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Dokumentenidentifikation DE4442648A1 29.06.1995
Titel Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
Anmelder Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo, JP
Erfinder Miyazaki, Junji, Itami, Hyogo, JP
Vertreter Prüfer, L., Dipl.-Phys.; Materne, J., Dipl.-Phys. Dr.rer.nat.habil., Pat.-Anwälte, 81545 München
DE-Anmeldedatum 30.11.1994
DE-Aktenzeichen 4442648
Offenlegungstag 29.06.1995
Veröffentlichungstag im Patentblatt 29.06.1995
IPC-Hauptklasse H01L 21/31
IPC-Nebenklasse H01L 21/3213   H01L 21/768   G03F 7/11   
Zusammenfassung Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung weist die Schritte der Ausbildung einer Verbindungsschicht (4) die aus einem metallischem Material besteht, auf einem Substrat (2) und der Ausbildung einer Anti-Reflexions-Schicht (6), die eine Verbindung mit Metall-Silizium-Sauerstoff enthält, auf dieser Verbindungsschicht (4) unter Verwendung desselben metallischen Materials auf. Derart ist es möglich, die Verbindungsschicht (4) und die Anti-Reflexions-Schicht (6) durch dieselbe Vorrichtung auszubilden und mit demselben Ätzmitel zu behandeln. Als ein Ergebnis kann die Effizienz des Verfahrens zur Herstellung der Halbleitervorrichtung mit einer Anti-Reflexions-Schicht verbessert werden.

Beschreibung[de]

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung. Insbesondere bezieht sie sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, bei der eine Anti-Reflexions-Schicht verwendet wird.

Bei einem Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung wird eine Verbindungsschicht auf einem Substrat ausgebildet, und auf dieser Verbindungsschicht wird eine Resistschicht (Schicht aus einem photoempfindlichem Lack o. ä.) ausgebildet. Unter Verwendung einer vorbestimmten Lichtquelle zur Belichtung wird dann eine Belichtung eines vorbestimmten Musters auf bzw. in der Resistschicht bewirkt. Danach wird zur Ausbildung der Resistschicht mit dem vorbestimmten Muster eine Entwicklung ausgeführt. Darüber hinaus wird unter Verwendung dieser Resistschicht als Maske die Verbindungsschicht auf dem Substrat geätzt.

Wenn die Belichtung des vorbestimmten Musters auf bzw. in der Resistschicht bewirkt wird, wird jedoch die Gestalt des durch die Belichtung der Resistschicht ausgebildeten Musters gegenüber einer gewünschten Gestalt abgeändert, falls es Niveauunterschiede in der darunterliegenden Verbindungsschicht oder ähnliches gibt, da das zur Belichtung verwendete Licht an dem durch diese Niveaudifferenz an der Verbindungsschicht unter der Resistschicht verursachten schrägen Abschnitt reflektiert und/oder in die Resistschicht gestreut wird.

Wie in Fig. 17 gezeigt ist, ist eine Verbindungsschicht 101 auf einem Substrat 100 ausgebildet. Auf dieser Verbindungsschicht 101 ist eine Resistschicht 102 ausgebildet. Wenn zur Belichtung verwendetes Licht 104 auf diese Resistschicht 102 gerichtet wird, wird ein Bereich, der nicht für die Belichtung vorgesehen ist, an einem schrägen Abschnitt (ein in der Figur durch den Kreis Y gekennzeichneter Bereich) auf Grund der in der Verbindungsschicht 101 vorhandenen Niveaudifferenz der Belichtung ausgesetzt.

Wie in Fig. 18 gezeigt ist, wird die Resistschicht, falls dann diese Resistschicht 102 entwickelt wird, nicht mit der gewünschten Gestalt ausgebildet. Das bedeutet, daß die Verbindungsschicht 101 unter Verwendung dieser Resistschicht nicht so geätzt werden kann, daß sie eine vorbestimmte Gestalt erhält. Ein Weg zur Lösung dieses Problems ist die Ausbildung einer Anti-Reflexions-Schicht unter der Resistschicht zur Verhinderung des Streuens des zur Belichtung verwendeten Lichts an dem schrägen Abschnitt, der durch die Niveaudifferenz in der Verbindungsschicht verursacht wird.

Wie in Fig. 19 gezeigt ist, ist eine Verbindungsschicht 101 auf einem Substrat 100 ausgebildet. Auf dieser Verbindungsschicht 101 ist eine Anti-Reflexions-Schicht 106 aus einem organischen Material, daß das zur Belichtung verwendete Licht 104 absorbiert, ausgebildet. Eine Resistschicht 102 ist auf dieser Anti-Reflexions-Schicht 106 ausgebildet.

Wenn diese Anti-Reflexions-Schicht 106 ausgebildet ist, wird das zur Belichtung verwendete Licht 104 nicht gestreut, wie in Fig. 19 zu erkennen ist, selbst wenn das zur Belichtung verwendete Licht 104 auf den Bereich des schrägen Abschnittes Y, der durch die Niveaudifferenz verursacht wird, einfällt, und derart ist es möglich, die Resistschicht 102 in einem vorbestimmten Muster zu belichten. Danach wird, wie in Fig. 20 gezeigt ist, die Resistschicht 102 entwickelt, so daß die Resistschicht 102 mit einem vorbestimmten Muster erhalten werden kann.

Selbst bei dem oben beschriebenen Verfahren, bei dem die Anti-Reflexions-Schicht 106 ausgebildet ist, wird jedoch die Anti-Reflexions-Schicht 106, wenn das Ätzen der Resistschicht 102 ausgeführt wird, auch weggeätzt, wie in Fig. 20 gezeigt ist, wodurch die Ausbildung eines unter- bzw. eingeschnittenen Abschnittes X verursacht wird, da die Resistschicht 102 und die Anti-Reflexions-Schicht 106 beide aus einem organischem Material ausgebildet sind. Die Ausbildung dieses unterschnittenen Abschnittes führt zur Ablösung bzw. zum Abschälen der Resistschicht, wenn das Muster für die Halbleitervorrichtung kleiner wird.

Außerdem gibt es ein Verfahren, bei dem amorphes Silizium, das aus einem anorganischem Material besteht, anstelle der aus organischem Material bestehenden Anti-Reflexions-Schicht 106 verwendet wird. Obwohl diese Anti-Reflexions-Schicht aus amorphen Silizium die Streuung des zur Belichtung verwendeten Lichtes reduzieren kann, wenn eine g-Linie mit einer Belichtungswellenlänge von 436 nm verwendet wird, kann sie jedoch die Streuung des Belichungslichtes nicht ausreichend reduzieren, wenn eine i-Linie mit einer Wellenlänge von 365 nm oder Licht eines KrF-Excimer-Lasers mit einer Wellenlänge von 248 nm als Licht zur Belichtung verwendet wird. Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung einer Verbindung von Metall-Silizium-Nitrid als Anti-Reflexions- Schicht ist in der japanischen Patentoffenlegungsschrift JP 4-233719 (A) offenbart. Die Fig. 21 bis 24 sind Schnittansichten, die Schritte einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung zeigen, wenn eine Schicht, die aus der Verbindung aus Metall-Silizium-Nitrid besteht, als die oben beschriebene Anti-Reflexions-Schicht verwendet wird.

Wie in Fig. 21 gezeigt ist, ist eine dielektrische Schicht 105 aus Siliziumoxynitrid auf einem Halbleitersubstrat 100 ausgebildet. Eine Metallschicht 101 aus Aluminium ist auf dieser dielektrischen Schicht 105 zum Bereitstellen eines Leitungs- bzw. Verbindungsmusters ausgebildet. Auf dieser Metallschicht 101 ist eine Anti-Reflexions-Schicht 106 mit einer Verbindung aus Metall-Silizium-Nitrid ausgebildet. Metalle wie Titan, Vanadium, Chrom, Zirkon, Niob, Molybdän, Hafnium, Tantal oder Wolfram können als das in dieser Anti-Reflexions-Schicht 106 enthaltene Metall verwendet werden. Eine Resistschicht 102 ist auf dieser Anti-Reflexions-Schicht 106 ausgebildet. Weiter ist eine Photomaske 110 mit einem vorbestimmten Muster über dieser Resistschicht 102 angeordnet bzw. positioniert. Danach wird unter Verwendung dieser Photomaske 110 die Resistschicht 102 mit zur Belichtung verwendetem Licht 104 bestrahlt, wodurch ein vorbestimmtes Muster erhalten wird.

Wie in Fig. 22 gezeigt ist, wird die Resistschicht 102 zur Ausbildung einer Öffnung 120 mit einem vorbestimmten Muster entwickelt. Dann werden, wie in Fig. 23 gezeigt ist, die Anti- Reflexions-Schicht 106 und die Metallschicht 101 unter Verwendung der Resistschicht 102 als Maske geätzt. Wie in Fig. 24 gezeigt ist, wird die Resistschicht 102 dann durch ein vorbestimmtes Verfahren entfernt, wodurch die Ausbildung der Metallschicht 101 mit einem Muster einer vorbestimmten Gestalt ermöglicht wird.

Bei der oben beschriebenen Technik ist jedoch die Metallschicht 101 aus Aluminium ausgebildet, während das für die aus einer Metall-Silizium-Nitrid-Schicht bestehende Anti-Reflexions- Schicht verwendete Metall Titan, Vanadium, Chrom, Zirkon, Niob, Molybdän, Hafnium, Tantal, Wolfram oder ähnliches sein kann. Daher muß, obwohl die Metallschicht und die Anti-Reflexions- Schicht unter Verwendung der selben Vorrichtung ausgebildet werden können, das Target (für die Schichtausbildung) geändert werden.

Daher erhöht sich die Anzahl der zur Herstellung der Halbleitervorrichtung notwendigen Schritte, wodurch die Verbesserung der Produktivität für die Halbleitervorrichtung und eine Kostenreduzierung behindert werden. Zusätzlich wird die Wellenlänge des zur Belichtung verwendeten Lichts kürzer, wenn die Halbleitervorrichtung in einem höheren Grad integriert wird, wodurch weiter eine Anti-Reflexions-Schicht benötigt wird, die die Streuung des zur Belichtung verwendeten Lichtes verhindern kann.

Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung die Effizienz eines Verfahrens zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, das Schritte der Herstellung einer Anti-Reflexions-Schicht aufweist, zu verbessern.

Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren nach Anspruch 1.

Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.

Das Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung weist die folgenden Schritte auf.

Zuerst wird eine Verbindungsschicht, die aus einem metallischem Material ausgebildet ist, auf einem Substrat ausgebildet. Dann wird eine Anti-Reflexions-Schicht, die eine Verbindung aus Metall-Silizium-Sauerstoff aufweist, auf dieser Verbindungsschicht unter Verwendung desselben metallischen Materials wie das der Verbindungsschicht ausgebildet.

Danach wird eine Resistschicht mit einem Muster mit einer vorbestimmten Gestalt auf dieser Anti-Reflexions-Schicht durch Photolithographie ausgebildet. Dann wird entsprechend des Musters dieser Resistschicht ein Mustern der Verbindungsschicht und der Anti-Reflexions-Schicht ausgeführt.

Bevorzugterweise ist die Anti-Reflexions-Schicht aus einer Verbindung ausgebildet, die zusätzlich Stickstoff enthält, d. h. eine Verbindung mit Metall-Silizium-Sauerstoff-Stickstoff, d. h. eine Verbindung die Metall, Silizium, Sauerstoff und Stickstoff enthält.

Noch bevorzugter ist das metallische Material aus der Gruppe ausgewählt, die Molybdän, Wolfram, Titan, Aluminium und Kupfer enthält.

Bei einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung der Halbleitervorrichtung entsprechend der vorliegenden Erfindung kann die Anti-Reflexions-Schicht mit einer Vorrichtung ausgebildet werden, die zur Ausbildung der Verbindungsschicht verwendet wird, ohne daß deren Target ausgetauscht wird. Als ein Ergebnis kann die Halbleitervorrichtung effizient hergestellt werden. Außerdem können, da die Anti-Reflexions-Schicht und die darunterliegende Verbindungsschicht aus einem Material desselben Typs ausgebildet sind, die Verbindungsschicht und die Anti-Reflexions-Schicht durch den selben Ätzschritt mit demselben Ätzmittel gemustert werden.

Außerdem ist es, selbst wenn die Wellenlänge des zur Belichtung verwendeten Lichts kürzer gemacht wird, möglich, eine Resistschicht mit einem vorbestimmten Muster durch Verwendung einer Anti-Reflexions-Schicht, die eine Verbindung aus Metall- Silizium-Sauerstoff enthält, die einen ausreichenden Brechungsindex zur Verhinderung der Streuung des zur Belichtung verwendeten Lichtes aufweist, auszubilden. Außerdem wird, wenn eine Resistschicht aus einem organischem Material durch den Ätzschritt gemustert wird, die Anti-Reflexions-Schicht durch das Ätzmittel nicht weggeätzt, so daß kein unter- bzw. eingeschnittener Abschnitt wie bei dem Beispiel erzeugt wird. Darum ist eine hoch präzise Musterung der Verbindungsschicht ohne Ablösung oder Abschälen der Resistschicht möglich.

Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen an Hand der Figuren. Von den Figuren zeigen:

Fig. 1 bis 5 Schnittansichten, die einen ersten bis fünften Schritt der Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach einer ersten Ausführungsform der Erfindung zeigen;

Fig. 6 einen Graph, der die Beziehung zwischen einem Partialdruck von Sauerstoff in Argongas und einem komplexen Brechungsindex zeigt;

Fig. 7 einen Graph, der die Reflektivität und den komplexen Brechungsindex bei der ersten Ausführungsform zeigt;

Fig. 8 einen Graph, der die Beziehung zwischen einem Partialdruck von Stickstoff in einem gemischten Gas aus Argon und Sauerstoff und einem komplexen Brechungsindex bei der ersten Ausführungsform zeigt;

Fig. 9 bis 15 Schnittansichten, die einen ersten bis siebten Schritt der Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach einer zweiten Ausführungsform zeigen;

Fig. 16 einen Graph, der die Beziehung zwischen der Reflektivität und dem komplexen Brechungsindex bei der zweiten Ausführungsform zeigt;

Fig. 17 und 18 Schnittansichten, die einen ersten und zweiten Schritt der Herstellung einer Halbleitervorrichtung eines ersten Beispieles zeigen;

Fig. 19 und 20 Schnittansichten, die einen ersten und zweiten Schritt der Herstellung einer Halbleitervorrichtung eines zweiten Beispieles zeigen; und

Fig. 21 bis 24 Schnittansichten, die einen ersten bis vierten Schritt der Herstellung einer Halbleitervorrichtung eines dritten Beispieles zeigen.

Eine erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird in folgendem unter Bezugnahme auf die Figuren beschrieben.

Die Fig. 1 bis 5 sind Schnittansichten, die die Herstellungsschritte für die Halbleitervorrichtung entsprechend einer ersten Ausführungsform zeigen.

Wie in Fig. 1 gezeigt ist, wird eine Verbindungsschicht 4 durch Ausbildung von z. B. MoSi mit einer Dicke von 200 nm (2000 Å) auf einem Substrat 2, das eine Niveaudifferenz an der Oberfläche aufweist, ausgebildet. Dann wird wie in Fig. 2 gezeigt ist, eine Anti-Reflexions-Schicht 6 durch Ausbildung einer MoSiO-Schicht mit einer Dicke von 5 (50) bis 100 nm (1000 Å) auf dieser Verbindungsschicht 4 ausgebildet.

Diese Anti-Reflexions-Schicht 6 kann durch Sputtern (Zerstäubung), CVD (Chemical Vapor Deposition = Chemische Dampfphasenabscheidung) oder Dampfphasenabscheidung ausgebildet werden. Wenn Sputtern verwendet wird, kann die Anti-Reflexions-Schicht 6 z. B. durch Sputtern von MoSi mit Ar+O&sub2; ausgebildet werden. Durch Einstellen des Verhältnisses von Ar und O&sub2; derart, daß zu dieser Zeit 50-95% Ar und 5-50% O&sub2; vorhanden sind, kann der komplexe Brechungsindex der Reflexions-Schicht 6 auf einen entsprechenden bzw. passenden Wert eingestellt werden.

Fig. 6 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen dem Partialdruck von Sauerstoff in Argongas und den Werten n, k des komplexen Brechungsindexes (n - i × k) der Anti-Reflexions- Schicht 6 zeigt. Aus diesem Graph ist zu entnehmen, das durch Einstellen des Partialdruckes von Sauerstoff in Argongas auf 5 bis 50% der Bereich der Werte n, k des komplexen Brechungsindexes (n - i × k) der Anti-Reflexions-Schicht 6 so eingestellt werden kann, das n = 0,8 bis 4,5 und k = 0 bis 2,0.

Die Werte n, k des komplexen Brechungsindex (n - i × k) werden auf n = 0,8 bis 4,5 und k = 0 bis 2 eingestellt, da die Reflektivität an der Grenzfläche zwischen der Resistschicht und der Anti- Reflexions-Schicht von dem komplexen Brechungsindex (n - i × k) abhängt. Falls n = 0,8 bis 4,5 und k = 0 bis 2 ist es möglich, die Reflektivität der Anti-Reflexionsschicht 6 auf 20% oder niedriger zu drücken. Darüber hinaus ist es durch Hinzufügen von ungefähr 0 bis ungefähr 50% N&sub2; zu dem Sputtergas möglich, nur den Wert von k unabhängig zu ändern, so daß die Anti-Reflexions- Schicht 6 mit optimalen Werten n, k ausgebildet werden kann (Fig. 8).

Wie in Fig. 3 gezeigt ist, wird eine Resistschicht 8 auf der Anti-Reflexions-Schicht 6 durch Schleuderbeschichtung ausgebildet. Danach wird, wie in Fig. 4 gezeigt ist, zur Belichtung verwendetes Licht auf einem vorbestimmten Abschnitt der Resistschicht gerichtet. Dann wird durch Entwicklung eine Resistschicht 8 mit dem vorbestimmten Muster ausgebildet. Zu dieser Zeit wird das zur Belichtung verwendete Licht nicht gestreut, da die oben beschriebene Anti-Reflexions-Schicht 6 vorgesehen ist. Darum kann die Resistschicht mit einer vorbestimmten Gestalt ausgebildet werden.

Wie in Fig. 5 gezeigt ist, werden die Anti-Reflexions-Schicht 6 und die Verbindungsschicht (die zur Ausbildung von Verbindungen vorgesehene Schicht) 4 unter Verwendung der Resistschicht 8 als Maske gemustert. Für diese Musterung wird Trockenätzen eingesetzt. Dieses Trockenätzen macht es möglich, die Anti-Reflexions- Schicht 6, die aus der MoSiO-Schicht ausgebildet ist, und die Verbindungsschicht 4, die aus der MoSi-Schicht ausgebildet ist, gleichzeitig durch Cl&sub2;+BCl&sub3;-Gas oder ähnliches zu ätzen. Die Resistschicht 8 wird dann durch Einäschern entfernt.

Obwohl es notwendig ist, die Anti-Reflexions-Schicht 6, die auf der Verbindungsschicht 4 verblieben ist, zu entfernen, kann sie ebenfalls durch das Trockenätzen oder ähnliches entfernt werden, da das sie bildende Metall von demselben Typ wie das die Verbindungsschicht 4 bildende Metall ist. Wie oben dagelegt ist, ist es möglich, die Verbindungsschicht 4 und die Anti- Reflexions-Schicht 6 mit der selben Vorrichtung zur Ausbildung einer Schicht ohne Änderung des Targets auszubilden, indem die Verbindungsschicht 4 und die Anti-Reflexions-Schicht 6 so ausgebildet werden, daß sie Metalle desselben Typs enthalten.

Zusätzlich kann bei dem Schritt des Musterns der Verbindungsschicht 4 und der Anti-Reflexions-Schicht 6 die Musterung unter Verwendung desselben Ätzmittels ausgeführt werden.

Obwohl Mo als das metallische Material für die Verbindungsschicht und die Anti-Reflexions-Schicht in der oben beschriebenen ersten Ausführungsform verwendet worden ist, ist diese Angabe nicht begrenzend. Zum Beispiel kann ein Material, das aus der Gruppe, die aus W, Ti, Al und Cu besteht, ausgewählt wird, auch zum Erhalten derselben Wirkung verwendet werden. Darüber hinaus kann dieselbe Wirkung auch durch Ausbildung der Resistschicht 8 auf der Anti-Reflexions-Schicht 6, nachdem die SiO&sub2;-Schicht durch CVD ausgebildet worden ist, erhalten werden.

Eine zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf die Figuren beschrieben. Die Fig. 9 bis 15 sind Schnittansichten, die Schritte der Herstellung einer Halbleitervorrichtung entsprechend der zweiten Ausführungsform zeigen.

Wie in Fig. 9 gezeigt ist, wird eine Verbindungsschicht 4 auf einem Substrat 2 durch Abscheiden von WSi mit 200 nm (2000 Å) Dicke ausgebildet. Dann wird eine SiO&sub2;-Schicht auf dieser Verbindungsschicht 4 bis zu einer Dicke von 100 nm auf (1000 Å) durch CVD abgeschieden, wodurch eine Isolierschicht 12 ausgebildet wird. Wie in Fig. 10 gezeigt ist, wird eine Anti- Reflexions-Schicht 6 dann auf der Isolierschicht 12 durch Abscheiden einer WSiO-Schicht mit einer Dicke von ungefähr 5 (50) bis ungefähr 100 nm (1000 Å) durch Sputtern in einer zu der ersten Ausführungsform vergleichbaren Art und Weise ausgebildet.

Wie in Fig. 11 gezeigt ist, wird eine Resistschicht 8 auf der Anti-Reflexions-Schicht 6 durch Schleuderbeschichtung ausgebildet. Durch Photolithographie wird zur Belichtung verwendetes Licht auf diese Resistschicht gerichtet. Wie in Fig. 12 gezeigt ist, wird dann die Resistschicht entwickelt, wodurch ein vorbestimmtes Resistmuster (Muster aus einem entwickelten belichteten photoempfindlichem Lack) ausgebildet wird. Dabei verhindert die Anti-Reflexions-Schicht 6, selbst wenn eine Neigung oder Schräge durch eine Niveaudifferenz an der Oberfläche des Substrates 2 verursacht wird, die Streuung des zur Belichtung verwendeten Lichtes, so daß es möglich ist, die Resistschicht 8 in eine vorbestimmte Gestalt zu mustern.

Wie in Fig. 13 gezeigt ist, wird die Anti-Reflexions-Schicht 6 einem Trockenätzen unter Verwendung der Resistschicht 8 als Maske unterworfen. Bei diesem Ätzen wird Cl&sub2;+BCl&sub3;-Gas oder ähnliches als Ätzgas verwendet. Weiter wird unter Verwendung der Resistschicht 8 und der Anti-Reflexions-Schicht 6 als Maske die Isolierschicht 12 geätzt. Das Ätzgas für dieses Ätzen ist CHF&sub3;+O&sub2;.

Wie in Fig. 14 gezeigt ist, wird die Resistschicht 8 dann durch Einäschern entfernt. Danach wird, wie in Fig. 15 gezeigt ist, die Isolierschicht 12 als Maske zum Ätzen der Verbindungsschicht 4 verwendet, so daß diese ein vorbestimmtes Muster aufweisen wird, wobei dasselbe Ätzmittel wie das zum Ätzen der Anti- Reflexions-Schicht 6 verwendete Ätzmittel verwendet wird, d. h. Cl&sub2;+BCl&sub3;. Da die oben erwähnte Anti-Reflexions-Schicht 6 zu dieser Zeit gleichzeitig durch das Ätzgas Cl&sub2;+BCl&sub3; entfernt wird, ist es nicht notwendig den Schritt zum Entfernen der Anti- Reflexions-Schicht 6 gesondert vorzusehen.

Wie oben dagelegt worden ist, können die Verbindungsschicht 4 und die Anti-Reflexions-Schicht 6 auch bei dieser zweiten Ausführungsform durch dieselbe Vorrichtung und mit demselben Target ausgebildet werden. Zusätzlich kann das Mustern der Verbindungsschicht 4 unter Verwendung desselben Ätzgases ausgeführt werden. Weiter ist es, wenn die Verbindungsschicht 4 gemustert wird, möglich, die Anti-Reflexions-Schicht zur selben Zeit zu entfernen.

Obwohl W bei der obigen Ausführungsform als das in der Verbindungsschicht und der Anti-Reflexions-Schicht enthaltene metallische Material verwendet worden ist, ist diese Angabe nicht begrenzend. Mo, Ti, Al oder Cu können auch zu derselben Wirkung führen. Darüber hinaus machen es die Werte n, k des komplexen Brechungsindex (n - i × k) für die WSiO-Schicht, die in der obigen zweiten Ausführungsform als die Anti-Reflexions- Schicht verwendet wird, möglich, die Reflektivität auf 20% oder weniger zu drücken, falls n = 0,8 bis 4,5 und k = 0 bis 2,0 ist, wie in Fig. 16 gezeigt ist.


Anspruch[de]
  1. 1. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit den Schritten:

    Ausbilden einer Verbindungsschicht (4), die ein metallisches Material aufweist oder aus diesem besteht, auf einem Substrat (2), Ausbilden einer Anti-Reflexions-Schicht (6), die eine Verbindung mit Metall-Silizium-Sauerstoff enthält, auf der Verbindungsschicht (4) unter Verwendung desselben metallischen Materials wie das für die Verbindungsschicht (4) verwendete Material, Ausbilden einer Resistschicht (8) mit einem Muster einer vorbestimmten Gestalt auf der Anti-Reflexions-Schicht (6) durch Photolithographie, und

    Mustern der Verbindungsschicht (4) und der Anti-Reflexions- Schicht (6) entsprechend des Musters der Resistschicht (8).
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, das die Anti-Reflexions-Schicht (6) aus einer Verbindung mit Metall-Silizium-Sauerstoff-Stickstoff ausgebildet ist.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das metallische Material aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Molybdän, Wolfram, Titan, Aluminium und Kupfer besteht.






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