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Dokumentenidentifikation DE69230995T2 16.11.2000
EP-Veröffentlichungsnummer 0562101
Titel SPANNUNGSVARIABLE KAPAZITÄT MIT AMORPHEN DIELEKTRISCHEM FILM
Anmelder Motorola, Inc., Schaumburg, Ill., US
Erfinder RAMAKRISHNAN, S., E., Albuquerque, US;
CORNETT, D., Kenneth, Albuquerque, US;
HOWNG, Wei-Yean, Albuquerque, US
Vertreter Pfeifer, L., Dipl.-Phys. Dr.-Ing., Pat.-Anw., 65388 Schlangenbad
DE-Aktenzeichen 69230995
Vertragsstaaten DE, DK, FR, GB, IT, NL
Sprache des Dokument EN
EP-Anmeldetag 15.10.1992
EP-Aktenzeichen 929227130
WO-Anmeldetag 15.10.1992
PCT-Aktenzeichen US9208809
WO-Veröffentlichungsnummer 9308610
WO-Veröffentlichungsdatum 29.04.1993
EP-Offenlegungsdatum 29.09.1993
EP date of grant 03.05.2000
Veröffentlichungstag im Patentblatt 16.11.2000
IPC-Hauptklasse H01L 45/00
IPC-Nebenklasse H01L 29/92   H01L 27/12   H03B 5/12   H03B 5/24   H03B 5/36   

Beschreibung[de]
Spannungsvariable Kapazität mit amorphem dielektrischem Film Technisches Gebiet der Erfindung

Die Erfindung betrifft grundsätzlich dielektrische dünne Schichten und insbesondere dielektrische dünne Schichten, die für Kapazitätsanwendungen oder Kondensatoranwendungen nützlich sind.

Hintergrund der Erfindung und Stand der Technik

Hochqualitative präzise gesteuerte Kapazitäten oder Kondensatoren sind ein integrierter Teil vieler Halbleitereinrichtungen. Kapazitäten werden als Teil eines Halbleiterschaltkreises durch Benutzung einer Metall- Oxid-Silizium- (MOS, von Metal-Oxide-Silicon)-Technologie oder einer Metall-Isolator-Silizium- (MIS, von Metal-Insulator-Silicon)-Technologie hergestellt. Ein bestimmtes Beispiel einer Halbleiterkapazität ist eine Anwendung für einen integrierten Schaltkreis, deren Funktion die Konvertierung von analogen Signalen in digitale Signale ist. In einem derartigen Schaltkreis ist eine Reihe von Kapazitäten durch Plazieren eines Oxids, wie beispielsweise ein Siliziumoxid, über das Halbleitersubstrat ausgebildet und dann die Herstellung einer Elektrode über dem Oxid, um eine Kapazität zu bilden.

Es wurden viele Bemühungen angestellt, um die Kapazität von Kapazitäten bzw. Kondensatoren in Halbleiternetzwerken zu vergrößern. Bei der Entwicklung von Dünnschichtkapazitäten sind Eigenschaften, wie die dielektrische Konstante, die mechanische Kreisgüte (mechanical Q factor), der spezifische Widerstand oder die Beständigkeit, der Leckstrom, das Durchbruchsfeld und die Ladungsspeicherung äußerst wichtig. Eine Verbesserung dieser Eigenschaften ist bei Anwendungen wie beispielsweise spannungsvariablen Kapazitäten (Varaktoren) und Ableitkondensatoren, die typischerweise in Mikrowellen- und Halbleitereinrichtungsanwendungen Verwendung finden, kritisch. Grundsätzlich werden kristalline Schichten bzw. Filme benutzt, um diese Kapazitäten bzw. Kondensatoren herzustellen. Ein Problem, das mit kristallinen Schichten verbunden ist, ist dasjenige, daß die elektrische Leitfähigkeit durch das vergrößerte elektrische Feld an Kristallgittergrenzen oder an der Schicht- Elektroden-Kontaktgrenzfläche vergrößert ist, was in einem Durchbruch bei wesentlich niedrigeren Spannungen resultiert. In dem Bereich, in dem die Kopfelektrode den dielektrischen Isolator kontaktiert, rufen Schichtdefekte oder Fehlstellen und Räume bzw. Abstände zwischen den Korngrenzen einen erhöhten Verlustfaktor (Tangentendelta von tangent delta) hervor. Dieses hat auch den Effekt einer Verringerung des Durchbruchsfeldes und der Ladungsspeicherung.

Das US-Patent 3,624,895 von MacIver offenbart eine spannungsvariable Kapazität, die aus einer Schicht hohen spezifischen Widerstands besteht, die durch eine einfache dielektrische Schicht von Tantal-Oxid bedeckt ist.

Die japanische Patentanmeldung 62-128167 offenbart ein Siliziumsubstrat, das mit Tantal-Oxid bedeckt ist. Die Tantal-Oxid-Schicht ist anfänglich in einem amorphen Zustand aufgebracht, wird dann allerdings in einen kristallinen Zustand umgewandelt.

Da die kristalline Schicht die nachgesuchte hohe dielektrische Konstante aufweist, wäre es sehr vorteilhaft, ein Kapazitätssystem zu entwickeln, das eine kristalline Schicht anwenden würde und die negativen Nachteile, die durch die Struktur der kristallinen Schicht gegeben sind, vermeiden würde.

Zusammenfassung der Erfindung

Kurzgefaßt ist gemäß der Erfindung eine Halbleitereinrichtung zur Verfügung gestellt, umfassend ein Halbleitersubstrat mit einer Schicht Halbleitermaterial, das auf die Oberfläche des Substrats aufgebracht ist. Die Schicht des Materials ist auch ein Halbleitermaterial, das einen höheren spezifischen Widerstand als das Substrat aufweist, auf das es aufgebracht ist. Eine dielektrische Schicht eines Metalloxids, das wenigstens teilweise kristallin ist, ist auf einer Schicht mit höherem spezifischen Widerstand aufgebracht, die dann mit einer amorphen Schicht des Metall-Oxid-Dielektrikums bedeckt ist. Eine Metallelektrode wird auf der amorphen Schicht ausgebildet, um eine Metallisolator-Halbleitereinrichtung zu formen.

In einer alternativen Ausführungsform der Erfindung kann die amorphe Schicht zwischen der Schicht höheren spezifischen Widerstands und der dielektrischen Schicht angeordnet sein.

Ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung beinhaltet eine zweite amorphe Schicht, die zwischen der Schicht höheren spezifischen Widerstands und der dielektrischen Schicht hinzugefügt ist.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

Fig. 1 ist eine Querschnittsdarstellung einer Halbleitereinrichtung, die gemäß der Erfindung hergestellt ist.

Fig. 2 ist eine Querschnittsdarstellung einer alternativen Ausführungsform einer Einrichtung, die gemäß der Erfindung hergestellt ist.

Fig. 3 ist eine Querschnittsdarstellung eines weiteren Ausführungsbeispiels einer Einrichtung, die gemäß der Erfindung hergestellt ist.

Fig. 4 ist ein Blockdiagramm einer Kommunikationseinrichtung, die eine spannungsvariable Kapazität gemäß der Erfindung beinhaltet.

Detaillierte Beschreibung des bevorzugten Ausführungsbeispiels

Eine spannungsvariable Kapazität, auch bekannt als Varaktor, variable Kapazitätsdiode oder Varakap, ist eine Halbleitereinrichtung, die durch eine spannungssensitive Kapazität charakterisiert ist, die in der Raumladungszone an der Oberfläche eines Halbleiters, die durch eine isolierende Schicht begrenzt ist, angeordnet ist, um eine spannungsvariable Kapazität mit hoher Leistung auszubilden, wird eine dielektrische Schicht mit sehr dünnem Querschnitt und einer extrem hohen Integrität benötigt, die auf den Halbleiter aufgebracht werden soll.

Unter Bezugnahme auf Fig. 1 ist eine spannungsvariable Kapazität 10 dargestellt, die auf einem Halbleitersubstrat 12 gebildet ist. Das Substrat 12 beinhaltet auch eine epitaktische Schicht 14 auf der Oberfläche des Substrats. Die epitaktische Schicht kann als Einkristall, als Polysilizium oder anderes Mittel, das den Durchschnittsfachleuten des Standes der Technik bekannt sind, gewachsen sein. Auf diese Schicht ist eine isolierende Schicht 16 eines dielektrischen Materials aufgebracht. Um eine spannungsvariable Kapazität auszubilden, die die höchste Leistung zeigt, muß die dielektrische Schicht 16 so ausgebildet sein, daß diese die höchstmögliche dielektrische Konstante aufweist. Typischerweise haben kristalline Schichten dielektrischen Materials eine höhere dielektrische Konstante, als amorphe oder teilweise kristalline Schichten des gleichen Materials. Aus diesem Grunde ist es wünschenswert, daß die Isolatorschicht 16 in einer kristallinen Form ausgebildet wird. Wie auch immer weist kristallines Material Defekte in dem Kristallgitier auf und Abstände bzw. Leerstellen in den Korngrenzen zwischen den Kristallstrukturen bzw. Kristallitstrukturen. Diese Defekte und Korngrenzen stellen Orte für den Einschluß oder die Migration fremden Materials, das leitfähig sein kann oder die dielektrische Konstante der isolierenden Schicht 16 verändern kann, dar. Um den Einschluß fremden Materials in die dielektrische Schicht 16 zu vermeiden, wird eine zweite Schicht 18 eines Films oder eine Schicht, die die gleiche oder eine unterschiedliche chemische Struktur wie die isolierende Schicht 16 aufweist, auf die isolierende Schicht aufgetragen. Die zweite Schicht 18 wird derart aufgetragen, daß die Struktur ein amorphes Material im Gegensatz zu einem kristallinen Material sein wird. Amorphe Materialien haben eine gleichmäßige, defektfreie Struktur, was das Durchdringen bzw. Penetrieren von leitfähigem fremden Material in die Schicht verhindert. Amorphe Schichten leiden nicht unter den vorgenannten beschriebenen Problemen der Kristallgitterdefekte und Korngrenzen, da diese nicht-kristalline Schichten sind. Typischerweise wird die Schicht bei einer niedrigeren Temperatur aufgebracht, um eine amorphe Schicht des gleichen Materials zu bilden. Das bevorzuge Verfahren ist das Aufbringen der amorphen und kristallinen Schichten in einem Vakuumsystem mittels Verfahren wie chemisches Dampfphasen-Beschichten, Evaporisation, Beschichtung durch Vakuumzerstäubung, Sputtern oder Ionen-Plasmazerstäuben oder reaktivem Sputtern. Die zweite oder amorphe Schicht kann durch Benutzung eines Siliziumdioxids gebildet werden oder kann das gleiche Material, das auch in der isolierenden Schicht 16 verwendet wurde, benutzen. Eine Kopfelektrode 20 wird dann auf der amorphen Schicht gebildet und entworfen, um die spannungsvariable Kapazität und eine Verarmungszone, die in der Schicht höheren spezifischen Widerstands oder höherer Beständigkeit bei elektrischer Energetisierung der Einrichtung bzw. Beaufschlagung der Einrichtung mit elektrischer Energie bzw. einer Spannung gebildet wird, zu erzeugen. Die gleichmäßige defektfreie amorphe Schicht 18 verhindert eine direkte Leitfähigkeit zwischen den Elektroden 20 und der epitaktischen Schicht 14 durch die kristalline isolierende Schicht 16.

Ein weiterer Vorteil des Benutzens einer amorphen Schicht 18, als eine Art abdichtende oder zudeckende Beschichtung über der isolierenden Schicht 16, ist derjenige, daß in der Herstellungstechnologie von integrierten Schaltkreisen dem Wafer mit integrierten Schaltkreisen nach dem Metallisierungsschritt Wärmebehandlungen unterzogen werden. Diese Behandlungen können bis zu Temperaturen von 400ºC gehen. Die Wärmebehandlung verschlimmert die Penetrierung von Verunreinigungen in die dielektrische Schicht durch Hervorrufen einer Metallmigration und durch Hervorrufen eines möglichen Kurzschlusses der Einrichtung. Andere Anwendungen der Halbleiterverarbeitung benutzen Polyimidbedeckungen, die bei hohen Temperaturen typischerweise beispielsweise so hoch wie 250ºC ausgehärtet werden. Diese erhöhten Temperaturen dienen auch der Verschlimmerung der Infusion fremden Materials in die isolierende Schicht. Das Hinzufügen einer dünnen amorphen Schicht dielektrischen Materials verhindert eine Kontamination oder Defektbildung während der oben beschriebenen Herstellungsschritte und stellt die ultimative Schichtqualität sicher. Diese Schicht wird den dielektrischen Durchbruch bzw. Durchschlag genauso verbessern, wie sie als eine effektive Diffusionsbarriere für die Kopfmetallelektrode dient.

Nun wird bezug genommen auf Fig. 2, in der ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung dasjenige ist, die dünne amorphe Schicht 18 auf das Substrat aufzubringen und zwar vor Aufbringen der kristallinen Schicht 16. Eine derartige Struktur verhindert die Migration von Verunreinigungen von dem Halbleiter 12 oder der epitaktischen Schicht 14 in die kristalline Schicht 16 durch Vorsehen einer amorphen Schichtabdichtung 18 bzw. Schichtbedeckung auf der unteren Seite der kristallinen Schicht.

Unter weiterer Bezugnahme auf Fig. 3 ist noch eine weitere Ausführungsform der Erfindung diejenige, eine dünne amorphe Schicht 22 über das Substrat aufzubringen und zwar vor Aufbringen der kristallinen Schicht 16, gefolgt von einer oberen Schicht 24, einer zweiten amorphen Schicht. Eine derartige Struktur verhindert die Migration von Verunreinigungen von dem Halbleiter 12 oder der epitaktischen Schicht 14 in die kristalline Schicht 16 durch Vorsehen von dünnen amorphen Schichten (22 und 24) sowohl auf der oberen als auch der unteren Seite der kristallinen Schicht. Eine Verunreinigung der kristallinen Schicht wird so von beiden Richtungen verhindert, d. h. von der metallischen Elektrode 20 und von den Halbleiterschichten (12 und 14).

Die Isolatorschicht 16 ist bevorzugterweise Zirconium- Titanat (ZrTiO&sub4;), die mit einer Dicke von 30 nm bis 1000 nm (300 Å bis 1000 Å) aufgebracht ist. Wie auch immer können Dicken von 10 nm bis 2000 nm (100 Å bis 2 um) benutzt werden, um geeignete Einrichtungen herzustellen. Das Material, das als dielektrische oder isolierende Schicht verwendet wird, sollte eine dielektrische Konstante aufweisen, die im wesentlichen größer ist, als die des Halbleiters, um einen Varaktor zu bilden, der einen großen Bereich von Werten aufweist. Beispiele von geeigneten Materialien, die für diesen Zweck benutzt werden können, sind in Tabelle 1 dargestellt:

TABELLE 1

Tantalpentoxid Ta&sub2;O&sub5;

Niobiumpentoxid Nb&sub2;O&sub5;

Zirconiumdioxid ZrO&sub2;

Titandioxid TiO&sub2;

Zirconiumtitanat ZrTiO&sub4;

Strontiumtitanat SrTiO&sub3;

Bariumtitanat BaTiO&sub3;

Bleititanat PbTiO&sub3;

Bariumtetratitanat Ba&sub2;Ti&sub9;O&sub2;&sub0;

Bariumneodymiumtitanat BaNd&sub2;Ti&sub5;O&sub1;&sub4;

Bleizirconiumtitanat Pb(Zr,Ti)O&sub3;

Bleilanthanzirconiumtitanat (Pb,La)(Zr,Ti)O&sub3;

Lithiumniobat LiNbO&sub3;

Strontiumbariumniobat (Sr,Ba)Nb&sub2;O&sub6;

Obwohl diese Materialien dazu dienen, eine spannungsvariable Kapazität zu bilden, die einen großen Kapazitäts- Spannungsbereich aufweisen, können auch andere Materialien, die eine niedrigere dielektrische Konstante (wie beispielsweise Silizium-Dioxid) benutzen, benutzt werden, um die Struktur herzustellen. Die Theorie des Betriebs und der Benutzung des oben genannten Materials in einer spannungsvariablen Kapazität ist beispielsweise in der Patentanmeldung der Vereinigten Staaten S.N. 776,111, die am 15.08.1991 eingereicht wurde und den Titel "Voltage Variable Capacitor" trägt und deren Anmelder Cornett, et al. sind, dargestellt, wobei die Offenbarung dieser Patentanmeldung durch Bezugnahme in diese Patentanmeldung bzw. dieses Patent aufgenommen ist.

Dünne Schichten dieses Materials können durch eine Vielzahl von Techniken hergestellt werden, beinhaltent allerdings nicht limitiert auf Sputtern, Verdampfen, chemisches Dampfphasenbeschichten, Ionenstrahl- oder plasmaverstärkte Verfahren und Sol-Gel-Verfahren oder andere Lösungschemieverfahren. Die vorgeschlagene amorphe Schicht oder Schichten können auch auf ähnliche Art aufgebracht werden, nur das die Aufbringungsbedingungen derart modifiziert sind, daß die Schicht in einen amorphen Zustand im Gegensatz zu einen kristallinen Zustand aufzubringen sind. Die gleichen Materialien können ganz benutzt werden oder das untere Material 22 kann unterschiedlich zu der isolierenden Schicht 16 sein oder es kann ein drittes Material für die obere Schicht 24 angewendet werden. In jedem Fall sollte die amorphe Schicht so dünn wie möglich sein, um eine Degradation der Leistung der Kapazität zu vermeiden, da die dielektrische Konstante der amorphen Schicht geringer ist, als die der kristallinen Schicht.

Anwendungen, die spannungsvariable Kapazitäten benötigen, die bei hohen Frequenzen funktionieren, wie beispielsweise Hochfrequenzkommunikationseinrichtungen, finden insbesondere eine Benutzung für eine Einrichtung wie hierin beschrieben. Radios bzw. Funkeinrichtungen benutzen Resonatornetzwerke oder Schaltkreise, die durch eine spannungsvariable Kapazität abgestimmt werden und diejenigen, die bei hohen Frequenzen betrieben werden, realisieren signifikante Vorteile durch eine spannungsvariable Kapazität, die einen niedrigen Verlust, eine hohe Kreisgüte und einen hohen Kapazitätsbereich aufweisen. Unter Bezugnahme auf Fig. 4, einem Blockdiagramm, sind die elektrischen Komponenten eines Radios oder einer Kommunikationseinrichtung 50 dargestellt. Das Radio 50 beinhaltet einen Demodulator 56, der mit einer Antenne 62 über einen Filter bzw. mehrere Filter 60 gekoppelt ist. Der Betrieb des Radios 50 wird durch einen Kontroller 54 gesteuert, der einen Speicherblock 52 umfaßt. Der Kontroller 54 kommuniziert mit dem Demodulator 56 und steuert den Audioschaltkreisblock 58. Das demodulierte Signal von dem Demodulator 56 ist mit einem Lautsprecher 64 über den Audioschaltkreis 58 gekoppelt. Die Kombination des Speicherblocks 52 des Kontrollers 54, des Demodulators 56 und des Filters 60 stellt eine Empfängereinrichtung in der Kommunikationseinrichtung 50 dar. Die spannungsvariable Kapazität, die hier beschrieben wurde, kann bevorzugterweise Anwendung in dem Filter 60 finden, kann allerdings auch in dem Demodulator 56 und/oder dem Audioschaltkreis 58 Verwendung finden.

Zusammenfassend sollte festgestellt werden, daß die favorisierten Ergebnisse durch Benutzung dieser Struktur ein Verhindern des Kontakts zwischen der oberen und der unteren Elektrode mittels leitenden Korngrenzen und Fehlstellen ist, eine Verringerung der nicht-homogenen und felderhöhenden Bereiche, ein niedriger Verlust, eine höhere Kreisgüte, eine Verbesserung des Schichtwiderstands bzw. des spezifischen Widerstands der Schicht, ein verbesserter elektrischer Durchbruch und verbesserte Speicherladungscharakteristiken sind. Die vorangegangenen Beispiele sollten lediglich eine Darstellung des bevorzugten Ausführungsbeispiels der Erfindung darstellen. Demgemäß ist es nicht beabsichtigt, die Erfindung auf diese zu limitieren, mit der Ausnahme, wie es durch die angefügten Ansprüche dargestellt ist.


Anspruch[de]

1. Halbleitereinrichtung, umfassend:

ein Halbleitersubstrat mit einer Schicht Halbleitermaterial, das darauf aufgebracht ist, wobei das Material einen höheren spezifischen Widerstand als das Substrat aufweist;

eine dielektrische Schicht, die wenigstens teilweise kristallin ist, wobei sie auf die Schicht mit höherem spezifischen Widerstand aufgebracht ist;

eine amorphe Schicht dielektrischen Materials, die auf die dielektrische Schicht aufgebracht ist; und

eine Kopfelektrode, die auf der amorphen Schicht ausgebildet ist.

2. Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1, wobei zusätzlich zu der amorphen Schicht eine weitere amorphe Schicht dielektrischen Materials vorgesehen ist, die auf die Halbleiterschicht mit höheren spezifischen Widerstand aufgebracht ist und wobei die dielektrische Schicht auf der weiteren amorphen Schicht aufgebracht ist.

3. Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die dielektrische Schicht und die amorphe Schicht Metalloxidverbindungen sind, wobei das Metall wenigstens als erste und zweite Komponente ausgewählt aus der Gruppe, die Barium, Blei, Lithium, Neodymium, Niob, Strontium, Tantal, Titan und Zirconium umfaßt, ist.

4. Halbleitereinrichtung nach Anspruch 2 oder 3, wobei die dielektrische Schicht und die amorphe Schicht Oxide sind, die aus der Gruppe ausgewählt ist, die Barium, Blei, Lithium, Neodymium, Niob, Strontium, Tantal, Titan und Zirconium umfaßt.

5. Halbleitereinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die dielektrische Schicht und die amorphe Schicht Zirconiumtitanat aufweisen.

6. Halbleitereinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die dielektrische Konstante der dielektrischen Schicht größer als die dielektrische Konstante des Halbleitermaterials mit hohem spezifischen Widerstand ist.

7. Halbleitereinrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Halbleitereinrichtung ein spannungsvariabler Kondensator oder eine spannungsvariable Kapazität ist.

8. Halbleitereinrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Schicht mit hohem spezifischen Widerstand eine epitaktische Schicht ist.

9. Halbleitereinrichtung umfassend:

ein Halbleitersubstrat mit einer Schicht Halbleitermaterial, das darauf aufgebracht ist, wobei das Material einen höheren spezifischen Widerstand als das Substrat aufweist;

eine erste Zirconiumtitanat-Schicht, die wenigstens teilweise kristallin ist, wobei sie auf die Schicht mit höherem spezifischen Widerstand aufgebracht ist;

eine zweite Zirconiumtitanat-Schicht, die auf der ersten Schicht aufgebracht ist, wobei die zweite Schicht amorph ist;

eine Kopfelektrode, die auf der amorphen Schicht ausgebildet ist; und

eine Verarmungszone, die in der Schicht höheren spezifischeren Widerstands oder höherer Beständigkeit bei elektrischer Aktivierung der Einrichtung ausgebildet ist.

10. Halbleitereinrichtung nach Anspruch 9, wobei die Schicht höheren spezifischen Widerstands eine epitaktische Schicht ist.

11. Halbleitereinrichtung nach Anspruch 9 oder 10, wobei die zweite Zirconiumtitanat-Schicht zwischen der Schicht höheren spezifischen Widerstands und der ersten Zirconiumtitanat-Schicht angeordnet ist.

12. Halbleitereinrichtung nach Anspruch 9, 10 oder 11, die außerdem eine dritte Schicht amorphen Zirconiumtitanats umfaßt, die zwischen der Schicht höheren spezifischen Widerstands und der ersten Zirconiumtitanat-Schicht ausgebildet ist.

13. Funkeinrichtung oder Radio mit einem Filter und einem Demodulator, die einen Teil eines Empfängers darstellen, wobei der Filter wenigstens einen spannungsvariablen Kondensator oder eine spannungsvariable Kapazität umfaßt, die oder das eine Einrichtung, die gemäß einem der vorangehenden Ansprüche konstruiert ist, umfaßt.

14. Spannungsvariabler Kondensator oder spannungsvariable Kapazität, umfassend eine Halbleitereinrichtung, die gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12 ausgebildet ist.







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