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Dokumentenidentifikation DE3943013C2 22.12.1994
Titel Fernsehtuner mit einer Eingangsstufe, bei der ungewünschte Streukapazitäten minimiert sind
Anmelder Rohm Co. Ltd., Kyoto, JP
Erfinder Tsuji, Kenji, Kyoto, JP
Vertreter Moll, W., Dipl.-Phys. Dr.rer.nat., 80538 München; Delfs, K., Dipl.-Ing.; Mengdehl, U., Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.; Niebuhr, H., Dipl.-Phys. Dr.phil.habil., 20148 Hamburg; Glawe, U., Dipl.-Phys. Dr.rer.nat., Pat.-Anwälte, 80538 München
DE-Anmeldedatum 27.12.1989
DE-Aktenzeichen 3943013
Offenlegungstag 28.06.1990
Veröffentlichungstag der Patenterteilung 22.12.1994
Veröffentlichungstag im Patentblatt 22.12.1994
IPC-Hauptklasse H01L 25/00
IPC-Nebenklasse H03J 3/00   H01L 23/50   H01L 23/29   H01L 27/04   H01L 29/93   H01L 23/60   

Beschreibung[de]

Die Erfindung betrifft einen Fernsehtuner mit einer Eingangsstufe, welche eine Diode, die für Hochfrequenzsignale verwendet wird, umfaßt.

Derartige Fernsehtuner sind z. B. aus der DE 37 36 548 A1 und der DE 35 22 652 A1 bekannt.

Fig. 7 zeigt das Schaltbild der Eingangsstufe einer typischen Abstimmschaltung 1 eines Fernsehempfängers, bei der eine Kapazitätsdiode 2 und eine Schaltdiode 3 verwendet werden. Um diese Dioden 2 und 3 gegen Überspannungen zu schützen, sind Widerstände 4a und 4b (üblicherweise z. B. 50 bis 100 kΩ) für die Dioden 2 bzw. 3 vorgesehen. In der Abbildung sind C&sub1;, C&sub2;, C&sub3; und C&sub4; Sperrkondensatoren, L&sub1;, L&sub2; und L&sub3; Abstimmspulen, Bezugszifffer 5 bezeichnet einen Doppelgate-MOS-FET für die Hochfrequenzverstärkung, Bezugsziffer 6 bezeichnet einen Vorspannungswiderstand und C&sub5; ist ein Ableitungskondensator.

Normalerweise werden diskrete Teile für den Aufbau einer solchen Schaltung verwendet, und die Schutzwiderstände 4a und 4b werden dabei ebenfalls separat vorgesehen: Die Widerstände 4a und 4b werden mit einem Anschluß an die Dioden 2 und 3 und an dem anderen Anschluß an die Spannungseingangsklemmen 7 und 8 angeschlossen. In diesem Fall tritt eine gewisse Länge des Zuleitungsdrahtes zwischen den Dioden 2, 3 und den Widerständen 4a, 4b auf, und es ergibt sich das Problem mit den Streukapazitäten 9 und 10 aufgrund des Leitungsdrahtes, die ungewünschte Einflüsse auf die Abstimmeigenschaften ausüben können.

Aus der DE 27 58 890 A1 ist es bekannt, eine Halbleitervorrichtung mit einem Widerstand auszubilden, welcher als Schmelzsicherung dient.

Ein auf einer Halbleitervorrichtung ausgebildeter Begrenzungswiderstand ist in IBM Techn. Discl. Bull. Vol 25, No. 9, Feb. 1983, Seite 4595-4596 offenbart. Durch die geringen Ausmaße des Bauelementes sind die parasitären Kapazitäten dabei sehr klein.

IBM Techn. Discl. Bull. Vol 13, No. 5, Oct. 1970, Seite 1272-1273 offenbart außerdem eine Schutzvorrichtung für einen Feldeffekt- Transistor, der zusammen mit einem Widerstand ausgebildet ist, wobei der Widerstand zwischen dem Gate- und dem Drain-Anschluß des Transistors geschaltet ist.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Fernsehtuner mit sehr geringen Streukapazitäten zu schaffen.

Diese Aufgabe wird durch einen Fernsehtuner nach Anspruch 1 gelöst. Die Unteransprüche enthalten weitere Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Fernsehtuners.

Da die Diode und ihr Schutzwiderstand dabei gemeinsam integriert und in ein einheitliches Bauteil eingegossen sind, ist die Verbindungsleitung zwischen ihnen sehr kurz, was zu einer zu verringerten Streukapazität führt und damit zu einer hohen Tauglichkeit für Hochfrequenzverwendungen.

Ausführungsformen der Erfindung werden anhand der beigefügten Zeichnungen eräutert; es zeigt

Fig. 1a eine Aufsicht auf eine erste Ausführungsform einer Eingangsstufe als Teil eines Fernsehtuners gemäß der Erfindung,

Fig. 1b eine Schnittdarstellung entlang der Linie B-B gemäß Fig. 1a,

Fig. 2 eine Perspektivdarstellung der Eingangsstufe,

Fig. 3 das Schaltbild der Eingangsstufe,

Fig. 4 eine Schnittdarstellung des Aufbaus des Hauptteils der Eingangsstufe,

Fig. 5 eine Aufsicht auf eine zweite Ausführungsform der Erfindung,

Fig. 6 eine Aufsicht auf eine dritte Ausführungsform der Erfindung, und

Fig. 7 ein allgemeines Schaltbild einer Abstimmschaltung eines VHF- Fernsehempfängers.

Die in den Fig. 1a, 1b und 2 dargestellte Vorrichtung ist die erste Ausführungsform der Erfindung, in der ein Schutzwiderstand 4&min; auf einem Diodenchip 12 angeordnet ist, der auf einem der drei Anschlußelemente 11, 13 und 14 der Vorrichtung angeordnet ist. Wie in Fig. 3 dargestellt ist, wird der Anschlußstift 11 für die Kathode der Diode 12 verwendet, ein weiterer Anschlußstift 13 ist mit der Anode über einen inneren Leitungsdraht 16 verbunden, und der dritte Anschlußstift 14 ist mit dem Widerstand 4&min; über einen weiteren inneren Leitungsdraht 17 verbunden, wobei die Anordnung mit Harz 15 vergossen und fixiert ist. Die Anschlußstifte 11, 13 und 14 sind aus einem Leitungsraster gefertigt und werden nach dem Vergießen getrennt.

Der mit dem Schutzwiderstand 4&min; integrierte Diodenchip 12 ist, wie in Fig. 4 dargestellt, aufgebaut. Die Diode 12 ist aus einem N-Siliziumsubstrat 18 und einem darin dotierten P-Bereich 19 gebildet. Dann wird eine Isolierschicht 21 gebildet, die die Oberfläche des N-Substrates abdeckt und ein Durchgangsloch für eine mit Verunreinigungen dotierte Polysiliziumschicht (der Widerstand) 4&min; aufweist, um das Substrat 18 zu kontaktieren. Auf dem P-Bereich (Anode der Diode) 19 ist ein Metallanschluß 22 (vorzugsweise, aber nicht notwendigerweise aus Aluminium) angeordnet, und auf der Polysiliziumschicht (Widerstand) 4&min; ist ein weiterer Metallanschluß 23 angeordnet. Die Rückseite des N-Siliziumsubstrates 18 ist mit dampfbeschichtetem Gold 24 bedeckt, das den Kathodenstift 11 kontaktiert. Die Metallanschlüsse 22 und 23 sind mit Drähten 16 und 17 verbunden, um die anderen beiden Stifte 13 und 14 anzuschließen. Das Vergußharz wird vorzugsweise unter solchen ausgewählt, die geringe dielektrische Hochfrequenzverluste aufweisen.

Fig. 5 zeigt eine zweite Ausführungsform der Erfindung, bei der der Widerstand 4&min; unabhängig von der Diode 12 auf dem dritten Anschlußstift 14 ausgebildet ist. Der Widerstand 4&min; kann dabei durch Dampfbeschichtung auf dem Stift 14 oder in anderer Weise ausgebildet werden. Die dritte Ausführungsform ist in Fig. 6 dargestellt, bei der der Verbindungsdraht 17 zwischen der Diode 12 und dem dritten Stift 14 durch einen Hochwiderstandsdraht gebildet wird, der als Schutzwiderstand dient.


Anspruch[de]
  1. 1. Fernsehtuner mit einer Eingangsstufe, welche umfaßt eine Diode (12), einen mit einem der Anschlüsse der Diode verbundenen Widerstand (4&min;) zum Schutz der Diode (12) gegen eine Überspannung, eine Harzverpackung (15), in der die Diode (12) und der Widerstand (4&min;) gemeinsam eingegossen und fixiert sind, und drei Anschlußelemente (11, 13, 14), von denen jedes in die Harzverpackung (15) halb eingegossen ist, zum Verbinden der Anschlüsse der Diode und des Widerstandes mit der übrigen Schaltung der Eingangsstufe.
  2. 2. Fernsehtuner nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Diode (12) eine Schaltdiode ist.
  3. 3. Fernsehtuner nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Diode (12) eine Kapazitätsdiode ist.
  4. 4. Fernsehtuner nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlußelemente (11, 13, 14) Anschlußstifte eines Leitungsrasters sind und daß innere Leitungsdrähte (16, 17), die die Diode (12) und die Anschlußelemente (11, 13, 14) verbinden, in der Harzverpackung (15) eingegossen sind.
  5. 5. Fernsehtuner nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand (4&min;) auf einem der Anschlußelemente (14) befestigt ist.
  6. 6. Fernsehtuner nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der die Diode (12) und eines der Elemente (14) verbindende Leitungsdraht aus einem Hochwiderstandsdraht gebildet ist, der als der Widerstand (4&min;) dient.
  7. 7. Fernsehtuner nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand (4&min;) einstückig auf einem Halbleitersubstrat der Diode (12) ausgebildet ist.
  8. 8. Fernsehtuner nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Diodenvorrichtung aufweist:

    eine Diode (12) aus einem Halbleitersubstrat (N) und einem Halbleiterbereich (P), der einen zu dem des Substrates entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp aufweist und in das Substrat eingesetzt ist,

    eine auf dem Substrat (N) über einer Isolierschicht angeordneten Widerstand (4&min;), der mit dem Substrat über eine in der Isolierschicht ausgebildete Öffnung in Kontakt steht, zum Schutz der Diode (12) gegen eine Überspannung, erste und zweite Anschlußelemente (22, 24), die mit den Anschlüssen der Diode verbunden sind, einem dritten Anschlußelement (23), das mit dem Widerstand verbunden ist, und einer Harzverpackung (15), in der die Diode (12), der Widerstand (4&min;) und die Anschlußelemente eingegossen und fixiert sind.






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