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Dokumentenidentifikation DE68916143T2 22.09.1994
EP-Veröffentlichungsnummer 0360274
Titel Siliziumhaltiges Polymer und solches enthaltendes photosensitives Material.
Anmelder Tosoh Corp., Shinnanyo, Yamaguchi, JP
Erfinder Tanaka, Akinobu, Atsugi-shi Kanagawa-ken, JP;
Hasegawa, Masazumi, Shin Nanyo-shi Yamaguchi-ken, JP
Vertreter Tauchner, P., Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.; Heunemann, D., Dipl.-Phys. Dr.rer.nat.; Rauh, P., Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.; Hermann, G., Dipl.-Phys. Dr.rer.nat.; Schmidt, J., Dipl.-Ing.; Jaenichen, H., Dipl.-Biol. Dr.rer.nat.; von Uexküll-Güldenband-Menzel, A., Dr.phil. (Ph.D.); Weinberger, R., Dipl.-Chem.Univ. Dr.rer.nat.; Bublak, W., Dipl.-Chem. Univ., Pat.-Anwälte; Tremmel, H., Rechtsanw., 81675 München
DE-Aktenzeichen 68916143
Vertragsstaaten BE, DE, FR, GB, NL
Sprache des Dokument En
EP-Anmeldetag 22.09.1989
EP-Aktenzeichen 891175127
EP-Offenlegungsdatum 28.03.1990
EP date of grant 15.06.1994
Veröffentlichungstag im Patentblatt 22.09.1994
IPC-Hauptklasse C08G 77/24
IPC-Nebenklasse G03F 7/26   C08G 77/26   C08G 77/06   

Beschreibung[de]

Die vorliegende Erfindung betrifft ein neues siliziumhaltiges Polymer und ein neues Siloxanbindungen enthaltendes photosensitives Material, das ein Material für einen Photolack mit Gruppen ist, die gegenüber Elektronenstrahlen, Röntgenstrahlen, UV-Licht und tiefem UV-Licht photosensitiv sind und das bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen von Halbleitern aufgetragen wird. Das neue Material ist auch als Schichtisolierungsfilm oder als Schutzfilm geeignet.

Siliziumhaltige Polymere werden bei einer Vielzahl von Fachgebieten deswegen verwendet, weil sie ausgezeichnete Hitze- und Kältebeständigkeit zeigen und ihre elektrischen Eigenschaften über einen weiten Temperaturbereich stabil sind. Außerdem wurden mit photosensitiven Gruppen ausgestattete Polymere auf Siliziumbasis in neuerer Zeit entwickelt, und die Anwendungen dehnen sich auch auf elektronische Materialien aus, siehe z.B. JP-A-59-125 730.

Auf dem elektronischen Fachgebiet, insbesondere bei der Herstellung von Halbleitern (integrierte Schaltkreise) wurde die feine Verarbeitung von Trägern komplizierter und eine höhere Genauigkeit für die hohen Integrationsfortschritte erforderlich. Dazu begleitend wurde das Verfahren zur Durchführung der Feinverarbeitung im Maßstab unterhalb eines Mikrons auf einem Träger mit einem Höhenunterschied schwierig, und verschiedene Verfahren wurden entworfen. Als eines von ihnen wurde das Zweischichten-Photolackverfahren unter Verwendung eines Photolacks auf Siliziumbasis als Oberschicht vorgeschlagen, das in neuester Zeit besondere Aufmerksamkeit auf sich lenkt.

Das Verfahren wird im einzelnen erklärt.

Ein Harz oder Photolack, der beständig gegen gasförmiges Halogen ist, wird auf einen Träger als Grundschicht spinnbeschichtet, der weich- oder hartgebrannt wird. Dann wird ein Photolack auf Siliziumbasis über die Grundschicht als Oberschicht spinnbeschichtet. Unter Verwendung einer Belichtungsapparatur wird der Oberschichtphotolack Licht ausgesetzt und nur die Oberschicht entwickelt. Dann wird unter Verwendung der Bildfläche des Oberschichtphotolacks als Maske die Grundschicht mit O&sub2;-Gasplasma geätzt. Schließlich wird unter Verwendung des Grundschichtphotolacks als Maske das Substrat mit gasförmigem Halogen geätzt.

Die für den Oberschichtphotolack erforderlichen Funktionen sind folgende:

(1) Er ist ausgezeichnet in der Beständigkeit gegenüber O&sub2;- Plasma.

(2) Er ist ausgezeichnet in der Ebenheit.

(3) Er weist eine hohe Glasübergangstemperatur auf.

(4) Er hat eine hohe Auflösung.

(5) Er hat hohe Empfindlichkeit.

Siliziumhaltige Polymere sind ausgezeichnet in der Beständigkeit gegenüber O&sub2;-Plasma und einige sie enthaltende Photolacksubstanzen sind bekannt. Zum Beispiel wurde ein Verfahren, Silylgruppen direkt oder indirekt an die Benzolringe eines Novolackharzes oder Polystyrols zu binden, ein Verfahren unter Verwendung der Polysilanbindung und insbesondere vor kurzem ein Verfahren unter Verwendung eines Doppelstrangpolymers (Silsesquioxanbindung) vorgeschlagen.

Im Fall der Verbindungen mit direkt oder indirekt an die Benzolringe gebundenen Silylgruppen besteht jedoch das Problem, daß die Beständigkeit gegenüber O&sub2;-Plasma unzureichend ist, da der Si-Gehalt gering ist und das Si in einer Seitenkette enthalten ist. Außerdem treten im allgemeinen im Fall von Verbindungen des Polysilantyps schlechte Beschichtungseigenschaft und Stabilität auf, obwohl der Gehalt an Si abhängig von der Art der Verbindungen erhöht werden kann. Weiter besteht im Fall der Polymere des Silsesquioxantyps das Problem, daß die Empfindlichkeit nicht ausreichend ist, obwohl die Beständigkeit gegenüber O&sub2;-Plasma ausgezeichnet ist.

Wie vorstehend beschrieben, wurde ein Photolackmaterial mit ausgezeichneter Beständigkeit gegen O&sub2;-Plasma und Ebenheit und mit sowohl hohem Tg, hoher Auflösung als auch hoher Empfindlichkeit im Stand der Technik noch nicht entwickelt. Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist, die vorstehend erwähnten Probleme zu überwinden und ein neues siliziumhaltiges Polyiner und ein dieses enthaltendes photoempfindliches Material zu entwickeln, das ausgezeichnet in der Beständigkeit gegen O&sub2;-Plasma und in der Ebenheit ist, und das hohe Tg, hohe Auflösung und hohe Empfindlichkeit aufweist.

Diese Aufgabe konnte auf der Basis der überraschenden Feststellung gelöst werden, daß unter Verwendung eines Polymers mit einer einzelnen cyclischen Siloxanverbindung als wiederkehrende Einheit oder eines Copolymers mit verschiedenen cyclischen Siloxanverbindungen als wiederkehrende Einheiten ein Photolackmaterial erhalten werden kann, das hochempfindlich, stark eben und ausgezeichnet in der Beständigkeit gegen O&sub2;-Plasma ist und noch eine hohe Tg aufweist.

Der Gegenstand der Erfindung ist daher ein siliziumhaltiges Polymer, umfassend die wiederkehrenden Einheiten einer siliziumhaltigen cyclischen Verbindung der allgemeinen Formel (I),

in der m und n positive ganze Zahlen einschließlich 0 sind, jedoch m + n > 0 ist, und X ein Alkylrest, Alkoxyrest, eine Phenylgruppe, Naphthylgruppe, substituierte Phenylgruppe oder substituierte Naphthylgruppe oder ein Gemisch davon ist, wobei der Substituent der substituierten Phenylgruppe oder substituierten Naphthylgruppe ein Halogenatom, halogenierter Alkylrest, eine Aminogruppe, Aminoalkylrest oder Nitrogruppe oder ein Gemisch davon ist.

Vorzugsweise ist m + n eine ganze Zahl von 1 bis 4.

Fig. 1 zeigt ein ²&sup9;Si-NMR-Diagramm von Hexaphenylcyclotrisiloxan, das eine Ausgangsrohsubstanz beim Herstellungsbeispiel 1 der Erfindung ist, Fig. 2 zeigt ein FD-MS-Diagramm des Produkts 10 Minuten nach der Initiierung der Polymerisationsreaktion im gleichen Herstellungsbeispiel 2, und Fig. 3 und Fig. 4 zeigen ein ²&sup9;Si-NMR-Diagramm bzw. ein ¹³C- NMR-Diagramm des Produkts nach beendeter Polymerisationsreaktion beim gleichen Herstellungsbeispiel 2.

Der Alkylrest in der Definition von X in der allgemeinen Formel (I) ist nicht besonders eingeschränkt. Bevorzugt sind C&sub1;&submin;&sub2;&sub0;, stärker bevorzugt C&sub1;&submin;&sub1;&sub2;-Alkylreste. Besondere Beispiele für lineare Alkylreste sind Methyl-, Ethyl-, Propyl-, Butyl-, Pentyl-, Hexyl-, Octyl-, Decyl-, Dodecyl-, Vinyl-, Propenyl-, Butenyl-, Pentenyl-, Hexenyl-, Octenyl-, Decenyl- und Dodecenylgruppen. Besondere Beispiele für verzweigte Alkylreste sind sek-Propyl-, sek-Butyl-, tert-Butyl-, 2-Methylpropyl-, 2-Methylbutyl-, Neopentyl-, 1-Methylpentyl-, 2-Methylpentyl-, 4-Methylpentyl- und 2-Ethylhexylgruppen. Teile der Wasserstoffatome in den Alkylresten können durch ein Halogenatom, wie F, Cl, Br oder I, und/oder eine Phenyl-, Naphthyl-, substituierte Phenyl- oder substituierte Naphthylgruppe ersetzt werden. Als Substituent in der substituierten Phenyl- oder substituierten Naphthylgruppe kann zum Beispiel ein Chlor-, Fluor- oder Bromatom, eine Nitrogruppe, ein Alkylrest oder eine Aminogruppe erwähnt werden. X kann auch ein C&sub3;&submin;&sub8;-Cycloalkylrest, zum Beispiel eine Cyclopropyl-, Cyclopropenyl-, Cyclobutyl-, Cyclobutenyl-, Cyclopentyl-, Cyclopentenyl-, Cyclohexyl-, Cyclohexenyl-, Cyclooctyl- oder Cyclooctenylgrupe sein. Der Alkylteil anderer Reste kann auch 1 bis 20, vorzugsweise 1 bis 12, Kohlenstoffatome enthalten. Beispiele für X als Alkoxyrest sind Methoxy-, Ethoxy-, Propoxy-, Butoxy-, Pentoxyoder Phenoxygruppen.

Da das erfindungsgemäße Photolackmaterial eine Siloxanstruktur aufweist, die Si-Atome in der Hauptkette des Polymers enthält, und auch der Gehalt an Si hoch ist, weist es hohe Beständigkeit gegen O&sub2;-Plasma und weiter, wegen der cyclischen Ringstruktur, hohe Tg auf. Selbstverständlich kann, wenn eine höhere Tg erwünscht ist, diese leicht durch Einführen einer Phenylgruppe oder Naphthylgruppe in die an das Si-Atom gebundene Seitenkette erreicht werden.

Um das Material photoempfindlich zu machen, kann ein Rest, der eine photosensitive Gruppe, zum Beispiel einen halogenierten Alkylrest oder einen Aminoalkylrest, enthält, direkt an das Si-Atom oder als Seitenkette im erfindungsgemäßen Polymer gebunden oder ein photosensitives Mittel kann zum erfindungsgemäßen Polymer gegeben werden.

Zur Herstellung des erfindungsgemäßen Siloxanpolymers der allgemeinen Formel (I) bestehen zwei Wege, ausgehend von einem Monomer oder von einem cyclischen Ring. Zum Beispiel werden beim Ausgehen von einem Monomer folgende Reaktionen durchgeführt:

basischer Katalysator saurer Katalysator Polymer

(R: Beliebiger Substituent, n: Positive ganze Zahl)

Außerdem kann beim Ausgehen von einem cyclischen Ring eine Umlagerung unter Verwendung einer Lewis-Säure oder eine Dissoziationsreaktion der Si-C-Bindung durchgeführt werden.

Zum Beispiel wird, wenn die Reaktionssequenz

durchgeführt wird, die Reaktion 2 SiOH T Si-O-Si zur Durchführung der Polymerisation verwendet (R: beliebiger Substituent).

Weiter wird, wenn ein eine Phenylgruppe enthaltender cyclischer Ring als Ausgangsrohsubstanz verwendet wird, folgende Reaktion durchgeführt.

Halogenierungsmittel

φ : Phenylgruppe

Danach läßt man H&sub2;O oder einen Alkohol mit dem Produkt reagieren, um SiX in SiOH oder SiOR' (R: beliebiger Substituent) umzuwandeln. Als Halogenierungsrnittel können hier Säuren, wie H-Hal (Hal: Halogenatom), Hal&sub2;, ein Alkylhalogenid, Thionylhalogenid oder Sulfonylhalogenid erwähnt werden.

Durch Zugabe eines photosensitiven Mittels oder Einführen einer photosensitven Gruppe in das gemäß den vorstehenden Reaktionen hergestellte Polymer der Erfindung wird das Polymer als photosensitives Material verwendbar. Zur Einführung der photosensitiven Gruppe gibt es ein Verfahren der Herstellung eines cyclischen Rings unter Verwendung einer Verbindung, die die photosensitive Gruppe bilden kann, zum Beispiel eine Si-Verbindung mit einer Doppelbindung, wie H&sub2;C=CH-CH&sub2;-Si zur Bildung der an das Si-Atom gebundenen Seitenkette. In einer anderen Ausführungsform kann die photosensitive Gruppe in die an das Si-Atom gebundene Seitenkette nach der Herstellung des Polymers eingeführt oder ein photosensitives Mittel zugegeben werden. Weiter kann, falls erforderlich, die Verknüpfung von SiOH oder SiOR" (R": Alkylrest oder Phenylrest), die im erfindungsgemäßen Polymer enthalten sind, mit einem Silankupplungsmittel durchgeführt werden. Noch weiter kann, falls erforderlich, ein herkömmlich verwendetes Vernetzungsmittel oder Sensibilisator zugegeben werden.

Im folgenden wird die Erfindung in bezug auf die Beispiele im einzelnen veranschaulicht, aber die Erfindung ist nicht darauf beschränkt.

Herstellungsbeispiel 1

Zu 100 g mit Eis gekühltem Ether wurden 10 g φSiHCl&sub2; gegeben. Dann wurden eine kleine Menge Salzsäure (35 %ige wäßrige Lösung) und 50 g Chlormethylmethylether unter Rühren zugegeben und das Gemisch etwa 30 Minuten unter Eiskühlung gerührt. Nach vollständiger Umsetzung wurde das Reaktionsprodukt zu einer großen Menge Methanol getropft, um einen Niederschlag zu erhalten. Bei der Analyse dieses Niederschlags mit Silizium-NMR wurden zwei Peaks festgestellt. Bei der Fraktionierung mit GPC zur Analyse bestätigte sich, daß der Niederschlag ein Gemisch von zwei Arten von Verbindungen, d.h. Trisilylcyclosiloxan und Tetrasilylcyclosiloxan, war. Dann wurden 5 g des Niederschlags in 100 g einer THF (Tetrahydrofuran)-Lösung gelöst, die etwa 0.5 Gew.-% Wasser enthielt, und eine kleine Menge Triethylamin unter kräftigem Rühren zugegeben. Danach wurde die Reaktionslösung zu Benzol getropft, um die Cyclosiloxanverbindung auszufällen. Bei der Aufnahme des H-NMR des Niederschlags, wurde ein von SiOH stammender Peak festgestellt. Anschließend wurden für die Chlormethylierung 5 g des vorstehend erhaltenen Niederschlags zu einer Lösung von 100 g Methylal und 8 g Thionylchlorid gegeben, die unter Rühren auf -20ºC eingestellt wurde. Dann wurde eine kleine Menge Lewis-Säure (z.B. FeCl&sub3;) zugegeben, um die Polymerisationsreaktion und die Chlormethylierungsreaktion gleichzeitig ablaufen zu lassen. Nach etwa 20 Stunden Umsetzung wurde dieses Reaktionsprodukt bei 0ºC zu einer großen Menge Methanol und Wasser (1:1) umfassenden Lösung getropft, um das Polymer auszufällen. Bei der Bestimmung des Molekulargewichts nach Trocknen, wurde festgestellt, daß MG 10000 (bezogen auf Polystyrol) und der Gehalt an Cl 4.1 Gew.-% betrug.

Beispiel 1

Zu 45 g DIBK (Dibutylketon) wurden 5 g des im Herstellungsbeispiel 1 erhaltenen Polymers gegeben. Das Gemisch wurde gerührt und vollständig gelöst. Dann wurde die Lösung durch ein 0.2 um Filter filtriert, um eine Photolacklösung herzustellen. Anschließend wurde OFPR-800 (Photolack, hergestellt von Tokyo Oka Co.) auf einen 7.62 cm (3 in) Siliziumträger in einer Stärke von 1 um aufgetragen. Die Beschichtung wurde etwa 30 Minuten bei 200ºC in einem Ofen gehärtet. Nach dem Härten wurde die Photolacklösung unter Einstellen der Anzahl der Umdrehungen mit einer Spinnbeschichtungsvorrichtung beschichtet, wobei eine Stärke von 0.2 um erhalten wurde. Nach weiteren 20 Minuten Härten bei 80ºC wurde eine Abbildung unter Verwendung einer Elektronenstrahlbelichtungseinrichtung gezeichnet. Als nächstes wurde die Entwicklung mit einer Lösung von 1-Methoxy-2-propanol/Di-n-butylether (Verhältnis 5/2) durchgeführt. Die Empfindlichkeit betrug zu diesem Zeitpunkt 12 uC/cm². Das Verhältnis des verbliebenen Resistfilms betrug 50 %. Anschließend wurde eine Ätzung mit O&sub2;-Gas unter Verwendung einer Trocken-Ätzvorrichtung (RIE) durchgeführt.

Ätzbedingungen:

Gasfließgeschwindigkeit ------ 40 SCCM*

RF-Leistung ----- 125 W

O&sub2;-Druck ----- 5.3 Pa (40 m Torr)

* Standard-Kubikzentimeter pro Minute

Ätzgeschwindigkeit

Erfindungsgemäßer Photolack -- 3 nm/Min. (30 Å/Min.)

OFPR-800 ----- 200 nm/Min. (2000 Å/Min.)

Wie vorstehend bestätigte sich, daß der erfindungsgemäße Photolack ausgezeichnet in der Beständigkeit gegen O&sub2;- Plasma war. Bei der Messung der Auflösung mit einem Elektronenmikroskop wurde ein Abstandmuster mit einer Linienbreite von 3 um und einer Abstandbreite von 0.2 um deutlich aufgelöst.

Beispiel 2

Ein im Herstellungsbeispiel 1 hergestelltes Photolackmaterial wurde auf einen Siliziumwafer unter Einstellen der Anzahl der Umdrehungen beschichtet, wobei eine Stärke von 0.35 um erhalten wurde. Danach wurde dieser 20 Minuten bei 80ºC in einem Ofen gehärtet, und das Aufzeichnen und Entwickeln mit dem gleichen Verfahren, wie in Beispiel 1 durchgeführt. Danach änderte sich, bei 30 Minuten Härten bei 80ºC oder 160ºC, die Linienbreite des Musters bei einer der Temperaturen nicht. Das soll heißen, daß bestätigt werden konnte, daß ein Fluß des Photolacks auch nicht während des Härtens bei hoher Temperatur auftrat.

Herstellungsbeispiel 2

Zu 80 g Methylal wurden 6 g im Handel erhältliches Hexaphenylcyclotrisiloxan gegeben. (Im Si-NMR wurden zwei Peaks bei 33-34 ppm und 43 ppm festgestellt (siehe Fig. 1). Mit einer FD-MS-Messung (elektronisch eliminiertes Ionen- Massenspektrum), wurde bestätigt, daß es sich um ein Gemisch einer Verbindung mit einer Masse von 594, stammend von Hexaphenylcyclotrisiloxan, und einer Verbindung mit einer Masse von 792, stammend von Octaphenylcyclotetrasiloxan, handelte.) Nach Zugabe von 10 g Thionylchlorid wurde das Gemisch gerührt und die Temperatur der Lösung auf -20ºC eingestellt. Als nächstes wurde eine kleine Menge FeCl&sub3;-Katalysator zugegeben, um gleichzeitig die Polymerisation und die Chlormethylierungsreaktion 20 Stunden ablaufen zu lassen. Nach vollständiger Umsetzung wurde das Reaktionsprodukt zu einer Lösung von Methanol : Wasser = 1 : 1 getropft, um das Polymer auszufällen. Bei der Messung des Molekulargewichts mit GPC nach dem Trocknen, wurde festgestellt, daß MG 39000 betrug und der Gehalt an Cl 6.8 Gew.-% war.

Bei diesem Polymerisationsverfahren wurde 10 Minuten nach der Katalysatorzugabe eine Probenentnahme durchgeführt, um eine FD-MS-Messung durchzuführen. Die Ergebnisse sind in Fig. 2 gezeigt. Weiter sind die Ergebnisse des Silizium-NMR, ¹³C-NMR und der Elementaranalyse einer Probe nach vollständiger Umsetzung in Fig. 3, Fig. 4 bzw. Tabelle 1 gezeigt.

Aus den vorstehenden Ergebnissen der Analyse wird folgende Struktur des vorliegenden Polymers angenommen:

a + b + c + d + e + f = 2 oder 3

Tabelle 1 Ergebnisse der Elementaranalyse
Polymer

Beispiel 3

Außer daß 3.5 g des im Herstellungsbeispiel 2 erhaltenen Polymers in 48 g DIBK gelöst wurden, wurde exakt das gleiche Verfahren, wie in den Beispielen 1 und 2, verwendet.

- Empfindlichkeit

Es wurde eine hohe Empfindlichkeit erhalten, wie sich durch ein 50 %iges Verhältnis des restlichen Films zeigt = 2.8 uC/cm².

- Ätzgeschwindigkeit

Erfindungsgemäßer Photolack -- 2 nm/Min. (20 Å/Min.)

OFPR-800 --- 200 nm/Min. (2000 Å/Min.)

- Auflösung

Deutliches Muster mit L/S = 3 um/0.2 um wurde erhalten

-Test der Hitzebeständigkeit

Sogar wenn eine Nachhärtung für 30 Minuten bei 80ºC oder 160ºC durchgeführt wurde, wurde die Linienbreite des Musters nicht geändert.

Beispiel 4

3.5 g des im Herstellungbeispiel 2 erhaltenen Harzes und 1.2 g 4,4'-Diazidobenzophenon wurden in 45 g DIBK gelöst. Die Lösung wurde durch ein 0.2 um Filter filtriert, um eine Photolacklösung zu erhalten.

OFPR-800 wurde auf einen Wafer mit 7.62 cm (3 in) mit einer Filmstärke von 1.2 um beschichtet, der 30 Minuten bei 200ºC gehärtet wurde. Als nächstes wurde der erfindungsgemäße Photolack mit einer Stärke von 0.2 um beschichtet. Als nächstes wurde eine Kontaktbelichtung, unter Verwendung von PLA-521F (tiefes UV-Licht) durchgeführt. Danach wurde das Ätzen unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1 durchgeführt.

-Empfindlichkeit

Es zeigte sich auch im tiefen UV-Licht eine sehr hohe Empfindlichkeit, wie sich durch ein 70 %iges Verhältnis des restlichen Films zeigt = 2.2 L.I.

-Ätzgeschwindigkeit

Erfindungsgemäßer Photolack --- 2.5 nm/Min. (25 Å/Min.)

OFPR-800 ----- 200 nm/Min. (2000 Å/Min.)

Wie vorstehend bestätigte sich, daß der erfindungsgemäße Photolack eine ausreichende Beständigkeit gegen O&sub2; sogar bei der Zugabe eines Photovernetzungsmittels zeigt.

Auflösung

Ein deutliches Muster mit L/S = 0.5 um/0.5 um wurde erhalten.

Wie vorstehend veranschaulicht, ist das photosensitive Material, umfassend das neue siliziumhaltige Polymer mit siliziumhaltigen cyclischen Gruppen als wiederkehrende Einheiten, gemäß der Erfindung, hoch empfindlich gegen Elektronenstrahlen, Röntgenstrahlen, tiefes UV-Licht und UV-Licht. Außerdem weist es eine hohe Ätzbeständigkeit gegenüber O&sub2; auf, da die Hauptkette Siloxanbindungen umfaßt und der Gehalt an Si hoch ist, ist es wegen der cyclischen Ringe auch ausgezeichnet in der Hitzebeständigkeit, und weiter weist es eine hohe Auflösung auf. Es ist daher zur Herstellung von integrierten Schaltkreisen von Halbleiterelementen, wie Super-LSI (integrierter Schaltkreis mit großem Maßstab), verwendbar.


Anspruch[de]

1. Siliziumhaltiges Polymer, umfassend wiederkehrende Einheiten einer siliziumhaltigen cyclischen Verbindung der allgemeinen Formel (I)

in der m und n positive ganze Zahlen einschließlich 0 sind, jedoch m + n > 0 ist, und X ein Alkylrest, Alkoxyrest, eine Phenylgruppe, Naphthylgruppe, substituierte Phenylgruppe oder substituierte Naphthylgruppe oder ein Gemisch davon ist, wobei der Substituent der substituierten Phenylgruppe oder substituierten Naphthylgruppe ein Halogenatom, halogenierter Alkylrest, eine Aminogruppe, Aminoalkylrest oder Nitrogruppe oder ein Gemisch davon ist.

2. Siliziumhaltiges Polymer nach Anspruch 1, wobei m + n eine Zahl von 1 bis 4 ist.

3. Siliziumhaltiges Polymer nach Anspruch 1, in dem das Polymer eine einzelne cyclische Siloxanverbindung als wiederkehrende Einheit aufweist oder das Polymer ein Copolymer mit verschiedenen cyclischen Siloxanverbindungen als wiederkehrende Einheiten ist, und m + n eine Zahl von 1 bis 4 ist.

4. Photosensitives Material, umfassend das siliziumhaltige Polymer nach einem der Ansprüche 1 bis 3.

5. Photosensitives Material nach Anspruch 4, in dem die photosensitive Gruppe direkt an das Siliziumatom gebunden ist oder in der Seitenkette enthalten ist, die an das Siliziumatom gebunden ist.

6. Photosensitives Material nach Anspruch 4, in dem das photosensitive Agens zum Polymer gegeben wird.

7. Verwendung einer siliziumhaltigen cyclischen Verbindung der allgemeinen Formel (I) zur Herstellung eines Photolacks für Integralschaltungen.







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