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Dokumentenidentifikation DE69703052T2 15.02.2001
EP-Veröffentlichungsnummer 0788143
Titel Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung und Verwendung eines Spülmittels zur Halbleiter-Reinigung
Anmelder Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc., Tokio/Tokyo, JP
Erfinder Hada, Mayumi, Tayuhama, Niigata-ken, JP;
Hasemi, Ryuji, Tayuhama, Niigata-ken, JP;
Ikeda, Hidetoshi, Tayuhama, Niigata-ken, JP;
Aoyama, Tetsuo, Tayuhama, Niigata-ken, JP
Vertreter Gille Hrabal Struck Neidlein Prop Roos, 40593 Düsseldorf
DE-Aktenzeichen 69703052
Vertragsstaaten DE, FR, GB, IT
Sprache des Dokument EN
EP-Anmeldetag 21.01.1997
EP-Aktenzeichen 971009352
EP-Offenlegungsdatum 06.08.1997
EP date of grant 13.09.2000
Veröffentlichungstag im Patentblatt 15.02.2001
IPC-Hauptklasse G03F 7/42
IPC-Nebenklasse C23G 1/14   H01L 21/306   H01L 21/321   

Beschreibung[de]
Hintergrund der Erfindung Bereich der Erfindung

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Reinigungsverfahren in einem Herstellungsverfahren für Halbleiter mit integrierten Stromkreisen, die einen leitenden Metallfilm auf einem Halbleiter-Wafer besitzen, wobei das Reinigen nach der Entfernung des Photoresists mit einem Entfernungsmittel durchgeführt wird, und eine Spülung zur Reinigung von Halbleiteranordnungen, die in der obigen Reinigung verwendet wird.

Beschreibung des Standes der Technik

In der Herstellung von Halbleitern mit integrierten Stromkreisen wird ein leitender Film für ein Metallschaltungsmaterial auf einem Halbleiter-Wafer durch Verfahren wie Vakuumzerstäuben und CVD gebildet. Dann wird ein Photoresist auf den leitenden Film aufgetragen und durch Photolithographie belichtet und entwickelt, um ein Muster zu bilden, und der nicht maskierte Bereich des leitenden Films wird mit einem reaktiven Gas trocken geätzt, wobei das Photoresist als Maske dient und dadurch ermöglicht, eine feine Schaltung zu bilden.

Danach verwendet man ein Verfahren zur Entfernung des obigen Photoresistfilms von dem leitenden Film oder es wird ein Verfahren angewendet, bei dem, nach der Bildung der feinen Schaltungen, eine Veraschung durchgeführt wird, um den verbliebenen Resistrückstand auf dem maskierten Teil von dem leitenden Film zu entfernen.

Normalerweise werden als Entfernungsmittel für Photoresists in diesen Verfahren im allgemeinen saure und basische Entfernungsmittel verwendet.

Da jedoch saure Entfernungsmittel schwach in ihrer Entfernungskraft und stark in ihrer korrosiven Wirkung auf leitende Metallfilmen sind, die bei der Verarbeitung feiner Schaltungen verwendet werden, werden sie nicht häufig bei der neueren Verarbeitung feiner Schaltungen verwendet, bei denen eine absolute Maßgenauigkeit erforderlich ist.

Da andererseits basische Entfernungsmittel stark in ihrer Entfernungskraft gegenüber dem Resist sind, werden sie seit kurzem in hohem Maße in der Verarbeitung von feinen Schaltungen verwendet. Die folgenden basischen Entfernungsmittel können genannt werden:

(1) eine wäßrige Lösung eines Entfernungsmittels, umfassend ein quaternäres Ammoniumhydroxid als Hauptagens (z. B. veröffentlichte japanische Patentanmeldungen Nrn. 2325/1989 und 48633/1992),

(2) ein Entfernungsmittel, umfassend ein Alkanolamin als Hauptagens (z. B. veröffentlichte japanische Patentanmeldungen Nrn. 88548/1989 und 222573/1994),

(3) ein Entfernungsmittel, umfassend ein Alkanolamin als Hauptagens und ein Reduktionsmittel als Hilfsmittel (z. B. veröffentlichte japanische Patentanmeldungen Nrn. 289866/1992 und 266119/1994).

Die wäßrige Lösung des Entfernungsmittels (1), umfassend ein quaternäres Ammoniumhydroxid als Hauptagens, korrodiert in großem Maß den leitenden Metallfilm aus Aluminium, einer Aluminiumlegierung, Titan, Wolfram oder ähnlichem, die als Schaltungsmaterial verwendet werden, und die Korrosionswirkung wird in dem Fall weiter beschleunigt, wenn reines Wasser oder hochreines Wasser als Spülmittel verwendet wird, was zu dem Problem führt, daß ein Korrosionsphänomen in Form von zahlreichen Löchern oder Kratern auf der Metalloberfläche stattfindet.

In dem Fall, in dem ein quaternäres Ammoniumhydroxid als Hauptagens verwendet wird, und hierzu ein Saccharid oder ein Zuckeralkohol hinzugefügt wird (veröffentlichte japanische Patentanmeldung Nr. 48633/1992), kann das Auftreten des Phänomens der Korrosion in Form von Löchern oder Kratern nicht verhindert werden, wenn reines oder hochreines Wasser als Spülmittel verwendet wird, obwohl die Korrosion eines leitenden Metallfilms unterdrückt wird.

In dem Fall des Entfernungsmittels (2), umfassend ein Alkanolamin als Hauptagens, wird im allgemeinen ein Alkohol wie Methanol und Propanol als Spülmittel verwendet, und zusätzlich dazu wird das Spülen unter Verwendung von reinem Wasser oder hochreinem Wasser durchgeführt. Wenn die Reinigung mit einem Alkohol nicht zufriedenstellend durchgeführt worden ist, findet Korrosion des leitenden Metallfilms bei der nachfolgenden Reinigung mit reinem Wasser oder hochreinem Wasser statt, was zu dem Phänomen der Korrosion in Form von Löchern oder Kratern führt.

Weiter verläuft in dem Fall, bei dem nach Verwendung eines Entfernungsmittels, umfassend ein Alkanolamin als Hauptagens das Spülen direkt unter Verwendung von reinem Wasser oder hochreinem Wasser als Spülmittel durchgeführt wird, ohne Verwendung eines Alkohols als Spülmittel, das Phänomen der Korrosion des leitenden Metallfilms extrem schnell, und das Auftreten des Phänomens der Korrosion in Form zahlreicher Löchern oder Kratern kann nicht verhindert werden.

Oben in (3) wird ein Alkanolamin als Hauptagens verwendet und eine reduzierende Substanz, wie z. B. ein Hydroxylamin, wird als Hilfsstoff verwendet. Auch in diesem Fall wird im allgemeinen das Reinigen mit einem organischen Lösungsmittel, wie einem Alkohol, als Spülmittel durchgeführt, und dann wird das Reinigen mit reinem Wasser oder hochreinem Wasser als Spülmittel durchgeführt. In einigen Fällen wird das Reinigen mit reinem Wasser oder hochreinem Wasser als Spülmittel ohne Verwendung eines organischen Lösungsmittels, wie einem Alkohol, direkt durchgeführt. Im ersten Fall und im letzten Fall findet das Phänomen der Korrosion in der gleichen Art und Weise statt wie im Fall des Entfernungsmittels (2).

Übrigens offenbart die veröffentlichte japanische Patentanmeldung Nr. 184595/1994, daß nach Verwendung eines basischen Entfernungsmittels das Reinigen mit einem Hydroxycarboxylat-Lösungsmittel, einem Alkoxycarbonsäure-Lösungsmittel, einem Amid- Lösungsmittel, einem Lacton-Lösungsmittel, einem Schwefelverbindungs-Lösungsmittel, oder ähnlichen als Spülmittel anstelle eines Alkohols durchgeführt wird, und dann das Reinigen mit reinem Wasser oder hochreinem Wasser als Spülmittel durchgeführt wird. Auch in diesem Fall tritt dasselbe Problem auf wie bei den Entfernungsmitteln (2) und (3), und im Hinblick auf das Phänomen der Korrosion von Aluminium oder ähnlichem konnten keine Verbesserungen erreicht werden.

In einer modernen ultrafeinen Verfahrenstechnik, die in einem Verschaltungsschritt involviert ist, bei dem absolute Maßgenauigkeit erforderlich ist, muß ein gefährliches entflammbares Material, wie zum Beispiel ein Alkohol, in großen Mengen als Spülmittel verwendet werden, wenn ein basisches Entfernungsmittel verwendet wird, und es können auch keine Gegenmaßnahmen gegen die Korrosion in Form von Löchern oder Kratern gefunden werden, die verursacht werden, wenn reines Wasser oder hochreines Wasser verwendet wird. Deshalb ist es erwünscht, ein sicheres Reinigungsverfahren zu entwickeln, bei dem das Phänomen der Korrosion von leitenden Metallfilmen nicht zu beobachten ist.

Andererseits wird beim Trockenätzen des obigen leitenden Films ein schützender Ablagerungsfilm gebildet, der ein Reaktionsprodukt von einem Reaktionsgas mit dem Abdeckmittel ist. Falls dieser schützende Ablagerungsfilm zurückbleibt, verursacht dies Brüche der Schaltungen oder anormale Schaltungen, was zu unterschiedlichen Störungen führt. Deshalb ist es erwünscht, den schützenden Ablagerungsfilm vollständig zu entfernen. Obwohl saure oder basische organische Entfernungsagenzien allgemein herkömmlicherweise verwendet werden, sind diese Entfernungsagenzien nicht geeignet für moderne Verarbeitungen von ultrafeinen Schaltungen, bei denen Maßgenauigkeit unbedingt erforderlich ist, weil diese Entfernungsagenzien von solchen Mängeln begleitet werden, daß sie bei hohen Entfernungstemperaturen verwendet werden oder wegen ihrer Flammpunkte sehr gefährlich sind und den leitenden Film aus einem Metall korrodieren, der in dem Verfahren der ultrafeinen Schaltungen verwendet wird.

In dem Fall der obigen Entfernungsagenzien ist es nach dem Entfernen gefährlich und der Schritt ist auch kompliziert, da eine große Menge eines organischen Lösungsmittels wie eines Alkohols als Spülmittel verwendet wird. In den letzten Jahren erfolgte zum Beispiel die Verwendung eines Entfernungsagens, bei dem eine Fluorverbindung in einem organischen Lösungsmittel gelöst wurde, wie zum Beispiel Ethylenglykol, oder eines Entfernungsagens in Form einer wäßrigen Lösung, umfassend ein organisches antikorrosives Agens, das zu einer Fluorverbindung (veröffentlichte japanische Patentanmeldung Nr. 201794/1995), als einem sicheren und einfachen Entfernungsmittel, hinzugefügt wurde. Diese auf Fluor basierenden Entfernungsagenzien haben Vorteile dahingehend, daß die Entfernungstemperatur bei normalen Temperaturen liegt und hochreines Wasser oder reines Wasser als Spülmittel verwendet werden kann.

Sogar wenn diese auf Fluor basierenden Entfernungsagenzien verwendet werden, kann Korrosion in Form von feinen Löchern oder Kratern, die auf der Metalloberfläche auftreten, nicht verhindert werden. Im Hinblick auf die basischen organischen Entfernungsagenzien, die sauren organischen Entfernungsmittel, oder die auf Fluor basierenden Entfernungsmittel wurden keine Gegenmaßnahmen gegen diese Korrosion gefunden, und deshalb wird ein sicheres und einfaches Entfernungsverfahren gewünscht, das nicht das Phänomen der Korrosion auf dem Metallschaltungsmaterial verursacht, wobei Spülungen berücksichtigt wurden.

Deshalb ist ein Gegenstand der vorliegenden Erfindung die Bereitstellung eines Verfahrens zur Herstellung von Halbleiteranordnungen, bei dem ein Photoresist auf einen auf einem Halbleiter-Wafer gebildeten leitenden Metallfilm aufgetragen wird, eine nach dem Ätzen zurückbleibende Photoresistschicht, jeglicher Resistrückstand (schützender Ablagerungsfilm oder Seitenwandschutzfilm), der nach dem Ätzen gefolgt von Veraschung übrig bleibt, oder Ähnliches mit einem Entfernungsmittel entfernt wird, wobei das Verfahren durch Durchführung des Entfernens und Reinigens in einer sicheren und einfachen Weise ohne jede Korrosion des leitenden Metallfilms eine höchst genaue integrierte Schaltung herstellen kann.

Zusammenfassung der Erfindung

Als Ergebnis der intensiven Untersuchungen im Hinblick auf die Lösung der oben genannten Probleme in einem Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen haben die Erfinder der vorliegenden Erfindung gefunden, daß gemäß einem Verfahren, worin ein Photoresistfilm auf einem leitenden Metallfilm, ein Photoresistfilm nach dem Trockenätzen, oder jeglicher Resistrückstand, der nach dem Trockenätzen gefolgt von Veraschung verbleibt, mit einem Entfernungsmittel entfernt wird, und das Waschen mit einem Spülmittel aus reinem Wasser oder hochreinem Wasser, enthaltend ein Peroxid, durchgeführt wird, die leitende Metallfilmschicht überhaupt nicht korrodiert wird und eine hoch maßgenaue integrierte Schaltung sicher hergestellt werden kann, da ein hochgefährliches organisches Lösungsmittel, wie ein Alkohol, nicht verwendet wird.

Weiterhin haben die Erfinder der vorliegenden Erfindung gefunden, daß es günstig ist, daß nach Bildung einer Maske aus einem Photoresist auf einem leitenden Metallfilm (ein photolithographisches Verfahren oder Ähnliches) für die Bildung einer Schaltungsstruktur durch Trockenätzen des nicht maskierten Teils, der schützende Ablagerungsfilm (auch benannt als Resistrückstand oder Seitenwandschutzfilm), der auf den Seitenwandbereichen des Photoresists vorkommt, und der leitende Film mit einem Entfernungsagens entfernt werden, enthaltend eine Fluorverbindung, gefolgt von der Reinigung mit einem Spülmittel, welches hochreines Wasser oder reines Wasser enthaltend ein Peroxid, umfaßt.

D. h., die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung zur Verfügung, das das Reinigen mit einem Spülmittel in Form von Wasser, das ein Peroxid enthält, nach dem Entfernen eines Photoresists mit einem Entfernungsmittel im Verlauf des Entfernens des Photoresists umfasst, das auf dem auf einem Halbleiter-Wafer gebildeten leitenden Metallfilm aufgebracht wurde.

Weiterhin stellt die vorliegende Erfindung die Verwendung eines Spülmittels zur Reinigung einer Halbleiteranordnung zur Verfügung, wobei das Spülmittel Wasser umfaßt, das 0,1 bis 30 % von einem oder mehreren Peroxiden enthält, ausgewählt aus Wasserstoffperoxid, Benzoylperoxid, Dialkylperoxiden, Hydroperoxiden oder Persäuren.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

Fig. 1 zeigt einen Querschnitt einer Halbleiteranordnung, gebildet aus einem Aluminiumschaltungskörper (Al-Si-Cu-Schicht) durch Trockenätzen mit einem Photoresistfilm, der als Maske verwendet wurde.

Fig. 2 zeigt einen Querschnitt der Halbleiteranordnung von Fig. 1, worin der Photoresistfilm entfernt wurde durch Veraschung des Resists unter Verwendung von Sauerstoffplasma.

In den Figuren bedeutet 1 ein Halbleitersubstrat, 2 bedeutet einen Oxidfilm (SiO&sub2;), 3 bedeutet einen Aluminiumschaltungskörper (Al-Si-Cu-Schicht), 4 bedeutet einen Photoresistfilm, und 5 bedeutet einen Seitenwandschutzfilm (Photoresistrückstand).

Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen

In der vorliegenden Erfindung ist der leitende Metallfilm, der auf einem Halbleiter-Wafer gebildet werden soll, nicht besonders eingeschränkt, und wird vorzugsweise aus Aluminium, einer Aluminiumlegierung, Titan oder einer Wolframlegierung hergestellt. Das Photoresist, das mit einem Entfernungsagens entfernt wird, schließt zum Beispiel ein Photoresist auf dem leitenden Film, eine Photoresistschicht nach dem Trockenätzen oder irgendeinen Resistrückstand ein, der nach dem Trockenätzen gefolgt von Veraschung zurückbleibt. Gelegentlich wird der Resistrückstand auch als Seitenwandschutzfilm oder schützender Ablagerungsfilm bezeichnet, und ein solcher schützender Ablagerungsfilm wird als Produkt einer Reaktion eines Reaktionsgases mit einem Resist auf dem leitenden Film und den Seitenwandbereichen des Photoresists hergestellt, wenn ein Photoresist auf dem leitenden Film aufgetragen wird, eine Maske durch Photolithographie gebildet wird, und eine Schaltungsstruktur durch Trockenätzen der nicht maskierten Teile gebildet wird, gefolgt von Veraschung.

Als Entfernungsagens zur Verwendung in der vorliegenden Erfindung kann zum Beispiel ein basisches Entfernungsmittel erwähnt werden, wie die, die in den Beschreibungen des Standes der Technik beschrieben sind. z. B., (1) eine wäßrige Lösung eines Entfernungsmittels, umfassend ein quaternäres Ammoniumhydroxid als ein Hauptagens, (2) ein Entfernungsmittel, umfassend ein Alkanolamin als ein Hauptagens, und (3) ein Entfernungsmittel, umfassend ein Alkanolamin als ein Hauptagens und ein Reduktionsagens als Hilfsstoff, aber die vorliegende Erfindung ist nicht auf diese beschränkt, und alle wäßrigen und nichtwäßrigen basischen Entfernungsmittel körnen verwendet werden.

Weiterhin kann in der vorliegenden Erfindung als Entfernungsmittel, das bevorzugt zur Entfernung des schützenden Ablagerungsfilms ein Entfernungsmittel genannt werden, das eine Fluorverbindung enthält. Solch ein Entfernungsmittel, das eine Fluorverbindung enthält, ist nicht besonders eingeschränkt, so lange es ein Entfernungsagens ist, das eine Fluorverbindung wie Fluorwasserstoffsäure, Ammoniumfluorid und Ammoniumhydrogenfluorid enthält. Verwendung finden können alle Entfernungsmittel, die eine Fluorverbindung enthalten, welche in Form von einer wäßrigen oder nicht wäßrigen Lösung vorliegen kann, und zu welcher ein Korrosionsschutzmittel oder ein organisches Lösungsmittel hinzugefügt wurde.

In der vorliegenden Erfindung wird nach dem Entfernen des Photoresists mit dem Entfernungsagens Wasser, das ein Peroxid enthält, als Spülmittel verwendet. Als Wasser, in dem ein Peroxid gelöst wird, wird reines oder hochreines Wasser verwendet.

Das zu verwendende Peroxid schließt ein (1) Wasserstoffperoxid, (2) Benzoylperoxid und Dialkylperoxide, wie Di-tert.butylperoxid, (3) Hydroperoxide, wie Cumylhydroperoxid und (4) Persäuren, wie Peressigsäure, Perbenzoesäure und Pertoluylsäure, und unter diesen ist Wasserstoffperoxid besonders bevorzugt.

Diese Peroxide in dem Spülmittel werden in einer Konzentration im Bereich von 0,1 bis 30% verwendet, und bevorzugt 0,5 bis 20%. Wenn die Konzentration des Peroxides in dem Spülmittels kleiner als 0,1 Gew.-% ist, kann ein Korrosionsschutzeffekt auf dem leitenden Film aus Aluminium oder ähnlichen nicht erkannt werden, während, wenn die Konzentration höher als 30 Gew.-% ist, der Korrosionsschutzeffekt nicht verbessert wird, was wirtschaftlich nicht vorteilhaft ist.

Es ist befriedigend, daß die Betriebstemperatur des Spülmittels in der vorliegenden Erfindung Raumtemperatur ist, aber, falls notwendig, können zusätzlich Erwärmen oder Ultraschalwellen verwendet werden. Weiterhin wird normalerweise als ein Verfahren der Behandlung mit dem Spülmittel in der vorliegenden Erfindung das Tauchen verwendet, aber andere Techniken, zum Beispiel Sprühen, können auch verwendet werden.

Nachdem der Photoresistfilm und der Seitenwandschutzfilm vollständig mit verschiedenen Entfernungsagenzien entfernt worden sind, und wenn das Reinigen mit Wasser, enthaltend ein Peroxid gemäß dem Verfahren der vorliegenden Erfindung, wie oben beschrieben, durchgeführt worden ist, ist die korrodierende Wirkung auf einem leitenden Metallfilm (Aluminiumschaltungskörper) nicht zu beobachten.

Weiterhin ist das Verfahren der vorliegenden Erfindung sicher als ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen, da ein hochgefährliches organisches Lösungsmittel, wie ein Alkohol, nicht verwendet wird, und deshalb gemäß dem Verfahren der vorliegenden Erfindung das Reinigen industriell ziemlich einfach und vollständig durchgeführt werden kann, um höchst maßgenaue Schaltungen herzustellen.

Übrigens kann zu dem Peroxid enthaltenden Spülmittel der vorliegenden Erfindung ein oberflächenaktives Agens oder eine organische Carbonsäure hinzugefügt werden, wenn notwendig, um den Reinigungseffekt zu verbessern.

Nun wird die vorliegende Erfindung im speziellen durch die Beispiele näher beschrieben, aber die vorliegende Erfindung ist nicht durch diese Beispiele beschränkt.

Die Bewertungen der Beurteilung von den Beispielen und den Vergleichsbeispielen durch eine Oberflächen-Elektronen-Mikroskopbeobachtung (SEM) sind wie folgt:

(Entfernung) o: Das Entfernen war vollständig.

Δ: Partieller Rückstand wurde beobachtet.

x: Großer Teil verblieb.

(Korrosivität) o: Korrosion wurde gar nicht beobachtet.

Δ: Korrosion in der Form von Löchern oder Poren wurde beobachtet.

x: Aufrauhen auf der durchgehenden Aluminium- Verdrahtung wurde beobachtet und es wurde beobachtet, daß die Al-Si-Cu Schicht zurücktrat.

Beispiele 1 bis 4 und Vergleichsbeispiele 1 bis 4

Fig. 1 zeigt einen Querschnitt einer Halbleiteranordnung, gebildet aus einem Aluminiumschaltungskörper (Al-Si-Cu-Schicht) 3 durch Trockenätzen mit einem Photoresistfilm, der als Maske verwendet wurde. In Fig. 1 ist ein Halbleitersubstrat 1 mit einem Oxidfilm (SiO&sub2;) 2 bedeckt, der ein Isolierfilm ist, und ein Seitenwandschutzfilm (Photoresistrückstand) 5, der durch das Trockenätzen entstanden ist, wurde gebildet.

Nachdem die Halbleiteranordnung, gezeigt in Fig. 1, in jedes in Tabelle 1 gezeigte Entfernungsmittel für eine vorgeschriebene Zeit eingetaucht worden war, wurde mit Spülmittel gewaschen, das hochreines Wasser und ein Peroxid beinhaltete, mit Wasser gewaschen, getrocknet und die Halbleiteranordnung unter dem SEM betrachtet. Die Entfernung des Photoresistlfilms 4 und des Seitenwandschutzfilmes 5 und der Zustand der Korrosion auf der Oberfläche des Aluminiumschaltungskörpers (Al-Si-Cu-Schicht) 3 wurde ausgewertet. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 gezeigt.

Tabelle 1 (weitergeführt)
Tabelle 1 Entfernungsflüssigkeit

Beispiele 5 bis 7 und Vergleichsbeispiele 5 bis 7

Fig. 2 zeigt einen Querschnitt der Halbleiteranordnung von Fig. 1, worin der Photoresistfilm durch Veraschung des Resists unter Verwendung von Sauerstoffplasma entfernt wurde. In Fig. 2 wurde der Seitenwandschutzfilm 5 durch das Sauerstoffplasma nicht entfernt, und der obere Teil des Seitenwandschutzfilms 5 war von dem Aluminiumschaltungskörper (Al-Si-Cu- Schicht) 3 weg verformt.

Nachdem die Halbleiteranordnung, wie in Fig. 2 gezeigt einer Veraschung des Resists unterworfen worden war, wurde sie für eine vorgeschriebene Zeit in jedes Entfernungsmittel getaucht, das die in Tabelle 2 gezeigte Zusammensetzung besaß, mit einem Spülmittel gewaschen, das hochreines Wasser und ein Peroxid umfaßte, mit Wasser gewaschen und getrocknet, und die Halbleiteranordnung wurde unter einem SEM betrachtet. Die Entfernung des Seitenwandschutzfilmes 5 und der Zustand der Korrosion auf der Oberfläche des Aluminiumschaltungskörpers (Al-Si-Cu-Schicht) 3 wurden beurteilt. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 gezeigt. In Tabelle 2 steht die Abkürzung TMAH übrigens für Tetramethylammoniumhydroxid.

Tabelle 2 Entfernungsflüssigkeit
Tabelle 2 (weitergeführt)

Beispiele 8 bis 11 und Vergleichsbeispiele 8 bis 11

Nachdem die Halbleiteranordnung, wie in Fig. 2 gezeigt, einer Veraschung des Resists unterworfen worden war, wurde sie in jedes Entfernungsmittel. Für eine vorgeschriebene Zeit getaucht, das die in Tabelle 3 gezeigte Zusammensetzung besaß, mit einem Spülmittel gewaschen, das hochreines Wasser und ein Peroxid beinhaltete, mit Wasser gewaschen und getrocknet, und die Halbleiteranordnung wurde unter dem SEM betrachtet.

Die Entfernung des schützenden Seitenwandfilmes 5 und der Zustand der Korrosion auf der Oberfläche des Aluminiumschaltungskörpers (Al-Si-Cu-Schicht) 3 wurden ausgewertet. Die Ergebnisse sind in Tabelle 3 gezeigt.

Tabelle 3 Entfernungsflüssigkeit
Tabelle 3 (weitergeführt)


Anspruch[de]

1. Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, umfassend Reinigen mit einem Spülmittel in Form von Wasser, enthaltend ein Peroxid, nach Entfernen eines Photoresists mit einem Entfernungsmittel im Verlauf des Entfernens des Photoresists, das auf einem auf einem Halbleiter-Wafer gebildeten leitenden Metallfilm aufgetragen wurde.

2. Das Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, worin als Entfernungsmittel ein basisches Entfernungsmittel verwendet wird.

3. Das Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, worin als Entfernungsmittel ein Entfernungsmittel, enthaltend eine Fluorverbindung, verwendet wird.

4. Das Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, worin das Photoresist auf den leitenden Metallfilm aufgebracht wird.

5. Das Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, worin das Photoresist eine Photoresistschicht ist, ausgebildet als Maske durch Ätzen der nicht maskierten Bereiche nach der Bildung einer Maske durch Photolithographie.

6. Das Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, worin das Photoresist zurückbleibender Photoresistrückstand nach der Veraschung des Photoresists ist, das gebildet ist als Maske durch Ätzen der nicht maskierten Teile nach der Bildung einer Maske durch Photolithographie.

7. Das Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, worin das Photoresist ein schützender Ablagerungsfilm ist, entwickelt auf dem Seitenwandbereich aus Photoresists und einem leitenden Film bei der Bildung einer Schaltungsstruktur durch Trockenätzen der nicht maskierten Teile nach der Bildung einer Maske durch Photolithographie.

8. Das Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung nach Anspruch 6 oder 7, worin als Entfernungsmittel ein basisches Entfernungsmittel verwendet wird.

9. Das Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung nach Anspruch 6 oder 7, worin als Entfernungsmittel ein Entfernungsmittel, enthaltend eine Fluorverbindung, verwendet wird.

10. Verwendung einer Zusammensetzung, umfassend Wasser enthaltend 0,1 bis 30% von einem oder mehreren Peroxiden, ausgewählt aus Wasserstoffperoxid, Benzoylperoxid, Dialkylperoxiden, Hydroperoxiden, und Persäuren, als Spülmittel zur Reinigung von Halbleiteranordnungen.







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