PatentDe  


Dokumentenidentifikation DE19936838A1 15.02.2001
Titel Verfahren zur Herstellung eines mit Stickstoff dotierten Einkristalls
Anmelder Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien AG, 84489 Burghausen, DE
Erfinder Löbmann, Arthur, Dipl.-Ing. Dr., 84547 Emmerting, DE
Vertreter Franke, E., Dr., 81737 München
DE-Anmeldedatum 05.08.1999
DE-Aktenzeichen 19936838
Offenlegungstag 15.02.2001
Veröffentlichungstag im Patentblatt 15.02.2001
IPC-Hauptklasse C30B 15/04
IPC-Nebenklasse C30B 31/04   
Zusammenfassung Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines mit Stickstoff dotierten Einkristalls durch Ziehen des Einkristalls aus einer Schmelze. Es wird ein in Pulverform vorliegender Dotierstoff verwendet, der nitridisch gebundenes Silicium enthält.

Beschreibung[de]

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines mit Stickstoff dotierten Einkristalls durch Ziehen des Einkristalls aus einer Schmelze.

Stickstoffquellen für das Dotieren eines Einkristalls sind üblicherweise Sticksoffgas oder flüchtige Stickstoff-Verbindungen (US-4,591,409) oder mit Siliciumnitrid beschichtete Siliciumscheiben (JP-5-294780). Die Stickstoffeinbringung über die Gasphase ist schwer zu kontrollieren, die mit Hilfe einer beschichteten Scheibe umständlich und teuer.

Aufgabe der Erfindung ist die Bereitstellung eines einfachen, kostengünstigen und im industriellen Maßstab einsetzbaren Verfahrens zur Herstellung eines mit Stickstoff dotierten Einkristalls.

Gelöst wird die Aufgabe durch ein Verfahren zur Herstellung eines mit Stickstoff dotierten Einkristalls durch Ziehen des Einkristalls aus einer Schmelze, das dadurch gekennzeichnet ist, daß ein in Pulverform vorliegender Dotierstoff verwendet wird, der nitridisch gebundenes Silicium enthält.

Die Erfindung ist insbesondere zur Herstellung von Einkristallen aus Halbleitermaterial verwendbar. Besonders bevorzugt ist die Anwendung zur Herstellung von Einkristallen aus Silicium gemäß dem Czochralski-Verfahren (CZ-Verfahren) oder dem tiegelfreien Zonenziehen (FZ-Verfahren).

Der Dotierstoff wird entweder zur Schmelze zugegeben oder mit dem die Schmelze bildenden Feststoff vermischt und zusammen mit diesem geschmolzen. In beiden Fällen löst sich der Dotierstoff in der Schmelze aus der der Einkristall gezogen wird.

Der Vorteil des Verfahrens liegt insbesondere in der Verfügbarkeit und der einfachen Dosierbarkeit des Dotierstoffs durch Wiegen. Das Einbringen des Dotierstoffs bereitet keine Schwierigkeiten und läßt sich ohne weiteres in den Ablauf bewährter Produktionsverfahren eingliedern.

Der Datierstoff ist pulverförmig und enthält nitridisch gebundenes Silicium vorzugsweise in Form von Si2N3H oder Si3N4 oder einer Mischung dieser Verbindungen. Die Mikrostruktur des Pulvers kann kristallin oder amorph sein. Es besitzt eine bestimmte Körnung und Reinheit.


Anspruch[de]
  1. 1. Verfahren zur Herstellung eines mit Stickstoff dotierten Einkristalls durch Ziehen des Einkristalls aus einer Schmelze, dadurch gekennzeichnet, daß ein in Pulverform vorliegender Dotierstoff verwendet wird, der nitridisch gebundenes Silicium enthält.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Dotierstoff mindestens eine Verbindung mit der Formel Si2N3H oder Si3N4 enthält.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Dotierstoff in der Schmelze gelöst wird.






IPC
A Täglicher Lebensbedarf
B Arbeitsverfahren; Transportieren
C Chemie; Hüttenwesen
D Textilien; Papier
E Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Physik
H Elektrotechnik

Anmelder
Datum

Patentrecherche

Patent Zeichnungen (PDF)

Copyright © 2008 Patent-De Alle Rechte vorbehalten. eMail: info@patent-de.com