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Dokumentenidentifikation DE69304626T2 17.04.1997
EP-Veröffentlichungsnummer 0577137
Titel Quanteneffektbauelement und dessen Herstellungsverfahren
Anmelder Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka, JP
Erfinder Okada, Kenji, Suita-shi, Osaka, JP;
Morimoto, Kiyoshi, Neyagawa-shi, Osaka, JP;
Udagawa, Masaharu, Shibuya-ku, Tokyo, JP;
Yuki, Koichiro, Neyagawa-shi, Osaka, JP;
Niwa, Masaaki, Hirakata-shi, Osaka, JP;
Hirai, Yoshihiko, Osaka-shi, Osaka, JP;
Yasui, Juro, Toyonaka-shi, Osaka, JP
Vertreter Schwabe, Sandmair, Marx, 81677 München
DE-Aktenzeichen 69304626
Vertragsstaaten DE, FR, GB
Sprache des Dokument En
EP-Anmeldetag 02.07.1993
EP-Aktenzeichen 931106090
EP-Offenlegungsdatum 05.01.1994
EP date of grant 11.09.1996
Veröffentlichungstag im Patentblatt 17.04.1997
IPC-Hauptklasse H01L 21/334

Beschreibung[de]

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements, für welches ein Quanteneffekt genutzt wird, wie in den Ansprüchen 1 und 7 definiert.

Aufgrund des kürzlichen Fortschritts der Halbleitertechnologie schreiten die Hochintegration von Bauelementen und die Miniaturisierung der Bauelementgröße fort. Aufgrund dieser Miniaturisierung ist es notwendig, ein neues Bauelement zu entwickeln, welches eine Struktur aufweist, die verschieden ist von der eines herkömmlichen Transistors. Für ein solches neues Bauelement, ein Bauelement, für welches ein Quanteneffekt verwendet wird, wurden Untersuchungen bzw. Studien angestellt (siehe THE JOURNAL OF TRE INSTITUTE OF ELECTRONICS, INFORMATION AND COMMUNICATION ENGINEERS, Vol 72, No. 12, p. 1387-1391, December 1989).

Um den Quanteneffekt zu verursachen, werden Entwicklungen einer Technik zum Ausbilden von Punkten oder streifenförmigen Leitungen, wobei jede eine Größe in der Größenordnung einer Elektronenwellenlänge hat, und einer Technik zum Aufbau eines Schaltkreises durch Koppeln der Punkte und der streifenförmigen Leitungen benötigt.

Für ein Quantenbauelement, dessen Funktion auf dem Quanteneffekt basiert, werden jetzt verschiedene Bauelemente entwickelt. Insbesondere wurde ein Bauelement zum Steuern bzw. Regeln des Elektronenübergangs unter Verwendung des resonanten Tunneleffekts bzw. Resonanztunneleffekts (resonant tunnel ing effect) entwickelt. Das Quantenbauelement, für welches der Resonanztunneleffekt verwendet wird, umfaßt einen kleinen Leitungs- bzw. Leiterbereich, in welchem die Energiezustände, welche von den Elektronen eingenommen werden können, quantisiert bzw. gequantelt sind, und ein Paar von Leiterbereichen (Elektroden), welche zu dem kleinen Leiter- bzw. Leitungsbereich über eine dünne Randschicht bzw. einen Barrierenfilm benachbart sind, durch welchen die Elektronen tunneln können. Ein solches Quantenbauelement ist zum Beispiel im US-Patent Nr. 4,912,531 (Reed et al.) offenbart.

Um das obige Quantenbauelement zu realisieren bzw. herzustellen, wird eine Technik zum Ausbilden einer Mikrostruktur mit einer guten Reproduzierbarkeit benötigt. Ein herkömmliches Quantenbauelement wird hergestellt, indem eine Vielzahl von verschiedenen Arten von dünnen Verbindungshalbleiterfilmen auf ein Halbleitersubstrat geschichtet werden. Als ein Ergebnis davon bewegen sich die Elektronen in dem Quantenbauelement frei in einer Richtung parallel zur Hauptebene des Substrats, und die Elektronen sind begrenzt in dem quantisierten Bereich in einer anderen Richtung senkrecht zur Hauptebene des Substrats.

Die Druckschrift EP-A-0 464 834 aus dem Stand der Technik offenbart ein Quanteneffektbauelement mit einem Substrat und einem plattenähnlichen Leiterteil. Das plattenähnliche Leiterteil weist zwei parallele Seitenflächen auf, welche senkrecht zur Hauptfläche bzw. Hauptebene des Substrats sind und einen Stegabschnitt (necking portion) umfassen. In diesem Stegabschnitt tritt ein eindimensionaler Quanteneffekt auf, welcher zu einem quantisierten Energiezustand in einer Richtung senkrecht zu den jeweiligen zwei Seitenflächen dieses bekannten Quanteneffektbauelements führt. Jedoch ist der Quanteneffektbereich in einer übertriebenen Art dimensioniert, so daß ein Quanteneffekt nur auftreten kann, wenn ein zusätzliches Stegfeld zu dem Quanteneffektbereich hinzugefügt wird.

Die Druckschrift M.S. Reed et al.: Physical Review Letters, Vol 60, no. 6, 1988, Seiten 535-537, aus dem Stand der Technik zeigt verschiedene GaAs-Nanostrukturen, die Quantenpunkte enthalten. Diese Quantenpunkte sollen nulldimensionale Halbleiternanostrukturen zur Verfügung stellen, welche in einer vertikalen Richtung einen Quantentopf umfassen. Dieser Quantentopf und die danebenliegenden bzw. begleitenden Schichten zu dieser Quantentopfschicht werden hergestellt mittels chemischer Ablagerung aus der Dampfphase (chemical vapor deposition).

Aus der Druckschrift K. Tsubaki et al.: Electronics Letters, Vol 25, no. 11, 1989, Seiten 728-739 aus dem Stand der Technik ist ein Quantenelementbauelement mit einem plattenähnlichen Halbleiterteil bekannt. Dieses Halbleiterteil hat zwei parallele Seitenflächen, die senkrecht zur Hauptebene bzw. Hauptfläche sind. Diese Seitenflächen umfassen einen Stegbereich, welcher eine Breite von weniger als 16 nm hat. Aufgrund dieser schmalen Breite tritt ein Quanteneffekt auf.

Die Druckschrift K. Shimizu et al.: Japanese Journal of Applied Physies, Vol 30, no. 3A, 1991, Seiten L415-L417, aus dem Stand der Technik, bezieht sich auf die Herstellung von MOS-Nanostrukturen unter Verwendung der Elektronenstrahllithographie und dem anisotropen Naßätzen von Silicium. Gemäß dieser Druckschrift wird eine Nanostruktur mit einer Breite von weniger als 20 nm hergestellt, und die erzielten Strukturen sind sehr fein und gerade. Mittels dieser Strukturen ist es möglich, einen Quanteneffekt zu erzeugen.

Jedoch ist es gemäß dem oben zitierten Stand der Technik schwierig, einen Bereich auszubilden, der eine sehr kleine Dicke aufweist, welche in einer Richtung parallel zur Hauptebene des Substrats gemessen wird. Demzufolge ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein solches Verfahren vorzuschlagen.

Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen von Anspruch 1 oder 7 gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen werden durch die Merkmale in den Unteransprüchen definiert.

Das Verfahren zur Herstellung eines Quantenbauelements mit einem plattenähnlichen Halbleiterteil mit einem Halsabschnitt dieser Erfindung, weist die Schritte auf: (a) Ausbilden einer ersten Maskenschicht mit einem ersten Streifenabschnitt auf einem Halbleitersubstrat; (b) Ausbilden einer zweiten Maskenschicht mit einem zweiten Streifenabschnitt, welcher den ersten Streifenabschnitt auf dem Halbleitersubstrat kreuzt; (c) Ätzen eines Bereichs auf dem Halbleitersubstrat unter Verwendung der ersten und zweiten Maskenschichten als Ätzmaske, um eine Vielzahl von ersten Aussparungs-Abschnitten auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrats auszubilden, wobei der Bereich nicht mit den ersten und zweiten Maskenschichten bedeckt wird, wodurch zumindest teilweise ein plattenähnliches Halbleiterteil ausgebildet wird; (d) selektives Bedecken der Seitenflächen der Vielzahl der ersten Aussparungs- Abschnitte und Seitenflächen der ersten und zweiten Maskenschichten mit einem Seitenwandfilm; (e) selektives Entfernen nur der zweiten Maskenschicht, wobei die erste Maskenschicht und der Seitenwandfilm nicht entfernt wird; (f) Ätzen eines weiteren Bereichs auf dem Halbleitersubstrat unter Verwendung der ersten Maskenschicht und des Seitenwandfilms als Ätzmaske, um eine Vielzahl von zweiten Aussparungs-Abschnitten auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats auszubilden, wobei der Bereich nicht mit der ersten Maskenschicht und dem Seitenwandfilm bedeckt wird; (g) selektives Vermindern der Breite des Abschnitts des plattenähnlichen Halbleiterteils, wobei der Abschnitt nicht mit dem Seitenwandfilm bedeckt wird, wodurch der Halsabschnitt ausgebildet wird; und (h) Entfernen der ersten Maskenschicht und des Seitenwandfilms, um den plattenähnlichen Halbleiterteil mit dem Halsabschnitt an dem Halbleitersubstrat auszubilden.

In einer Variante umfaßt der Schritt (g): Einen Schritt des selektiven Oxidierens eines anderen Bereichs der Oberfläche des Halbleitersubstrats, wobei der Bereich nicht mit der ersten Maskenschicht und dem Seitenwandfilm bedeckt ist, um einen Oxidfilm auszubilden; und einen Schritt zur Entfernung des Oxidfilms.

In einer Variante umfaßt der Schritt (g): Einen Schritt des selektiven Nitrierens eines anderen Abschnitts der Oberfläche des Halbleitersubstrats, wobei der Bereich nicht mit der ersten Maskenschicht und dem Seitenwandfilm bedeckt ist, um einen Nitridfilm auszubilden; und einen Schritt zur Entfernung des Nitridfilms.

In einer Variante des Verfahrens gemäß der Erfindung umfaßt der Schritt (g): Einen Schritt zum selektiven Ätzen eines anderen Abschnitts der Oberfläche des Halbleitersubstrats, wobei der Abschnitt nicht mit der ersten Maske und dem Seitenwandfilm bedeckt wird.

In einer Variante umfaßt das Verfahren weiter die Schritte: Ausbilden eines Paars von Tunnelisolationsfilmen zumindest an den Seitenflächen des Halsabschnitts; und Ausbilden eines Paars von leitfähigen Elementen, die den Halsabschnitt über das Paar von Tunnelisolationsfilmen zwischen sich einschließen ("sandwich").

In einer Variante umfaßt das Verfahren weiterhin die Schritte: Ausbilden eines Gate- Isolationsfilms auf zumindest einer oberen Fläche des Halsabschnitts; und Ausbilden einer Gate-Elektrode auf dem Gate-Isolationsfilm.

Gemäß einem anderen Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung eines Quantenbauelements mit einem plattenähnlichen Halbleiterteil mit einem Halsabschnitt vorgeschlagen. Das Verfahren umfaßt die Schritte von: (a) Ausbilden eines Isolationsfilms auf einem Halbleitersubstrat; (b) Ausbilden eines Vielschichtfilms mit einer leitfähigen Schicht als Grundschicht auf dem Isolationsfilm; (c) Musterbildung (patterning) des Vielschichtfilms, um eine erste Maskenschicht auszubilden, welche einen ersten Streifenabschnitt auf dem Isolationsfilm hat; (d) Ausbilden eines ersten Seitenwandfilms auf den Seitenflächen des ersten Streifenabschnitts; (e) Ausbilden einer zweiten Maskenschicht, welche einen zweiten Streifenabschnitt hat, welcher den ersten Streifenabschnitt auf dem Isolationsfilm kreuzt; (f) Ätzen eines Bereichs des Isolationsfilms und des Halbleitersubstrats unter Verwendung der ersten und zweiten Maskenschichten und des ersten Seitenwandfilms als Ätzmaske, um eine Vielzahl von ersten Aussparungs-Abschnitten auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrats auszubilden, wobei der Bereich nicht mit den ersten und zweiten Maskenschichten und dem ersten Seitenwandfilm bedeckt wird; (g) selektives Bedecken zumindest der seitlichen Flächen der Vielzahl von ersten Aussparungsabschnitten mit einem zweiten Seitenwandfilm; (h) selektives Entfernen nur der zweiten Maskenschicht, wobei die erste Maskenschicht und der erste und zweite Seitenwandfilm nicht entfernt werden; (i) Ätzen eines weiteren Bereichs des Halbleitersubstrats unter Verwendung der ersten Maskenschicht und der ersten und zweiten Seitenwandfilme als Ätzmaske, um eine Vielzahl von zweiten Aussparungs- Abschnitten auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats auszuformen, wobei der Bereich nicht mit der ersten Maskenschicht und den ersten und zweiten Seitenwandfilmen bedeckt wird, wodurch zumindest teilweise der plattenähnliche Halbleiterteil ausgebildet wird; (j) selektives Vermindern der Breite eines Abschnitts des plattenähnlichen Halbleiterteils, wobei der Abschnitt nicht mit den ersten und zweiten Seitenwandfilmen bedeckt wird, wodurch der Halsabschnitt ausgebildet wird; und (k) Entfernen der ersten und zweiten Seitenwandfilme, um den plattenähnlichen Halbleiterteil mit dem Halsabschnitt an dem Halbleitersubstrat auszubilden.

In einer Variante umfaßt der Schritt (j): Einen Schritt des selektiven Oxidierens eines anderen Abschnitts bzw. Bereichs der Oberfläche des Halbleitersubstrats, wobei der Abschnitt nicht von der ersten Maskenschicht und den ersten und zweiten Seitenwandfilmen bedeckt wird, um einen Oxidfilm auszubilden; und einen Schritt zur Entfernung des Oxidfilms.

In einer Variante umfaßt der Schritt (j): Einen Schritt des selektiven Nitrierens eines anderen Abschnitts der Oberfläche des Halbleitersubstrats, wobei der Abschnitt nicht mit der ersten Maskenschicht und den ersten und zweiten Seitenwandfilmen bedeckt wird, um einen Nitridfilm auszubilden; und einen Schritt zur Entfernung des Nitridfilms.

In einer Variante umfaßt der Schritt (j) einen Schritt des selektiven Ätzens eines anderen Bereichs der Oberfläche des Halbleitersubstrats, wobei der Bereich nicht von der ersten Maske und den ersten und zweiten Seitenwandfilmen bedeckt wird.

Das Quantenbauelement, das in Übereinstimmung mit der Erfindung hergestellt wird, umfaßt: Ein Halbleitersubstrat, das eine Hauptfläche hat; und einen plattenähnlichen Halbleiterteil, der zwei Seitenflächen hat; die Seitenflächen sind senkrecht zur Hauptfläche des Halbleitersubstrats, die Seitenflächen sind parallel zueinander, wobei das plattenähnliche Halbleiterteil einen Halsabschnitt umfaßt, der eine Breite hat, die schmaler ist als die Entfernung bzw. der Abstand zwischen den beiden Seitenflächen; und die Energiezustände der Elektronen in dem Halsabschnitt sind quantisiert in einer Richtung senkrecht zu den zwei Seitenflächen.

Das Quantenbauelement kann weiter umfassen: Ein Paar von Tunnelisolationsfilmen, die zumindest auf den Seitenflächen des Halsabschnitts ausgebildet sind; und ein Paar von leitfahigen Elementen, welche den Halsabschnitt über ein Paar von Tunnelisolationsfilmen zwischen sich einschließen ("sandwich").

Das Quantenbauelement kann weiter umfassen: Einen Gate-Isolationsfilm, welcher auf zumindest einer oberen Fläche des Halsabschnitts ausgebildet ist; und eine Gate- Elektrode, welche auf dem Gate-Isolationsfilm ausgebildet ist.

Die Gate-Elektrode des Quantenbauelements kann selbstausrichtend bzw. selbstjustiert (self-aligned) mit einer oberen Fläche des plattenähnlichen Halbleiterteils sein.

Demzufolge ermöglicht die hierin beschriebene Erfindung die Vorteile von: (1) Schaffen eiens Bauelements, bei welchem ein Quanteneffekt verwendet wird, und (2) Schaffen eines Verfahrens zur Herstellung eines Quantenbauelements, das Schritte umfaßt, die es ermöglichen, einen Halsabschnitt auszubilden, der eine sehr geringe Dicke aufweist, welche in einer Richtung parallel zur Hauptebene des Substrats gemessen wird.

Diese und andere Vorteile der vorliegenden Erfindung werden dem Fachmann beim Lesen und Verstehen der folgenden ausführlichen Beschreibung unter Bezugnahme auf die beiliegenden Figuren offensichtlich werden.

Figuren 1A bis 1C sind Perspektivansichten, die den Ablauf zur Herstellung eines Quantenbauelements gemäß einem ersten Beispiel der Erfindung zeigen.

Figuren 2A bis 2F zeigen perspektivische und Querschnittsansichten, die den Ablauf zur Herstellung des Quantenbauelements gemäß dem ersten Beispiel der Erfindung veranschaulichen.

Figuren 3A bis 3C sind perspektivische Ansichten, die den Ablauf zur Herstellung eines Quantenbauelements gemäß einem zweiten Beispiel der Erfindung zeigen.

Figuren 4A bis 4C sind Diagramme, welche das Funktionsprinzip des Quantenbauelements gemäß dem zweiten Beispiel der Erfindung zeigen. Figur 4D ist ein Graph, der schematisch das Verhältnis zwischen der Strommenge und der Potentialdifferenz zwischen einer ersten und einer zweiten Elektrode zeigt.

Figuren 5A bis 5D sind Perspektivansichten, welchen einen Ablauf zum Herstellen eines Quantenbauelements gemäß einem dritten Beispiel der Erfindung zeigen.

Figuren 6A bis 6C sind perspektivische Ansichten, welchen einen Ablauf zur Herstellung eines Quantenbauelements gemäß einem vierten Beispiel der Erfindung zeigen.

Figuren 7A bis 7C sind perspektivische Ansichten, die den Ablauf zur Herstellung des Quantenbauelements gemäß dem vierten Beispiel der Erfindung zeigen.

Figuren 8A bis 8E sind Querschnitts- und perspektivische Ansichten, die den Ablauf zur Herstellung des Quantenbauelements gemäß dem vierten Beispiel der Erfindung veranschaulichen.

Hiernach wird ein Verfahren zur Herstellung eines Quantenbauelements gemäß einem ersten Beispiel der Erfindung beschrieben unter Bezugnahme auf die relevanten Figuren.

Die Figuren 1A bis 1C und die Figuren 2A bis 2F zeigen das Verfahren zur Herstellung des Quantenbauelements gemäß dem ersten Beispiel der Erfindung. Der Ablauf bei der Herstellung wird unten beschrieben.

In dem Schritt, welcher in Figur 1A gezeigt ist, ist ein Nitridfilm (Dicke: 100 nm) 2 wie eine streifenförmige Leitung (Dicke: 500 nm) auf einem Siliziumsubstrat 1 ausgebildet. Ein Oxidfilm (Dicke: 100 nm) 3 wie eine streifenförmige Leitung (Breite: 500 nm) sind auch auf dem Siliziumsubstrat 1 ausgebildet. Der Nitridfilm 2 und der Oxidfilm 3 sind im wesentlichen senkrecht zueinander ausgebildet. In dem Schritt, welcher in Figur 1B gezeigt ist, wird das Siliziumsubstrat 1 unter Verwendung des Nitridfilms 2 und des Oxidfilms 3 als eine Maske durch eine Trockenätztechnik (dry etching technique) geätzt, um so einen ersten Aussparungsabschnitt (Tiefe: 300 nm) 4 auszubilden. Als Ätzmittel wird SF&sub6; verwendet. In dem Schritt, der in Figur 1C gezeigt ist, wird ein Nitridfilm (Dicke: 100 nm) zuerst über der ganzen Oberfläche abgelagert. Dann wird der Nitridfilm weggeätzt durch anisotropes Ätzen, um so eine Seitenwandstruktur 5 des Nitridfilms auf den Seitenwänden des Nitridfilms 2, dem Oxidfilm 3, und dem ersten Aussparungsabschnitt 4 auszubilden. Danach wird der Oxidfilm 3 durch ein Ätzverfahren entfernt.

In dem Schritt, welcher in Figur 2A gezeigt ist, wird unter Verwendung des Nitridfilms 2 und der Seitenwandstruktur 5 als Maske der freiliegende Abschnitt des Siliziumsubstrats 1 durch eine Trockenätztechnik geätzt, um so einen zweiten Aussparungsabschnitt (Tiefe: 250 nm) 6 auszubilden. Durch diesen Ätzschritt wird ein Siliziumstreifen S ausgebildet. In dem Schritt von Figur 2A ist die Querschnittsansicht entlang der Linie B-B' in Figur 2B gezeigt, und die Querschnittsansicht entlang der Linie C-C' ist in Figur 2C gezeigt. Wie in Figur 2B gezeigt, kommt der Nitridfilm 2 in dem Bereich, wo der Oxidfilm 3 bei dem Schritt von Figur 1A ausgebildet wurde auf dem Siliziumstreifen S vor, und nichts kommt auf den Seitenwänden des Siliziumstreifens S vor. Wie in Figur 2C gezeigt, kommt der Nitridfilm 2 in dem Bereich, wo der Oxidfilm 3 nicht ausgebildet wurde, bei dem Schritt von Figur 1A auf dem Siliziumstreifen S vor, und die Seitenwandstruktur 5 ist auf den Seitenwänden des Siliciumstreifens S angeordnet. Danach wird ein thermisches Oxidationsverfahren durchgeführt, um einen thermischen Oxidfilm (Dicke: 220 nm) 7 auszubilden. Das thermische Oxidationsverfahren wird in einer pyrogenen Atmosphäre bei einer Temperatur von 1000 ºC während ungefähr 50 Minuten durchgeführt. Nach dem thermischen Oxidationsverfahren ist die sich ergebende Querschnittsansicht entlang Linie B-B' in Figur 2D gezeigt, und die sich ergebende Querschnittsansicht entlang Linie C-C' ist in Figur 2E gezeigt. Insbesondere erstreckt sich, weil die Seitenwandstruktur 5 nicht auf den Seitenwänden des Siliziumstreifens S im B-B' Querschnitt vorkommt, die Oxidfilmausbildung entlang der Seitenwandabschnitte des Siliziumstreifens S. Als ein Ergebnis davon wird eine extrem dünne Breite 8 des Siliziumstreifens S in dem B-B' Querschnitt erhalten, wie in Figur 2D gezeigt. In dem C-C' Querschnitt erstreckt sich die Oxidation, weil die Seitenwandstruktur 5 auf den Seitenwänden des Siliziumstreifens S vorkommt, von einem Bereich des Siliziumstreifens S, der niedriger liegt als die Seitenwandstruktur 5. Als ein Ergebnis davon wird eine relativ dicke Breite 9 im dem C-C' Querschnitt erhalten. Figur 2F zeigt die daraus resultierende Siliziumoberflächenstruktur ohne die Oxidfilme und die Nitridfilme. Wie in Figur 2F gezeigt, wird eine streifenförmige Leitung 10 aus Silizium mit einem Ralsabschnitt (die Dicke davon ist entlang einer Längsrichtung gemessen und beträgt 60 nm) 11 erhalten. Selbst in dem Fall, wo die Streifengrößen (Breiten) des Nitridfilms 2 und des Oxidfilms 3 als solche nicht fähig sind, einen Quanteneffekt zu erzielen, kann eine schmale Größe, welche es ermöglicht, einen Quanteneffekt zu erzielen, in dem Halsabschnitt (necking portion) 11 gemäß diesem Beispiel erzielt bzw. realisiert werden. In einem anderen Fall, wo die Streifengrößen des Nitridfilms 2 und des Oxidfilms 3 als solche fähig sind, einen Quanteneffekt zu erzielen, können streifenförmige Quantenleitungen, die verschiedene Breiten haben, gemäß diesem Beispiel hergestellt werden.

Wie oben beschrieben, kann gemäß diesem Beispiel ein Verfahren zur leichten Herstellung eines Quantenbauelements, mit einer lateralen bzw. seitlichen Größe erhalten werden, die es ermöglicht, einen Quanteneffekt zu erzielen.

In diesem Beispiel wird die thermische Oxidation so durchgeführt, daß der thermische Oxidfilm 7 zum Erhalten der extrem dünnen Breite 8 in dem B-B' Querschnitt ausgebildet wird. Alternativ kann Silicium durch Naßätzen unter Verwendung einer Mischung aus Fluorwasserstoffsäure bzw. Flußsäure (hydrofluoric acid) und Nitrat als Ätzmittel geätzt werden, um so die Breite 8 in dem B-B' Querschnitt zu vermindern.

In diesem Beispiel wird die thermische Oxidation zum Ausbilden des thermischen Oxidfilms 7 durchgeführt, um so die Breite 8 in dem B-B' Querschnitt zu erhalten. Alternativ kann die Breite 8 vermindert werden durch die Kombination von Naßätzen und thermischer Oxidation.

Hiernach wird ein Verfahren zur Herstellung eines Quantenbauelements gemäß einem zweiten Beispiel der Erfindung unter Bezugnahme auf die relevanten Zeichnungen beschrieben.

Die Figuren 3A bis 3C veranschaulichen das Verfahren der Herstellung eines Quantenbauelements gemäß dem zweiten Beispiel der Erfindung. Die Figuren 4A bis 4D veranschaulichen das Prinzip des Betriebs des Quantenbauelements in dem zweiten Beispiel der Erfindung. Die Abfolge bei der Herstellung wird unten beschrieben.

In dem Schritt, welcher in Figur 3A gezeigt ist, wird ein plattenähnliches Silizium 60, das einen Halsabschnitt (Dicke: 60 nm) 61 umfaßt, auf einem Siliziumsubstrat 1 durch das Verfahren, welches im ersten obigen Beispiel beschrieben wurde, ausgebildet. In dem Schritt, welcher in Figur 3B gezeigt ist, wird eine thermische Oxidation durchgeführt, um einen dünnen thermischen Oxidfilm (Dicke: 2 nm) 62 um das plattenähnliche Silizium 60 und den Halsabschnitt 61, und auf dem Siliziumsubstrat 1 auszubilden. In dem Schritt, welcher in Figur 3C gezeigt ist, wird ein Einkristallsilizium 63 ausgebildet und dann wird eine Einebnung (planarization) durchgeführt. Der linke Bereich des Einkristallsiliziums 63 arbeitet bzw. dient als eine erste Elektrode 63a. Der rechte Bereich des Einkristallsiliziums 63 arbeitet bzw. dient als eine zweite Elektrode 63b.

Wie aus Figur 3C gesehen werden kann, wird eine Struktur mit dem Einkristallsilizium 63, dem 2-nm Tunneloxidfilm 62, dem Ralsabschnit (Substrat 1) 61, dem 2-nm Tunneloxidfilm 62, und dem Einkristallsilizium 63 entlang der x-Richtung, ausgebildet. Die Energiezustände der Elektronen in dem Halsabschnitt 61 sind quantisiert in der Richtung x der Dicke, so daß er eine zweidimensionale Struktur hat. Eine Dicke von 2 nm des Oxidfilms 62 ist ausreichend für Elektronen, um durch den Oxidfilm 62 zu tunneln.

Die Figuren 4A bis 4C sind Potentialdiagramme in dem Querschnitt entlang der x- Richtung in dem Bereich, welcher den Halsabschnitt in Figur 3C umfaßt. Der Betrieb des Quantenbauelements, wie in Figur 3C gezeigt, wird unter Bezugnahme auf die Figuren 4A bis 4D beschrieben.

Figur 4A zeigt einen Zustand, in welchem die Potentialdifferenz zwischen der ersten Elektrode 63a und der zweiten Elektrode 63b 0 ist. Die Figur 4B zeigt einen Zustand, wo eine erste Potentialdifferenz 108 zwischen der ersten Elektrode 63a und der zweiten Elektrode 63b angelegt wird. Figur 4C zeigt einen Zustand, wo eine zweite Potentialdifferenz 109 zwischen der ersten Elektrode 63a und der zweiten Elektrode 63b angelegt wird.

In Figur 4A sind die erste Elektrode 63a und die zweite Elektrode 63b leitfähige Bereiche des Einkristallsiliziums 63 in Figur 3C, und jede hat eine dreidimensionale Struktur, und hat eine kontinuierliche Bandstruktur. Das Ferminiveau in der ersten Elektrode 63a wird definiert als das Ferminiveau 107 in der ersten Elektrode 63a. In dem Halsabschnitt (Resonanzschicht) 61 ist die Breite in der x-Richtung ausreichend gering, so daß er im Bezug auf die Quantentheorie so angesehen wird, als hätte er eine zweidimensionale Struktur. Die Bandstruktur in dem Halsabschnitt 61 ist verschieden von der der ersten und zweiten Elektroden 63a und 63b. Zur Vereinfachung wird hierin angenommen, daß die Werte des Ferminiveaus 107, bei welchem die Wahrscheinlichkeit, daß Ladungsträger (Elektronen) von der ersten Elektrode 63a zu der zweiten Elektrode 63b aufgrund des Resonanztunneleffekts übertragen werden 1 ist, durch die quantisierten Niveaus 106 in dem Halsabschnitt 61 dargestellt werden.

In dem Zustand, welcher in Figur 4A gezeigt ist, findet der resonante Tunneleffekt nicht statt, da das Ferminiveau in der ersten Elektrode 63a nicht gleich ist mit den quantisierten Niveaus 106 in dem Halsabschnitt 61. Demzufolge tritt das Tunneln der Ladungsträger von der ersten Elektrode 63a zu der zweiten Elektrode 63b nicht auf. Als nächstes, in dem Zustand in Figur 4B, wo die erste Potentialdifferenz 108 zwischen der ersten und der zweiten Elektrode 63a und 63b angelegt wird, so daß das Ferminiveau 107 in der ersten Elektrode 63a gleich ist zu irgendeinem der quantisierten Niveaus bzw. Quantenniveaus 106 in dem Halsabschnitt 61, tritt das Tunneln von Ladungsträgern von der ersten Elektrode 63a zu der zweiten Elektrode 63b aufgrund des resonanten Tunneleffekts bzw. Resonanztunneleffekts auf, wodurch ein Fluß eines Stromes verursacht wird. In dem Zustand, welcher in Figur 4C gezeigt ist, ist die Potentialdifferenz zwischen der ersten und der zweiten Elektrode 63a und 63b erhöht, hat jedoch nicht die Potentialdifferenz zwischen der ersten und der zweiten Elektrode 63a und 63b erreicht, bei welchem das Ferminiveau 107 in der ersten Elektrode 63a gleich ist zu anderen der Quantenniveaus 106 in dem Halsabschnitt 61. Insbesondere fließt kein Strom, wenn die zweite Potentialdifferenz 109 zwischen der ersten und der zweiten Elektrode 63a und 63b angelegt wird, wie in Figur 4C gezeigt.

Figur 4D zeigt schematisch die Menge von Strom, während die Potentialdifferenz zwischen der ersten und der zweiten Elektrode 63a und 63b kontinuierlich von null erhöht wird. In Figur 4D ist der negative Widerstand gezeigt. Unter Verwendung des negativen Widerstands kann ein Bauelement, das eine neue Funktion bzw. Arbeitsweise zusätzlich zu der herkömmlichen AN/AUS-Arbeitsweise eines MOSFETs hat, hergestellt werden.

In diesem Beispiel ist nur der Halsabschnitt 61 ausreichend dünn für die Quantisierung in der Richtung der Dicke, und die anderen Abschnitte des plattenähnlichen Siliziums 60 sind ausgebildet, um ausreichend dick zu sein für keine Quantisierung bzw. daß kein Quanteneffekt auftritt. Als ein Ergebnis davon, wie in Figur 3C gezeigt, kann, selbst wenn das Einkristallsilizium 63 ganz um das plattenähnliche Silizium 60 ausgebildet wird, der Bereich, wo das resonante Tunneln auftritt, auf den Halsabschnitt 61 begrenzt werden. Deshalb werden während dem Ausbilden des Einkristallsiliziums 63 die Beschränkungen in der Herstellung vermindert. Zusätzlich kann, wenn ein Quantentopf in einer Nulldimension bzw. nullten Dimension hergestellt wird, in dem resonanten Tunneleffekt der Quantentopf nur durch Berücksichtigung der Breite in der y-Richtung und der Tiefe in der z-Richtung des Halsabschnitts 61 hergestellt werden.

Wie oben beschrieben, kann gemäß diesem Beispiel ein Verfahren zur Herstellung eines Quantenbauelements, durch welches ein Quantenbauelement mit einer Größe ausreichend zum Erzielen des resonanten Tunneleffekts leicht hergestellt werden kann, geschaffen werden.

Als nächstes wird ein Verfahren zur Herstellung eines Quantenbauelements gemäß einem dritten Beispiel der Erfindung unter Bezugnahme auf die relevanten Figuren beschrieben.

Die Figuren 5A bis 5D zeigen das Verfahren zur Herstellung eines Quantenbauelements in dem dritten Beispiel der Erfindung. Die Abfolge der Herstellung wird unten beschrieben.

In dem Schritt, welcher in Figur 5A gezeigt ist, wird eine streifenförmige Siliziumleitung 30, die einen Halsabschnitt (Dicke: 60 nm) 31 hat, auf einem Siliziumsubstrat 1 durch das Verfahren, das im ersten Beispiel der Erfindung beschrieben wurde, ausgebildet. In dem Schritt, der in Figur 5B gezeigt ist, wird ein Isolator ausgebildet, und gemustert (patterned), um die Oberfläche der streifenförmigen Siliziumleitung 30 freizusetzen. Demzufolge wird ein Isolationsfilm (Dicke: 500 nm) 32 erhalten. In dem Schritt, der in Figur 5C gezeigt ist, wird eine thermische Oxidation durchgeführt, um einen Oxidfilm (Dicke: 10 nm) 33 auszubilden. In dem Schritt, der in Figur 5D gezeigt wird, wird polykristallines Silizium abgelagert, und gemustert in eine Elektrodenform. Demzufolge wird eine Regel bzw. Steuerelektrode 34 ausgebildet. In diesem Beispiel können durch Steuern bzw. Regeln der Potentiale der Regel- bzw. Steuerelektrode 34 und des Siliziumsubstrats 1, welche über die streifenförmige Siliziumleitung 30 und dem Oxidfilm 33 verbunden sind, ein Verarmungsbereich, ein inverser Bereich (reversed region), oder ein Speicherbereich in der streifenförmigen Siliziumleitung 30 ausgebildet werden. Deshalb werden Elektroden bei beiden Enden der streifenförmigen Leitung ausgebildet, und ein Potential wird angelegt, so daß ein Fluß eines Stromes verursacht werden kann. Die Menge des Stroms kann gesteuert bzw. geregelt werden durch Veränderung des elektrischen Potentials der Regel- bzw. Steuerelektrode 34.

Wie oben beschrieben, kann gemäß diesem Beispiel ein Verfahren, durch welches ein Quantenbauelement leicht hergestellt werden kann, erhalten werden.

Als nächstes wird ein Verfahren zur Herstellung eines Quantenbauelements gemäß einem vierten Beispiel der Erfindung unter Bezugnahme auf die relevanten Figuren beschrieben.

Die Figuren 6A bis 6C, 7A bis 7C, und 8A bis 8E zeigen das Verfahren zur Herstellung eines Quantenbauelements gemäß dem vierten Beispiel der Erfindung. Der Ablauf der Herstellung wird beschrieben.

In dem Schritt, welcher in Figur 6A gezeigt ist, werden polykristallines Silizium (Dicke: 250 nm) 13 und ein Nitridfilm (Dicke: 100 nm) 14 ausgebildet und in vorgegebene Formen gemustert (patterned), nachdem ein Gate-Oxidfilm (Dicke: 10 nm) 12 auf dem Siliziumsubstrat 1 ausgebildet wurde. Das gemusterte polykristalline Silizium 13 dient als Gate-Elektrode. In dem Schritt, der in Figur 6B gezeigt ist, wird zuerst ein Nitridfilm auf dem Siliziumsubstrat 1 abgelagert, und dann durch anisotropisches Ätzen weggeätzt, um eine erste Seitenwandstruktur 15 aus dem Nitridfilm an den Seitenwänden des polykristallinen Siliziums 13 und dem Nitridfilm 14 auszubilden. In dem Schritt, der in Figur 6C gezeigt ist, wird zuerst ein Oxidfilm über dem Siliziumsubstrat 1 abgelagert, und dann gemustert durch anisotropisches Ätzen, um so einen Oxidstreifen (Dicke: 100 nm) 16 auszubilden.

In dem Schritt, der in Figur 7A gezeigt ist, wird das Siliziumsubstrat 1 geätzt unter Verwendung des Nitridfilms 14, des Oxidstreifens 16, und der ersten Seitenwandstruktur 15 als eine Maske, um so den ersten Aussparungsabschnitt 17 auszubilden. In dem Schritt, der in Figur 7B gezeigt ist, wird ein Nitridfilm zuerst abgelagert und dann durch anisotropisches Ätzen weggeätzt, um so eine zweite Seitenwandstruktur 18 des Nitridfilms auf den Seitenwänden des Nitridfilms 14, dem Oxidstreifen 16, der ersten Seitenwandstruktur 15, und dem ersten Ausnehmungsabschnitt 17 auszubilden. In dem Schritt, der in Figur 7C gezeigt ist, wird der Oxidstreifen 16 entfernt, und das Siliziumätzen wird durchgeführt unter Verwendung des Nitridfilms 14, der ersten Seitenwandstruktur 15 und der zweiten Seitenwandstruktur 18 als eine Maske, um so den zweiten Aussparungsabschnitt 19 auszubilden.

Figur 8A zeigt eine Querschnittsansicht entlang der Linie A-A' in Figur 7C. Figur 8B zeigt eine Querschnittsansicht entlang der Linie B-B'in Figur 7C. Insbesondere sind in dem A-A' Querschnitt die Siliziumseitenwandabschnitte freigelegt. In dem B-B' Querschnitt sind die Siliziumseitenwandabschnitte bedeckt mit der zweiten Seitenwandstruktur 18. In den Schritten, welche in den Figuren 8C und 8D gezeigt sind, wird eine thermische Oxidation durchgeführt, um so einen thermischen Oxidfilm (Dicke: 220 nm) 20 auszubilden. Figur 8C zeigt den A-A' Querschnitt nach der thermischen Oxidation. In dem A-A' Querschnitt schreitet die Oxidation von dem Siliziumseitenwandabschnitt fort, wodurch ein Ralsabschnitt 23, der die Breite 21 hat, erhalten wird. Die Figur 8D zeigt den B-B' Querschnitt nach der thermischen Oxidation. In dem B-B' Querschnitt wird eine streifenförmige Siliziumleitung 24 mit der Breite 22 erhalten, welche größer ist, als die Breite 21. Figur 8E zeigt eine perspektivische Ansicht der Struktur nach der Ausbildung des thermischen Oxidfilms 20 in den Schritten der Figuren 8C und 8D. Es wird darauf hingewiesen, daß in Figur 8E zur Vereinfachung die Struktur ohne die Nitridfilme und den thermischen Oxidfilm 20 gezeigt ist.

In diesem Beispiel ist die Gate-Elektrode (polykristallines Silizium 13) in einer Selbstausrichtung (self-alignment) mit dem Halsabschnitt 23 und der streifenförmigen Siliziumleitung 24 ausgebildet. Das bedeutet, daß es nicht notwendig ist, irgendwelche zusätzlichen Schritte zur Ausbildung einer Elektrode nach den Ausbildungsschritten des Halsabschnitts und der streifenförmigen Siliziumleitung durchzuführen. Demzufolge ist dieses Beispiel dem ersten Beispiel überlegen.

Wie oben beschrieben, wird gemäß diesem Beispiel ein Verfahren erhalten, durch welches ein Quantenbauelement mit einer Größe, die es ermöglicht, den Quanteneffekt zu erhalten, leicht hergestellt werden kann.

Verschiedene andere Abwandlungen werden dem Fachmann offensichtlich werden und können von ihm leicht ausgeführt werden, ohne von der Tragweite und dem Gedanken dieser Erfindung abzuweichen. Dementsprechend ist es nicht beabsichtigt, daß der Schutzbereich der hier beiliegenden Ansprüche auf die hierin beschriebene Beschreibung begrenzt wird, sondern daß die Ansprüche breit ausgelegt werden.


Anspruch[de]

1. Verfahren zur Herstellung eines Quanteneffektbauelements, umfassend ein plattenähnliches Halbleiterteil (10, 30, 60) mit einem Halsabschnitt (11, 31, 61), das die Schritte aufweist:

(a) Ausbilden einer ersten Maskenschicht (2) mit einem ersten Streifenabschnitt auf einem Halbleitersubstrat (1);

(b) Ausbilden einer zweiten Maskenschicht (3) mit einem zweiten Streifenabschnitt, welcher den ersten Streifenabschnitt auf dem Halbleitersubstrat (1) kreuzt;

(c) Ätzen eines Bereichs (4) des Halbleitersubstrats (1) unter Verwendung der ersten und zweiten Maskenschichten (2, 3) als Ätzmaske, um eine Vielzahl von ersten Aussparungs-Abschnitten (4) auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrats (1) auszubilden, wobei der Bereich (4) nicht mit den ersten und zweiten Maskenschichten (2, 3) bedeckt wird, wodurch zumindest teilweise ein plattenähnlicher Halbleiterteil (10, 30, 60) ausgebildet wird;

(d) selektives Bedecken der Seitenflächen der Vielzahl von ersten Aussparungs-Abschnitten (4) und Seitenflächen der ersten und zweiten Maskenschichten (2, 3) mit einem Seitenwandfilm (5);

(e) selektives Entfernen nur der zweiten Maskenschicht (3), wobei die erste Maskenschicht (2) und der Seitenwandfilm (5) nicht entfernt werden;

(f) Ätzen eines weiteren Bereichs (6) des Halbleitersubstrats (1) unter Verwendung der ersten Maskenschicht (2) und des Seitenwandfilms (5) als Ätzmaske, um eine Vielzahl von zweiten Aussparungs-Abschnitten (6) auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats (1) auszubilden, wobei der Bereich (6) nicht mit der ersten Maskenschicht (2) und dem Seitenwandfilm (5) bedeckt wird;

(g) selektives Vermindern der Breite des Abschnitts (11, 31, 61) des plattenähnlichen Halbleiterteils (10, 30, 60), wobei der Abschnitt (11, 31, 61) nicht mit dem Seitenwandfilm (5) bedeckt wird, wodurch der Halsabschnitt (11, 31, 61) ausgebildet wird; und

(h) Entfernen der ersten Maskenschicht (2) und des Seitenwandfilms (5), um den plattenähnlichen Halbleiterteil (10, 30, 60), mit dem Halsabschnitt (11, 31, 61) an dem Halbleitersubstrat (1) auszubilden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt (g) umfaßt:

- einen Schritt des selektiven Oxidierens des Abschnitts (11, 31, 61) des plattenähnlichen Halbleiterteils (10, 30, 60), um einen Oxidfilm (7) auszubilden, wobei der Abschnitt (11, 31, 61) nicht mit dem Seitenwandfilm (5) bedeckt wird; und

- einen Schritt zur Entfernung des Oxidfilms (7).

3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt (g) umfaßt:

- einen Schritt des selektiven Nitrierens des Abschnitts (11, 31, 61) des plattenahnlichen Halbleiterteils (10, 30, 60), um einen Nitridfilm (7) auszubilden, wobei der Abschnitt (11, 31, 61) nicht mit dem Seitenwandfilm (5) bedeckt wird; und

- einen Schritt zur Entfernung des Nitridfilms (7).

4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt (g) den Schritt des selektiven Ätzens des Abschnitts (11, 31, 61) des plattenähnlichen Halbleiterteils (10, 30, 60) umfaßt, wobei der Abschnitt (11, 31, 61) nicht mit dem Seitenwandfilm (5) bedeckt wird.

5. Verfahren nach Anspruch 1, weiter aufweisend die Schritte:

- Ausbilden eines Paars von Tunnelisolationsfilmen (62) zumindest an den Seitenflächen des Halsabschnitts (11, 31, 61), wobei die Dicke des Paars der Tunnelisolationsfilme (62) ausreichend dünn ist, so daß Elektronen aufgrund des Tunneeffektes hindurchgehen; und

- Ausbilden eines Paars von leitfahigen Elementen (63a, 63b), die den Halsabschnitt (11, 31, 61) über das Paar von Tunnelisolationsfilmen (62) zwischen sich einschließen ("sandwich").

6. Verfahren nach Anspruch 1, weiter aufweisend die Schritte:

- Ausbilden eines Gate-Isolationsfilms (33) zumindest auf einer oberen Fläche des Halsabschnitts (11, 31, 61); und

- Ausbilden einer Gate-Elektrode (34) auf dem Gate-Isolationsfilm (33).

7. Verfahren zum Herstellen eines Quanteneffektbauelementes, umfassend ein plattenähnliches Halbleiterteil (24) mit einem Halsabschnitt (23), umfassend die Schritte:

(a) Ausbilden eines Isolationsfilms (12) auf einem Halbleitersubstrat (1);

(b) Ausbilden eines Vielschichtfilms (13, 14) mit einer leitfahigen Schicht (13) als Grundschicht auf dem Isolationsfilm (12);

(c) Musterbildung (patterning) des Vielschichtfilms (13, 14), um eine erste Maskenschicht, mit einem ersten Streifenabschnitt auf dem Isolationsfilm (12) auszubilden;

(d) Ausbilden eines ersten Seitenwandfilms (15) auf den Seitenflächen des ersten Streifenabschnitts;

(e) Ausbilden einer zweiten Maskenschicht (16) mit einem zweiten Streifenabschnitt, welcher den ersten Streifenabschnitt auf dem Isolationsfilm (12) kreuzt;

(f) Ätzen eines Bereichs (17) des Isolationsfilms (12) und des Halbleitersubstrats (1) unter Verwendung der ersten und zweiten Maskenschichten (14, 16) und des ersten Seitenwandfilms (15) als Ätzmaske, um eine Vielzahl von ersten Aussparungs- Abschnitten (17) auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrats (1) auszubilden, wobei der Bereich (17) nicht mit den ersten und zweiten Maskenschichten (14, 16) und dem ersten Seitenwandfilm (15) bedeckt wird;

(g) selektives Bedecken zumindest der seitlichen Flächen der Vielzahl von ersten Aussparungs-Abschnitten (17) mit einem zweiten Seitenwandfilm (18);

(h) selektives Entfernen nur der zweiten Maskenschicht (16), wobei die erste Maskenschicht (14) und die ersten und zweiten Seitenwandfilme (15, 18) nicht entfernt werden;

(i) Ätzen eines weiteren Bereichs (19) des Halbleitersubstrats (1) unter Verwendung der ersten Maskenschicht (14) und der ersten und zweiten Seitenwandfilme (15, 18) als Ätzmaske, um eine Vielzahl von zweiten Aussparungs-Abschnitten (19) auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats (1) auszuformen, wobei der Bereich (19) nicht mit der ersten Maskenschicht (14) und den ersten und zweiten Seitenwandfilmen (15, 18) bedeckt wird, wodurch zumindest teilweise der plattenähnliche Halbleiterteil (24) ausgebildet wird;

(j) selektives Vermindern der Breite eines Abschnitts (23) des plattenähnlichen Halbleiterteils (24), wobei der Abschnitt (23) nicht mit den ersten und zweiten Seitenwandfilmen (15, 18) bedeckt wird, wodurch der Halsabschnitt (23) ausgebildet wird; und

(k) Entfernen der ersten und zweiten Seitenwandfilme (15, 18), um den plattenähnlichen Halbleiterteil (24), mit dem Halsabschnitt (23) an dem Halbleitersubstrat (1) auszubilden.

8. Verfahren nach Anspruch 7, wobei der Schritt (j) umfaßt:

- einen Schritt des selektiven Oxidierens des Abschnitts (23) des plattenähnlichen Halbleiterteils (24), um einen Oxidfilm (20) auszubilden, wobei der Abschnitt (23) nicht mit den ersten und zweiten Seitenwandfilmen (15, 18) bedeckt wird;

- und einen Schritt zur Entfernung des Oxidfilms (20).

9. Verfahren nach Anspruch 7, wobei der Schritt (j) umfaßt:

- einen Schritt des selektiven Nitrierens des Abschnitts (23) des plattenähnlichen Halbleiterteils (24), um einen Nitridfilm (20) auszubilden, wobei der Abschnitt (23) nicht mit den ersten und zweiten Seitenwandfilmen (15, 18) bedeckt wird;

- und einen Schritt zur Entfernung des Nitridfilms (20).

10. Verfahren nach Anspruch 7, wobei der Schritt (j) einen Schritt des selektiven Ätzens des Abschnitts (23) des plattenähnlichen Halbleiterteils (24) umfaßt, wobei der Abschnitt (23) nicht mit den ersten und zweiten Seitenwandfilmen (15, 18) bedeckt wird.







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