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Dokumentenidentifikation EP0905760 06.05.1999
EP-Veröffentlichungsnummer 0905760
Titel Herstellungsverfahren für einen MOS-Kondensator und Struktur
Anmelder Siemens AG, 80333 München, DE
Erfinder Schrems, Martin, 01465 Langenbrueck, DE
Vertragsstaaten AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LI, LU, MC, NL, PT, SE
Sprache des Dokument En
EP-Anmeldetag 18.09.1998
EP-Aktenzeichen 981177280
EP-Offenlegungsdatum 31.03.1999
Veröffentlichungstag im Patentblatt 06.05.1999
IPC-Hauptklasse H01L 21/334
IPC-Nebenklasse H01L 29/94   








IPC
A Täglicher Lebensbedarf
B Arbeitsverfahren; Transportieren
C Chemie; Hüttenwesen
D Textilien; Papier
E Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Physik
H Elektrotechnik

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