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Dokumentenidentifikation DE4408579C2 22.11.2001
Titel Festelektrolytkondensator und Verfahren zur Herstellung dieses Kondensators
Anmelder Rohm Co. Ltd., Kyoto, JP
Erfinder Nakamura, Shinji, Kyoto, JP;
Hasegawa, Miki, Kyoto, JP
Vertreter PAe Reinhard, Skuhra, Weise & Partner, 80801 München
DE-Anmeldedatum 14.03.1994
DE-Aktenzeichen 4408579
Offenlegungstag 21.09.1995
Veröffentlichungstag der Patenterteilung 22.11.2001
Veröffentlichungstag im Patentblatt 22.11.2001
IPC-Hauptklasse H01G 9/012
IPC-Nebenklasse H01G 9/025   H01G 9/004   

Beschreibung[de]

Die Erfindung betrifft einen Festelektrolytkondensator mit einem Kondensatorelement gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 sowie ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Festelektrolytkondensators gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 11.

Ein derartiger Festelektrolytkondensator sowie ein derartiges Verfahren sind bereits in der US 45 20 430 offenbart. Aus dieser Druckschrift ist es bekannt, einen Zentralkörper mit hoher Gesamtdichte zu schaffen, an den ein Tantalleitungsdraht durch Löten oder ein anderes herkömmliches Befestigungsverfahren angebracht werden kann, um eine dauerhafte mechanische und elektrische Verbindung zu schaffen. Zu diesem Zweck ist ein hochdichter Tantalbereich in einem Tantalbereich geringere Dichte zur besseren Anbringung eines, Anodendrahtes bzw. eines Tantaldrahtes vorgesehen. Über den hochdichten Bereich wird demgemäss ausschließlich eine feste Elektrolytschicht gebildet, welche immer noch als porös anzusehen ist. Des weiteren ist über eine nicht-poröse Platte oder einen Bereich zur maximalen Erhöhung der Kapazität des Produktes eine elektrolytische Schicht ausgebildet. Wesentlich ist bei dieser Druckschrift die Verwendung eines Anodendrahtes.

Aus der JP 2-12 3724 A ist es bei der Herstellung eines Festelektrolytkondensators bekannt, Sperreinrichtungen durch Imprägnation mit zum Beispiel synthetischem Harz für Manganelektrolytkondensatoren vorzusehen.

Aus dem Stand der Technik sind allgemein Festelektrolytkondensatoren wie Tantalkondensatoren oder Aluminiumkondensatoren bekannt, die bei einer geringen Größe eine hohe Kapazität aufweisen. Typischerweise wird ein derartiger Kondensator in der nachfolgenden Weise hergestellt.

Wie die Fig. 31 der beiliegenden Zeichnungen zeigt, werden zunächst Metallteilchen (z. B. Tantalteilchen) verdichtet und zu einem porösen Chip 2 gesintert, der einen Anodendraht 3 aus Metall (hergestellt beispielsweise aus Tantal) aufweist, der teilweise in den Chip 2 eingebettet ist und teilweise aus dem Chip 2 hervorragt.

Dann wird, wie die Fig. 32 zeigt, der poröse Chip 2 zusammen mit dem unteren Teil (Fußteil) des Drahtes 3 in eine wäßrige Lösung A aus Phosphorsäure getaucht und unter Anlegen eines Gleichstroms einer anodischen Oxidation (elektrolytische Oxidation) unterzogen. Hierdurch wird eine dielektrische Beschichtung (z. B. aus Tantalpentoxid) auf den Oberflächen der Metallteilchen und auf dem eingetauchten Fuß des Drahtes 3 ausgebildet. In Fig. 32 wird nur der freiliegende Teil der dielektrischen Beschichtung schematisch durch das Bezugszeichen 4 zur Veranschaulichung in übertriebener Weise dargestellt, und ein auf dem Fuß des Drahtes 3 ausgebildeter überstehender Abschnitt der freiliegenden dielektrischen Beschichtung 4 mit der Höhe H wird durch das Bezugszeichen 4a angedeutet.

Anschließend wird, wie die Fig. 33 zeigt, der dielektrisch beschichtete Chip 2 in eine wäßrige Lösung B aus Mangandinitrat eingetaucht, um ein Eindringen der Lösung in den porösen Chipabschnitt zu bewirken; anschließend wird er aus der Lösung zum Brennen herausgenommen. Dieser Schritt wird mehrfach wiederholt, um die Innenhohlräume oder Poren des Chips 2 mit einem Festelektrolyt (z. B. Mangandioxid) zu füllen, während ebenfalls über der freiliegenden dielektrischen Beschichtung 4 eine freiliegende Festelektrolytschicht 5 ausgebildet wird. Alternativ hierzu kann der Festelektrolyt aus einem organischen Halbleitermaterial bestehen, das durch chemische Polymerisation, elektrolytische oxidative Polymerisation oder Gasphasenpolymerisation erhalten wird.

Anschließend wird eine hier nicht gezeigte Kathodenschicht aus Metall auf der Festelektrolytschicht 5 (Fig. 33) ausgebildet, üblicherweise mit einer Zwischenschicht oder mit Zwischenschichten (z. H. einer Graphitschicht), die zwischen der Kathodenschicht und der Elektrolytschicht angeordnet ist. Auf diese Weise wird ein Kondensatorelement 1 erhalten.

Gemäß dem oben beschriebenen Stand der Technik ist der überstehende Abschnitt 4a der dielektrischen Beschichtung 4 auf dem Fuß des Anodendrahtes 3 zur elektrischen Trennung (Isolierung) zwischen dem Anodendraht 3 und dem Festelektrolytmaterial (nämlich der Kathode) notwendig. Falls der Anodendraht 3 an seinem Fuß abgeschnitten wird, wird es unmöglich sein, die Anode (nämlich die Metallteilchen) des Kondensators mit einer externen Schaltung zu verbinden. Demnach darf der Anodendraht 3 dieses aus dem Stand der Technik bekannten Kondensators an seinem Fuß nicht abgeschnitten werden.

In einem tatsächlichen Produkt wird deshalb das Kondensatorelement 1 (einschließlich des Chips 2 und des Anodendrahtes 3) vollständig von einer Harzumhüllung 7 umhüllt (dargestellt in der Fig. 34). In diesem Fall wird die nicht dargestellte, auf dem Chip 2 ausgebildete Kathodenschicht in elektrischem Kontakt mit einem Kathodenanschlußdraht 6a gehalten, während der Anodendraht 3 in elektrischem Kontakt mit einem Anodenanschlußdraht 6b gehalten wird. Die jeweiligen Anschlußdrähte 6a, 6b ragen aus der Umhüllung 7 heraus, und sie sind zur einfachen Anbringung an die Oberfläche einer Leiterplatte zur Unterseite der Umhüllung 7 gebogen.

Offensichtlich führt die Notwendigkeit zur vollständigen Umhüllung sowohl des Chips 2 als auch des Anodendrahtes 3 in der Harzumhüllung 7 zu einer Zunahme der Gesamtgröße und des Gesamtgewichtes des Kondensators. Deshalb kann die Kapazität des umhüllten Kondensators pro Volumeneinheit nicht in der beabsichtigten Weise erhöht werden, und zwar auch dann nicht, wenn die Kapazität des Kondensatorelements 1 selbst pro Volumeneinheit groß ist.

Weiterhin müssen starke Kräfte auf den Chip 2 und die damit verbundenen Bestandteile 3, 6a, 6b bei der Formung der Harzumhüllung 7 ausgeübt werden. Deshalb kann der Kondensator unerwarteterweise beschädigt werden (was zu einer Verkürzung oder einer Zunahme des Kriechstromes führt), wodurch eine verringerte Produktionsausbeute verursacht wird.

Weiterhin verursacht die Verwendung der Harzumhüllung 7 und der Anschlussdrähte 6a, 6b relativ hohe Materialkosten, die zu einer Zunahme der Produktionskosten führt. Das Problem der Kostenzunahme wird auch durch die Tatsache bewirkt, dass die Drahtanschlüsse 6a, 6b als weitere Schritte die Anbringung und die Biegung erfordern.

In einer anderen, aus dem Stand der Technik bekannten, Anordnung, die in der Fig. 35 gezeigt wird, ist das Kondensatorelement 1 teilweise in einer Harzumhüllung 8 umhüllt, wobei ein Teil des Chips 2 freiliegt und ein Endteil des Anodendrahtes 3 hervorragt. Der freiliegende Teil des Chips 2 ist mit einer Kathodenanschlussschicht ausgebildet, während an der hervorragenden Spitze des Anodendrahtes 3 zur Funktion als Anodenanschluss eine Abscheidung, Beispiel aus Lot, ausgebildet ist.

Während diese andere Ausführungsform einige der mit der Anordnung der Fig. 34 verbundenen Probleme löst, ist die Größen- und Gewichtsabnahme, die mit dieser anderen Ausführungsform erreichbar ist, weiterhin unzureichend, da der Anodendraht 3 verbleiben muss.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Festelektrolytkondensator der im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 genannten Gattung sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung verfügbar zu machen, wobei der Festelektrolytkondensator durch Weglassen von Anschlussdrähten in seiner Gesamtgröße und -gewicht im Vergleich zu bisher bekannten Festelektrolytkondensatoren verkleinert werden soll.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch die im Anspruch 1 bzw. Anspruch 11 genannten Merkmale gelöst.

Bevorzugte Merkmale, die der Erfindung vorteilhaft weiterbilden, sind in den jeweils nachgeordneten Patentansprüchen angegeben.

Mit der oberen beschriebenen Anordnung verhindert die Sperreinrichtung, dass die Festelektrolytsubstanz an den Anschlussabschnitt tritt, wodurch eine elektrische Abtrennung (Isolierung) zwischen der Anode und der Kathode entsteht. Deshalb kann ein Anodendraht aus Metall, auch dann, wenn er auf einer bestimmten Herstellungsstufe des Kondensators verwendet wird, vom Anschlussabschnitt im Endprodukt entfernt werden. Aufgrund dessen ist es lediglich notwendig, das Kondensatorelement alleine teilweise zu verpacken, wodurch sowohl die Gesamtgröße als auch das Gesamtgewicht des Kondensators stark verringert werden kann.

Da es unnötig ist, die Gesamtheit des Kondensatorelements zusammen mit einem Teil der Anschlussdrähte zu umhüllen, werden diese Bestandteile andererseits bei der Umhüllung geringeren Spannungen ausgesetzt, wodurch das Risiko einer Beschädigung des Kondensators verringert wird. Das Fehlen der Anschlussdrähte vereinfacht weiterhin das Herstellungsverfahren und spart Materialkosten ein.

Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird der Anschlussabschnitt des Kondensatorelements 1 durch ein Ende des gesinterten Chips bereitgestellt, das nichtporös gemacht wird, um als Sperreinrichtung zu wirken. Das eine Ende des gesinterten Chips kann durch eine isolierende Substanz, die in dieses Ende des gesinterten Chips imprägniert wurde, nichtporös gemacht werden. Beispielsweise für die isolierende Substanz umfassen ein hitzeresistentes synthetisches Harz oder Glas.

Alternativ hierzu kann das eine Ende des gesinterten Chips durch Entfernung der Blasen zwischen den Metallteilchen in diesem Ende nicht porös gemacht werden. Die Entfernung der Blasen kann dadurch bewerkstelligt werden, daß die Metallteilchen in dem relevanten Ende, des gesinterten Chips thermisch verschmolzen werden.

Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung weist die Sperreinrichtung eine nicht poröse Metallplatte auf, die an ein Ende des gesinterten Chips angebracht wurde. Weiterhin kann der Anschlußabschnitt des Kondensatorelements einen porösen gesinterten Abschnitt aus Metallteilchen aufweisen, der an die nicht poröse Metallplatte an ihre vom gesinterten Chip beabstandet liegende Oberfläche angebracht wurde.

Die Ausbildung der dielektrischen Substanz und der Festelektrolytsubstanz kann mit einem an den Anschlußabschnitt angebrachten Metalldraht durchgeführt werden, wobei der Metalldraht vor der Ausbildung der Anodenanschlußschicht entfernt wird. Alternativ hierzu kann die Ausbildung der dielektrischen Substanz und der Festelektrolytsubstanz ohne Anbringung eines Metalldrahtes an den Anschlußabschnitt durchgeführt werden.

Im folgenden werden bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung zur Erläuterung weiterer Merkmale anhand der Zeichnungen beschrieben. Es zeigen:

Fig. 1 eine perspektivische Ansicht, die einen Tantalchip zeigt, der zur Herstellung eines Festelektrolytkondensators gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird;

Fig. 2 eine perspektivische Ansicht, die den gleichen Chip zeigt, der teilweise mit einer isolierenden Substanz imprägniert ist;

Fig. 3 eine perspektivische Ansicht, die den gleichen Chip nach der Anbringung eines Tantaldrahtes zeigt;

Fig. 4 eine Schnittansicht, die den gleichen Chip in einem Zustand zur dielektrischen Beschichtung zeigt;

Fig. 5 eine Schnittansicht, die den gleichen Chip in einem Zustand zur Ausbildung des Festelektrolyten zeigt;

Fig. 6 eine perspektivische Ansicht, die den gleichen Chip nach der Bildung einer Silberschicht und nach Entfernung des Tantaldrahtes zeigt;

Fig. 7 eine perspektivische Ansicht, die den gleichen Chip nach der Ausbildung von Anoden- und Kathodenanschlußschichten zeigt;

Fig. 8 eine Schnittansicht entlang den Linien VIII-VIII in Fig. 7;

Fig. 9 eine perspektivische Ansicht, die den gleichen Chip nach der Ausbildung einer Schutzschicht zeigt;

Fig. 10 eine Schnittansicht entlang der Linien X-X in Fig. 9;

Fig. 11A bis 11D Schnittansichten, die aufeinanderfolgende Schritte bei der Herstellung eines Festelektrolytkondensators gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen;

Fig. 12A bis 12C Schnittansichten, die aufeinanderfolgende Schritte bei der Herstellung eines Festelektrolytkondensators gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen;

Fig. 13 eine perspektivische Ansicht, die ein Kondensatorelement in einer auseinandergezogenen Darstellung zeigt, das zur Herstellung eines Festelektrolytkondensators gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung benutzt wird;

Fig. 14 eine perspektivische Ansicht, die das gleiche Kondensatorelement in einem integrierten Zustand zeigt;

Fig. 15 eine Schnittansicht entlang der Linien XV-XV in Fig. 14;

Fig. 16 eine perspektivische Ansicht, die das gleiche Kondensatorelement nach Anbringung eines Tantaldrahtes zeigt;

Fig. 17 eine perspektivische Ansicht, die das gleiche Kondensatorelement nach Ausbildung einer Silberschicht und nach Entfernung des Tantaldrahtes zeigt;

Fig. 18 eine perspektivische Ansicht, die das gleiche Kondensatorelement nach Ausbildung von Anoden- und Kathodenanschlußschichten zeigt;

Fig. 19 eine Schnittansicht entlang der Linien XIX-XIX in Fig. 18;

Fig. 20 eine perspektivische Ansicht, die das gleiche Kondensatorelement nach Ausbildung einer Schutzschicht zeigt;

Fig. 21 eine Schnittansicht entlang der Linien XXI-XXI in Fig. 20;

Fig. 22 eine perspektivische Ansicht, die ein Kondensatorelement in auseinandergezogener Darstellung zeigt, das zur Herstellung eines Festelektrolytkondensators gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird;

Fig. 23 eine perspektivische Ansicht, die einen Tantalchip zeigt, der zur Herstellung eines Festelektrolytkondensators gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung benutzt wird;

Fig. 24 eine Schnittansicht entlang der Linien XXIV-XXIV in Fig. 23;

Fig. 25 eine perspektivische Ansicht, die den Chip aus Fig. 23 nach der Anbringung eines Tantaldrahtes zeigt;

Fig. 26 eine perspektivische Ansicht, die den Chip aus Fig. 25 nach der Ausbildung einer Silberschicht und nach Entfernung des Tantaldrahtes zeigt;

Fig. 27 eine perspektivische Ansicht, die den Chip aus Fig. 26 nach Ausbildung der Anoden- und Kathodenanschlußschichten zeigt;

Fig. 28 eine Schnittansicht, entlang der Linien XXVIII-XXVIII in Fig. 27;

Fig. 29 eine perspektivische Ansicht, die den Chip aus Fig. 27 nach Ausbildung einer Schutzschicht zeigt;

Fig. 30 eine Schnittansicht entlang der Linien XXX-XXX in Fig. 29;

Fig. 31 eine perspektivische Ansicht, die einen Tantalchip zeigt, der zur Herstellung eines Festelektrolytkondensators nach dem Stand der Technik verwendet wird;

Fig. 32 eine Schnittansicht, die den aus dem Stand der Technik bekannten Chip in einem Zustand zur Durchführung der dielektrischen Beschichtung zeigt;

Fig. 33 eine Schnittansicht, die den aus dem Stand der Technik bekannten Chip in einem Zustand zur Durchführung der Festelektrolytausbildung zeigt;

Fig. 34 eine Schnittansicht, die ein Beispiel der Harz-Umhüllung des aus dem Stand der Technik bekannten Chips zeigt; und

Fig. 35 eine Schnittansicht, die ein anderes Beispiel einer Harz-Verpackung des aus dem Stand det Technik bekannten Chips zeigt.

Die Fig. 1 bis 10 der beiliegenden Zeichnungen zeigen aufeinanderfolgende Schritte zur Herstellung eines Festelektrolytkondensators gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung. In dieser Ausführungsform ist der Elektrolytkondensator ein Tantalkondensator.

Zunächst werden, wie die Fig. 1 zeigt, Tantalteilchen verdichtet und zu einem porösen Chip 12 gesintert. Die Verdichtungs- und Sinterschritte können unter Verwendung an sich bekannter Vorrichtungen durchgeführt werden.

Anschließend wird, wie die Fig. 2 zeigt, ein Ende 12' (oberes Ende in der Fig. 2) des porösen Chips 12 mit einer isolierenden Substanz wie einem hitzebeständigem synthetischen Harz oder Glas imprägniert, um einen nicht porösen Endabschnitt 13 zu bilden, während der verbleibende Abschnitt des Chips 12 mit einem porösen Ende 12" (unteres Ende in der Fig. 2) porös bleibt. Die Tiefe dieser Imprägnierung, d. h. die Dicke des nicht porösen Endabschnitts 13, wird durch das Referenzzeichen L in der Fig. 2 angegeben. Der Imprägnierungsvorgang kann beispielsweise durch Eintauchen des relevanten Endes 12' des porösen Chips 12 in ein (hier nicht gezeigtes) Bad mit einer flüssigen isolierenden Substanz oder durch Aufbringen einer geeigneten Menge einer flüssigen isolierenden Substanz durchgeführt werden.

Anschließend wird, wie die Fig. 3 zeigt, ein Tantaldraht 14 an die nicht poröse Endfläche 12' des Chips 12 angebracht. Das Anbringen des Drahtes kann beispielsweise durch Verschweißen oder unter Verwendung einer elektrisch leitenden, hitzebeständigen Paste oder eines elektrisch leitenden, hitzebeständigen Klebemittels durchgeführt werden.

Anschließend wird, wie dies die Fig. 4 zeigt, die Gesamtheit des Chips 12 mit einem Fußabschnitt des Drahtes 14 in eine wäßrige Lösung A aus Phosphorsäure getaucht und durch Anlegen eines Gleichstroms einer anodischen Oxidation (elektrolytischen Oxidation) unterzogen. Hierdurch wird auf den Oberflächen der Tantalteilchen und auf dem eingetauchten Fußabschnitt des Tantaldrahtes 14 eine dielektrische Beschichtung (aus Tantalpentoxid) ausgebildet. In der Fig. 4 ist nur der freiliegende Abschnitt der dielektrischen Beschichtung schematisch durch das Bezugszeichen 15 in vergrößerter Weise zur Veranschaulichung angegeben, und ein Abschnitt der freiliegenden dielektrischen Beschichtung 15, die auf dem Fußabschnitt des Tantaldrahtes 14 ausgebildet ist, wird durch das Bezugszeichen 15' angegeben. Es ist anzumerken, daß der Chip 12 einschließlich der freiliegenden Beschichtung 15 mit Ausnahme des nicht porösen Endabschnittes 13 weiterhin porös bleibt, da die anodische Oxidation nur an den Oberflächen der Tantalteilchen stattfindet.

Anschließend wird, wie die Fig. 5 zeigt, der poröse Abschnitt des dielektrisch beschichteten Chips 12 in eine wäßrige Lösung B aus Mangandinitrat eingetaucht, um ein Eindringen der Lösung in den porösen Chipabschnitt zu bewirken, und anschließend wird er zum Brennen aus der Lösung genommen. Dieser Schritt wird mehrere Male wiederholt, um die inneren Blasen oder Poren des Chips 12 mit einem Festelektrolyten (Mangandioxid) zu füllen, während über der freiliegenden dielektrischen Beschichtung 15 ebenfalls eine freiliegende Festelektrolytschicht 16 ausgebildet wird. Es ist anzumerken, daß die freiliegende Festelektrolytschicht 16 wesentlich dünner ist als in der Fig. 5 gezeigt.

Bei der Ausführung des Schrittes zur Elektrolytausbildung wird die Mangandinitratlösung gehindert, in den nicht porösen Endabschnitt 13 des Chips 12 einzudringen. Demnach kann die im nicht porösen Abschnitt 13 enthaltene isolierende Substanz die Tantalteilchen des nicht porösen Abschnitts 13 vom ausgebildeten Elektrolyt mit hoher Zuverlässigkeit elektrisch abtrennen (isolieren).

Dann wird, wie die Fig. 6 zeigt, nach der (hier nicht gezeigten) Graphitisierung auf der Festelektrolytschicht 16 (Fig. 5) über den Oberflächen des Chips 12, die nicht den nicht porösen Endabschnitt 13 darstellen, eine Silberschicht 17 ausgebildet. Weiterhin wird der Tantaldraht 14 vom nicht porösen Endabschnitt 13 abgelöst oder abgeschnitten.

Dann wird, wie dies die Fig. 7 und 8 zeigen, eine Kathodenanschlußschicht 18 aus Metall auf der Silberschicht 17 ausgebildet. Die Kathodenanschlußschicht 18 kann beispielsweise aus Lot hergestellt worden sein. Natürlich kann eine derartige Kathodenanschlußschicht nur am unteren Teil des Chips 12 ausgebildet sein. Es wird darauf hingewiesen, daß in der Fig. 8 die Kombination der Silberschicht 17 und der Kathodenanschlußschicht 18 nur zur Veranschaulichung als Einzelschicht dargestellt ist.

Dann wird, wie ebenfalls in den Fig. 7 und 8 dargestellt wird, nachdem die nicht poröse Endfläche 12' (Fig. 6) des Chips 12 einer abrasiven Oberflächenbehandlung unterzogen wurde, um die hieran befindlichen Tantalteilchen freizusetzen, auf der abgeriebenen Endfläche 12' eine Anodenanschlußschicht 19 aus Metall, beispielsweise aus Lot, ausgebildet. Die abrasive Oberflächenbehandlung kann eine physikalische Behandlung darstellen, die Plasma verwendet, oder eine chemische Behandlung, die eine chemische Korrosion anwendet. Bevorzugt kann die abgeriebene Endfläche 12' vor der Ausbildung der Anodenanschlußschicht 19 aus Lot einer Vorbehandlung, beispielsweise einer Nickelplatierung, unterzogen werden, um die Affinität an das Lot zu verbessern. Durch das Bezugszeichen 11 in den Fig. 7 und 8 wird ein so erhaltenes Kondensatorelement bezeichnet.

Schließlich wird, wie in den Fig. 9 und 10 gezeigt, eine Schutzschicht 20, beispielsweise aus einem hitzebeständigen synthetischen Harz oder Glas, ausgebildet, um das Kondensatorelement 11 mit Ausnahme der Anodenanschlußschicht 19 und des unteren Teils der Kathodenanschlußschicht 18 zu umhüllen, um ein Festelektrolytkondensator-Produkt vom Oberflächenbefestigungstyp bereitzustellen.

Gemäß der oben beschriebenen ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verhindert die im nicht porösen Endabschnitt 13 des Chipelements 11 enthaltene isolierende Substanz zuverlässig, daß die Anodenanschlußschicht 19 mit der Kathodenanschlußschicht 18 durch den Festelektrolyten elektrisch verbunden wird. Demnach kann der Tantaldraht 14 vom Kondensatorelement 11 zusammen mit dem dielektrischen Beschichtungsabschnitt 15' (am Fußabschnitt des Drahtes 14) entfernt werden, der herkömmlicherweise zur elektrischen Abtrennung zwischen der Anode und der Kathode notwendig war. Demnach ist es möglich, im Vergleich zum Stand der Technik, sowohl das Gesamtgewicht als auch die Gesamtgröße des Kondensators zu verringern.

Aufgrund der vorübergehenden Verwendung des Tantaldrahtes 14 (der später entfernt wird) in der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, kann wenigstens ein Teil einer bereits bestehenden Fertigungslinie, die zur Herstellung von Festelektrolytkondensatoren gemäß dem aus dem Stand der Technik bekannten Drahttyp (vgl. Fig. 34 oder 35) ausgelegt war, ohne Abänderungen verwendet werden. Im Gegensatz zu dem aus dem Stand der Technik bekannten Kondensator ist der dielektrische Beschichtungsabschnit 15' am Fuß des Drahtes 14 zur elektrischen Abtrennung der Anode (Tantalteilchen im nicht porösen Endabschnitt 13) und der Kathode (Festelektrolyt) nicht notwendig.

Die Fig. 11A bis 11D zeigen eine zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die zweite Ausführungsform gleicht der ersten Ausführungsform, unterscheidet sich aber in einigen wenigen Merkmalen hiervon.

Speziell werden gemäß dieser zweiten Ausführungsform Tantalteilchen zunächst verdichtet und zu einem porösen Chip 12a gesintert, zusammen mit einem Tantaldraht 14a, der teilweise in den Chip 12a eingebettet ist und teilweise aus diesem Chip 12a hervorragt, wie dies in der Fig. 11a gezeigt wird. Derartige Verdichtungs- und Sinterschritte können genau die gleichen sein, als diejenigen Schritte, die bei der Herstellung von Kondensatoren des Drahttyps im Stand der Technik verwendet werden (vgl. Fig. 31 bis 35).

Anschließend wird, wie dies die Fig. 11B zeigt, ein Ende 12a' des porösen Chips 12a mit einer isolierenden Substanz, beispielsweise einem hitzeresistenten synthetischen Harz oder Glas, imprägniert, um einen nicht porösen Endabschnitt 13a auszubilden, während der verbleibende Abschnitt des Chips 12a mit einem porösen Ende 12a" porös bleibt. Dieser Verfahrensschritt der zweiten Ausführungsform kann in gleicher Weise wie derjenige der ersten Ausführungsform durchgeführt werden.

Anschließend wird der Chip 12a denjenigen Verfahrensschritten, die zur Ausbildung einer dielektrischen Substanz (Tantalpentoxid), eines Festelektrolyten (Mangandioxid) und einer Silberschicht notwendig sind, in der gleichen Weise unterzogen, wie dies je in den Fig. 4 bis 6 für die erste Ausführungsform gezeigt wird.

Anschließend wird, wie dies in der Fig. 11C gezeigt wird, der Tantaldraht 14a an seinem Fußabschnitt abgeschnitten. In diesem Zustand ragt der Draht 14a noch leicht aus der nicht porösen Endfläche 12a' des Chips 12a hervor. Es wird darauf hingewiesen, daß die dielektrische Beschichtung, die Festelektrolytschicht und die Silberschicht in der Fig. 11C zur Vereinfachung der Darstellung weggelassen wurden.

Anschließend wird, wie dies die Fig. 11D zeigt, die nicht poröse Endfläche 12a' des Chips 12a zusammen mit dem vorspringenden Abschnitt des Tantaldrahtes 14a einer abrasiven Oberflächenbehandlung unterzogen, um die Tantalteilchen an der nicht porösen Endfläche 12a' freizusetzen, während der Draht 14a mit dieser Endfläche bündig gemacht wird. Es wird wiederum darauf hingewiesen, daß die dielektrische Beschichtung, die Festelektrolytschicht und die Silberschicht zur leichteren Darstellung in der Fig. 11D weggelassen wurden.

Die anschließenden Verfahrensschritte zur Ausbildung einer metallischen Kathodenanschlußschicht (hergestellt z. B. aus Lot), einer Anodenanschlußschicht (hergestellt beispielsweise aus Lot) und einer Schutzschicht (hergestellt beispielsweise aus hitzebeständigem synthetischen Harz oder Glas) werden in der gleichen Weise durchgeführt, wie dies für die erste Ausführungsform in den Fig. 7 bis 10 gezeigt wurde. Das entstandene Produkt gleicht dem in den Fig. 9 und 10 gezeigten, mit der Ausnahme, daß ein Teil des Tantaldrahtes 14a im Chip 12a eingebettet bleibt (vgl. Fig. 11D).

Aufgrund der Verwendung des Tantaldrahtes 14a, der teilweise im Chip 12a eingebettet ist, weist die zweite Ausführungsform den Vorteil auf, daß eine bestehende Produktionslinie zur Herstellung eines Festelektrolytkondensators gemäß dem Stand der Technik (vgl. Fig. 31 bis 35) verwendbar ist, sogar einschließlich der Verdichtungs- und Sintervorrichtungen.

Die Fig. 12A bis 12C zeigen eine dritte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In dieser Ausführungsform wird kein Tantaldraht verwendet.

Speziell werden gemäß dieser dritten Ausführungsform Tantalteilchen zunächst verdichtet und, wie dies in der Fig. 12A gezeigt wird, zu einem porösen Chip 12b gesintert. Diese Verdichtungs- und Sinterschritte können in genau der gleichen Weise ausgeführt werden wie diejenigen Schritte, die bei der ersten Ausführungsform verwendet wurden (vgl. Fig. 1).

Anschließend wird, wie dies in der Fig. 12B gezeigt wird, ein Ende 12b' des porösen Chips 12b mit einer isolierenden Substanz, beispielsweise einem hitzebeständigen synthetischen Harz oder Glas, imprägniert, um einen nicht porösen Endabschnitt 13b zu bilden, während der verbleibende Abschnitt des Chips 12b mit einem porösen Ende 12b" porös gehalten wird. Dieser Verfahrensschritt der dritten Ausführungsform kann ebenfalls in gleicher Weise durchgeführt werden wie der der ersten Ausführungsform.

Anschließend wird der Chip 12b, anstatt daß, wie in der ersten Ausführungsform (vgl. Fig. 4), die anodische Oxidation (elektrolytische Oxidation) durchgeführt wird, der Chip 12b einer Oxidation in einer Sauerstoffgas-Atmosphäre unterzogen, um eine dielektrische Substanz (Tantalpentoxid) auszubilden. Die Gasphasenoxidation ist notwendig, da die elektrolytische Oxidation (Flüssigphasenoxidation) ohne vorherige Anbringung eines Tantaldrahtes, der als ein elektrolytischer Pol und als Halterungs- bzw. Handhabungsstück dient, schwierig durchführbar ist.

Anschließend wird, wie dies in der Fig. 12C gezeigt wird, der poröse Abschnitt des oxidierten oder dielektrisch beschichteten Chips 12b in eine wäßrige Lösung B aus Mangandinitrat eingetaucht, um ein Eindringen der Lösung in den porösen Chipabschnitt zu bewirken, und anschließend wird er zum Brennen aus der Lösung herausgenommen. Dieser Schritt wird mehrere Male wiederholt, um im Innern und Äußeren des Chips 12b einen Festelektrolyten (Mangandioxid) auszubilden.

Anstatt daß der Chip 12b direkt in ein Bad aus Mangandinitratlösung B eingetaucht wird, kann der Schritt zur Elektrolytbildung durch Aufbringen einer Mangandinitratlösung auf den Chip 12b durch einen geeigneten Spender durchgeführt werden. Alternativ hierzu kann der Chip 12b mit einem Schwamm in Kontakt gebracht werden, der vorher hergestellt wurde, so daß er eine geeignete Menge an Mangandinitratlösung enthält.

Weiterhin kann der Festelektrolyt, der gemäß der dritten Ausführungsform (und auch der ersten und zweiten Ausführungsformen) aus Mangandioxid hergestellt wird, aus einer organischen Halbleitersubstanz hergestellt werden, die durch chemische Polymerisation, elektrolytische oxidative Polymerisation oder Gasphasenpolymerisation erhalten wird.

Die nachfolgenden Verfahrensschritte der dritten Ausführungsform sind im wesentlichen die gleichen wie diejenigen der ersten Ausführungsform, einschließlich einer Abrasivbehandlung und der Ausbildung einer Silberschicht, einer metallischen Kathodenanschlußschicht (hergestellt beispielsweise aus Lot), einer Anodenanschlußschicht (hergestellt beispielsweise aus Lot) und einer Schutzschicht (hergestellt beispielsweise aus einem hitzebeständigen synthetischen Harz oder Glas).

Aufgrund des vollständigen Fehlens eines Tantaldrahtes ist die dritte Ausführungsform offensichtlich dadurch vorteilhaft, daß die Schritte zum Anbringen und zum Entfernen (Abschneiden) eines Tantaldrahtes vermieden werden. Demnach kann das Herstellungsverfahren insgesamt vereinfacht werden, wodurch eine Verringerung der Material- und Herstellungskosten bewirkt wird.

Die Fig. 13 bis 21 zeigen eine vierte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Gemäß der vierten Ausführungsform werden Tantalteilchen zunächst verdichtet und zu einem porösen Chip 12c gesintert, wie dies in der Fig. 13 gezeigt ist. Andererseits werden, getrennt vom porösen Chip 12c, wie dies ebenfalls in der Fig. 13 gezeigt wird, eine nicht poröse dünne Tantalplatte 13c und ein poröses gesintertes Endteil 13c' aus Tantalteilchen hergestellt.

Anschließend werden, wie dies in den Fig. 14 und 15 gezeigt wird, der poröse Chip 12c und das poröse Endteil 13c', zusammen mit der dazwischen angeordneten nicht porösen Platte 13c, aufeinander geschichtet und durch Löten oder unter Verwendung einer elektrisch leitenden hitzebeständigen Paste oder eines elektrisch leitenden, hitzebeständigen Klebemittels miteinander zu einem Zusammenbau verbunden. Hierdurch wird ein integrierter Körper oder ein Kondensatorelement 11c erhalten.

Alternativ hierzu können der poröse Chip 12c, die nicht poröse Platte 13c und das poröse Endteil 13c' vor dem Sintern der porösen Elemente 12c, 13c' zusammengeschichtet und durch den nachfolgenden Sinterschritt zum Zusammenbau miteinander verbunden werden.

Anschließend wird, wie dies die Fig. 16 zeigt, ein Tantaldraht 14c an den porösen Endteil 13c' des Kondensatorelements 11c angebracht. Die Drahtanbringung kann beispielsweise durch Löten oder unter Verwendung eines elektrisch leitenden, hitzebeständigen Klebemittels oder unter Verwendung einer elektrisch leitenden, hitzebeständigen Paste durchgeführt werden.

Anschließend wird das Kondensatorelement 11c vollständig in eine (hier nicht gezeigte) wäßrige Lösung aus Phosphorsäure eingetaucht und durch Anlegen eines Gleichstrom in gleicher Weise wie in der ersten Ausführungsform (vgl. Fig. 4) einer anodischen Oxidation (elektrolytischen Oxidation) unterzogen. Hierdurch wird eine dielektrische Beschichtung (aus Tantalpentoxid) auf den Oberflächen der Tantalteilchen im porösen Chip 12c und dem porösen Endteil 13c' als auch auf den Oberflächen der nicht porösen Tantalplatte 13c ausgebildet.

Anschließend wird der dielektrisch beschichtete poröse Chip 12c des Kondensatorelements 11c durch Eintauchen des Chip 12c in eine (hier nicht gezeigte) Mangandinitratlösung in gleicher Weise wie in der ersten Ausführungsform (vgl. Fig. 5) einer Elektrolytbildung unterzogen. Gleichzeitig verhindert die nicht poröse Tantalplatte 13c, daß die Mangandinitratlösung in den porösen Endteil 13c' des Kondensatorelements 11c eindringt. Demnach kann die dielektrische Beschichtung (Tantalpentoxid), die auf den Oberflächen der nicht porösen Tantalplatte 13c und des porösen Endteils 13c' ausgebildet wurde, die Tantalteilchen vom gebildeten Elektrolyten mit hoher Zuverlässigkeit abtrennen (isolieren).

Anschließend wird, wie in der Fig. 17 gezeigt, eine Silberschicht 17c auf der Festelektrolytschicht (die in der Fig. 17 nicht gezeigt ist, jedoch der in der Fig. 5 gezeigten Schicht 16 gleicht) über die Oberflächen des porösen Chips 12c nach der Graphitisierung (nicht gezeigt) ausgebildet. Weiterhin wird der Tantaldraht 14c vom porösen Endteil 13c' abgetrennt oder abgeschnitten.

Dann kann, wie dies in den Fig. 18 und 19 gezeigt wird, eine beispielsweise aus Lot hergestellte metallische Kathodenanschlußschicht 18c auf der Silberschicht 17c ausgebildet werden. Die Kathodenanschlußschicht 18c kann nur auf der unteren Seite des Chips 12c ausgebildet werden.

Anschließend wird, wie ebenfalls in den Fig. 18 und 19 gezeigt wird, nach der Abrasivbehandlung der Endfläche des Endteils 13c' auf der abgeriebenen Endseite eine beispielsweise aus Lot hergestellte metallische Anodenanschlußschicht 19c ausgebildet. Bevorzugt kann vor der Ausbildung der Anodenendschicht 19c aus Lot die abrasivbehandelte Endfläche einer Vorbehandlung, beispielsweise einer Nickelplattierung, zur Verbesserung der Affinität des Lots unterzogen werden.

Schließlich wird, wie dies in den Fig. 20 und 21 gezeigt wird, eine Schutzschicht 20c, beispielsweise aus hitzebeständigem synthetischen Harz oder Glas, ausgebildet, um das Kondensatorelement 11c mit Ausnahme der Anodenanschlußschicht 19c und des unteren Abschnitts der Kathodenanschlußschicht 18c einzuhüllen, um ein Festelektrolytkondensator-Produkt des Oberflächenbefestigungstyps bereitzustellen.

Die Fig. 22 zeigt eine fünfte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, die sich von der vierten Ausführungsform nur dadurch unterscheidet, daß ein gesinterter Chip 12d aus Tantalteilchen an seinem einen Ende nur mit einer nicht porösen Tantalplatte 13d zusammengebaut ist. Die Verfahrensschritte nach dem Zusammenbau gleichen denjenigen der vierten Ausführungsform.

Es ist offensichtlich, daß die vierten und fünften Ausführungsformen ohne Verwendung des Tantaldrahtes 14c (Fig. 16) ausführbar sind.

Die Fig. 23 bis 30 zeigen eine sechste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Gemäß dieser sechsten Ausführungsform werden Tantalteilchen zunächst verdichtet und zu einem porösen Chip 12e gesintert, und ein Ende 12e' des Chips 12e wird zu einem nicht porösen Endabschnitt 13e umgewandelt, wie dies in den Fig. 23 und 24 gezeigt wird. Eine derartige teilweise Umwandlung des porösen Chips 12e kann durch Einstrahlung eines Laserstrahls auf das relevante Ende 12e' durchgeführt werden, um eine Wärmefusion der Tantalteilchen zu bewirken.

Anschließend wird, wie dies in der Fig. 25 gezeigt ist, ein Tantaldraht 14c an die nicht poröse Endseite 12e' des Chips 12e angebracht.

Anschließend wird der Chip 12e vollständig in eine wäßrige Lösung aus Phosphorsäure (nicht gezeigt) eingetaucht und durch Anlegen eines Gleichstroms in gleicher Weise wie in der ersten Ausführungsform (vgl. Fig. 4) einer anodischen Oxidation (elektrolytischen Oxidation) unterzogen. Hierdurch wird auf den Oberflächen der Tantalteilchen im porösen Abschnitt des Chips 12e und den Oberflächen des nicht porösen Endabschnitts 13e eine dielektrische Beschichtung (aus Tantalpentoxid) ausgebildet.

Anschließend wird der poröse Abschnitt des dielektrisch beschichteten Chips 12e durch Eintauchen des porösen Abschnitts in eine wäßrige, hier nicht gezeigt Mangandinitratlösung in gleicher Weise wie in der ersten Ausführungsform (vgl. Fig. 5) einer Elektrolytbildung unterzogen. Der nicht poröse Endabschnitt 13e verhindert gleichzeitig, daß die Mangandinitratlösung in den porösen Endabschnitt 13c' des Kondensatorelements 11c eindringt. Demnach kann die auf den Oberflächen des nicht porösen Endabschnitts 13e ausgebildete dielektrische Beschichtung (Tantalpentoxid) die Tantalteilchen des porösen Chipabschnitts von dem ausgebildeten Elektrolyten mit hoher Zuverlässigkeit elektrisch abtrennen (isolieren).

Anschließend wird, wie in Fig. 26 gezeigt, eine Silberschicht 17e auf der Festelektrolytschicht (die in der Fig. 26 nicht gezeigt wird, jedoch der in Fig. 5 gezeigten Schicht 16 gleicht) über den Oberflächen des porösen Chipabschnitts nach der Graphitisierung (nicht gezeigt) ausgebildet. Weiterhin wird der Tantaldraht 14e vom nicht-porösen Endabschnitt 13e abgetrennt oder abgeschnitten.

Anschließend wird, wie dies in den Fig. 27 und 28 gezeigt wird, eine beispielsweise aus Lot hergestellte metallische Kathodenanschlußschicht 18e auf der Silberschicht 17e ausgebildet. Die Kathodenanschlußschicht 18e kann nur auf der unteren Seite des Chips 12e ausgebildet werden.

Anschließend wird, wie ebenfalls in den Fig. 27 und 28 gezeigt, wird, nach der Abrasivbehandlung der Endfläche 12e' des nicht-porösen Endabschnitts 13e auf der abgeriebenen Endfläche eine beispielsweise aus Lot hergestellte metallische Anodenanschlußschicht 19e ausgebildet. Bevorzugt wird vor der Ausbildung der Anodenanschlußschicht 19e aus Lot die abrasivbehandelte Endfläche einer Vorbehandlung, beispielsweise einer Nickelplattierung, unterzogen, um die Affinität für das Lot zu verbessern.

Anschließend wird, wie dies in den Fig. 29 und 30 gezeigt wird, eine Schutzschicht 20e, beispielsweise aus hitzebeständigem synthetischen Harz oder Glas, ausgebildet, um das Kondensatorelement 11c mit Ausnahme der Anodenanschlußschicht 19e und des unteren Abschnitts der Kathodenanschlußschicht 18e zu umhüllen, um ein Festelektrolytkondensator-Produkt des Oberflächenbefestigungstyps bereitzustellen.

Es ist offensichtlich, daß die sechste Ausführungsform ohne Verwendung des Tantaldrahtes 14e (Fig. 25) ausgeführt werden kann.

Es ist offensichtlich, daß die obenbeschriebene Erfindung auf vielfache Weise abwandelbar ist. Beispielsweise ist die vorliegende Erfindung nicht nur auf einen Tantalkondensator beschränkt, sondern sie ist ebenfalls auf andere Festelektrolytkondensatoren, beispielsweise auf einen Aluminiumkondensator, anwendbar.


Anspruch[de]
  1. 1. Festelektrolytkondensator mit einem Kondensatorelement (11-11e), bestehend aus:

    einem porösen gesinterten Chip (12-12e) aus Metallteilchen,

    eine Festelektrolytsubstanz (16), die von den Metallteilchen durch eine dielektrische Substanz (15) elektrisch isoliert ist,

    einer Anodenanschlussschicht (19-19e), die elektrisch mit den Metallteilchen verbunden ist, und aus

    einer Kathodenanschlussschicht (18-18e), die mit der Festelektrolytsubstanz (16) elektrisch verbunden ist,

    wobei das Kondensatorelement (11-11e) einen Anschlussabschnitt aufweist, der an die Anodenanschlussschicht (12-19e) angrenzt und mit einer Sperreinrichtung (13- 13e) ausgestattet ist, durch die ein Eindringen von Festelektrolytsubstanz (16) in den Anschlussabschnitt verhinderbar ist,

    dadurch gekennzeichnet, dass sich eine Schicht aus der Festelektrolytsubstanz (16) die auf der Außenfläche des Chips (12-12e) gebildet ist, nur bis zu dei Sperreinrichtung (13-13e) erstreckt, und

    dass der Anodenanschluss in Form einer Anodenanschlussschicht (19-19e) ausgebildet ist, welche auf der Sperreinrichtung (13-13e) vorgesehen ist.
  2. 2. Kondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Anschlußabschnitt des Kondensatorelements (11, 11e) durch ein Ende (13, 13a, 13b, 13e) des gesinterten Chips (12, 12a, 12b, 12e) gebildet ist und dieses eine Ende des gesinterten Chips zur Funktion als Sperreinrichtung nicht-porös gemacht ist.
  3. 3. Kondensator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das eine Ende (13, 13a, 13b) des gesinterten Chips (12, 12a, 12b) durch eine in dieses eine Ende des gesinterten Chips imprägnierte isolierende Substanz nicht-porös gemacht ist.
  4. 4. Kondensator nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die isolierende Substanz (13, 13a, 13b) ein hitzebeständiges synthetisches Harz oder ein Glas ist.
  5. 5. Kondensator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das eine Ende (13e) des gesinterten Chips (12e) durch Entfernung der Blasen zwischen den Metallteilchen in diesem einen Ende nicht-porös gemacht ist.
  6. 6. Kondensator nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das eine Ende (13e) des gesinterten Chips (12e) durch Wärmeverschmelzung der Metallteilchen in diesem einen Ende nicht-porös gemacht ist.
  7. 7. Kondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Sperreinrichtung eine nicht poröse Metallplatte (13c, 13d) aufweist, die an ein Ende des gesinterten Chips (12c, 12d) angebracht ist.
  8. 8. Kondensator nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Anschlußabschnitt des Kondensatorelements (11c) einen porösen gesinterten Teil (13c') aus Metallteilchen aufweist, der auf der vom gesinterten Chip (12c) beabstandeten Oberfläche auf der nicht porösen Metallplatte (13c) angebracht ist.
  9. 9. Kondensator nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallteilchen Tantalteilchen sind und die dielektrische Substanz (15) Tantalpentoxid ist.
  10. 10. Kondensator nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Festelektrolyt (16) Mangandioxid ist.
  11. 11. Verfahren zur Herstellung eines Festelektrolytkondensators gemäß Patentanspruch 1, bestehend aus den nachfolgenden Schritten:

    Herstellen eines porösen gesinterten Chips (12-12e) aus Metallteilchen, wobei der Chip einen mit einer Sperreinrichtung (13-13e) versehenen Anschlussabschnitt besitzt;

    Ausbilden einer dielektrischen Substanz (15) über dem gesamten gesinterten Chip (12- 12e);

    Ausbilden einer Festelektrolytsubstanz (16) in und auf dem gesinterten Chip (12-12e), wobei die Festelektrolytsubstanz (16) von den Metallteilchen durch die dielektrische Substanz (15) elektrisch isoliert wird;

    Ausbilden eines Anodenanschlusses (19-19e), der mit den Metallteilchen elektrisch verbunden ist; und

    Ausbilden einer Kathodenanschlussschicht (18-18e), die mit der Festelektrolytsubstanz (16) elektrisch verbunden ist,

    dadurch gekennzeichnet,

    dass das Ausbilden der Festelektrolytsubstanz (16) dadurch vorgenommen wird, dass der gesinterte Chip (12-12e) in eine chemische elektrolytbildende Lösung (B) nur bis zu der Sperreinrichtung (13-13e) eingetaucht wird; und

    dass der Anodenanschluss durch eine Anodenanschlussschicht (19-19e) auf der Sperreinrichtung (13-13e) ausgebildet wird.
  12. 12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Anschlußabschnitt an einem Ende (13, 13a, 13b, 13e) des gesinterten Chips (12, 12a, 12b, 12e) selbst ausgebildet wird, wobei das eine Ende (13, 13a, 13b, 13e) des gesinterten Chips (12, 12a, 12b, 12e) nicht-porös gemacht wird, um als Sperreinrichtung zu wirken.
  13. 13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß das eine Ende (13, 13a, 13b) des gesinterten Chips (12, 12a, 12b) durch Imprägnieren einer isolierenden Substanz in dieses eine Ende des gesinterten Chips nichtporös gemacht wird.
  14. 14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die isolierende Substanz (13, 13a, 13b) aus einem hitzebeständigen synthetischen Harz oder aus Glas ausgewählt wird.
  15. 15. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß das eine Ende (13e) des gesinterten Chips (12e) durch Entfernung der Blasen zwischen den Metallteilchen in diesem einen Ende nicht porös-gemacht wird.
  16. 16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß das eine Ende (13e) des gesinterten Chips (12e) durch Wärmeverschmelzung der Metallteilchen in diesem einen Ende nicht-porös gemacht wird.
  17. 17. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Sperreinrichtung durch Anbringung einer nicht porösen Metallplatte (13c, 13d) an dieses eine Ende des gesinterten Chips (12c, 12d) ausgebildet wird.
  18. 18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß der Anschlußabschnitt einen porösen gesinterten Teil (13c') aus Metallteilchen aufweist, der an die nicht poröse Metallplatte (13d) auf der vom gesinterten Chip beabstandeten Oberfläche angebracht wird.
  19. 19. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Schritte zur Ausbildung der dielektrischen Substanz (15) und der Festelektrolytsubstanz (16) mit einem an den Anschlußabschnitt angebrachten Metalldraht (14, 14a) durchgeführt werden, wobei der Metalldraht vor der Ausbildung der Anodenanschlußschicht (19) entfernt wird.
  20. 20. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Schritte zur Ausbildung der dielektrischen Substanz (15) und der Festelektrolytsubstanz (16) ohne Anbringung eines Metalldrahtes an den Anschlußabschnitt durchgeführt werden.






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