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Dokumentenidentifikation DE69228855T2 16.09.1999
EP-Veröffentlichungsnummer 0543616
Titel Kondensator und Herstellungsverfahren
Anmelder Samsung Electronics Co. Ltd., Suwon, Kyonggi, KR
Erfinder Ko, Jaehong, Seodaemun-ku, Seoul, KR;
Kim, Sungtae, Kangnam-ku, Seoul, KR;
Shin, Hyunbo, Suwon, Kyungki-do, KR;
Kang, Seonghun, Suwon, Kyungki-do, KR
Vertreter Munk, L., Dipl.-Ing., Pat.-Anw., 86150 Augsburg
DE-Aktenzeichen 69228855
Vertragsstaaten DE, FR, GB, IT
Sprache des Dokument En
EP-Anmeldetag 17.11.1992
EP-Aktenzeichen 923104764
EP-Offenlegungsdatum 26.05.1993
EP date of grant 07.04.1999
Veröffentlichungstag im Patentblatt 16.09.1999
IPC-Hauptklasse H01L 21/334
IPC-Nebenklasse H01L 21/3205   H01L 29/94   

Beschreibung[de]

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Kondensator und ein Verfahren zur Herstellung eines Kondensators. Insbesondere betrifft die Erfindung einen Kondensator, der eine leitende Schicht mit einer Vielzahl von grabenähnlichen Bereichen aufweist, und ein einfaches Verfahren zur Herstellung eines Kondensators mit einer vergrößerten Kapazität.

Bei der Fertigung von dynamischen Speichern mit wahlweisem Zugriff (DRAMs: Dynamic Random Access Memories) wurden unter Verwendung der Hochintegrationstechnologie bemerkenswerte Fortschritte erzielt. Da ein Halbleiterbauelement eine geringe Größe aufweist, wird das Problem, eine hohe Kapazität zu sichern, ein wesentlicher Punkt. Beispielsweise wurde eine Änderung der hauptsächlichen Produktion von 1 Mbit- DRAMS auf 4 Mbit-DRAMS erreicht.

Bei einem derartigen DRAM mit hoher Integration muß eine vorbestimmte Kapazität des Speicherzellen-Kondensators trotz der Abnahme in der Fläche der Zellen konstant gehalten werden. Beispielsweise nimmt jede Fläche einer Zelle und eines Kondensators in einem 64 Mbit-DRAM bis auf etwa 0.8 um² und 1.0 um² ab.

In dem Fall, bei dem die Flächen der Ladungsspeicher-Kondensatoren ebenfalls abnehmen und die Kapazität klein wird, entsteht ein flüchtiger Fehler ("soft error") bei Belichten mit α-Strahlung, wobei auch das Problem der Zuverlässigkeit auf einem Halbleiterbauelement ein wesentlicher Punkt wird. Demgemäß muß die Kapazität der Speicherzellen-Kondensatoren trotz der Abnahme in den Flächen der Kondensatoren konstant gehalten werden, um eine verbesserte Integration eines Halbleiterbauelements zu erzielen.

Bei einem neueren DRAM, dessen Zellen auf Transistor-gestapelten Kondensator- Kombinationen basiert, wurde ein Elektrodenpaar eines Speicherkondensators mit dreidimensionaler Struktur gebildet. Dadurch wird die Kapazität um 30 bis 40% größer als ein zweidimensionaler Speicherkondensator mit derselben Größe wie der dreidimensionale. Im Falle von 64 Mbit-DRAMS hoher Integration muß die Kapazität ohne Vergrößern der Zellenfläche oder der Speicherfläche vergrößert werden, wobei verschiedene dreidimensionale Strukturen hoher Dielektrizitätskonstante untersucht wurden. Eine der Technologien zur Vergrößerung der Kapazität einer Speicherelektrode ohne Vergrößern der Zellenflächen oder der Speicherfläche besteht in der Herstellung hochwertiger Kon densatoren mit einem rauhen Polysilizium-Oberflächenfilm als Speicherelektrode.

Ein Verfahren zum Erzielen einer großen Kapazität in definierten kleinen Flächen der Kondensatoren, wie beispielsweise die vorgenannten dreidimensionalen DRAMs, wurde in "Solid State Device & Material No. 90-167", Seite 49, im Dezember 1990 veröffentlicht.

Zum Stand der Technik zeigt Fig. 1 eine Schnittansicht der Struktur eines Kondensators der mit einem polykristallinen Siliziumfilm mit einer rauhen Oberfläche gebildet ist. Eine Speicherelektrode 11 dient als eine erste Elektrode des Kondensators, d. h. ein erster polykristalliner Siliziumfilm wird bei 550ºC abgeschieden. Bei diesen Temperaturen koexistieren amorphe und polykristalline Strukturen, wobei die Oberflächenbereiche der Siliziumkörner mit halbkugelförmiger Gestalt maximiert sind. Folglich hängt die Oberflächenmorphologie stark von der Abscheidungstemperatur ab. Bei Oberflächenbereichsvergrößerung auf einem bei 550ºC abgeschiedenen Film ist der mit Halbkugeln bedeckte Bereich ungefähr zweimal so groß wie der der flachen Oberfläche. Danach werden erste Elektroden unter Verwendung herkömmlicher Photolithographie und Ätztechnik definiert. Ein kapazitiver dielektrischer Film 12 aus Oxidfilm / Nitridfilm wird darauf angebracht, wobei eine Plattenelektrode 13 eine zweite Elektrode wird, d. h. polykristallines Silizium wird abgeschieden.

Bei dem vorgenannten Verfahren besteht jedoch, da der Temperaturkontrolle besondere Beachtung zugemessen werden muß und da der Polysiliziumfilm halbkugelige Körner aufweist, eine Grenze beim Erhöhen der Kapazität.

Demgemäß ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, die Kapazität des Kondensators zu erhöhen.

Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, einen Kondensator mit Kapazität und ein Herstellungsverfahren für einen Kondensator zu schaffen, indem ein Elektrodensubstrat mit einer Vielzahl von mikroskopisch grabenähnlichen Bereichen vorgesehen ist.

Erfindungsgemäß ist ein Verfahren zur Herstellung eines Kondensators mit folgenden Schritten vorgesehen: Bilden und Strukturieren einer ersten leitenden Schicht, Bilden eines ersten Oxidfilms darauf und anschließendes Bilden eines Siliziumnitrid-Films mit einer Dicke im Bereich von 3 bis 50 nm darauf; Bilden eines zweiten Oxid-Films durch Oxidieren des Siliziumnitrid-Films, wobei Löcher oder Risse in dem Siliziumnitrid-Film gebildet werden; Ätzen des zweiten Oxid-Films, um den Siliziumnitrid-Film zu belichten; Ätzen des ersten Oxid-Films, um die erste leitende Schicht zu belichten, indem der Siliziumnitrid-Film als Maske verwendet wird; Bilden einer Vielzahl von Gräben durch Ätzen der ersten leitenden Schicht, indem der Siliziumnitrid-Film und der verbliebene erste Oxid-Film als Maske verwendet werden; Entfernen des ersten Oxid-Films und des Siliziumnitrid-Films; und Bilden eines dielektrischen Films entlang der Oberfläche der ersten leitenden Schicht und Bilden einer zweiten leitenden Schicht darauf.

Die vorgenannten und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden anhand der nachfolgenden eingehenden Beschreibung der Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen erläutert werden, in denen zeigen:

Fig. 1 eine Schnittansicht eines bekannten Stapel-Kondensator-artigen DRAM ("Dynamic Random Access Memory: dynamischer Speicher mit wahlweisem Zugriff"),

Fig. 2A bis 2F Darstellungen der Herstellungsschritte eines Kondensators mit einem Elektrodensubstrat einer Vielzahl von mikroskopisch graben-ähnlichen Bereichen gemäß der bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführungsform,

Fig. 2D' bis 2F' Darstellungen eines Teils der Herstellungsschritte eines Kondensators mit einem Elektrodensubstrat einer Vielzahl von mikroskopisch grabenähnlichen Bereichen gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung,

Fig. 3A bis 3 G Darstellungen der Herstellungsschritte eines DRAMs, das einen gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung gebildeten Kondensator aufweist, sowie

Fig. 3D' bis 3G' Darstellungen eines Teils der Herstellungsschritte eines DRAMs, das einen gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung gebildeten Kondensator aufweist.

Eine eingehende Beschreibung der Erfindung erfolgt unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen.

Als eine Ausführungsform bei der Herstellung eines Kondensators gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine Polysilizium-Schicht, die eine erste leitende Schicht wird, mit einer Dicke von 2000 bis 4000 Angström mittels eines Niederdruck-Gasphasenabscheidungsprozesses ("Liquid Phase Chemical Vapour Deposition", LPCVD) abgeschieden und dann mit Fremdatomen dotiert. Bei diesem Prozess kann mit Fremdatomen dotiertes einkristallines Silizium anstatt von mit Fremdatomen dotiertes Polysilizium verwendet werden.

Danach wird die Polysiliziumschicht geätzt, indem eine Photoresiststruktur verwendet wird, wobei eine erste leitende Schicht 41 wie in Fig. 2A dargestellt gebildet wird, ein erster Oxidfilm 42 mit einer Dicke von 50 bis 2000 Angström gebildet und dann darauf ein Siliziumnitridfilm 43 mit einer Dicke von 30 bis 500 Angström gebildet wird.

Wie in Fig. 2B dargestellt, wird der Siliziumnitridfilm 43 thermisch oxidiert, um einen zweiten Oxidfilm 44 auf der Oberfläche zu bilden. Aufgrund dieses Oxidationsprozesses nehmen Löcher ("pinholes") in dem dünnen Siliziumnitridfilm 43 zu und wird Silizium aus dem Siliziumnitridfilm beim Oxidieren verbraucht, wobei neue Löcher entstehen oder der Film teilweise reisst.

Unter Bezugnahme auf Fig. 2C werden der zweite Oxidfilm 44 und der erste Oxidfilm 42 durch ein Naßätzverfahren entfernt, um die Siliziumnitridschicht 43 und die erste leitende Schicht zu belichten, wobei der gerissene oder Löcher aufweisende Siliziumnitridfilm 43 als Ätzmaske verwendet wird, so daß wellige Profile, die aus Siliziumnitrid 43 und Oxidfilm 42 bestehen, entstehen.

Wenn die erste leitende Schicht durch ein anisotropes Ätzen geätzt wird, indem als Maske der Siliziumnitridfilm 43 und der Oxidfilm 42 verwendet werden, die nach Durchlaufen des Prozesses von Fig. 2C verblieben sind, werden Gräben mit unebenen Konfigurationen auf einem Bereich geformt, wo der Siliziumnitridfilm 43 und Oxidfilm 42 nicht gebildet sind. Die Grabentiefe wird durch Kontrolle der Ätzzeit gemäß der vorbestimmten Kapazität des Kondensators bestimmt. Desweiteren sind aufgrund der Durchführung des anisotropen Ätzprozesses diese Gräben genau vertikal an der oberen Oberfläche der ersten leitenden Schicht 41 geformt.

Nach dem Prozess von Fig. 2D durch Ätzen des Siliziumnitrid-Films 43 und des Oxid- Films 42, die als Maske in serieller Ordnung zum Naßätzen dienen, verbleibt genau die erste leitende Schicht 41 mit einer Vielzahl von mikroskopisch grabenähnlichen Bereichen, wie Fig. 2E zeigt.

Nach dem Prozeß von Fig. 2E wird ein dielektrischer Film 45 entlang der Oberfläche der ersten leitenden Schicht 41 gebildet und eine zweite leitende Schicht 46 darauf gebildet, wobei der Kondensator gemäß der Erfindung vollständig formiert wird, wie in Fig. 2F veranschaulicht ist. Der dielektrische Film 45 wird vorzugsweise aus zwei Schichten von Nitrid- und Oxid-Filmen geformt, drei Schichten von Oxid-, Nitrid- und Oxid-Filmen oder ein hoch-dielektrischer Film wie Ta&sub2;O&sub5;. Die zweite leitende Schicht 46, d. h. die obere Oberfläche des Kondensators, wird aus mit Fremdatomen dotiertem Polysilizium oder mit Fremdatomen dotiertem kristallinem Silizium geformt.

Als weitere bevorzugte Ausführungsform bei der Herstellung eines Kondensators nach der vorliegenden Erfindung werden die Prozesse der Fig. 2A bis 2C in dieser Ausführungsform gleichwertig zu denen der zweiten Ausführungsform ausgeführt. Nach diesen Prozessen wird die erste leitende Schicht durch isotropisches Ätzen anstatt des anisotropischen Ätzens geätzt, wobei der verbleibende Siliziumnitridfilm 43 und Oxidfilm 42 als Maske verwendet werden. Gemäß dem isotropischen Ätzen werden Gräben über die ganzen oberen und seitlichen Oberflächen der ersten leitenden Schicht 41 geformt, wie in Fig. 2D' dargestellt ist. Die Grabentiefe wird durch Kontrolle der Ätzzeit gemäß einer vorbestimmten Kapazität des Kondensators bestimmt.

Nach dem Prozess von Fig. 2D' verbleibt durch Ätzen des Siliziumnitridfilms 43 und Oxidfilms 42, die als Maske in serieller Ordnung zum Naßätzen verwendet werden, genau die erste leitende Schicht 41 mit einer Vielzahl von mikroskopisch grabenähnlichen Bereichen, wie Fig. 2E' zeigt.

Nach dem Prozess von Fig. 2E' wird ein dielektrischer Film 45 entlang der Oberfläche der ersten leitenden Schicht 41 gebildet und eine zweite leitende Schicht 46 darauf gebildet, wobei der Kondensator gemäß der vorliegenden Erfindung vollständig formiert ist, wie in Fig. 2F' veranschaulicht ist.

Demgemäß hat der Kondensator gemäß dieser Erfindung eine erste leitende Schicht mit einer Vielzahl mikroskopisch grabenähnlicher Bereiche und somit ist der Oberflächenbereich der Kondensatorelektrode beträchtlich vergrößert, so daß die ausreichende Kapazität des Kondensators in der mikroskopisch definierten Fläche gesichert ist und der Prozeßspielraum breit wird.

Fig. 3A bis 3 G veranschaulichen die Herstellungsschritte eines DRAM, das einen gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung gebildeten Kondensator aufweist, während Fig. 3E' bis 3G' teilweise die Herstellungsschritte eines DRAM veranschaulichen, das einen gemäß der zweiten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung gebildeten Kondensator aufweist.

Die Herstellung eines DRAM, das einen Kondensator gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform aufweist, beginnt damit, daß ein Isolationsbereich auf einem p- leitenden Halbleitersubstrat 50 mit einem Feldoxidfilm 51 definiert wird. Nachdem Gate- Elektroden gebildet sind, werden Source/Drain-Fremdatom-Bereiche 52 und 52' gebildet. Isolierende Filme 54 werden gebildet und der Source-Bereich wird dann geöffnet.

Unter Bezugnahme auf Fig. 3B wird danach eine Polysiliziumschicht, eine als Speicherelektrode dienende erste leitende Schicht, mit eine Dicke von 2000 bis 4000 Angström durch den LPCVD Prozeß darauf abgeschieden, wobei dann Fremdatome dotiert werden. In diesem Prozeß kann mit Fremdatomen dotiertes einkristallines Silizium verwendet werden. Danach wird eine erste leitende Schicht 55 durch Ätzen der Polysiliziumschicht mittels der Photoresiststruktur gebildet, wobei ein erster Oxidfilm 56 mit einer Dicke von 50 bis 2000 Angström darauf gebildet wird. Auf dem ersten Oxidfilm wird ein Siliziumnitridfilm 57 mit einer Dicke von 30 bis 500 Angström gebildet.

Unter Bezugnahme auf Fig. 3C wird ein zweiter Oxidfilm 56' durch Oxidieren des Siliziumnitridfilms 57 gebildet. Wegen des Oxidationsprozesses nehmen die Löcher in dem dünnen Siliziumnitridfilm 43 zu und wird das Silizium auf dem Siliziumnitridfilm verbraucht, was zum Auftreten neuer Löcher oder Risse in dem Film führt.

Wie in Fig. 3D dargestellt ist, wird, nachdem der zweite Oxidfilm 56' durch ein Naßätzverfahren entfernt wurde, der erste Oxidfilm 56 geätzt, indem der Löcher aufweisende Siliziumnitridfilm 57 als Ätzmaske benutzt wird, und die den Siliziumnitridfilm 57 und Oxidfilm 56 aufweisenden welligen Profile werden danach gebildet.

In Fig. 3E, wo die unten angeordnete erste leitende Schicht durch ein anisotropes Ätzverfahren gebildet ist, indem der Siliziumnitridfilm 57 und Oxidfilm 56, die nach dem Prozeß von Fig. 3D verblieben sind, als Maske verwendet werden, werden Gräben auf einem Bereich geformt, wo der Siliziumnitridfilm 57 und Oxidfilm 56 nicht geformt sind. Die Grabentiefe wird durch Kontrolle der Ätzzeit gemäß einer vorbestimmten Kapazität des Kondensators bestimmt.

Da das anisotrope Ätzen in dem vorgenannten Prozess durchgeführt wurde, werden diese Gräben genau vertikal auf der ersten leitenden Schicht 55 gebildet.

Nach dem Prozeß von Fig. 3E bleibt durch Entfernen des in serieller Ordnung mittels Naßätzen als Maske dienenden Siliziumnitridfilms 57 und Oxidfilms 56 genau die erste leitende Schicht 55 mit einer Vielzahl mikroskopisch grabenähnlicher Bereiche, wie in Fig. 3F dargestellt ist.

Nach dem Prozeß von Fig. 3F wird ein dielektrischer Film 58 entlang der Oberfläche der ersten leitenden Schicht 55 gebildet und eine zweite leitende Schicht 59 darauf gebildet, wobei ein Halbleiterelement mit dem Kondensator gemäß der zweiten Ausführungsform dieser Erfindung gebildet wird, wie in Fig. 3 G dargestellt ist. Der dielektrische Film 58 wird vorzugsweise aus zwei Schichten von Nitrid- und Oxidfilmen gebildet, drei Schichten von Oxid-, Nitrid- und Oxidfilmen oder ein hochdielektrischer Film wie Ta&sub2;O&sub5;.

Die zweite leitende Schicht 59, d. h. eine zweite leitende Schicht des Kondensators, ist aus mit Fremdatomen dotiertem Polysilizium oder mit Fremdatomen dotiertem einkristallinem Silizium gebildet.

Bei der Herstellung eines DRAM, das einen Kondensator gemäß einer weiteren Ausführungsform dieser Erfindung aufweist, werden die in Fig. 3A bis 3D veranschaulichten Prozesse in dieser Ausführungsform gleichwertig zu jenen der zweiten Ausführungsform ausgeführt.

Wenn es zur Durchführung eines Prozesses zum Ätzen der untenliegenden ersten leitenden Schicht kommt, indem der verbliebene Siliziumnitridfilm 57 und Oxidfilm als Maske dienen, wird ein isotropes Ätzverfahren anstatt des anisotropen Ätzverfahren benutzt.

Gemäß diesem isotropen Ätzverfahren werden Gräben auf den ganzen oberen und seitlichen Oberflächen der ersten leitenden Schicht 55 gebildet, wie in Fig. 3E~ veranschaulicht ist.

Die Grabentiefe wird durch Kontrolle der Ätzzeit gemäß einer vorbestimmten Kapazität des Kondensators bestimmt.

Nach dem Prozeß von Fig. 3E' werden der Siliziumnitridfilm 57 und der Oxidfilm 56, die als Maske dienen, in serieller Reihenfolge durch ein Naßätzverfahren entfernt, und nur die erste leitende Schicht 55 mit einer Vielzahl mikroskopisch grabenähnlicher Bereiche bleibt auf seinen ganzen oberen und seitlichen Oberflächen, wie in Fig. 5 W dargestellt.

Nach dem Prozess von Fig. 3F' wird der dielektrische Film 58 entlang der Oberfläche der ersten leitenden Schicht 55 gebildet und eine zweite leitende Schicht 59 wird auf dem dielektrischen Film 58 gebildet, wobei der Kondensator gemäß der zweiten Ausführungsform fertiggestellt wird, wie in Fig. 3G' veranschaulicht ist.

Demgemäß weist der Kondensator erfindungsgemäß ein Elektrodensubstrat mit einer Vielzahl von mikroskopisch grabenähnlichen Bereichen auf, wobei somit der Oberflächenbereich der Kondensatorelektrode beträchtlich vergrößert ist, so daß die ausreichende Kapazität des Kondensators in der mikroskopisch definierten Fläche gesichert ist und der Prozeßspielraum breit wird.

Die Herstellung eines Kondensators, bei dem Gräben tief eingeformt werden, um die Unterseite des Basissubstrats des Kondensators nicht zu belichten, wobei dann der Oberflächenbereich des Kondensators vergrößert wird, kann eine erhöhte Kapazität im Vergleich zu dem Fall aufweisen, bei dem eine Speicherelektrode aus Polysilizium mit einer rauhen Oberfläche gebildet ist.

Das erfindungsgemäße Verfahren zur Fertigung eines Kondensators wird bei Stapel/Graben-Kondensatoren oder vergrabenen und einer Struktur grabenähnlicher Bereiche sowie gestapelten Kondensatoren angewandt.

Abschließend kann gemäß der Vorteile der Erfindung, da eine Speicherelektrode in Verbindung mit zahllosen grabenähnlichen Bereichen im Vergleich zu einem nach herkömmlichen Verfahren gefertigten Kondensator gebildet ist, der Oberflächenbereich der Speicherelektrode vergrößert werden und, wenn eine Ätzrate während des Ätzens der Speicherelektrode kontrolliert wird, indem eine Oxidfilm als Maske verwendet wird, kann eine vorbestimmte Kapazität kontrolliert werden.

Insgesamt weist der erfindungsgemäße Kondensator ein Elektrodensubstrat von einer Vielzahl mikrokopisch grabenähnlicher Bereiche auf und somit ist der Oberflächenbereich der Kondensatorelektrode beträchtlich vergrößert, so daß die ausreichende Kapazität des Kondensators in der mikrokopisch definierten Fläche gesichert ist und der Prozeßspielraum breit wird, wobei die Integration der DRAMs noch weiter gesteigert wird.


Anspruch[de]

1. Verfahren zur Herstellung eines Kondensators mit folgenden Schritten:

Bilden und Strukturieren einer ersten leitenden Schicht (41), Bilden eines ersten Oxidfilms (42) darauf und anschließendes Bilden eines Siliziumnitrid-Films (43) mit einer Dicke im Bereich von 3 bis 50 nm darauf;

Bilden eines zweiten Oxid-Films (44) durch Oxidieren des Siliziumnitrid-Films (43), wobei Löcher oder Risse in dem Siliziumnitrid-Film (43) gebildet werden;

Ätzen des zweiten Oxid-Films (44), um den Siliziumnitrid-Film zu belichten;

Ätzen des ersten Oxid-Films (42), um die erste leitende Schicht (41) zu belichten, indem der Siliziumnitrid-Film (43) als Maske verwendet wird;

Bilden einer Vielzahl von Gräben durch Ätzen der ersten leitenden Schicht (41), indem der Siliziumnitrid-Film (43) und der verbliebene erste Oxid-Film (42) als Maske verwendet werden;

Entfernen des ersten Oxid-Films (42) und des Siliziumnitrid-Films;

und Bilden eines dielektrischen Films (45) entlang der Oberfläche der ersten leitenden Schicht (41) und Bilden einer zweiten leitenden Schicht (46) darauf.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste leitende Schicht (41) eine Dicke von 200-400 nm (2000 bis 4000 Angström) aufweist.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste leitende Schicht (41) durch anisotropes Ätzen oder isotropes Ätzen geätzt wird.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite leitende Schicht (46) aus mit Fremdatomen dotiertem Polysilizium oder mit Fremdatomen dotiertem einkristallinem Silizium gebildet wird.







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