Die Erfindung betrifft Verfahren zur Herstellung von
Signalverarbeitungseinrichtungen mit Auswertung akustischer Oberflächenwellen,
wobei im einzelnen die Einstellung der Frequenzeigenschaften derartiger Einrichtungen
betroffen ist.
Auf diesem Gebiete der Technik ist es bekannt, Einrichtungen zur
Signalverarbeitung mit Auswertung akustischer Oberflächenwellen, beispielsweise
Resonatoren, Verzögerungsleitungen, Filter und Druck-Signalwandler, in einer Vielzahl
von Anwendungsfällen einzusetzen. Im allgemeinen enthält eine Einrichtung zur
Signalverarbeitung mit Auswertung akustischer Oberflächenwellen mindestens einen
Wandler, welcher eine Gruppe leitfähiger Elemente enthält, welche auf einer Oberfläche
eines piezoelektrischen Substrats angeordnet oder in diese Oberfläche eingelassen sind.
Es ist eine neue Bauart einer Packung einer solchen Einrichtung entwickelt
worden, bei welcher diese hermetisch in eine Baueinheit eingeschlossen ist. Diese neue
Baueinheit oder Packung enthält ein Paar piezoelektrischer Substrate, welche durch eine
Glasfritte zusammengeschlossen sind, wie sie in der Veröffentlichung "Saw Resonator
Frit Bonded Pressure Transducer" von D. Weirauch und Mitarbeiter, Proceedings of the
IEEE Ultrasonic Symposium, 1979, Seite 874, und einer Veröffentlichung "Long Term
Aging, A Mechanical Stability of 1,4 Ghz SAW Oscillators" von M. Gilden und
Mitarbeiter, Proceddings of the IEEE Ultrasonic Symposium, 1980, Seite 184
beschrieben sind. Eine weitere Packungsbauart ist in der US-Patentschrift 4 270 107
beschrieben (Erteilungsdatum 26. Mai 1981, Titel: "Stabilized Surface Wave Device".
Aus der US-Patentschrift 4 213 104 ist es ferner bekannt,
Signalverarbeitungseinrichtungen mit Auswertung akustischer Oberflächenwellen
hermetisch in einem evakuierten Raum zu kapseln, wobei thermisch verursachte
Spannungen und damit mögliche Frequenzverschiebungen dadurch vermieden werden,
daß eine Gehäusestruktur aufgebaut wird, welche aus demselben Material besteht wie
das Substrat.
Zwar ermöglichen diese Packungskonstruktionen eine verbesserte Kapselung und
Handhabung von Einrichtungen zur Signalverarbeitung mit Auswertung akustischer
Oberflächenwellen, doch ergibt sich ein Problem bei diesen Packungen, daß während
der Herstellung der Packung die Frequenzeigenschaften der gekapselten Einrichtung zur
Signalverarbeitung mit Auswertung akustischer Oberflächenwellen verändert werden
und zwar von den Eigenschaften vor der Packung der Einrichtung zu dem Zustand nach
der Kapselung. Beispielsweise kann bei akustischen Oberflächenwellenresonatoren, die
bei etwa 350 MHz arbeiten, die Frequenzverschiebung im Mittelwert etwa 0,045
Promille betragen und kann eine standardisierte Abweichung von nicht weniger als
±0,015 Promille ausmachen. Bei anderen Gerätearten und Geräten, welche so ausgelegt
sind, daß sie bei höheren Frequenzen arbeiten, kann sowohl der Betrag als auch die
normierte Abweichung der Frequenzverschiebung höher liegen, so daß eine genaue
Einstellung der Frequenzeigenschaften entsprechender Einrichtungen zur
Signalverarbeitung mit Auswertung akustischer Oberflächenwellen schwieriger wird. In
vielen Anwendungsfällen ist aber eine genaue Frequenzeinstellung auf ±0,01 Promille
erwünscht.
Eine Lösung dieses Problems war bisher das Vorsehen äußerer elektrischer
Bauteile zur Einstellung der Frequenzeigenschaften der entsprechenden Schaltungen
unter Verwendung von Einrichtungen zur Signalverarbeitung mit Auswertung
akustischer Oberflächenwellen. Die Schwierigkeit bei diesen Lösungen besteht darin,
daß die äußere Frequenzeinstellung sehr zeitraubend ist, verhältnismäßig aufwendige
Bauteile erfordert, da die Anzahl der Bauteile, welche für eine bestimmte Einrichtung
zur Signalverarbeitung mit Auswertung akustischer Oberflächenwellen notwendig ist,
erhöht wird und schließlich dadurch, daß die Bauteile selbst, welche in derartigen
Einrichtungen eingesetzt werden, zu einer Frequenzveränderung in den Schaltungen
beitragen.
Aus der US-Patentschrift 4 107 349 ist es weiterhin bekannt, die
Resonanzfrequenzen eines piezoelektrischen Resonators dadurch zu justieren, daß auf
dem Resonator Ablagerungen erzeugt werden. Diese Ablagerungen werden nach
Kapselung des Gerätes in der Weise erzeugt, daß durch eine transparente Gehäusewand
des Gerätes Strahlung in den Gehäuseinnenraum geleitet wird, in welchem sich ein
polymerisierbares Gas befindet, das unter Strahlungseinwirkung die Ablagerungen auf
dem Resonator bildet. Dieses bekannte Verfahren ist gemäß der genannten US-
Patentschrift auch bei Geräten mit Auswertung akustischer Oberflächenwellen
anwendbar. Schließlich ist es aus der US-Patentschrift 4 442 574 bekannt, ein Gerät mit
Auswertung akustischer Oberflächenwellen in seiner Frequenz dadurch zu justieren, daß
auf dem Substrat metallische Justierschichten vorgesehen werden, die mittels eines
Lasers unter Beobachtung des Frequenzganges des Gerätes abgetragen werden, bis
schließlich das gewünschte Frequenzverhalten erreicht ist. Eine Abtragung der
Justierschicht nach einer Kapselung ist bei dem bekannten Gerät bzw. dem bekannten
Verfahren nicht vorgesehen.
Durch die Erfindung soll die Aufgabe gelöst werden, Geräte mit akustische
Oberflächenwellen fortleitenden Substraten in solcher Weise herstellen zu können, daß
eine Frequenzjustierung nach der Kapselung der Geräte möglich ist und gleichzeitig die
Güte und die Dämpfungseigenschaften durch die Justierungsmöglichkeit nicht
verschlechtert werden.
Erfindungsgemäß wird eine Lösung dieser Aufgabe durch die Merkmale erreicht,
die in Anspruch 1 oder in Anspruch 2 oder in Anspruch 3 genannt sind.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der hier angegebenen
Verfahren sind Gegenstand der den Ansprüchen 1 bis 3 nachgeordneten
Patentansprüche.
Im einzelnen ist vorgesehen, Energie durch eine Basis oder einen Deckel eines
Bauelements zur Signalverarbeitung mit Auswertung akustischer Oberflächenwellen
einzuleiten, wobei die für die Wellenausbreitung vorgesehene Oberfläche an der Basis
oder dem Deckel vorgesehen ist und die Energie ein erstes Material an der betreffenden
Oberfläche oder über der betreffenden Oberfläche trifft, um entweder eine Schicht eines
bestimmten Materials auf der wellenübertragenen Oberfläche vorzusehen oder eine
Schicht auf der wellenübertragenden Oberfläche des Bauteils abzutragen, um die
Übertragungseigenschaften der Oberfläche zu ändern. Durch diese Maßnahme wird die
Schicht, welche durch ihr Vorhandensein oder Nichtvorhandensein auf der
wellenübertragenen Oberfläche deren Übertragungseigenschaften ändert, geschaffen
oder beeinflußt, wodurch eine Einstellung oder Justierung der Frequenzeigenschaften
der gepackten Einrichtung zur Signalverarbeitung mit Auswertung akustischer
Oberflächenwellen möglich wird.
Gemäß einem Aspekt des hier vorgeschlagenen Prinzips wird ein Verfahren zur
Änderung der Ausbreitungsgeschwindigkeit von Oberflächenwellen einer gepackten
Einrichtung der hier angegebenen Art dadurch geschaffen, daß eine Strahlungsenergie
durch ein Deckelteil der gepackten Einrichtung geleitet wird, so daß ein Teil einer
Materialschicht, welche auf der Oberfläche, welche die sich ausbreitenden
Oberflächenwellen der Einrichtung führt, abgetragen wird. Bei dieser besonderen
Maßnahme bewirkt
die kleine lokalisierte Materialabtragung eine geringere Änderung
der akustischen Übertragungseigenschaften bezüglich akustischer
Oberflächenwellen, so daß eine Änderung der Frequenzeigenschaften
der betreffenden Einrichtungen erzielt wird.
Gemäß einer anderen Ausführungsform wird ein Verfahren zur
Änderung der Übertragungsgeschwindigkeit von Oberflächenwellen bei
gepackten Einrichtungen zur Signalverarbeitung mit Auswertung
akustischer Oberflächenwellen angegeben, bei welchen ein
Deckelteil über einer entsprechenden Einrichtung vorgesehen ist, die
eine Kapselung über der wellenübertragenden Oberfläche bildet,
wobei entweder das Deckelteil oder die Basis oder beide Teile
aus einem Material bestehen, das für Energie einer bestimmten
Wellenlänge im wesentlichen transparent ist. Eine Materialschicht
ist auf einer Innenfläche eines Teiles des Deckels der
Einrichtung vorgesehen. Die Strahlungsenergie wird auf die betreffende
Materialschicht durch den transparenten Deckel oder durch die
Basis hindurch hingeleitet, um bestimmte Bereiche des Materials
von der Schicht zu entfernen, wobei sich die entfernten Bereiche
der Materialschicht auf der oberflächenwellenübertragenden
Fläche der Einrichtung ablagern. Hierdurch werden die
Übertragungseigenschaften und die Ausbreitungsgeschwindigkeit verändert
und dadurch ändert sich die Frequenzcharakteristik der gepackten
Einrichtung zur Signalverarbeitung mit Auswertung akustischer
Oberflächenwellen zwecks Einstellung der Einrichtung nach der
Packung. Das sich wieder ablagernde Material erzeugt eine kleine
lokalisierte Änderung der akustischen Eigenschaften der
piezoelektrischen Oberfläche, wodurch eine Änderung der
Ausbreitungsgeschwindigkeit der Oberflächenwellen eintritt. Diese Änderung
der Ausbreitungsgeschwindigkeit der Oberflächenwellen führt
zu einer entsprechenden Änderung der Frequenzeigenschaften der
Einrichtung der hier betrachteten Art.
Bei einem besonderen Ausführungsbeispiel ist das Deckelteil der
Einrichtung aus Quarz gefertigt und dieses Deckelteil ist daher
transparent gegenüber Lichtenergie von einer Laserquelle, welche
Strahlung im Wellenlängenbereich von etwa 0,185 µ bis 4 µ
liefert. Auf der Innenseite des Quarz-Deckelteiles ist ein
Flecken oder eine Ablagerung vorgesehen, welche eine erste
Schicht eines thermischen Puffermaterials, eine zweite Schicht
eines Energieumwandlungsmaterials und eine dritte Schicht eines
übertragbaren oder verdampfbaren Materials enthält. Die
einfallende optische Energie wird auf die erwähnte Ablagerung oder
den erwähnten Flecken gerichtet. Das Quarz-Deckelteil und die
erste Schicht bilden thermisches Puffermaterial und sind im
wesentlichen transparent gegenüber der einfallenden optischen
Energie. Diese Energie heizt jedoch die zwischenliegende
Energieumwandlungsschicht auf, die zwischen der thermischen
Pufferschicht und dem abtragbaren Material der nach innen zu weisenden
Schicht gelegen ist. Die in der Energieumwandlungsschicht
erzeugte Hitze bewirkt, daß die abtragbare oder verdampfbare
Schicht abgetragen oder verdampft wird und sich auf den darunter
liegenden Bereichen der piezoelektrischen Oberfläche ablagert.
Die erste dielektrische Schicht, welche vorstehend als
Pufferschicht bezeichnet ist, dient dazu, das Quarz-Deckelteil vor
der Hitze zu schützen, die in der Energieumwandlungsschicht
erzeugt wird. Bei diesem Ausführungsbeispiel werden die
Frequenzeigenschaften einer Einrichtung zur Signalverarbeitung mit
Auswertung akustischer Oberflächenwellen unter Verwendung eines
Lasers justiert, welcher bewirkt, daß selektiv ein bestimmter
Bereich der abtragbaren oder verdampfbaren Schicht auf der
oberflächenwellenübertragenden Schicht der Einrichtung wieder
abgelagert wird, so daß die Ausbreitungsgeschwindigkeit von
Oberflächenwellen und damit die Frequenzeigenschaften der
Einrichtung justiert werden können.
Gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegend angegebenen
Maßnahmen ist vorgesehen, bei einer Einrichtung zur
Signalverarbeitung mit Auswertung akustischer Oberflächenwellen eine
Justierung der Frequenzeigenschaften bzw. der
Ausbreitungsgeschwindigkeit der Oberflächenwellen ein transparentes Deckelteil
der Kapselung vorzusehen, welches elektromagnetische Energie
in einem bestimmten Wellenlängenbereich durchläßt, so daß die
Oberfläche, auf der sich die Oberflächenwellen ausbreiten, für
diese Energie zugänglich ist. Ein stark gebündelter Strahl der
Energie oder ein Paar von Energiestrahlen, welche einen
bestimmten Einfallswinkel aufweisen, so daß sie auf der
oberflächenwellenübertragenden Oberfläche konvergieren, wird auf die
Oberfläche fokussiert, so daß sich örtlich eine ausreichende
Intensität ergibt, um selektiv bestimmte Teile der
oberflächenwellenübertragenden Oberfläche zu entfernen. Aufgrund dieser
Entfernung von bestimmten Bereichen der piezoelektrischen
Oberfläche erhält man eine kleine örtliche Änderung der akustischen
Übertragungseigenschaften und damit eine Änderung der
Ausbreitungsgeschwindigkeit der Oberflächenwellen. Hierdurch können
die Frequenzeigenschaften des betreffenden Gerätes ebenfalls
beeinflußt werden, obwohl bereits die gesamte Packung der
Einrichtung hergestellt ist.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen
unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert. Im
einzelnen stellen dar:
Fig. 1 eine Aufsicht auf eine gepackte Einrichtung zur
Signalverarbeitung mit Auswertung akustischer
Oberflächenwellen vor einer Justierungsmaßnahme
der hier angegebenen Art,
Fig. 2 einen Schnitt durch die Einrichtung nach Fig. 1
entsprechend der in Fig. 1 angegebenen
Schnittlinie 2-2,
Fig. 2A in vergrößertem Maßstab einen Ausschnitt der
Querschnittsansicht von Fig. 2 entsprechend der
in dieser Figur angegebenen Linie 2A-2A,
Fig. 3 eine Aufsicht auf eine gepackte Einrichtung ähnlich
der Darstellung von Fig. 1 nach Vornahme der
Frequenzjustierung durch die hier angegebenen
Maßnahmen,
Fig. 4 eine Querschnittsansicht entsprechend der in Fig.3 angegebenen Schnittlinie 4-4,
Fig. 4A eine vergrößerte Darstellung der
Schnittansicht nach Fig. 4 entsprechend der in
dieser Zeichnungsfigur angegebenen Linie 4A-4A,
Fig. 4B eine Schnittansicht einer Einrichtung zur
Erläuterung einer weiteren Ausführungsform,
Fig. 5 eine Querschnittsansicht einer anderen
Ausführungsform einer Einrichtung der hier
angegebenen Art, bei welcher zur Justierung
zwei konvergierende gerichtete Energiestrahlen
eingesetzt werden,
Fig. 5A eine vergrößerte Ansicht der
Schnittdarstellung von Fig. 5 entsprechend der in
dieser Zeichnungsfigur angegebenen Linie
5A-5A,
Fig. 6 eine Querschnittsdarstellung einer wiederum
anderen Ausführungsform einer Einrichtung
der hier angegebenen Art, bei welcher zur
Justierung zwei konvergierende Strahlen
gerichteter Energie eingesetzt werden, um einen
Ablagerungsflecken auf der wellenübertragenden
Oberfläche teilweise abzutragen,
Fig. 6A eine vergrößerte Schnittdarstellung entsprechend
der in Fig. 6 angegebenen Linie 6A-6A,
Fig. 7 eine Querschnittsansicht einer weiteren
Ausführungsform einer Einrichtung der hier
angegegebenen Art mit einer Gasmischung, welche
in der Packung eingeschlossen ist und
Strahlungsenergie auf diese Gasmischung
gerichtet wird, um eine Materialschicht auf der
wellenübertragenden Oberfläche
abzulagern und
Fig. 7A eine vergrößerte Ansicht entsprechend der
in Fig. 7 angegebenen Linie 7A-7A.
Es sei zunächst auf die Fig. 1, 2 und 2A Bezug genommen.
Sie zeigen eine gepackte Einrichtung zur Signalverarbeitung
mit Auswertung akustischer Oberflächenwellen, vorliegend einen
Resonator 10 mit einer Basis 12, dessen Oberfläche 12a für die,
Ausbreitung von Oberflächenwellen vorgesehen ist, einem
Deckelteil 14 und einer zur Abdichtung dienenden Glasfritte 16. Die
Basis 12 ist aus ST-geschnittenem oder gedreht ST-geschnittenem
Quarz gefertigt und trägt auf der Oberfläche 12a ein Paar von
interdigital ausgebildeten Wandlern 20 und 24 sowie
Reflexionsgitter 27 und 29. Die interdigital ausgebildeten Wandler 20
und 24 sind in der dargestellten Weise an Sammelleiter 18a
und 18b bzw. 19a und 19b angeschlossen. Über der Basis 12
befindet sich das Deckelteil 14, das ebenfalls aus
ST-geschnittenem oder gedreht ST-geschnittenem Quarz gefertigt ist. Quarz
ist charakteristischerweise 85% bis 95% transparent gegenüber
Energie mit einer Wellenlänge im Bereich von etwa 0,185 µ
bis 4,0 µ bezüglich Proben oder Schichtdicken von 1 mm bis
3 mm Dicke. Alternativ können die Basis 12 und das
Deckelteil 14 aus anderen transparenten Werkstoffen gefertigt sein,
beispielsweise aus Lithiumniobat. Die Basis 12 und das
Deckelteil 14 sind dicht aufeinandergesetzt, was unter Verwendung
einer geeigneten Glasfritte 16 erreicht sein kann. Das
Deckelteil 14 hat eine Breite wc, welche kleiner ist als die Breite
wb der Basis 12, so daß nach dem Aufeinandersetzen von
Deckelteil und Basis die Sammelleiter 18a und 18b sowie 19a und 19b
im Randbereich der Basis freiliegen, um entsprechende
elektrische Kontakte zu äußeren Bauteilen hin herstellen zu können.
Wie in Vergrößerung in Fig. 2A dargestellt ist, befindet sich
auf der Innenfläche 14a des Deckelteiles 14, einen Teil der
Innenfläche überdeckend, ein Schichtverband 26 mehrerer
Schichten mit einer thermischen Pufferschicht oder
thermoschockabsorbierenden Schicht 26a, einer Energieumwandlungsschicht 26b
und einer thermisch verdampfbaren oder abtragbaren Schicht 26c.
Bei dieser besonderen Anordnung enthält die
thermoschocksorbierende Schicht 26a ein dielektrisches Material, welches
gegenüber der einfallenden Energie im wesentlichen
transparent ist, wobei die Energie durch das Deckelteil 14 der
Einrichtung hindurch in der nachfolgend zu beschreibenden Weise
gerichtet wird, wobei jedoch ein ausreichender thermischer
Widerstand vorgesehen ist, um das Deckelteil 14 thermisch
gegenüber der Hitzeentwicklung zu puffern, die in der
energieabsorbierenden Schicht 26b erzeugt wird, worauf nachfolgend
ebenfalls näher eingegangen wird. Die
Energieumwandlungsschicht 26b besteht aus einem Material, welches die
einfallende Energie im wesentlichen absorbiert, die über das
Deckelteil 14 und die Pufferschicht 26a die
Energieumwandlungsschicht erreicht, welche die Aufgabe hat, die einfallende,
gebündelte Energie in Wärme umzuwandeln. Die thermisch
abtragbare oder verdampfbare Schicht 26c befindet sich über der
Strahlungsumwandlungsschicht 26b und absorbiert zumindest
anteilsweise die von der Schicht 26b erzeugte
Strahlungsenergie oder Wärmeenergie und wenn die erzeugte Energie eine
ausreichende Intensität erreicht, so wird die Schicht 26c
teilweise entfernt und insbesondere abgetragen oder verdampft
und setzt sich auf der Oberfläche 12a, wie in Fig. 4 gezeigt,
wieder ab oder kondensiert darauf. Die Menge der wieder
abgelagerten Materialien ist so bemessen, daß sie dazu
ausreichen, die Übertragungsgeschwindigkeit für Oberflächenwellen
auf der Oberfläche der Einrichtung zu verändern und dadurch
die Frequenzübertragungseigenschaften der Einrichtung in der
gewünschten Weise zu justieren.
Es sei nun auf die Fig. 3, 4 und 4a Bezug genommen.
Einfallende Strahlungsenergie entsprechend dem Strahlungsstrahl
30 erreicht über das Deckelteil 14 den zur Justierung
dienenden Materialteil 26. Die einfallende Energie durchdringt die
transparente Pufferschicht 26a und wird durch ausgewählte,
darunterliegende Bereiche der Energieumwandlungsschicht 26b
absorbiert. Die Umwandlungsschicht 26b formt die einfallende
Energie in Wärme um. Die Wärme in der Umwandlungsschicht 26b
bewirkt die Abtragung oder Verdampfung von Bereichen der
Schicht 26c, wie in den vorgenannten Figuren dargestellt ist.
In Abhängigkeit von der Impulsbreite, dem Leistungspegel, der
Wellenlänge und der Wiederholungsrate der Energieimpulse wird
die Schicht 26c entweder bei niedrigen Energieniveaus
verdampft oder bei höheren Energieniveaus abgetragen.
Darüberhinaus läßt sich bei ausreichenden Energieniveaus erreichen,
daß ausgewählte Bereiche jeder der Schichten 26a bis 26c
entfernt werden. Das abgetragene Material wird entweder
abgestoßen oder für eine Kondensation verdampft und lagert sich
wieder als eine Schicht 34 auf der Basis 12 der Einrichtung
10 ab. Das Vorhandensein der Ablagerung 34 auf der Oberfläche
12a der Basis 12 vermindert die Übertragungsgeschwindigkeit
für Oberflächenwellen in diesem Bereich aufgrund der
Massenablagerung gegenüber Oberflächenwellen, die über die
Oberfläche der Basis sich ausbreiten. Durch Erhöhung der Anzahl der
Ablagerung 34 und ihrer Breite sowie der gesamten Masse kann
der Einstellbereich bezüglich der Ausbreitungsgeschwindigkeit
der Oberflächenwellen justiert werden.
Besondere Beispiele von Einrichtungen unter Einsatz der hier
angegebenen Maßnahmen seien nachfolgend beschrieben. Wie in
den Fig. 3, 4 und 4A gezeigt, kann ein Bearbeitungsstrahl,
vorliegend in Gestalt eines Lichtstrahls von einem Laser
(siehe anliegende Tabelle) erzeugt werden, der auf die
wellenübertragende Oberfläche hin gerichtet ist und Breiten hat,
die in der Größenordnung der Wellenlänge der akustischen
Wellen innerhalb der Einrichtung dimensioniert ist (typisch im
Bereich von 2,5 µ bis 50 µ). Das bedeutet, daß eine lange,
schmale Linie des Strahlungsquerschnittes über die Breite
der wellenübertragenden Oberfläche hin gerichtet ist und so
zentriert ist, daß sie parallel zu dem Zwischenraum zwischen
den interdigitalen Wandlerelementen verläuft und durch das
Deckelteil der Einrichtung dringt. Dieser Energiestrahl wird
von dem zusammengesetzten, strahlungsabsorbierenden Flecken 26
aufgefangen, welcher sich auf der Innenfläche 14a des
Deckelteiles 14 befindet. Aufgrund dieser Orientierung und
Querschnittsgestalt des Laserstrahls wird die vorzugsweise aus
Aluminium bestehende Schicht 26b selektiv in einem Teil ihres
Bereiches durch den einfallenden Laserstrahl erhitzt. Aufgrund
dieser örtlichen Erhitzung der Aluminiumschicht werden Teile
der darauf befindlichen Aluminiumoxidschicht 26c verdampft
oder von der Aluminiumschicht 26b abgetragen und setzen sich
auf der darunter befindlichen wellenübertragenden Oberfläche
12a ab. Da, wie im einzelnen festzustellen ist, der Betrag
der Frequenzjustierung von der Masse des wieder abgelagerten
Materials auf der wellenübertragenden Oberfläche abhängig ist,
kann der Betrag der Frequenzjustierung je Impuls des Lasers
durch Steuerung der Breite und der Amplitude des
Laserimpulses beeinflußt werden und kann auch von der Stärke des
Materials abhängig sein, das auf der Innenfläche des Deckelteiles
14 zur Verfügung gehalten wird. Wird der gesamte Abstand
zwischen den Interdigitalwandlern ausgenützt, so kann man im
Bereich einer maximalen Frequenzverschiebung von über 1%
justieren. Es ist jedoch zu vermuten, daß derartige
Justierungsbereiche sowohl die Betriebsdämpfung als auch die Leerlaufgüte
der Einrichtung verschlechtern würden. Da jedoch nur 0,025 bis
0,05 Promill einer Justierung im allgemeinen zur
Berücksichtigung der Frequenzverschiebungen nach der Packung der
Einrichtung erforderlich sind, wird im allgemeinen nur ein kleiner
Teil der Deckelablagerung auf den aktiven Bereichen zwischen
den Interdigitalwandlern auf der wellenübertragenden
Oberfläche wieder abgelagert.
Gemäß einem praktischen Ausführungsbeispiel wurden vier
Einrichtungen der hier angegebenen Art mit einer
Betriebsfrequenz von 402 MHz in der vorstehend angegebenen Weise
justiert. Ein dreischichtiger Verband gemäß Fig. 4 wurde auf
der Innenfläche des Deckelteiles 14 abgelagert, wobei dieser
Verband eine 40 nm dicke Schicht aus Aluminiumoxid Al2O3
entsprechend der Schicht 28a, eine 10 nm dicke Schicht aus
Aluminium entsprechend der Schicht 26b und eine 25 nm dicke
Schicht aus Aluminiumoxid entsprechend der Schicht 26c
enthielt. Die Dicken der abgelagerten Schichten 26a bis 26c
wurden so gewählt, daß sich unterschiedliche Mengen der
Massenablagerung je Impuls einfallender Strahlungsenergie in Form
von Licht ergaben. Die Schicht 26a hat aufgrund dieses
Mechanismus eine Dicke im Bereich von 20 nm bis 100 nm, die Schicht
26b hat zweckmäßig eine Dicke im Bereich von 2,5 nm bis 20 nm
und die Schicht 26c hat eine Dicke im Bereich von 5 nm bis
50 nm.
Der Leistungspegel, die Anzahl der Impulse und die Anzahl
wieder abgelagerter Linien oder Streifen für die vier Beispiele
der hier angegebenen Justierung sowie die Anfangsfrequenz, die
Endfrequenz und die Frequenzverschiebung aufgrund der
Justierung in den Einrichtungen sind in der beigefügten Tabelle,
Beispiele 1 bis 4, festgehalten.
Alternativ kann die einfallende Laserenergie durch die Basis
12 auf die Justierungsablagerung 26 gerichtet werden, wie in
Fig. 4B dargestellt ist. Die einfallende Laserenergie kann
dann wiederum dazu verwendet werden, bestimmte Bereiche des
Justierungsfleckens am Deckelteil abzutragen, beispielsweise
dadurch, daß die zu justierende Einrichtung umgedreht wird,
um die Massenbeladung der wellenübertragenden Oberfläche zu
verändern, und dadurch die Eigenschaften der
wellenübertragenden Oberfläche bezüglich der Übertragungsgeschwindigkeit
zu verändern.
Anhand von Fig. 5 sei nun eine andere Ausführungsform der
hier angegebenen Einrichtung bzw. des vorliegend an gegebenen
Verfahrens erläutert, gemäß welchen eine selektive Änderung
der Frequenzeigenschaften einer gepackten Einrichtung zur
Signalverarbeitung mit Auswertung akustischer
Oberflächenwellen erreicht werden kann. Die gepackte Einrichtung 10'
enthält die zuvor schon erwähnte Basis 12 und das im Zusammenhang
mit den Fig. 1 und 2 erwähnte Deckelteil 14. Gerichtete
Energie in Gestalt der Strahlen eines "Excimer"-Lasers wird
durch das aus Quarz bestehende Deckelteil 14 auf die Basis 12
gerichtet. Vorliegend wird ein Paar von Strahlen des Lasers
durch das Deckelteil 14 unter bestimmtem Einfallswinkel auf
die Basis 12 gerichtet, so daß die Strahlen auf einen
bestimmten Bereich der Basis fokussiert oder konvergiert gehalten
sind, um diesen Bereich zu entfernen oder einen Bereich der
Basis 12 abzutragen, der zwischen dem Paar von
Interdigitalwandlern liegt, wie aus Fig. 5A ersichtlich ist. Alternativ
können drei oder mehr Energiestrahlen oder ein einziger
gebündelter Strahl ein gesetzt werden. Die Leistungsdichte an dem
Punkt, an dem der Strahl oder die Strahlen auftrifft oder
auftreffen, muß ausreichend sein, um die gewünschten Mengen des
Materials abzutragen oder zu verdampfen. Da das Deckelteil
aus Quarz beispielsweise in einer Stärke von 1 mm bis 2 mm
Dicke besteht und eine Durchlässigkeit von 85% bis 95%
aufweist, muß die Leistungsdichte am Punkt der Fokussierung
ausreichend sein, um das Quarz, befindet sich die
wellenübertragende Oberfläche am Deckelteil, zu entfernen oder um das Quarz,
befindet sich die wellenübertragende Oberfläche am Basisteil,
im Deckelbereich zu durchdringen. Da die akustischen
Wellenübertragungseigenschaften der Oberfläche zwischen dem Paar
von Wandlern 20 und 24 durch selektive Abtragung von
Material geändert wird, wird die Übertragungsgeschwindigkeit für
Oberflächenwellen zwischen dem Wandlerpaar aufgrund der
Abtragung geändert. Die Frequenz des in der hier angegebenen
Weise behandelten Bauteiles wird also selektiv eingestellt.
Es sei nochmals erwähnt, daß die Anzahl, die Tiefe und die
Breite der Bereiche 12c, welche in der Oberfläche, welche die
Wellen auf der Basis 12 überträgt, so gewählt werden, daß eine
gewünschte Frequenzverschiebung bezüglich der akustischen
Wellen, die in der hier angegebenen Einrichtung verarbeitet
werden, eintritt. Charakteristischerweise ist die Tiefe der
eingegrabenen Rillen annähernd 0,5 µ und die Breite der Rillen
liegt in der Größenordnung der Wellenlänge der übertragenen
Oberflächenwellen, also 2 bis 50 µ. Bei dem hier angegebenen
Beispiel ist die Intensität der durch das Deckelteil 14
einfallenden Laserstrahlen 30a und 30b nicht ausreichend, um das
Material des Deckelteiles 14 zu beschädigen oder zu stören. Da
sich aber am Punkt des Zusammentreffens der beiden
Laserstrahlen die Intensität der Strahlen addiert, reicht die
Gesamtintensität dazu aus, bestimmte Bereiche 12c der
wellenübertragenden Oberfläche 12a abzutragen. Da die Masse und der
Ausbreitungsweg der Oberflächenwellen eine Änderung erfährt,
werden die Übertragungsgeschwindigkeit oder
Ausbreitungsgeschwindigkeit der Oberflächenwellen und damit die Betriebsfrequenz
der Einrichtung geändert. Beispiel 5 in der vorstehenden
Tabelle zeigt die Ergebnisse einer in der hier angegebenen Weise
justierten Einrichtung.
Anhand von Fig. 6 sei nun ein weiteres Ausführungsbeispiel
erklärt. Ein Justierungsbelag 26' ist auf der Basis innerhalb
des Zwischenraumes zwischen den Interdigitalwandlern
vorgesehen. Eine Strahlungsanordnung, vorzugsweise ein Paar
konvergierender Laserstrahlen kann dazu eingesetzt werden, selektiv
einen Bereich des Justierungsbelages 26' zu bestrahlen und die
molekulare Bindung dieses Bereiches des Justierungsbelages
zu beeinflussen. Da die Massenbelastung in dem Bereich, in dem
die Zusammensetzung des Materials des Justierungsbelages
verändert wird, eine Abänderung erfährt, werden die akustischen
Übertragungseigenschaften und daher die
Ausbreitungsgeschwindigkeit der Oberflächenwellen und somit die
Frequenzeigenschaften der Einrichtung ebenfalls verändert.
Verschiedene Möglichkeiten zur Änderung der molekularen
Bindung des Materials im Justierungsbelag können eingesetzt
werden. Beispielsweise kann hierzu eine Aluminium-Sauerstoff-
Verbindung verwendet werden, wie sie in der Veröffentlichung
"Submicron Patterning by Projecting Excimer-Laser-Beam
Induced Chemistry" von Ehrlich u. a., J. Vac. Sci. Tech. B 3
(1) Januar/Februar 1985, angegeben ist. In diesem Falle wird
eine Cermet-Schicht oder Metallkeramikschicht als
Justierungsbelag 26 abgelagert. Die Laserenergie wird auf den
Justierungsbelag gerichtet und aufgrund des Energieeinfalls werden die
Aluminium-Sauerstoff-Verbindungen auf gebrochen und es
entsteht eine lokalisierte Bildung von Al2O3 innerhalb des
Justierungsbelages. Es sei nochmals erwähnt, daß der Abstand
und die Anzahl lokalisierter Bereiche der Bildung von Al2O3
abhängig von der gewünschten Stärke der Änderung der
Übertragungsgeschwindigkeit von Oberflächenwellen gewählt wird.
Ein Beispiel für diese Justierungstechnik ist in der
beigefügten Tabelle unter Nr. 6 festgehalten. Alternativ können
Schichten aus Al2O3, Al als Justierungsbeläge 26 vorgesehen
sein und ein derartiger Justierungsbelag wird wiederum in
ausgewählten Bereichen einem Energiestrahl eines Excimer-Lasers
ausgesetzt und die Al-Al-Bindungen und Al-O-Bindungen werden
aufgebrochen, wobei neue Verbindungen Al2Ox entstehen, worin x
eine nichtstoichiometrische Zusammensetzung anzeigt.
Eine weitere Technik sieht vor, eine Aluminiumschicht als
Justierungsbelag 26 abzulagern. Der Hohlraum der Packung 10 wird
mit einem Reaktionsgas gefüllt, beispielsweise O2 oder NO3,
wobei der Druck beispielsweise im Bereich von 2 . 10-6 Torr
bis 1 . 10-4 Torr liegt. Es wird wiederum ein einfallender
Energiestrahl auf den Justierungsbelag 26 gerichtet, wo die
Al-Al-Bindungen aufgebrochen werden, so daß sich Al2O3
pyrolytisch bildet. Durch Steuerung der Oberflächengröße des
bestrahlten Bereiches und der darauf einfallenden Energie kann
die Stärke der Justierung bezüglich der Änderung der
Ausbreitungsgeschwindigkeit von Oberflächenwellen bestimmt werden.
Es sei nun auf die Fig. 7 und 7A Bezug genommen. Hier
wird ein weiteres Ausführungsbeispiel der vorliegend
angegebenen Maßnahmen beschrieben. Die gepackte Einrichtung zur
Signalverarbeitung mit Auswertung akustischer
Oberflächenwellen enthält wiederum ein Deckelteil 14 und eine Basis 12,
welche ein Reaktionsgas 32 einschließen. Ein Laserstrahl,
beispielsweise ein Laser-Lichtstrahl eines Excimer-Lasers, Nd-YAG-
Lasers usw. wird durch das Gerät eingestrahlt, um photoaktiv
die Verbindungen der Reaktionsgases aufzubrechen, so daß
aufgrund der Photoreaktion ein Material auf der Oberfläche der
wellenausbreitenden Teile des Gerätes abgelagert wird. Das
Muster des einfallenden Laserstrahls wird so gewählt, daß sich
bestimmte Muster des abgelagerten Materials auf der
wellenausbreitenden Oberfläche ergeben. Die Reaktionsgase können
Sauerstoff und eine Quelle eines geeigneten Metalls enthalten,
beispielsweise Aluminium oder Silizium usw. So kann etwa
TMAl (Trimethylaluminium), SiH4 Silan usw. verwendet werden.
Ein bestimmtes Gas als Metallquelle muß während der
Abdichtung der Glasfritte in den Fällen stabil sein, in denen eine
solche Abdichtungstechnik eingesetzt wird.
Der Lichtstrahl eines Excimer-Lasers kann auf die gewählten
Reaktionsgase gelenkt werden und photoaktiv die Verbindungen
der als Metallquelle dienenden Gase aufbrechen. Das freie
Metall reagiert dann mit dem Sauerstoff und es lagert sich eine
Metalloxidschicht 34' auf dem Substrat aus dem gebildeten
Dampf ab. So kann beispielsweise ein lokalisierter Bereich
aus Al2O3 auf der oberflächenwellenübertragenden Seite des
Substrates abgelagert werden.
Dem Fachmann bietet sich im Rahmen der vorliegend angegebenen
Konstruktionsprinzipien eine Anzahl von Weiterbildungs- und
Abwandlungsmöglichkeiten. Insbesondere kann ein einzelner
Energiestrahl oder ein Paar konvergierender Energiestrahlen
in solcher Weise über das Deckelteil oder die Basis des
Gerätes eingeleitet werden, daß ein Justierungsbelag, der sich
auf der Innenseite des Deckelteils oder auf der Oberseite der
Basis befindet, bzw. der sich zwischen den
Interdigitalwandlern der Basis befindet, abgetragen werden bzw. wieder
abgelagert werden, so daß schließlich als Ergebnis eine Änderung
der Übertragungseigenschaften des betreffenden
Oberflächenbereiches der Einrichtung zur Signalverarbeitung mit Auswertung
akustischer Oberflächenwellen erzielt wird.
Anspruch[de]
1. Verfahren zur Herstellung von Signalverarbeitungseinrichtungen mit Auswertung
akustischer Oberflächenwellen, bei welchem
a) ein an seiner Oberfläche (12a) die akustischen Oberflächenwellen
fortleitendes Substrat (12) mit einem Deckelteil (14) abdichtend
verbunden wird; und
b) Strahlung auf den vom Substrat und dem Deckelteil umschlossenen
Bereich über eine transparente Begrenzung dieses Bereichs zur Änderung
der akustischen Wellenübertragungseigenschaften der Substratoberfläche
gerichtet wird;
dadurch gekennzeichnet, daß
a) die Strahlung auf abtragbares Material (26) aufweisende Bereiche der
Innenwand des Deckelteils (14) so fokussiert wird, daß in einem Bereich
der Substratoberfläche (12a), in dem sich die akustischen
Oberflächenwellen ausbreiten, eine Materialablagerung vorgenommen
wird.
2. Verfahren zur Herstellung von Signalverarbeitungseinrichtungen mit Auswertung
akustischer Oberflächenwellen, bei welchem
a) ein an seiner Oberfläche (12a) die akustischen Oberflächenwellen
fortleitendes Substrat (12) mit einem Deckelteil (14) abdichtend
verbunden wird; und
b) Strahlung auf den vom Substrat und dem Deckelteil umschlossenen
Bereich über eine transparente Begrenzung dieses Bereichs zur Änderung
der akustischen Wellenübertragungseigenschaften der Substratoberfläche
gerichtet wird;
dadurch gekennzeichnet, daß
a) die Strahlung auf Bereiche (12c) des Substrates (12), in denen sich die
akustischen Oberflächenwellen ausbreiten, so fokussiert wird, daß in
diesen Bereichen des Substrates eine Materialabtragung durch die
Strahlung vorgenommen wird.
3. Verfahren zur Herstellung von Signalverarbeitungseinrichtungen mit Auswertung
akustischer Oberflächenwellen, bei welchem
a) ein an seiner Oberfläche (12a) die akustischen Oberflächenwellen
fortleitendes Substrat (12) mit einem Deckelteil (14) abdichtend
verbunden wird; und
b) Strahlung (30) auf den vom Substrat und dem Deckelteil umschlossenen
Bereich über eine transparente Begrenzung dieses Bereichs zur Änderung
der akustischen Wellenübertragungseigenschaften der Substratoberfläche
gerichtet wird;
dadurch gekennzeichnet, daß
a) die Strahlung auf Bereiche des Substrates, in denen sich die akustischen
Oberflächenwellen ausbreiten, so fokkusiert wird, daß in diesen
Bereichen des Substrates dadurch eine Materialablagerung (34) erzeugt
wird, daß ein in den Hohlraum zwischen Substrat und Deckelteil
eingeschlossenes Reaktionsgas, welches Sauerstoff und ein Gas mit
einem Metallion enthält, zur Materialablagerung in diesen Bereichen, auf
die die Strahlung fokussiert ist, veranlaßt wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine
Mehrzahl von Strahlungsenergiestrahlen fokussiert wird.
5. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß auf der
wellenübertragenden Oberfläche (12a) des Substrats (12) mindestens
bereichsweise ein dielektrischer Justierungsbelag (26') vorgesehen wird, welcher
durch mindestens bereichsweise Abtragung durch den mindestens einen
Strahlungsenergiestrahl zur Änderung der Wellenübertragungseigenschaften dient.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das abtragbare Material
(26) auf dem Deckelteil (14) von einem Schichtenverband gebildet ist, welcher
eine Pufferschicht (26a), eine energieabsorbierende Schicht (26b) und eine
abtragbare oder verdampfbare Schicht (26c) enthält.
7. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Reaktionsgas
Sauerstoff und eine aluminiumhaltige Verbindung enthält.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß auf die
Einrichtung mindestens ein Laserstrahl (30; 30a, 30b) gerichtet wird.
9. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Pufferschicht (26a)
Aluminiumoxid ist, die energieabsorbierende Schicht (26b) Aluminium ist und die
abtragbare oder verdampfbare Schicht (26c) wiederum Aluminiumoxid ist.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der
Pufferschicht (26a) 20 nm bis 100 nm, die Dicke der energieabsorbierenden
Schicht (26b) 2,5 nm bis 20 nm und die Dicke der tragbaren oder abdampfbaren
Schicht (26c) 5 nm bis 50 nm beträgt.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die
Strahlungsenergiestrahlen pulsierend, insbesondere in Gestalt von Laserlicht,
aufgebracht werden.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Laser ein Excimer-
Laser ist, der eine Wellenlänge von 193 nm erzeugt.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Laser eine
Mehrzahl von Impulsen erzeugt.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die
Materialabtragung oder Materialablagerung linienweise durch einen oder mehrere
Laserstrahlen erfolgt.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß als
Strahlungsquelle ein Nd:YAG-Laser verwendet wird.