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Dokumentenidentifikation DE19915995A1 26.10.2000
Titel Monolithisch integriertes Filter und Verfahren zu seiner Herstellung
Anmelder Institut für Halbleiterphysik Frankfurt (Oder) GmbH, 15230 Frankfurt, DE
Erfinder Pierschel, Michael, 13059 Berlin, DE
Vertreter Heitsch, W., Pat.-Anw., 14778 Jeserig
DE-Anmeldedatum 09.04.1999
DE-Aktenzeichen 19915995
Offenlegungstag 26.10.2000
Veröffentlichungstag im Patentblatt 26.10.2000
IPC-Hauptklasse H03H 9/56
Zusammenfassung Die Erfindung betrifft ein monolithisch integriertes Filter, beispielsweise für mobile Empfangstechnik, und ein Verfahren zu seiner Herstellung. Es ist Aufgabe der Erfindung, ein monolithisch integriertes Filter vorzuschlagen, das die Nachteile der bekannten Anordnungen vermeidet und insbesondere hohe Filtersteilheiten bei sehr geringen Verlustleitstungen aufweist.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß über einem Substrat mit mindestens einer ersten und einer zweiten Isolierschicht und einer elektrisch leitfähigen Schicht in der Ebene der elektrisch leitfähigen Schicht eine erste elektrisch leitende Fläche mindestens eine erste elektrisch leitende Zunge aufweist, daß benachbart eine zweite elektrisch leitende Fläche mindestens eine zweite elektrisch leitende Zunge aufweist und daß die ersten und zweiten elektrisch leitenden Zungen durch eine isolierende Brücke mechanisch verbunden sind.

Beschreibung[de]

Die Erfindung betrifft ein monolithisch integriertes Filter, beispielsweise für mobile Empfangstechnik, und ein Verfahren zu seiner Herstellung.

Monolithisch integrierte Filter sind als aktive und passive elektrische Strukturen bekannt. Für nicht allzu hohe Eckfrequenzen lassen sich aktive Filter mit relativ geringen Verlustleistungen und hohen Filtersteilheiten monolithisch realisieren. Bei höheren Frequenzen jedoch, typischerweise größer 10 MHz, steigt die Verlustleistung auf Grund von kapazitiven Verlusten und Umladungsverlusten bei den nunmehr sehr schnellen Schaltvorgängen stark an. Derartige Filter sind dann für Empfänger mit mobilem Einsatz infolge der reduzierten Batterielebensdauer ungeeignet. Passive Filter dagegen sind bei monolithischer Integration mit nur sehr geringer Güte realisierbar. Die mit Hilfe von dünnen Metallsystemen realisierten Induktivitäten erreichen im Frequenzbereich von 100 MHz bis ca. 5 GHz nur Gütewerte von 2 bis 10. Sie verhindern das Erzielen der für die mobile Empfangstechnik notwendigen Filtersteilheiten. Trotz größerer Verlustleistungen konnten mit derartigen monolithisch integrierten, passiven elektrischen Schwingkreisen noch keine Filtersteilheiten erreicht werden, wie sie z. B. für Zwischenfrequenzfilter im oberen MHz-Bereich erforderlich sind.

Die Zwischenfrequenzfilter sind deshalb in modernen Empfängern stets als externe Elemente an die integrierte Schaltung angeschlossen. Dazu werden Filter sehr hoher Güte verwendet, vorzugsweise Quarzfilter, Oberflächenwellenfilter oder keramische Filter. Es existieren gegenwärtig keine Lösungen, Filter mit entsprechenden Eigenschaften in Form einer monolithischen Integration in Si-basierenden Technologien herzustellen. Die externen Elemente verursachen neben erhöhtem Raumbedarf aber immer eine höhere Verlustleistung, da bei den hohen Frequenzen mindestens die Pads, meist aber auch die reellen niederohmigen Abschlußwiderstände der externen Elemente zu versorgen sind.

Es ist somit Aufgabe der Erfindung, ein monolithisch integriertes Filter vorzuschlagen, das die Nachteile der bekannten Anordnungen vermeidet und insbesondere hohe Filtersteilheiten bei sehr geringen Verlustleistungen aufweist.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß über einem Substrat mit mindestens einer ersten und einer zweiten Isolierschicht und einer elektrisch leitfähigen Schicht in der Ebene der elektrisch leitfähigen Schicht eine erste elektrisch leitende Fläche mindestens eine erste elektrisch leitende Zunge aufweist, daß benachbart eine zweite elektrisch leitende Fläche mindestens eine zweite elektrisch leitende Zunge aufweist und daß die ersten und zweiten elektrisch leitenden Zungen durch eine isolierende Brücke mechanisch verbunden sind. Vorzugsweise ist das Substrat ein Siliziumsubstrat, und die elektrisch leitfähige Schicht ist eine metallische Leitschicht. In einer anderen Ausführung ist die elektrisch leitfähige Schicht ein dotiertes Polysilizium oder ein undotiertes Polysilizium. Vorzugsweise ist die erste elektrisch leitende Fläche eine erste Metallfläche oder eine Fläche aus Polysilizium. In ebenfalls bevorzugter Weise ist die erste elektrisch leitende Zunge eine erste Metallzunge oder eine Zunge aus Polysilizium. Die Länge der ersten elektrisch leitenden Zunge ist größer als ihre Breite. Erfindungsgemäß ist die erste elektrisch leitende Fläche benachbart in derselben Ebene zur zweiten elektrisch leitenden Fläche angeordnet. In ebenfalls bevorzugter Weise ist die zweite elektrisch leitende Fläche eine zweite Metallfläche oder eine Fläche aus Polysilizium, und die zweite elektrisch leitende Zunge ist eine zweite Metallzunge oder eine Zunge aus Polysilizium ist. Die Eigenfrequenzen der ersten und zweiten elektrisch leitenden Zunge sind mindestens annähernd gleich groß oder unterscheiden sich durch ein ganzes Vielfaches. Die erste elektrisch leitende Zunge und die zweite elektrisch leitende Zunge sind mindestens annähernd gleich groß. Dabei sind die ersten und zweiten elektrisch leitenden Zungen im Bereich ihrer quer zu der Ebene frei beweglichen Länge durch eine isolierende Brücke in einer der benachbarten Ebenen mechanisch verbunden. In einer bevorzugten Ausführung ist eine Mehrzahl erster und zweiter elektrisch leitender Flächen, insbesondere erster und zweiter Metallflächen, mit jeweils ersten und zweiten elektrisch leitenden Zungen, insbesondere Metallzungen, und je einer isolierenden Brücke elektrisch derart in Reihe geschaltet, daß jeweils eine zweite elektrisch leitende Fläche, insbesondere eine zweite Metallfläche, mit einer folgenden ersten elektrisch leitenden Fläche, insbesondere Metallfläche, verbunden ist. In einer anderen ebenfalls bevorzugten Ausführung ist eine Mehrzahl erster und zweiter elektrisch leitender Flächen, insbesondere erster und zweiter Flächen aus Polysilizium, mit jeweils ersten und zweiten elektrisch leitenden Zungen, insbesondere Zungen aus Polysilizium, und je einer isolierenden Brücke elektrisch derart in Reihe geschaltet, daß jeweils eine zweite elektrisch leitende Fläche, insbesondere eine Fläche aus Polysilizium, mit einer folgenden ersten elektrisch leitenden Fläche, insbesondere einer Fläche aus Polysilizium, verbunden ist.

Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines monolithisch integrierten Filters zeichnet sich dadurch aus, daß auf ein Substrat, insbesondere ein Siliziumsubstrat, eine erste Isolierschicht aufgebracht wird, daß im Layout einer darüberliegenden zweiten Isolierschicht eine vorgesehene Anzahl isolierender Brücken ausgebildet wird, daß im Layout einer darüberliegenden elektrisch leitenden, insbesondere metallischen Leitschicht eine vorgesehene Anzahl erster und zweiter elektrisch leitender, insbesondere Metallflächen, mit ersten und zweiten elektrisch leitenden, insbesondere Metallzungen, derart ausgebildet wird, daß die isolierenden Brücken jeweils eine erste und eine zweite elektrisch leitende, insbesondere Metallzunge, im Bereich ihrer Länge verbindet und daß durch einen Ätzvorgang mit einer isotropen Ätztiefe die erste Isolierschicht in den Bereichen unter den beiden elektrisch leitenden, insbesondere Metallzungen, zumindest teilweise entfernt wird. In einer anderen Ausführung wird auf das Siliziumsubstrat eine erste Isolierschicht aufgebracht, im Layout einer darüberliegenden zweiten Isolierschicht wird eine vorgesehene Anzahl isolierender Brücken ausgebildet, im Layout einer darüberliegenden metallischen Leitschicht wird eine vorgesehene Anzahl erster und zweiter Metallflächen mit ersten und zweiten Metallzungen derart ausgebildet, daß die isolierenden Brücken jeweils eine erste und eine zweite Metallzunge im Bereich ihrer Länge verbindet, und durch einen Ätzvorgang mit einer isotropen Ätztiefe wird die erste Isolierschicht in den Bereichen unter den beiden Metallzungen zumindest teilweise entfernt.

Mit jeder Metallzunge entsteht somit ein einseitig frei schwingender Stab, dessen zweites Ende mechanisch fest mit dem Substrat verbunden ist. Nach der erfindungsgemäßen Lehre werden ausgehend von monolithisch integrierten CMOS-, Bipolar- oder BiCMOS- Schaltungen auf dem gleichen Chip, vorzugsweise mit nur einem einzigen zusätzlichen Ätzschritt, mechanisch schwingfähige Strukturen erzeugt, die elektrisch angeregt werden können, mittels isolierender Brücken mechanisch gekoppelt sind und die einen elektrischen Ausgang besitzen.

Ein Kerngedanke der Erfindung ist, mit der in einem elektrischen Wechselfeld wirkenden periodischen Kraftänderung einen mechanischen Federschwinger im Bereich seiner Eigenresonanz zu Schwingungen anzuregen.

Ein weiterer Kerngedanke besteht darin, diese angeregten mechanischen Schwingungen auf einen oder mehrere weitere, nahezu identisch aufgebaute Federschwinger mittels einer mechanischen Kopplung zu übertragen.

Schließlich beruht ein weiterer Kerngedanke darin, die periodische Kapazitätsänderung, die durch die sich periodisch ändernde Distanz der angekoppelten mechanisch schwingenden Strukturen entsteht, in elektrische Potentialänderungen umzuwandeln, indem die gesamte, absolute elektrische Ladung auf dieser Struktur konstant gehalten wird.

Die einfachste denkbare Struktur besteht also aus einem Eingangsfederschwinger in Gestalt einer ersten Metallzunge, aus dem mechanischen Koppelglied in Gestalt der isolierenden Brücke und aus einem Ausgangsfederschwinger in Gestalt einer zweiten Metallzunge. Komplexe Strukturen können mehrere hundert oder sogar mehrere tausend von dazwischenliegenden, einzelnen Federschwingern besitzen, wobei jeweils ein Eingangsfederschwinger mechanisch mit einem Ausgangsfederschwinger gekoppelt ist. Es können jeweils ein oder mehrere Eingangsfederschwinger und Ausgangsfederschwinger existieren. Für ein einfaches Filter genügt ein Eingangsfederschwinger und ein angekoppelter Ausgangsfederschwinger. In dem anschließenden Ausführungsbeispiel soll der Einfachheit halber nur ein solches einfaches Filter beschrieben werden.

Die Merkmale der Erfindung gehen außer aus den Ansprüchen auch aus der Beschreibung und der Zeichnung hervor, wobei die einzelnen Merkmale jeweils für sich allein oder zu mehreren in Form von Unterkombinationen schutzfähige Ausführungen darstellen, für die hier Schutz beansprucht wird. Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in den Zeichnungen dargestellt und wird im folgenden näher erläutert.

Die Zeichnungen zeigen:

Fig. 1 eine schematische und perspektivische Ansicht eines einfachen, monolithisch integrierten Filters,

Fig. 2 als einen ersten technologischen Schritt das Aufwachsen eines Feldoxides auf das Siliziumsubstrat,

Fig. 3 als zweiten technologischen Schritt das Abscheiden einer Ätzbarriere und einer weiteren Schicht Feldoxid,

Fig. 4 das Abscheiden der zweiten Isolierschicht aus beispielsweise Si3N4 und Strukturieren der Brücken,

Fig. 5 das Sputtern einer metallischen Leitschicht und Strukturieren der Federschwinger und

Fig. 6 das Unterätzen der Metallzungen.

Fig. 1 zeigt die Region eines Schaltkreises mit einer schematischen und perspektivischen Darstellung eines einfachen, monolithisch integrierten Filters mit einem Siliziumsubstrat 1, einer ersten Isolierschicht 2, beispielsweise aus SiO2, einem Eingangsfederschwinger in Form einer ersten Metallfläche 3 und einer ersten Metallzunge 4, einem Ausgangsfederschwinger in Form einer zweiten Metallfläche 5 und einer zweiten Metallzunge 6 sowie mit einer isolierenden Brücke 7, die im Layout einer zweiten Isolierschicht 8 ausgebildet ist.

Die Funktion eines derartigen monolithisch integrierten Filters ist folgende. Der Eingangsfederschwinger mit seiner ersten Metallfläche 3, die eine Flächenausdehnung von etwa 50 µm2 besitzt, ist von dem Siliziumsubstrat 1 durch die erste Isolierschicht 2, beispielsweise aus einem 500 nm dickem SiO2, getrennt. Zwischen beiden kann somit eine elektrische Kapazität in der Größenordnung einiger fF gemessen werden. Schaltet man an das Siliziumsubstrat 1 und an die erste Metallfläche 3 eine elektrische Wechselspannung, deren Frequenz in der Nähe der Eigenresonanzfrequenz der ersten Metallzunge 4, mit beispielsweise einer Breite von 5 µm und einer Länge von 120 µm, liegt, wird über die mechanische Kraft in dem elektrischen Feld die Metallzunge 4 zu Schwingungen mit ihrer Eigenresonanzfrequenz angeregt. Innerhalb des Schaltkreises läßt sich sehr eng benachbart ein Ausgangsfederschwinger mit einer zweiten Metallfläche 5 und einer zweiten Metallzunge 6 mit identischen mechanischen Eigenschaften und Maßen ausbilden. Aus diesem Grunde werden auch die Eigenresonanzfrequenzen der ersten und der zweiten Metallzunge 4; 6 sehr eng beieinander liegen. Die beiden Metallzungen 4; 6 sind mit Hilfe einer isolierenden Brücke 7, beispielsweise aus Si3N4 mit einer Breite von zirka 5 µm, die im Layout der zweiten Isolierschicht 8 ausgebildet wird, mechanisch miteinander verbunden. Über diese Kopplung werden die Schwingungen der Metallzunge 4 des Eingangsfederschwingers auf die Metallzunge 6 des Ausgangsfederschwingers übertragen. Um die mechanischen Energieverluste möglichst gering zu halten, sollte die Kopplung der beiden Metallzungen 4; 6 gering sein. Das bedeutet, daß die isolierende Brücke 7 mehr in Richtung der festliegenden Auflagepunkte der beiden Metallzungen 4; 6 angeordnet ist als in der Nähe ihrer frei schwingenden Enden, das heißt bei zirka 1-10% ihrer Länge. Die beim Schwingen der beiden Metallzungen 4; 6 eintretenden Verformungen sollen im wesentlichen auf elastische Verformungen entsprechend der Hook'schen Gerade begrenzt sein, um plastische Verformungen und damit verbundene Energieverluste zu vermeiden. Die verbleibenden mechanischen Energieverluste, beispielsweise durch Reibungen im Material, sind durch die elektrische Anregung kompensierbar.

Die im Eingangsfederschwinger mit der ersten Metallfläche 3 und der ersten Metallzunge 4 generierten Schwingungen werden damit auf die zweite Metallzunge 6 des Ausgangsfederschwingers übertragen und regen diese zu Schwingungen mit ihrer Eigenresonanzfrequenz an. Ist der Ausgangsfederschwinger mit der zweiten Metallfläche 5 und der zweiten Metallzunge 6 hochohmig mit einer Gleichspannungsquelle verbunden, stellt sich an der zweiten Metallfläche 5 das Potential der Gleichspannungsquelle gegenüber dem Siliziumsubstrat 1 ein. Auch zwischen der zweiten Metallfläche 5 und dem Siliziumsubstrat 1 besteht eine Kapazität von einigen fF, die sich aber entsprechend den mechanischen Schwingungen der zweiten Metallzunge 6 periodisch ändert. Da die Ladung auf Grund des hochohmigen Anschlusses der Gleichspannungsquelle nicht abfließen kann, ändert sich entsprechend den mechanischen Schwingungen der zweiten Metallzunge 6 das Potential zwischen der zweiten Metallfläche 5 und dem Siliziumsubstrat 1. Diese Potentialänderung kann entweder direkt oder vorzugsweise mit Hilfe eines Verstärkers als Ausgangssignal gewonnen werden.

Zur Erzielung der gewünschten Filtereigenschaften läßt sich eine Mehrzahl derartiger elementarer Filteranordnungen in einem integrierten Schaltkreis ausbilden, wobei jeweils ein Ausgangsfederschwinger mit dem Eingangsfederschwinger der nachfolgenden elementaren Filteranordnung elektrisch in Reihe geschaltet ist. Zur Variation der Filtereigenschaften ist es weiter möglich, die ersten und zweiten Metallflächen 3; 5 der Eingangs- und Ausgangsfederschwinger mit jeweils mehr als nur einer ersten bzw. zweiten Metallzunge 4; 6 auszustatten. Weiter ist es auch möglich, eine zusätzliche Gleichspannung an die ersten und zweiten Metallflächen 3; 5 der Eingangs- und Ausgangsfederschwinger anzuschalten, wodurch eine mechanische Vorspannung erzielbar ist. Damit lassen sich in einem bestimmten Maß Änderungen der Zeitkonstante und der Resonanzfrequenz herbeiführen.

Es ist weiter darauf hinzuweisen, daß die Eingangs- und Ausgangsfederschwinger in Form der ersten und zweiten Metallfläche 3; 5 und der ersten und zweiten Metallzunge 4; 6 nicht unbedingt metallischer Natur sein müssen. Notwendiges Kriterium ist ihre elektrische Leitfähigkeit. So können der Eingangs- und Ausgangsfederschwinger durchaus auch aus einem anderen leitfähigen Material hergestellt sein, beispielsweise aus Polysilizium oder aus einer Kombination von isolierenden Schichten mit Polysilizium und/oder Metall. Von entscheidender Bedeutung sind schließlich die Isolationseigenschaften der isolierenden Brücke 7. Eine gute Isolation von Eingangs- zu Ausgangsfederschwinger sowie von Filtereingang zu Filterausgang gehört zu den Grundbedingungen für ein Filter in dem angestrebten Frequenzbereich.

Ein derartiges monolithisch integriertes Filter läßt sich mit Hilfe der in jedem integrierten Schaltkreis vorhandenen Isolier- und Metallschichten aufbauen. Das bedeutet, daß sich die meisten Schritte zu seiner Herstellung in die praktizierten Si-basierenden Standardtechnologien einfügen lassen und daß während der Herstellung eines Schaltkreises, der ein monolithisch integriertes Filter enthält, lediglich ein zusätzlicher, erfindungsgemäßer Schritt auszuführen ist.

Anhand der Fig. 2 bis 6 wird als ein Ausführungsbeispiel der technologische Ablauf zur Herstellung eines Si-basierenden integrierten Schaltkreises dargestellt, der unter anderem das erfindungsgemäße monolithisch integrierte Filter enthält. Die dargestellten technologischen Schritte sind in diesem Ausführungsbeispiel zwar auf das monolithisch integrierte Filter begrenzt, jedoch sind die meisten Schritte für sich Teile von Standardtechnologien und dienen auch zur Ausbildung der übrigen in diesem Schaltkreis vorhandenen Strukturen. Es entspricht der erfindungsgemäßen Lehre, die technologischen Schritte der Standardtechnologien in einer neuen und erfindungsgemäßen Weise zu nutzen. So zeigt Fig. 2 das Siliziumsubstrat 1, auf das als ein Teil der ersten Isolierschicht 2 ganzflächig eine erste Schicht Feldoxid 9 aus SiO2 aufgebracht wird. Darauf wird, wie in Fig. 3 gezeigt, eine Zwischenschicht 10 als eine Ätzbarriere gelegt und darüber eine zweite Schicht CVD-Oxid 9 aus SiO2 aufgebaut. Fig. 4 verdeutlicht, wie über der ersten Isolierschicht 2, bestehend aus zwei Oxidschichten 9 aus SiO2 und einer Zwischenschicht 10 aus Si3N4, die zweite Isolierschicht 8 aus Si3N4 aufgebracht und mittels eines ersten Maskenschrittes die Region der isolierenden Brücke 7 definiert wird. In Fig. 5 wird nunmehr dargestellt, wie über die Strukturen der zweiten Isolierschicht 8, das heißt auch über die Region der zuvor definierten isolierenden Brücke 7, ein Metall ganzflächig, beispielsweise durch Sputtern, als eine Leitschicht aufgebracht wird. Durch einen zweiten Maskenschritt wird die Leitschicht strukturiert. In diesem Strukturierungsschritt werden neben Leiterzügen und Bondpads die für das monolithisch integrierte Filter erforderlichen Eingangs- und Ausgangsfederschwinger mit ihren ersten und zweiten Metallflächen 3; 5 und den zugehörigen ersten und zweiten Metallzungen 4; 6 geformt. Erfindungsgemäß wird nunmehr in einem folgenden Schritt, wie in Fig. 6 gezeigt, durch ein bewußt herbeigeführtes Unterätzen mit einer isotropen Ätztiefe ein Teil der ersten Isolierschicht 2, nämlich die zweite Schicht CVD-Oxid 9 aus SiO2, unter den ersten und zweiten Metallzungen 4; 6 entfernt. In diesem Ätzschritt wird zugleich auch der nicht benötigte Schichtaufbau auf der Rückseite des Siliziumsubstrats 1 entfernt. Damit die unterätzten ersten und zweiten Metallzungen 4; 6 nicht abfallen, befinden sich ihre zugehörigen ersten und zweiten Metallflächen 3; 5 auf der nicht entfernten, restlichen zweiten Oxidschicht 9 aus SiO2.

In der vorliegenden Beschreibung wurde anhand eines konkreten Ausführungsbeispiels das erfindungsgemäße monolithisch integrierte Filter und das Verfahren zu seiner Herstellung erläutert. Es sei aber vermerkt, daß die vorliegende Erfindung nicht auf die Einzelheiten der Beschreibung in dem Ausführungsbeispiel beschränkt ist, da im Rahmen der Ansprüche Änderungen und Abwandlungen beansprucht werden.


Anspruch[de]
  1. 1. Monolithisch integriertes Filter, dadurch gekennzeichnet, daß über einem Substrat mit mindestens einer ersten und einer zweiten Isolierschicht (2; 8) und einer elektrisch leitfähigen Schicht in der Ebene der elektrisch leitfähigen Schicht eine erste elektrisch leitende Fläche mindestens eine erste elektrisch leitende Zunge aufweist, daß benachbart eine zweite elektrisch leitende Fläche mindestens eine zweite elektrisch leitende Zunge aufweist und daß die ersten und zweiten elektrisch leitenden Zungen durch eine isolierende Brücke (7) mechanisch verbunden sind.
  2. 2. Monolithisch integriertes Filter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat ein Siliziumsubstrat (1) ist.
  3. 3. Monolithisch integriertes Filter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch leitfähige Schicht eine metallische Leitschicht ist.
  4. 4. Monolithisch integriertes Filter nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch leitfähige Schicht ein dotiertes Polysilizium ist.
  5. 5. Monolithisch integriertes Filter nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch leitfähige Schicht ein undotiertes Polysilizium ist.
  6. 6. Monolithisch integriertes Filter nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die erste elektrisch leitende Fläche eine erste Metallfläche (3) oder eine Fläche aus Polysilizium ist.
  7. 7. Monolithisch integriertes Filter nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die erste elektrisch leitende Zunge eine erste Metallzunge (4) oder eine Zunge aus Polysilizium ist.
  8. 8. Monolithisch integriertes Filter nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Länge der ersten elektrisch leitenden Zunge größer ist als ihre Breite.
  9. 9. Monolithisch integriertes Filter nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die erste elektrisch leitende Fläche benachbart in derselben Ebene zur zweiten elektrisch leitenden Fläche angeordnet ist.
  10. 10. Monolithisch integriertes Filter nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite elektrisch leitende Fläche eine zweite Metallfläche (5) oder eine Fläche aus Polysilizium ist.
  11. 11. Monolithisch integriertes Filter nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite elektrisch leitende Zunge eine zweite Metallzunge (6) oder eine Zunge aus Polysilizium ist.
  12. 12. Monolithisch integriertes Filter nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Eigenfrequenzen der ersten und zweiten elektrisch leitenden Zunge mindestens annähernd gleich groß sind.
  13. 13. Monolithisch integriertes Filter nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Eigenfrequenzen der ersten und zweiten elektrisch leitenden Zunge sich durch ein ganzes Vielfaches unterscheiden.
  14. 14. Monolithisch integriertes Filter nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die erste elektrisch leitende Zunge und die zweite elektrisch leitende Zunge mindestens annähernd gleich groß sind.
  15. 15. Monolithisch integriertes Filter nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten und zweiten elektrisch leitenden Zungen im Bereich ihrer quer zu der Ebene frei beweglichen Länge durch eine isolierende Brücke (7) in einer der benachbarten Ebenen mechanisch verbunden sind.
  16. 16. Monolithisch integriertes Filter nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß eine Mehrzahl erster und zweiter elektrisch leitender Flächen, insbesondere erster und zweiter Metallflächen (3; 5) mit jeweils ersten und zweiten elektrisch leitenden Zungen, insbesondere Metallzungen (4; 6), und je einer isolierenden Brücke (7) elektrisch derart in Reihe geschaltet sind, daß jeweils eine zweite elektrisch leitende Fläche, insbesondere eine zweite Metallfläche (5), mit einer folgenden ersten elektrisch leitenden Fläche, insbesondere Metallfläche (3), verbunden ist.
  17. 17. Monolithisch integriertes Filter nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß eine Mehrzahl erster und zweiter elektrisch leitender Flächen, insbesondere erster und zweiter Flächen aus Polysilizium, mit jeweils ersten und zweiten elektrisch leitenden Zungen, insbesondere Zungen aus Polysilizium, und je einer isolierenden Brücke (7) elektrisch derart in Reihe geschaltet sind, daß jeweils eine zweite elektrisch leitende Fläche, insbesondere eine Fläche aus Polysilizium, mit einer folgenden ersten elektrisch leitenden Fläche, insbesondere einer Fläche aus Polysilizium, verbunden ist.
  18. 18. Verfahren zur Herstellung eines monolithisch integrierten Filters nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß auf ein Substrat, insbesondere ein Siliziumsubstrat (1), eine erste Isolierschicht (2) aufgebracht wird, daß im Layout einer darüberliegenden zweiten Isolierschicht (8) eine vorgesehene Anzahl isolierender Brücken (7) ausgebildet wird, daß im Layout einer darüberliegenden elektrisch leitenden, insbesondere metallischen Leitschicht eine vorgesehene Anzahl erster und zweiter elektrisch leitender, insbesondere Metallflächen (3; 5) mit ersten und zweiten elektrisch leitenden, insbesondere Metallzungen (4; 6) derart ausgebildet wird, daß die isolierenden Brücken (7) jeweils eine erste und eine zweite elektrisch leitende, insbesondere Metallzunge (4; 6) im Bereich ihrer Länge verbindet und daß durch einen Ätzvorgang mit einer isotropen Ätztiefe die erste Isolierschicht (2) in den Bereichen unter den beiden elektrisch leitenden, insbesondere Metallzungen (4; 6) zumindest teilweise entfernt wird.
  19. 19. Verfahren zur Herstellung eines monolithisch integrierten Filters nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß auf das Siliziumsubstrat (1) eine erste Isolierschicht (2) aufgebracht wird, daß im Layout einer darüberliegenden zweiten Isolierschicht (8) eine vorgesehene Anzahl isolierenden Brücken (7) ausgebildet wird, daß im Layout einer darüberliegenden metallischen Leitschicht eine vorgesehene Anzahl erster und zweiter Metallflächen (3; 5) mit ersten und zweiten Metallzungen (4; 6) derart ausgebildet wird, daß die isolierenden Brücken (7) jeweils eine erste und eine zweite Metallzunge (4; 6) im Bereich ihrer Länge verbindet und daß durch einen Ätzvorgang mit einer isotropen Ätztiefe die erste Isolierschicht (2) in den Bereichen unter den beiden Metallzungen (4; 6) zumindest teilweise entfernt wird.






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