führungs- und die Adreßspuren gebildet werden und mit einem zweiten Substratteil (17), auf dem die Rillen nicht gebildet werden, dadurch gekennzeichnet, daß, um jede Erhöhung (8) im peripheren Teil einer Resistschicht (6) aufzunehmen, der auf der Platte bei der Herstellung des Speicherelementes gebildet wird, der zweite Substratteil eine äußere angefaste Fläche (15) aufweist, die die Kante der Platte schneidet, und eine innere Fläche (19), die sich kegelförmig von der Oberflächenebene (18) der Platte zur äußeren angefasten Fläche (15) erstreckt.

19. Substrat, wie in Anspruch 18 definiert, wobei die Innenfläche (19) einen gekrümmten Kegel bildet.







IPC
A Täglicher Lebensbedarf
B Arbeitsverfahren; Transportieren
C Chemie; Hüttenwesen
D Textilien; Papier
E Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
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