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Dokumentenidentifikation DE19742751C2 07.12.2000
Titel Kapazitives Element für einen Trockenelektrolytkondensator sowie Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines solchen
Anmelder Rohm Co. Ltd., Kyoto, JP
Erfinder Maeda, Takahiro, Kyoto, JP;
Yanagi, Shouichi, Kyoto, JP;
Kuriyama, Chojiro, Kyoto, JP
Vertreter Palgen und Kollegen, 45133 Essen
DE-Anmeldedatum 27.09.1997
DE-Aktenzeichen 19742751
Offenlegungstag 23.04.1998
Veröffentlichungstag der Patenterteilung 07.12.2000
Veröffentlichungstag im Patentblatt 07.12.2000
IPC-Hauptklasse H01G 9/052

Beschreibung[de]

Vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein kapazitives Element für einen Trockenelektrolytkondensator, wie z. B. einen Tantal- oder Aluminiumkondensator. Vorliegende Erfindung bezieht sich auch auf eine Vorrichtung und eine Verfahren zur Herstellung eines solchen kapazitiven Elements.

Wie in der US 5,461,538 (welche der JP-A-7-74062 entspricht) offenbart und in Fig. 9 der anliegenden Zeichnung dargestellt, umfaßt ein typisches kapazitives Element für einen Trockenelektrolytkondensator einen porösen Kondensatorchip A1 und einen Anodendraht A2, der von einer oberen Oberfläche A1a des Chips A1 hervorsteht. Der Kondensatorchip A1 wird duch Verdichten von Tantalpulver zu einem porösen Körper und dessen anschließender Sinterung hergestellt. Der Anodendraht A2 besteht ebenfalls aus Tantal. Um eine kapazitive Funktionsweise zu ermöglichen, wird das kapazitive Element folgenden Verfahrensschritten unterzogen.

Zunächst wird, wie in Fig. 10 dargestellt, der poröse, gesinterte Chip A1 in eine wäßrige Lösung von z. B. Phosphorsäure getaucht und durch Anlegen eines Gleichstroms einer anodischen Oxidation (elektrolytischen Oxidation) unterzogen. Als Folge wird auf den Oberflächen der Tantalpartikel und einem eingetauchten Fußbereich des Anodendrahtes A2 ein dielektrischer Überzug A3 aus z. B. Tantalpentoxid gebildet, wie in Fig. 11 dargestellt.

Anschließend wird der mit einem Dielektrikum überzogene Chip A1 soweit in eine wäßrige Lösung aus z. B. Mangannitrat getaucht, daß die obere Oberfläche A1a des Chips A1 nicht unter die Oberfläche der Mangannitratlösung gelangt. Danach wird der Chip A1 für einen Backvorgang herausgenommen. Dieser Schritt wird mehrmals wiederholt, um eine Schicht A4 aus Trockenelektrolyt (z. B. Mangandioxid) auf dem dielektrischen Überzug A3 zu bilden.

Zuletzt wird eine Kathodenanschlußschicht (z. B. aus Silber oder Nickel) auf der Trockenelektrolytschicht gebildet, wobei zwischen der Rathodenanschlußschicht und der Trockenelektrolytschicht A4 eine Zwischenschicht z. B. aus Graphit vorgesehen ist.

Ein Trockenelektrolytkondensator mit einem solchen kapazitiven Element hat bekannter Maßen eine erheblich größere Impedanz bei hohen Frequenzen als ein Schichtkondensator. Die Impedanz des Trockenelektrolytkondensators ist umgekehrt proportional zu der Kontaktfläche zwischen dem dielektrischen Überzug A3 und der Trockenelektrolytschicht A4.

Um die Impedanz eines Trockenelektrolytkondensators zu verringern wird, z. B. in der US 3,345,545, ein kapazitives Element mit einem porösen Kondensatorchip A1' aus Tantalpulver, der seitlich mit einer Vielzahl von Nuten A6' versehen ist, und mit einem Anodendraht A2' vorgeschlagen, der von der oberen Oberfläche A1a' des Chips A1' hervorsteht, wie in den Fig. 14 und 15 dargestellt. Jede der Nuten A6' erstreckt sich von der oberen Oberfläche A1a' ausgehend bis zu der unteren Oberfläche A1b'.

Die Nuten A6' des Kondensatorchips A1' erhöhen die Kontaktfläche zwischen dem (nachfolgend aufgebrachten) dielektrischen Überzug und der (ebenfalls nachfolgend aufgebrachten) Trockenelektrolytschicht und erniedrigen so die Impedanz des Kondensators. Des weiteren erleichtern die Nuten A6' auch das Eindringen einer Mangannitratlösung in der porösen Kondensatorchip A1' bei der Ausbilden der Trockenelektrolytschicht. Allerdings erweist sich das in den Fig. 14 und 15 dargestellte, kapazitive Element in folgenden Punkten als nachteilig.

Erstens reduziert sich die Kapazität des kapazitiven Elements, da sich jede der Nuten A6' von der oberen Oberfläche A1a' des Chips A1' bis zu der unteren Oberfläche A1b' erstreckt, aufgrund dieser Nuten beträchtlich. Folglich muß die Größe des kapazitiven Elements in axiale Richtung des Anodendrahts A2' erhöht werden, um die durch die Nuten A6' bedingte Volumenreduktion zu kompensieren.

Zweitens kann eine Mangannitratlösung, da jede der Nuten A6' sich von der oberen Oberfläche A1a' des Chips A1' bis zu der unteren Oberfläche A1b' erstreckt, schnell entlang der Nuten A6' abfließen, wenn bei der Herstellung einer Trockenelektrolytschicht der Chip A1' aus der Mangannitratlösung genommen wird. Folglich muß der Verfahrensschritt des Eintauchens des Chips A1' in die Mangannitratlösung und des anschließenden Backens des Chips genügend oft wiederholt werden, bis die Trockenelektrolytschicht vollständig aufgewachsen ist.

Es ist bereits aus der japanischen Offenlegungsschrift JP-A-08039700 ein kapazitives Element für einen Trockenelektrolykondensator bekannt, der einen Kondensatorchip aus gesinterten Tantalmetallpulver aufweist. Um das Aufwachsen der Trockenelektrolytschicht auf den Kondensatorchip zu erleichtern, sind eine Vielzahl von durch den Kondensatorchip hindurchgehende Bohrungen vorgesehen.

Es ist folglich Aufgabe vorliegender Erfindung in kapazitives Element mit einer Oberflächenstruktur sowie eine dafür geeignete Verdichtungseinrichtung selbst einem zugehörigen Herstellungsverfahren zu schaffen, wobei einerseits das Aufwachsen der Trockenelektrolytschicht erleichtert und andererseits die Kapazität des kapazitiven Elementes nur wenig vermindert wird.

Zur Lösung dieser Aufgabe, wird ein kapazitives Element für einen Trockenelektrolytkondensator vorgeschlagen, welches: einen Kondensatorchip, der ein verdichteter Körper aus einem eine elektrolytische Ventilwirkung aufweisenden Metallpulver ist sowie eine erste Stirnfläche und eine zweite, der ersten Stirnfläche gegenüber liegende Stirnfläche aufweist; und einen Anodendraht, der von der ersten Stirnfläche des Kondensatorchips absteht, umfaßt; dadurch gekennzeichnet, daß der Kondensatorchip mindestens eine Seitenfläche aufweist, die mit mindestens einer Ausnehmung versehen ist, die sich auf die zweite Stirnfläche des Chips hinweisend, jedoch nicht bis zu der zweiten Stirnfläche hin erstreckt.

Bei einer Ausführungsform vorliegender Erfindung umfaßt die mindestens eine Ausnehmung eine erste, von der zweiten Stirnfläche des Kondensatorchips beabstandete Begrenzungswand und eine zweite, von der ersten Stirnfläche des Kondensatorchips beabstandete Begrenzungswand.

Bei einer anderen Ausführungsform vorliegender Erfindung erstreckt sich die mindestens eine Ausnehmung von der ersten Stirnfläche des Kondensatorchips ausgehend auf die zweite Stirnfläche des Kondensatorchips hinweisend, jedoch nicht bis zu der zweiten Stirnfläche hin.

Bei jeder der Ausführungsformen kann mindestens eine Seitenfläche des Kondensatorchips vorzugsweise eine Vielzahl von Ausnehmungen aufweisen, von welchen jede sich auf die zweite Stirnfläche des Kondensatorchips hinweisend, jedoch nicht bis zu der zweiten Stirnfläche hin erstreckt.

Ausserdem wird eine Verdichtungseinrichtung zur Herstellung eines kapazitiven Elements vorgeschlagen, welche: einen unteren Stempel mit einer nach oben offenen, formgebenden Nut; einen oberen Stempel zur Halterung eines nach unten abstehenden Anodendrahts, welcher obere Stempel auf den unteren Stempel zu und von diesem weg beweglich ist; und ein Paar einander gegenüber liegender Druckeinrichtungen umfaßt, die in der formgebenden Nut des unteren Stempels auf einander zu und von einander weg, gleitend beweglich sind, wobei mindestens eine der Druckeinrichtungen eine Vorderseite aufweist, die mit mindestens einem Vorsprung versehen ist.

Vorzugsweise kann jede der Druckeinrichtungen eine Vorderseite aufweisen, die mit einem, in einer Linie mit dem Anodendraht liegendem Vorsprung versehen ist.

Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines kapazitiven Element unter Verwendung einer Verdichtungseinrichtung vorgeschlagen, welche: einen unteren Stempel mit einer nach oben offenen, formgebenden Nut; einen oberen Stempel zur Halterung eines nach unten abstehenden Anodendrahts, welcher obere Stempel auf den unteren Stempel zu und von diesem weg beweglich ist; und ein Paar einander gegenüber liegender Druckeinrichtungen umfaßt, die in der formgebenden Nut des unteren Stempels auf einander zu und von einander weg, gleitend beweglich sind, wobei mindestens eine der Druckeinrichtungen eine Vorderseite aufweist, die mit mindestens einem Vorsprung versehen ist; wobei das Verfahren die Schritte des: Gebens einer bestimmten Menge von einem eine elektrolytische Ventilwirkung aufweisendem Metallpulver in die formgebende Nut des unteren Stempels zwischen die, Druckeinrichtungen; des Bewegens des oberen Stempels auf den unteren Stempel zu, um die formgebende Nut zu verschließen; und des Bewegens der Druckeinrichtungen aufeinander zu, um das beigegebene, eine elektrolytische Ventilwirkung aufweisende Metallpulver zu verdichten, umfaßt.

Die Erfindung wird durch folgende, in Bezug auf anliegende Zeichnung erfolgende Detailbeschreibung bevorzugter Ausführungsformen offensichtlich. In der Zeichnung zeigen:

Fig. 1 eine perspektivische Ansicht eines kapazitiven Elements entsprechend einer ersten Ausführungsform vorliegender Erfindung;

Fig. 2 einen Schnitt entlang der Linie II-II in Fig. 1;

Fig. 3 einen Schnitt entlang der Linie III-III in Fig. 2;

Fig. 4 eine perspektivische Ansicht eines kapazitiven Elements entsprechend einer zweiten Ausführungsform vorliegender Erfindung;

Fig. 5 eine perspektivische Ansicht einer Verdichtungseinrichtung zur Herstellung des in Fig. 1 bis 3 dargestellten kapazitiven Elements;

Fig. 6 einen Schnitt entlang der Linie VI-VI in Fig. 5;

Fig. 7 einen Schnitt entlang der Linie VII-VII in Fig. 5;

Fig. 8 eine perspektivische Ansicht eines kapazitiven Elements entsprechend einer dritten Ausführungsform vorliegender Erfindung;

Fig. 9 eine perspektivische Ansicht eines kapazitiven Elements nach dem Stand der Technik;

Fig. 10 einen Schnitt, der einen Verfahrensschritt zur Bildung einer dielektrischen Schicht für das bekannte kapazitive Element darstellt;

Fig. 11 einen Schnitt durch das bekannte kapazitive Element, welches dem Verfahrensschritt der Bildung der dielektrischen Schicht unterzogen wurde;

Fig. 12 einen Schnitt, der einen Verfahrensschritt zur Bildung einer Trockenelektrolytschicht für das bekannte kapazitive Element darstellt;

Fig. 13 einen Schnitt durch das bekannte kapazitive Element, welches dem Verfahrensschritt der Bildung der Trockenelektrolytschicht unterzogen wurde;

Fig. 14 eine perspektivische Ansicht eines anderen kapazitiven Elements nach dem Stand der Technik; und

Fig. 15 einen Schnitt entlang der Linie XV-XV in Fig. 14.

Die bevorzugten Ausführungsformen vorliegender Erfindung werden nachfolgend unter Bezug auf Fig. 1 bis 8 anliegender Zeichnung beschrieben.

Zunächst wird auf Fig. 1 bis 3 Bezug genommen, die ein kapazitives Trockenelektrolytelement nach einer ersten Ausführungsform vorliegender Erfindung beschreiben. Wie bei einem konventionellen kapazitiven Element umfaßt das kapazitive Element dieser Ausführungsform einen porösen Kondensatorchip 1 und einen Anodendraht 2, der von einer ersten Stirnfläche 1a des Chips 1 hervorsteht. Der Kondensatorchip 1, welcher bei der dargestellten Ausführungsform kubisch ist, kann durch Verdichten von einem eine elektrolytische Ventilwirkung aufweisendem Metallpulver, wie Tantalpulver, zu einem porösen Körper und dessen anschließenden Sintern hergestellt werden. Der Anodendraht 2 kann aus Tantal oder einem anderen Metall bestehen. Normalerweise ist der Anodendraht 2 teilweise in den Chip 1 eingebettet, wie in Fig. 3 dargestellt.

Der Kondensatorchip 1 weist ein Paar einander gegenüberliegender Seitenflächen 1b, 1c auf, in welchen jeweils eine Vielzahl von Ausnehmungen 1d ausgeformt sind. Jede der Ausnehmungen 1d erstreckt sich nicht bis zu einer zweiten Stirnfläche 1e des Chips 1, die gegenüber der ersten Stirnfläche 1a angeordnet ist, und weist eine erste Begrenzungswand LW1 auf. Des weiteren erstreckt sich auch jede der Ausnehmungen 1e nicht bis zu der ersten Stirnfläche 1a des Chips 1 und weist eine zweite Begrenzungswand LW2 auf.

Bei der Herstellung, wird der auf diese Weise ausgestaltete, poröse, gesinterte Kondensatorchip 1 in eine wäßrige Lösung von z. B. Phosphorsäure (nicht dargestellt) getaucht und durch Anlegen eines Gleichstroms einer anodischen Oxidation (elektrolytischen Oxidation) unterzogen, wie auch konventionell durchgeführt (siehe Fig. 10). Die Folge ist, daß auf den Oberflächen der Metallpartikel und einem getauchten Fußbereich des Anodendrahts 2 ein dielektrischer Überzug aus z. B. Tantalpentoxyd (nicht dargestellt) erzeugt wird (siehe Fig. 11).

Anschließend wird der dielektrisch überzogene Chip 1 in eine wäßrige Lösung von z. B. Mangannitrat (nicht dargestellt) getaucht, so daß die erste Stirnfläche des Chips 1 nicht unter die Oberfläche der Mangannitratlösung gelangt. Anschließend wird der Chip 1 zum Backen aus der Lösung genommen. Dieser Schritt wird mehrfach wiederholt, um eine Trockenelektrolytschicht (z. B. Mangandioxid) auf dem dielektrischen Überzug zu bilden.

Zuletzt wird eine metallische Rathodenanschlußschicht (z. B. aus Silber oder Nickel) auf der Trockenelektrolytschicht aufgebracht, wobei zwischen der Rathodenanschlußschicht und der Trockenelektrolytschicht eine Zwischenschicht z. B. aus Graphit vorgesehen ist.

Bei dem vorbeschriebenen Herstellungsverfahren erleichtert jede der Ausnehmungen 1d das Eindringen der Mangannitratlösung in den porösen Kondensatorchip 1 während der Herstellung der Trockenelektrolytschicht. Des weiteren dient die untere Begrenzungswand LW1 als Damm zur Begrenzung eines Abwärtsflusses oder Ablaufens der Mangannitratlösung, wenn der Chip 1 nach dem Eintauchen aus der Lösung genommen wird. Folglich fährt ein in der Ausnehmung 1d zurückgehaltener Teil der Lösung fort, nach dem Eintauchen und vor dem Backen in den porösen Chip 1 einzudringen, wodurch sich die benötigte Zahl der Tauchvorgänge in die Lösung zur Gewährleistung eines kompletten Eindringens reduziert.

Des weiteren bedingen die ersten und zweiten Begrenzungswände LW1, LW2 jeder Ausnehmung 1d eine Vergrößerung der Oberfläche, die teilweise eine Oberflächenreduzierung aufgrund einer Längenverkürzung der Ausnehmungen 1d im Vergleich zu jeder Nut der bekannten Kondensatorchips (Fig. 14 und 15) kompensiert.

Darüber hinaus ist die durch das Vorsehen der Ausnehmungen 1d bedingte Volumenverringerung des Kondensatorchips 1 geringer als die durch das Vorsehen der Nuten des bekannten Kondensatorchips bedingte Volumenverringerung. Folglich kann die Kapazität des Kondensatorchips 1 (insbesondere auch die eines den Kondensatorchip 1 umfassenden Kondensators) trotz der die Oberfläche des Chips 1 vergrößernden Ausnehmungen 1d verhältnismäßig groß gehalten werden.

Fig. 4 zeigt ein einer zweiten Ausführungsform vorliegender Erfindung entsprechendes kapazitives Element. Das kapazitive Element dieser Ausführungsform entspricht dem der vorbeschriebenen Ausführungsform, abgesehen davon, daß die beiden gegenüberliegenden Seitenflächen 1b, 1c des Chips 1 mit einer Vielzahl länglicher Ausnehmungen 1d' versehen sind, die sich jeweils von der ersten Stirnfläche 1a des Chips 1 ausgehend in Richtung auf die zweite Stirnfläche 1e, aber nicht bis zu derselben hin, erstrecken. Anders ausgedrückt, weist jede der länglichen Ausnehmungen 1d' eine Begrenzungswand LW1' auf, die als Damm zur Begrenzung des Abflusses der Mangannitratlösung dient.

Der in Fig. 1 bis 3 dargestellte Kondensatorchip 1 kann in vorteilhafter Weise durch Verwendung einer in Fig. 5 bis 7 dargestellten Verdichtungseinrichtung hergestellt werden. Im einzelnen umfaßt die Verdichtungseinrichtung einen unteren Stempel 3 mit einer nach innen offenen, formgebenden Nut 4, einen oberen Stempel 5, welcher auf den unteren Stempel 3 zu und von diesem weg beweglich ist, und ein Paar Druckeinrichtungen 6, 7, die in der formgebenden Nut 4 des unteren Stempels 3 auf einander zu und von einander weg, gleitend beweglich sind. Jede der Druckeinrichtungen 6, 7 weist eine Vorderseite auf, die mit einer Vielzahl von Vorsprüngen 6a, 7a versehen ist.

Bei der Anwendung wird eine vorbestimmte Menge an Metallpulver in die formgebende Nut 4 des unteren Stempels 3 zwischen die in von einander entfernte Positionen gebrachten Druckeinrichtungen 6, 7 gegeben. Auch wird ein Anodendraht 2 derart gehalten, daß er nach unten von dem oberen Stempel 5absteht. Der Stempel 5 wird anschließend auf den unteren Stempel 3 zu bewegt und verschließt die formgebende Nut 4. Zuletzt werden die Druckeinrichtungen 6, 7 gleichzeitig aufeinander zu bewegt. Als Folge wird ein kapazitives Element erhalten, welches die in Fig. 1 bis 3 beschriebene Form aufweist.

Während des oben beschriebenen Herstellungsvorgangs des kapazitiven Elements wird das eine elektrolytische Ventilwirkung aufweisende Metallpulver im wesentlichen in einer Richtung senkrecht zu dem Anodendraht 2 verdichtet, da die Verdichtung im wesentlichen aus der Näherungsbewegung der Druckeinrichtungen 6, 7 folgt. Des weiteren bedingt das Vorhandensein der Vorsprünge 6a, 7a, welche die Ausnehmungen 1d erzeugen, eine höhere Verdichtung des eine elektrolytische Ventilwirkung aufweisenden Metallpulvers um den Anodendraht 2. Als Folge kann ein Fußbereich des Anodendrahts 2 bei einer geringen Wahrscheinlichkeit eines unerwarteten Lösens fest in dem Kondensator 2 fixiert bzw. in diesem eingebettet werden.

Fig. 8 zeigt ein einer dritten Ausführungsform vorliegender Erfindung entsprechendes kapazitives Element. Das kapazitive Element dieser Ausführungsform ist ähnlich dem der zweiten Ausführungsform, abgesehen davon, daß jede der beiden Seitenflächen 1b, 1c des Chips 1 mit einer einzigen, eine als Damm zur Begrenzung eines Abflusses der Mangannitratlösung dienende Begrenzungswand LW1" aufweisenden, länglichen Ausnehmung 1d" versehen ist.

Der Kondensatorchip 1 des dritten Ausführungsform kann durch eine Verdichtungseinrichtung, die abgesehen davon, daß jede der beiden, einander gegenüberliegenden Druckeinrichtungen 6", 7" nur einen in Lage und Ausgestaltung der jeweiligen Ausnehmung 1d" entsprechenden Vorsprung aufweist, ähnlich der in Fig. 5 bis 7 dargestellten Verdichtungseinrichtung ist, hergestellt werden.

Der dritten Ausführungsform entsprechend, sind die Ausnehmungen 1d" auf beiden gegenüberliegenden Seitenflächen 1b, 1c und der Anodendraht 2 auf einer Linie (bezüglich der Breite des Chips 1) angeordnet. Folglich ist ein Fußbereich des Anodendraht 2 noch fester in dem Chip 1 fixiert bzw. in diesen eingebettet, wenn das eine elektrolytische Ventilwirkung aufweisendes Metallpulver zu dem Chip 1 verdichtet wird.

Offensichtlich kann die so beschriebene Erfindung auf verschiedene andere Weisen variiert werden. Zum Beispiel können die Ausnehmungen nur auf einer Seitenfläche des Kondensatorchips 1 vorgesehen werden.

Solche Variationen sollen nicht als Abweichung von der Grundidee und Wirkung vorliegender Erfindung aufgefaßt werden, und es sind alle einem Fachmann naheliegenden Modifikationen als in den Schutzbereich nachfolgender Ansprüche fallend anzusehen.


Anspruch[de]
  1. 1. Kapazitives Element für einen Trockenelektrolytkondensator, welches: einen Kondensatorchip (1), der ein verdichteter Körper aus einem eine elektrolytische Ventilwirkung aufweisenden Metallpulver ist sowie eine erste Stirnfläche (1a) und eine zweite, der ersten Stirnfläche (1a) gegenüber liegende Stirnfläche (1e) aufweist; und einen Anodendraht (2), der von der ersten Stirnfläche (1a) des Kondensatorchips (1) absteht, umfaßt; dadurch gekennzeichnet, daß der Kondensatorchip (1) mindestens eine Seitenfläche (1b, 1c) aufweist, die mit mindestens einer Ausnehmung (1d, 1d', 1d") versehen ist, die von der zweiten Stirnfläche (1e) des Chips (1) getrennt ist.
  2. 2. Kapazitives Element nach Anspruch 1, bei welchem die mindestens eine Ausnehmung (1d) eine erste, von der zweiten Stirnfläche (1e) des Kondensatorchips (1) beabstandete Begrenzungswand (LW1) umfaßt.
  3. 3. Kapazitives Element nach Anspruch 1 oder 2, bei welchem die mindestens eine Ausnehmung (1d) eine zweite, von der ersten Stirnfläche (1a) des Kondensatorchips (1) beabstandete Begrenzungswand (LW2) umfaßt.
  4. 4. Kapazitives Element nach Anspruch 1 oder 2, bei welchem sich die mindestens eine Ausnehmung (1d', 1d") von der ersten Stirnfläche (1a) des Kondensatorchips (1) ausgehend auf die zweite Stirnfläche (1e) des Kondensatorchips (1) hinweisend erstreckt.
  5. 5. Kapazitives Element nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei welchem mindestens eine Seitenfläche (1b, 1c) des Kondensatorchips (1) eine Vielzahl von Ausnehmungen (1d, 1d') aufweist.
  6. 6. Kapazitives Element nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei welchem der Kondensatorchip (1) zwei einander gegenüberliegende Seitenflächen (1b, 1c) aufweist, die jeweils mit mindestens einer Ausnehmung (1d, 1d', 1d") versehen sind.
  7. 7. Kapazitives Element nach Anspruch 6, bei welchem jede der beiden einander gegenüberliegenden Seitenflächen (1b, 1c) des Kondensatorchips (1) eine Vielzahl von Ausnehmungen (1d, 1d') aufweist.
  8. 8. Kapazitives Element nach Anspruch 7, bei welchem jede der Ausnehmungen (1d) eine erste, von der zweiten Stirnfläche (1e) des Kondensatorchips (1) beabstandete Begrenzungswand (LW1) und eine zweite, von der ersten Stirnfläche (1a) des Kondensatorchips (1) beabstandete Begrenzungswand (LW2) umfaßt.
  9. 9. Kapazitives Element nach Anspruch 6, bei welchem die Ausnehmungen (1d") auf den beiden einander gegenüber liegenden Seitenflächen (1b, 1c) des Kondensatorchips (1) und der Anodendraht (2) in einer Linie angeordnet sind.
  10. 10. Verdichtungseinrichtung zur Herstellung eines kapazitiven Elements nach einem der Ansprüche 1 bis 9, welche: einen unteren Stempel (3) mit einer nach oben offenen, formgebenden Nut (4); und einen oberen Stempel (5) zur Halterung eines nach unten abstehenden Anodendrahts (2) umfaßt, welcher obere Stempel (5) auf den unteren Stempel (3) zu und von diesem weg beweglich ist; dadurch gekennzeichnet, daß die Verdichtungseinrichtung des weiteren ein Paar einander gegenüber liegender Druckeinrichtungen (6, 6", 7, 7") umfaßt, die in der formgebenden Nut (4) des unteren Stempels (3) auf einander zu und von einander weg, gleitend beweglich sind, wobei mindestens eine der Druckeinrichtungen (6, 6", 7, 7") eine Vorderseite aufweist, die mit mindestens einem Vorsprung (6a, 6a", 7a, 7a") versehen ist.
  11. 11. Verdichtungseinrichtung nach Anspruch 10, bei welcher jede der Druckeinrichtungen (6", 7") eine Vorderseite aufweist, die mit einem, in einer Linie mit dem Anodendraht (2) liegenden Vorsprung (6a", 7a") versehen ist.
  12. 12. Verfahren zur Herstellung eines kapazitiven Elements nach einem der Ansprüche 1 bis 9 unter Verwendung einer Verdichtungseinrichtung, welche: einen unteren Stempel (3) mit einer nach oben offenen, formgebenden Nut (4); einen oberen Stempel (5) zur Halterung eines nach unten abstehenden Anodendrahts (2), welcher obere Stempel (5) auf den unteren Stempel (3) zu und von diesem weg beweglich ist; und ein Paar einander gegenüber liegender Druckeinrichtungen (6, 6", 7, 7") umfaßt, die in der formgebenden Nut (4) des unteren Stempels (3) auf einander zu und von einander weg, gleitend beweglich sind, wobei mindestens eine der Druckeinrichtungen (6, 6", 7, 7") eine Vor derseite aufweist, die mit mindestens einem Vorsprung (6a, 6a", 7a, 7a") versehen ist; wobei das Verfahren die Schritte des:

    Gebens einer bestimmten Menge von einem eine elektrolytische Ventilwirkung aufweisendem Metallpulver in die formgebende Nut (4) des unteren Stempels (3) zwischen die Druckeinrichtungen (6, 6", 7, 7");

    des Bewegens des oberen Stempels (5) auf den unteren Stempel (3) zu, um die formgebende Nut (4) zu verschließen; und

    des Bewegens der Druckeinrichtungen (6, 6", 7, 7") aufeinander zu, um das beigegebene, eine elektrolytische Ventilwirkung aufweisende Metallpulver zu verdichten, umfaßt.






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