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Dokumentenidentifikation DE19510853A1 19.09.1996
Titel Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitermaterialien
Anmelder Heinrich-Hertz-Institut für Nachrichtentechnik Berlin GmbH, 10587 Berlin, DE
Erfinder Ebert, Willi, Dipl.-Ing., 13349 Berlin, DE;
Wolfram, Peter, Dipl.-Chem., 10719 Berlin, DE
DE-Anmeldedatum 17.03.1995
DE-Aktenzeichen 19510853
Offenlegungstag 19.09.1996
Veröffentlichungstag im Patentblatt 19.09.1996
IPC-Hauptklasse C30B 25/14
IPC-Nebenklasse H01L 21/205   C23C 16/44   B01D 50/00   B01D 51/00   B01D 53/00   
IPC additional class // C30B 29/40  
Zusammenfassung Bei der Herstellung von Halbleitermaterialien entstehen im Beschichtungsreaktor (1) während der Beschichtung Zersetzungsprodukte aus den Prozeßgasen. Diese setzen sich nicht nur in einer dafür vorgesehenen Filtereinheit (6), sondern auch im Beschichtungsreaktor (1) und vor allem im anschließenden Rohrleitungssystem (3, 4, 5) ab, so daß eine häufige, mit erheblichen Gefahren für das Wartungspersonal verbundene vollständige Wartung der Vorrichtung erforderlich ist. Erfindungsgemäß wird die Filtereinheit (6) ganz dicht hinter dem Beschichtungsreaktor (1) angeordnet und als Kühlfalle $I1 ausgebildet. So gelangen alle Zersetzungsprodukte in die Filtereinheit (6) und lagern sich in dieser Kühlfalle ab. Hochtoxische Gase werden wegen der relativ geringen Kühltemperatur unbeeinflußt in eine Gaswaschanlage (19) weitergeleitet. Die Verhinderung von Ablagerungen vor der Filtereinheit (6) wird unterstützt durch eine Beheizung $I2 der Verbindung (3, 4, 5) zwischen dem Beschichtungsreaktor (1) und der Filtereinheit (6), die ein Diffusionsgefälle zwischen beiden bewirkt. Anwendung findet die Erfindung bei Anlagen zur Herstellung von Halbleitermaterialien, insbesondere bei metallorganischen Gasphasenepitaxieanlagen zur Herstellung geschichteter III/V-Halbleitermaterialien, bei denen Zersetzungsprodukte von Gruppe(V)-Verbindungen, insbesondere weißer Phosphor, auftreten.

Beschreibung[de]

Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitermaterialien mit einem Beschichtungsreaktor, der mit einem Gasversorgungssystem zur dosierten Zuführung von Materialströmen, mit einer als Vakuumsystem ausgebildeten Rohrleitungsanordnung zur Führung der eingesetzten Materialströme und einer auswechselbaren Filtereinheit als Reinigungseinrichtung für entstehende Zersetzungsprodukte verbunden ist, und mit Meß- und Sicherheitseinrichtungen.

Eine derartige Vorrichtung ist aus den Aufsätzen "Asse aus der Uni", Industriemagazin, Oktober 1987, Seiten 230 bis 235, und "Licht im Computer", Wirtschaftswoche Nr. 4, 20.01.89, 43. Jahrgang, Seiten 54 bis 58, bekannt. Mit dieser als metallorganische Gasphasenepitaxieanlage ausgebildeten Vorrichtung werden III/V-Verbindungshalbleiter durch Einsatz von speziellen Prozeßgasen hergestellt, unter anderem Phosphin und Arsin. Die Zersetzungsprodukte der Prozeßgase sind teilweise flüchtig, beispielsweise weißer Phosphor, und teilweise fest, beispielsweise Arsen und Arsenstäube, die als Partikel an die gasförmigen Zersetzungsprodukte angelagert sind. Eine handelsübliche Filtereinheit als Ergänzung zu der eigentlichen Reinigungsanlage für die unverbrauchten Materialströme, die unter Zwischenschaltung von mehreren Kugelhähnen ohne weitere Maßnahmen in einigem Abstand hinter dem Beschichtungsreaktor im Vakuumsystem angeordnet ist, dient der Abfilterung der Zersetzungsprodukte. Die Zersetzungsprodukte gelangen jedoch zum großen Teil schon nicht in die Filtereinheit oder passieren diese unbeeinflußt, so daß auch starke Ablagerungen in und vor allem hinter der Reaktionszone im Beschichtungsreaktor, also im Vakuum- bzw. Abgassystem auftreten, über das die unverbrauchten Prozeßgase einer speziellen Gaswaschanlage zugeführt werden (vergleiche DE-PS 33 42 816). Das erfordert eine Reinigung nahezu des gesamten Systems schon nach wenigen Wochen Betrieb. Die Zersetzungsprodukte sind giftig und teilweise sehr reaktionsfreudig unter Sauerstoffzufuhr. Der weiße Phosphor brennt unter starker Rauchentwicklung ab, wenn das Vakuumsystem zu Wartungszwecken geöffnet werden muß. Aufwendige Vorsichtsmaßnahmen, wie schwerer Atemschutz und nicht brennbare Kleidung, für das Bedienungspersonal, sind erforderlich. Die gesamte Anlage muß stillgelegt werden, um bei den Wartungsarbeiten einen Alarm der Brand- und Rauchmeldesensoren zu vermeiden, der jedoch im Notfall trotzdem zu gewährleisten ist.

Die der Erfindung zugrundeliegende Problematik ist darin zu sehen, alle auftretenden Zersetzungsprodukte zuverlässig aus dem Abgas entfernen zu können und aufwendige, risikoreiche Wartungsarbeiten zu vermeiden. Dabei darf jedoch der Durchgang anderer Materialströme, die unter Umständen hochgiftig sein können, zur eigentlichen Reinigungsanlage nicht behindert werden. Weiterhin sind möglichst große Intervalle für unvermeidliche sowie einfach durchführbare Wartungen anzustreben. Die zu ergreifenden Maßnahmen zur Verbesserung bestehender Vorrichtungen sollen zudem auch kostengünstig sein.

Die Erfindung erfüllt diese Forderungen dadurch, daß die auswechselbare Filtereinheit mit kurzem Weg hinter dem Ausgang des Beschichtungsreaktors im Vakuumsystem angeordnet ist und eine Kühlvorrichtung aufweist und daß der kurze Weg im Vakuumsystem vom Beschichtungsreaktor bis zur Filtereinheit mit einer Heizvorrichtung versehen ist. Dabei lassen sich die Kühl- und die Heiztemperatur der einzelnen Vorrichtungen so bemessen, daß ausschließlich alle auftretenden Zersetzungsprodukte vollständig in der Filtereinheit abgeschieden werden und ein Diffusionsgefälle vom Beschichtungsreaktor zur Filtereinheit vorliegt.

Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung handelt es sich vorzugsweise um eine Gasphasenepitaxieanlage, insbesondere eine metallorganische Gasphasenepitaxieanlage zur Herstellung von III/V-Halbleitermaterialien, bei der die Materialströme von den Prozeß- und Trägergasen gebildet werden, wobei aus den Prozeßgasen, insbesondere kovalente Hydride und Metallorganika, die abzuscheidenden Zersetzungsprodukte entstehen.

Der kurze Weg zwischen der Filtereinheit und dem Beschichtungsreaktor gewährleistet, daß alle entstehenden Zersetzungsprodukte die Filtereinheit sicher erreichen. Dies gilt insbesondere für die relativ schweren festen Zersetzungsprodukte, wie das bereits genannte Arsen und seine Stäube, aber auch für nicht auf dem Halbleitersubstrat abgelagerte feste Prozeßgaskomponenten, wie beispielsweise Gallium- und Indiumarsenid oder Indiumphosphid. Diese werden von den flüchtigen Zersetzungsprodukten, in der Hauptsache weißer Phophor, über die kurze Wegstrecke mitgetragen. Da diese zusätzlich beheizt ist, wird den flüchtigen und festen Zersetzungsprodukten ausreichend kinetische Energie zugeführt, um den kurzen Weg zur Filtereinheit zurückzulegen. Die Ablagerung von weißem Phophor auf der kurzen Wegstrecke ist dadurch vernachlässigbar gering. Da keine weiteren Rohrleitungskomponenten, wie beispielsweise Kugelhähne, zum teilweisen Absperren der Rohrleitung bei Reinigungsarbeiten erforderlich sind, werden die Zersetzungsprodukte auch nicht in ihrer Förderbewegung behindert. Das aufwendige Reinigen der Rohrkomponenten entfällt. Erforderlich sind nur noch einfache, gut zu reinigende Flanschteile. Die vollständige Abscheidung der Zersetzungsprodukte in der Filtereinheit wird sicher dadurch erreicht, daß die Filtereinheit gekühlt wird und damit als Kühlfalle wirkt. Durch den Wärmeentzug kondensiert der weiße Phosphor in der Filtereinheit vollständig aus und die festen Bestandteile der Zersetzungsprodukte lagern sich ab. Dies ist insbesondere dann von großer Bedeutung, wenn der Beschichtungsreaktor bei einer konstanten Wachstumstemperatur von ungefähr 600-700 °C in einem Druckbereich zwischen 150 und 200 mbar betrieben wird. Bei derartigen Prozeßdaten fallen aufgrund der steigenden Effektivität der Zersetzung besonders große Mengen von Zersetzungsprodukten an, insbesondere weißer Phosphor.

Die Wahl der Heiz- und Kühltemperatur hängt von der Art der auftretenden Zersetzungsprodukte und Prozeßgase ab. Die Kühlung liegt auf einem Niveau, bei dem zwar alle Zersetzungsprodukte abgeschieden werden, die Prozeßgase, die in der Regel hochgiftig sind, jedoch nicht beeinflußt werden, so daß sie in die Gaswaschanlage gelangen. Ihre Ablagerung in der Filtereinheit würde deren Entsorgung beträchtlich erschweren. Andererseits ist die Erwärmung so gewählt, daß die Verunreinigungen aus den Ablagerungen im Vakuumsystem nicht durch erhöhte Rückdiffusion in den Beschichtungsreaktor zurückgelangen. Das Diffusionsgefälle zur Filtereinheit leitet sie sicher dorthin. Die starke Einschränkung der Rückdiffusion durch die gekühlte Filtereinheit bewirkt weiterhin, daß auch gegebenenfalls auftretender Ölnebel aus der den Dampfdruck aufweisenden Vakuumpumpe (beispielsweise Drehschieberpumpe) für das Vakuumsystem zur Filtereinheit transportiert und dort abgeschieden wird. Eine Rückdiffusion bis in den Beschichtungsreaktor ist sicher vermieden.

Bei den bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung vorzugsweise eingesetzten Prozeßgasen Phosphin und Arsin aus der chemischen Gruppe der Hydride sowie bei metallorganischen Prozeßgasen, wie beispielsweise Indium- oder Galliumarsenid und Indiumphosphid, aus denen auch das Trägersubstrat des Verbindungshalbleiters bestehen kann, und den Trägergasen Wasserstoff oder Stickstoff ist es besonders vorteilhaft, wenn bezüglich der Betriebstemperaturen die Kühlvorrichtung auf -30°C und die Heizvorrichtung auf +100°C ausgelegt sind. Durch diese Wahl der Betriebstemperaturen werden die beschrieben Vorteile optimal ausgenutzt.

Nach einer Ausgestaltung der Erfindung besteht die Kühlvorrichtung aus einem die Filtereinheit umgebenden, isolierten Kühlmantel, der an ein Umlaufsystem mit Kältethermostat für ein Kühlmittel angeschlossen ist. Durch diese konstruktive Lösung kann eine handelsübliche Filtereinheit mit auswechselbarer Filterkartusche verwendet werden. Für diese Filtereinheit bildet der externe, an seiner Außenseite isolierte Kühlmantel eine einfache Umhüllung. Ein Austausch einer verbrauchten Filterkartusche ist problemlos möglich. Bei dem Kühlmittel handelt es sich in der Regel um ungiftiges Glykol. Die Regelung der Kühltemperatur erfolgt automatisch über den Kühlthermostat mit Umwälzpumpe.

Vorzugsweise besteht die Heizvorrichtung aus einem flexiblen Heizband, das um die Rohrleitung des Vakuumsystems zwischen Beschichtungsreaktor und Filtereinheit wickelbar ist. Ein solches Heizband läßt sich einfach anbringen und wieder entfernen und garantiert eine optimale Wärmeverteilung entlang der Rohrleitung. Für gegebenenfalls zusätzlich zu beheizende weitere Rohrleitungsstrecken können weitere Heizbänder vorgesehen werden. Erfindungsgemäß kann die Heizvorrichtung an ihrer Außenseite mit einer Isolation umgeben sein. Diese Maßnahme unterdrückt zeitliche Temperaturschwankungen, die durch die thermostatische Steuerung der Heizvorrichtung hervorgerufen werden können, und führt damit zu einer Vergleichmäßigung des zeitlichen Temperaturverlaufs. Bei Verwendung eines Heizbandes kann die äußere Isolation zusätzlich durch eine einfache Umwickelung des Heizbandes mit einer Aluminiumfolie ausgeführt sein.

Nach einer anderen Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Vorrichtung wird der Filterkopf der Filtereinheit ebenfalls beheizbar ausgebildet. Diese Maßnahme ist dann von besonderem Vorteil, wenn der Eintrittsdurchmesser in den Filtereingang sehr viel kleiner ist als der Durchmesser der angeschlossenen Rohrleitung, bei der es sich im allgemeinen um einen Wellschlauch handelt. Die Beheizung des Filterkopfes verlagert das Absetzen der Zersetzungsstoffe vollständig in das Filterinnere, in den Bereich der auswechselbaren Filterkartusche. Ein Zusetzen des Filtereingangs durch vorverlagertes Auskondensieren ist so vermieden. Außerdem läßt sich vorzugsweise für die Strömungsrichtung für die Materialströme, im allgemeinen die Abgase aus Prozeßgasen und Zersetzungsstoffen, der Eingang vor dem Filtermantel und der Ausgang hinter dem Filterkern festlegen. Durch diese Vorkühlung wird die Abkühlungsstrecke wesentlich verlängert, so daß die relativ geringe Filterlänge und die moderate Kühltemperatur trotzdem für die vollständige Abscheidung ausreichen. In der Praxis werden dazu Ein- und Ausgang des Filters lediglich miteinander vertauscht.

Gemäß einer anderen Ausgestaltung der Erfindung ist ein hinter dem Beschichtungsreaktor in einem Abzweig angeordnetes, ebenfalls beheizbar ausgebildetes Rückschlagventil als Teil der Sicherheitseinrichtung vorgesehen. Ein derartiges Sicherheitsventil arbeitet als Überdruckventil, das den Reaktor bei zu hohen Prozeßdrücken entlastet und so vor dem Bersten schützt. Seine Betriebsbereitschaft ist ständig sichergestellt, indem infolge der Beheizung ein unbemerktes Zusetzen des Ventils mit Zersetzungsstoffen verhindert wird, d. h. keine Auskondensation stattfinden kann. Gleiches gilt für die Zuleitung zu einer hinter dem Beschichtungsreaktor in einem Abzweig des Vakuumsystems angeordneten Druckmeßeinrichtung, die erfindungsgemäß ebenfalls zumindest an ihrem Anfang beheizbar ausgestaltet werden kann, so daß kontinuierliche Druckmessungen gewährleistet sind. Die Abzweige, die als Kreuzung gestaltet sein können, befinden sich unmittelbar hinter dem Beschichtungsreaktor, um den Weg zur Filtereinheit so kurz wie möglich zu halten, die dann direkt hinter der Kreuzung angeordnet ist.

Im folgenden soll die Erfindung anhand von Erläuterungen zu der in der Figur dargestellten Prinzipskizze ihres Vakuumsystems noch verdeutlicht und in einem Ausführungsbeispiel spezifiziert werden.

In der Figur ist ein Beschichtungsreaktor 1 in einem Vakuumsystem 2 dargestellt, der über einen flexiblen Wellschlauch 3, einen festen Rohrleitungsabschnitt 4 und eine Kreuzung 5 mit einer Filtereinheit 6, im Beispiel eine Filtereinheit der Fa. Balston mit auswechselbarer Filterkartusche aus Gewebe oder Papier, verbunden ist. Dem Beschichtungsreaktor 1 werden über die mit ihm verbundene Gasversorgungseinheit 28 die Materialströme zugeführt. Aus den Elementen 3, 4 und 5 ist das gesamte Vakuumsystem 2 aufgebaut. Die Verbindungselemente sind einfache Flanschteile 7, im Beispiel Kleinflansche mit 40 mm Durchmesser (KF 40). Der Abstand 8 zwischen dem Beschichtungsreaktor 1 und der Filtereinheit 6 ist äußerst kurz ausgelegt. Von der Kreuzung 5 führt ein linker Abzweig 9 zu einem Rückschlagventil 10, das als Sicherheitsventil für Überdruck im Beschichtungungsreaktor 1 eingesetzt und im Normalfall immer geschlossen ist, und ein rechter Anzweig 11 zu einer Druckmeßstation 12. Ein erstes Druckmeßgerät 13, hier ein Baratron, mißt nach dem kapazitiven Prinzip den Druck im Beschichtungungsreaktor 1. Ein zweites Druckmeßgerät 14 mißt den Druck vor der Filtereinheit 6, der gleich dem Druck im Beschichtungungsreaktor 1 ist. Es ist verbunden mit einem dritten Druckmeßgerät 15, das hinter dem Rückschlagventil 10 angeordnet ist und den Druck hinter der Filtereinheit 6 mißt. Durch Differenzbildung der beiden Druckwerte vor und hinter der Filtereinheit 6 kann auf deren Zusetzungszustand und damit auf den Zeitraum bis zum nächsten erforderlichen Filteraustausch geschlossen werden.

Die Filtereinheit 6 ist gekühlt, in der Figur entsprechend angedeutet (------). Die Kühlung erfolgt über einen nicht weiter dargestellten Kühlmantel. Die Kühltemperatur wird über ein Kühlthermostat, beispielsweise ein F4 der Fa. Haake, eingestellt. Der Weg 8 zum Beschichtungsreaktor 1 und die Abzweige 9 und 11 von der Kreuzung 5 sowie das Rückschlagventil 10 sind geheizt, in der Figur entsprechend angedeutet (+++++). Die starren Rohrleitungsabschnitte 4, die Kreuzung 5 und die Flanschteile 6 sind dazu mit einem in der Figur nicht weiter dargestellten Heizband umwickelt. Dieses hat im Beispiel eine Gesamtlänge von ca. 3 in bei einem Innenwiderstand von ca. 70 Ω und wird bei einer Betriebsspannung von 220 V von einer PD-geregelten Stromquelle mit einem Strom von 4 A versorgt.

Die weiteren Einzelheiten in der Figur stehen nicht in direktem Zusammenhang mit den charakteristischen Merkmalen der Erfindung. Sie werden deshalb im folgenden für ein besseres Verständnis der Vorrichtung nur kurz erläutert. Die Verläufe der Materialströme sind durch Pfeile (→) angedeutet.

Das aus der Filtereinheit 6 austretende, von allen Zersetzungsprodukten befreite Abgas wird über einen Wellschlauch 16 und ein Rückschlagventil 17 oder ein Bypassventil 18 zu einer Gaswaschanlage 19 geführt. Von dort aus gelangen die gereinigten Gase in das nicht weiter dargestellte Abgassystem, in der Figur durch einen Pfeil angedeutet. Beide Ventile 17, 18 sind während des Kristallwachstums geschlossen. Zur Herstellung von hoch reinem Wasserstoff als Trägergas für die Prozeßgase in den Beschichtungsreaktor 1, wird eine Palladium-Zelle 20 verwendet. Das Abgas aus der Palladium-Zelle 20 in Form von überschüssigem Wasserstoff ("pleed") wird ebenfalls der Gaswaschanlage 19 zugeführt und dann in das Abgassystem geleitet.

Der Beschichtungsreaktor 1 wird mit einer sogenannten "Vent/Run-Schaltung" betrieben. Alle Gase werden ständig vorrätig gehalten, um durch eine passende Verdünnung mit Wasserstoff eine der Halbleiterzusammensetzung entsprechende Gasmischung erhalten zu können. Das Ablagerungsverhalten wird also nicht durch eine Komponentenänderung, sondern durch eine Änderung der Gasstromgeschwindigkeit beeinflußt. Die zur Herstellung aktuell benötigten Gase werden stufenweise auf den Beschichtungsreaktor 1 zugeschaltet, die nicht benötigten Gase werden währenddessen in einem Vent 23 stabilisiert. Der Vent 23 ist das Auspuffsystem des Gasversorgungssystems 28, über den die nicht benötigten Gase über ein Motorventil 21, ein Ventil 22 und ein weiteres Rückschlagventil 24 in die Gaswaschanlage 19 und dann in das Abgassystem evakuiert werden. Die nicht benötigten Gase werden nicht über die Kühlung geleitet, da sie nicht mit Feststoffen verunreinigt sind. Das Ventil 22 ist während des Kristallwachstums offen und bei der Reaktorbeladung geschlossen, um eine Rückdiffusion zu verhindern. Das Vakuum wird von einer Pumpe 25 erzeugt, die von einem Überwachungssystem 26 kontrolliert wird. Die Pumpe 25 fördert über ein weiteres Rückschlagventil 27 das Gas zur Gaswaschanlage 19.

Bezugszeichenliste

1. Beschichtungsreaktor

2. Vakuumsystem

3. Wellschlauch

4. starre Rohrleitung

5. Kreuzung

6. Filtereinheit

7. Flanschteil

8. Abstand 1 zu 6

9. linker Abzweig

10. Rückschlagventil (Sicherheit)

11. rechter Abzweig

12. Druckmeßstation

13. erstes Druckmeßgerät

14. zweites Druckmeßgerät

15. drittes Druckmeßgerät

16. Wellschlauch

17. Rückschlagventil

18. Bypassventil

19. Gaswaschanlage

20. Paladium-Zelle

21. Motorventil

22. Ventil

23. Vent

24. Rückschlagventil

25. Pumpe

26. Überwachungssystem

27. Rückschlagventil

28. Gasversorgungssystem

(------) Kühlung

(++++) Heizung


Anspruch[de]
  1. 1. Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitermaterialien mit einem Beschichtungsreaktor, der mit einem Gasversorgungssystem zur dosierten Zuführung von Materialströmen, mit einer als Vakuumsystem ausgebildeten Rohrleitungsanordnung zur Führung der eingesetzten Materialströme und einer auswechselbaren Filtereinheit als Reinigungseinrichtung für entstehende Zersetzungsprodukte verbunden ist, und mit Meß- und Sicherheitseinrichtungen, dadurch gekennzeichnet, daß die auswechselbare Filtereinheit (6) mit kurzem Weg (8) hinter dem Ausgang des Beschichtungsreaktors (1) im Vakuumsystem (2) angeordnet ist und eine Kühlvorrichtung (------) aufweist und daß der kurze Weg (8) im Vakuumsystem (2) vom Beschichtungsreaktor (1) bis zur Filtereinheit (6) mit einer Heizvorrichtung (++++) versehen ist.
  2. 2. Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitermaterialien nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bezüglich der Betriebstemperaturen die Kühlvorrichtung (------) auf -30°C und die Heizvorrichtung auf +100°C ausgelegt sind.
  3. 3. Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitermaterialien nach Anspruch 1 oder 2 dadurch gekennzeichnet, daß die Kühlvorrichtung (------) aus einem die Filtereinheit (6) umgebenden, isolierten Kühlmantel besteht, der an ein Umlaufsystem mit Kältethermostat für ein Kühlmittel angeschlossen ist.
  4. 4. Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitermaterialien nach einem der vorangehenden Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizvorrichtung (++++) aus einem flexiblen Heizband besteht, das um die Rohrleitung (3, 4, 5) des Vakuumsystem (2) zwischen Beschichtungsreaktor (1) und Filtereinheit (6) wickelbar ist.
  5. 5. Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitermaterialien nach einem der vorangehenden Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizvorrichtung an ihrer Außenseite mit einer Isolation umgeben ist.
  6. 6. Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitermaterialien nach einem der vorangehenden Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Filterkopf der Filtereinheit (6) ebenfalls beheizbar (++++) ausgebildet ist.
  7. 7. Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitermaterialien nach einem der vorangehenden Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß für die Strömungsrichtung für die Materialströme aus dem Beschichtungsreaktor (1) der Eingang vor dem Filtermantel und der Ausgang hinter dem Filterkern festgelegt ist.
  8. 8. Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitermaterialien nach einem der vorangehenden Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß hinter dem Beschichtungsreaktor (1) ein in einem Abzweig (9) des Vakuumsystems (2) angeordnetes, ebenfalls beheizbar (++++) ausgebildetes Rückschlagventil (10) als Teil der Sicherheitseinrichtung vorgesehen ist.
  9. 9. Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitermaterialien nach einem der vorangehenden Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Zuleitung (11) zu einer hinter dem Beschichtungsreaktor (1) in einem Abzweig (11) des Vakuumsystems (2) angeordneten Druckmeßeinrichtung (12) zumindest am Anfang ebenfalls beheizbar (++++) ausgestaltet ist.






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