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Dokumentenidentifikation DE10227344A1 27.02.2003
Titel Verfahren zum Bilden von Kontaktlöchern in Halbleitervorrichtungen und Verfahren zum Herstellen von Kondensatoren unter Verwendung derselben
Anmelder Hynix Semiconductor Inc., Ichon, Kyonggi, KR
Erfinder Kim, Dong Hyun, Ichon, KR;
Choi, Bong Ho, Seoul/Soul, KR;
Cho, Yong-Tae, Ichon, KR
Vertreter PAe Reinhard, Skuhra, Weise & Partner GbR, 80801 München
DE-Anmeldedatum 19.06.2002
DE-Aktenzeichen 10227344
Offenlegungstag 27.02.2003
Veröffentlichungstag im Patentblatt 27.02.2003
IPC-Hauptklasse H01L 21/31
IPC-Nebenklasse H01L 21/28   
Zusammenfassung Die Erfindung schafft ein Verfahren zum Herstellen eines Kondensators einer Halbleitervorrichtung. Zum Reduzieren eines vertikalen Ätzprofils in einem unteren Bereich eines Loches, wo eine Ladungsspeicherelektrode gebildet wird, wird eine Verunreinigung in den Zwischenschicht-Isolierfilm dotiert, wobei die Konzentrationsdifferenz der Verunreinigung in einem unteren Bereich und in einem oberen Bereich des Zwischenschicht-Isolierfilms gesteuert wird, um die Ätzrate im unteren Bereich des Zwischenschicht-Isolierfilms schneller als im oberen Bereich des Zwischenschicht-Isolierfilms bei Verwendung eines Naßätzprozesses zu machen. Deshalb hat ein Bereich, in dem die untere Elektrode gebildet werden wird, eine maximale Breite, was eine Abnahme der Kapazität des Kondensators verhindert.

Beschreibung[de]
HINTERGRUND Technisches Gebiet

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bilden eines Kontaktlochs in einer Halbleitervorrichtung, und insbesondere ein Verfahren zum Herstellen eines Kondensators in einer Halbleitervorrichtung, welches eine Reduzierung der Kapazität des Kondensators dadurch verhindert, daß das Ätzprofil des Kontaktloches verbessert wird, in dem eine Ladungsspeicherelektrode gebildet wird.

Beschreibung des Standes der Technik

Mit reduzierter Zellengröße der Halbleitervorrichtungen muß die Höhe der Ladungsspeicherelektrode erhöht werden, um eine akzeptable Kapazität zu gewährleisten. Dieses Problem wird durch Beschreibung eines üblichen Verfahrens zum Herstellen eines Kondensators erläutert.

Fig. 1A und 1B sind Querschnittsansichten einer Halbleitervorrichtung. Mit Bezug auf Fig. 1A wird ein erster Zwischenschicht-Isolierfilm 12 auf einem Halbleitersubstrat 11 gebildet, in dem verschiedene Komponenten einer Halbleitervorrichtung durch herkömmliche Prozesse gebildet worden sind. Ein vorgegebener Bereich des ersten Zwischenschicht-Isolierfilms 12 wird dann geätzt, um einen Verbindungsbereich des Halbleitersubstrats 11 freizulegen und um so ein erstes Kontaktloch 100 zu bilden. Als nächstes wird das erste Kontaktloch 100 mit einem leitfähigen Material gefüllt, um einen Ladungsspeicher-Elektrodenstöpsel 13 zu bilden. Nach Bildung eines zweiten Zwischenschicht-Isolierfilms 14 auf der gesamten Struktur wird ein Bereich des zweiten Zwischenschicht- Isolierfilms 14 entfernt, um einen Ladungsspeicher-Elektrodenstöpsel 13 durch einen Ätzprozeß freizulegen und um so ein zweites Kontaktloch 200 zu bilden.

Momentan muß die Höhe der Ladungsspeicherelektrode groß sein, um eine hinreichende Kapazität des Kondensators zu gewährleisten. Daraus resultierend muß der zweite Zwischenschicht-Isolierfilm 14 dick sein, und dementsprechend wird der Prozeß zum Bilden des zweiten Kontaktlochs 200 und die Geschwindigkeit des Entfernens des Polymers, welches beim Ätzen erzeugt wird, langsamer aufgrund der Dicke des Zwischenschicht-Isolierfilms 14. Weiterhin ist die Breite des unteren Bereichs des zweiten Kontaktlochs 200 enger als diejenige des oberen Abschnitts des zweiten Kontaktlochs 200, was in einer Neigungsfläche 15 in einem unteren Bereich des zweiten Kontaktlochs 200 resultiert.

Jetzt mit Bezug auf Fig. 1B wird ein leitfähiges Material auf der gesamten Struktur einschließlich des zweiten Kontaktlochs 200 abgeschieden. Als nächstes wird ein Planarisierungsprozeß, wie z. B. ein chemisch-mechanischer Polierprozeß, durchgeführt, zum Entfernen des leitfähigen Materials auf der Oberseite des zweiten Zwischenschicht-Isolierfilms 14, um so eine Ladungsspeicherelektrode 16 innerhalb des zweiten Kontaktlochs 200 zu bilden.

Die Ladungsspeicherelektrode 16 hat eine V-Gestalt, die in einer reduzierten Kapazität resultiert, im Gegensatz zum Fall, in dem die Ladungsspeicherelektrode 16 eine vertikale Gestalt aufweist. Weiterhin ist der Kontaktbereich zwischen dem Ladungsspeicher-Elektrodenstöpsel 13 und der Ladungsspeicherelektrode 16 reduziert, was den Kontaktwiderstand erhöht. Deshalb ist die elektrische Charakteristik des Kondensators verschlechtert.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Die Erfindung schafft ein Verfahren zum Bilden eines Kontaktlochs und ein Verfahren zum Bilden eines Kondensators in einer Halbleitervorrichtung, welches in der Lage ist, eine Reduzierung der Kapazität des Kondensators zu verhindern, wobei eine Verunreinigung in einem Zwischenschicht-Isolierfilm dotiert wird und eine Differenz in der Dotierungskonzentration im oberen und unteren Bereich des Zwischenschicht-Isolierfilms derart gesteuert wird, daß die Ätzrate in dem unteren Bereich des Zwischenschicht-Isolierfilms größer ist als diejenige im oberen Bereich, um somit ein Kontaktloch mit einer vertikalen Gestalt zu erhalten, im Gegensatz zu der geneigten Gestalt, welche oben erörtert wurde, was in einer erhöhten Kapazität des Kondensators resultiert.

Zum Erhalten des vertikal gestalteten Kontaktlochs ist ein Verfahren zum Herstellen eines Kondensators in einer Halbleitervorrichtung offenbart, welches folgende Schritte aufweist: Bilden von Zwischenschicht-Isolierfilmen auf einem Halbleitersubstrat, in dem verschiedene Komponenten zum Bilden der Halbleitervorrichtung mittels gemeinsamer Prozesse gebildet worden sind, und Dotieren von zumindest einem der Zwischenschicht-Isolierfilme, so daß die Verunreinigungskonzentration in einem unteren Bereich des dotieren Zwischenschicht-Isolierfilms höher ist als in einem oberen Bereich des dotierten Zwischenschicht-Isolierfilms; Entfernen eines vorgegebenen Bereichs des dotierten Zwischenschicht-Isolierfilms mittels eines Ätzprozesses; Durchführen eines Naßreinigungsprozesses; Bilden eines leitfähigen Materials auf der gesamten Struktur; Durchführen eines Planarisierungsprozesses zum Bilden einer Mehrzahl von unabhängigen Ladungsspeicherelektroden; und Bilden eines dielektrischen Films und einer oberen Elektrode auf der gesamten Struktur.

Die Verunreinigung ist vorzugsweise Phosphor oder Bor. Die Isolierfilme sind vorzugsweise BPSG oder PSG.

Das Zuführen der Verunreinigung während der Isolierfilm gebildet wird, kann das Zuführen einer Menge an Verunreinigungen für einen zweiten Zwischenschicht-Isolierfilm enthalten, welche geringer ist als diejenige, die zugeführt wird, wenn der erste untere Isolierfilm gebildet wird, um einen zweiten Isolierfilm mit einer Verunreinigungskonzentration zu bilden, welche geringer ist als diejenige des ersten Isolierfilms, und das Reduzieren der Menge an zugeführten Verunreinigungen, wenn ein folgender Isolierfilm gebildet wird, um einen Isolierfilm mit einer Verunreinigungskonzentration zu bilden, die geringer ist als diejenige der darunterliegenden Isolierfilme, um so die Zwischenschicht-Isolierfilme einer gewünschten Dicke zu bilden.

Durch Dotieren von unteren Bereichen des Isolierfilms mit einer höheren Konzentration an Dotierstoff und durch Dotieren der oberen Bereiche des Isolierfilms mit geringeren Konzentrationen an Dotierstoff sind die unteren Bereiche des Films weniger dicht als die oberen Bereiche und demzufolge lassen sie sich mit einer schnelleren Ätzrate ätzen, was in einem vertikaleren Ätzprofil und in einem Kondensator mit verbesserten Eigenschaften resultiert.

Der Naßreinigungsprozeß kann unter Verwendung von BOE- oder HF-Lösung, einer Oxid-Ätzlösung, durchgeführt werden.

KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Die offenbarten Verfahren und resultierenden Vorrichtungen werden in der folgenden Beschreibung im Zusammenhang mit den begleitenden Zeichnungen erläutert.

In den Figuren zeigen:

Fig. 1A und 1B Querschnittsansichten einer Halbleitervorrichtung zum Erläutern eines üblichen Verfahrens der Herstellung eines Kondensators in einer üblichen Halbleitervorrichtung; und

Fig. 2A bis 2E Querschnittsansichten einer offenbarten Halbleitervorrichtung zum Erläutern des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen eines Kondensators in der Halbleitervorrichtung.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER GEGENWÄRTIG BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN

Die offenbarten Verfahren und Vorrichtungen werden detailliert anhand bevorzugter Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen erläutert, in denen gleiche Bezugszeichen verwendet sind, um gleiche oder ähnliche Teile zu identifizieren.

Fig. 2A bis 2E sind Querschnittsansichten einer Halbleitervorrichtung zum Erläutern eines offenbarten Verfahrens zum Herstellen eines Kondensators in einer Halbleitervorrichtung.

Jetzt mit Bezug auf Fig. 2A wird ein erster Zwischenschicht-Isolierfilm 22 auf einem Halbleitersubstrat 21 gebildet, in dem verschiedene Komponenten ebenfalls über gemeinsame Prozesse gebildet worden sind, um eine vollständige Halbleitervorrichtung zu schaffen. Vorgegebene Bereiche des ersten Zwischenschicht-Isolierfilms 22 werden dann geätzt, um einen Verbindungsbereich des Halbleitersubstrats 21 freizulegen, so daß erste Kontaktlöcher 300 gebildet sind. Als nächstes werden die Kontaktlöcher 300 mit einem leitenden Material gefüllt, um Ladungsspeicher-Elektrodenstöpsel 23 zu bilden. Ein zweiter Zwischenschicht-Isolierfilm 24 wird auf der gesamten Struktur gebildet. Ein oberer Bereich 24c des zweiten Zwischenschicht-Isolierfilms 24 wird mit einer geringeren Verunreinigungskonzentration dotiert als ein mittlerer Bereich 24b und ein unterer Bereich 24a. Der zweite Zwischenschicht-Isolierfilm 24 kann eine einzelne Schicht aufweisen oder kann aus einem ersten, zweiten und dritten Isolierfilm bzw. Isolierschicht 24a, 24b und 24c gebildet werden, wie in Fig. 2A angedeutet, um die erwünschte Dicke aufzuweisen.

Der erste, zweite und dritte Isolierfilm bzw. Isolierschicht 24a, 24b und 24c werden aus einem BPSG(Borphosphor- Silikatglas)-Film oder einem PSG(Phosphor-Silikatglas)-Film gebildet. Der erste bis dritte Isolierfilm 24a bis 24c enthalten alle vorzugsweise die Verunreinigung. Dabei ist die Verunreinigungskonzentration des ersten Isolierfilms 24a über den Ladungsspeicher-Elektrodenstöpseln 23 die höchste, und die Verunreinigungskonzentration des dritten Isolierfilms 24c ist die geringste, denn je höher die Dotierstoff- oder Verunreinigungskonzentration ist, desto schneller ist die Ätzrate.

Ein Verfahren zum Dotieren des Zwischenschicht-Isolierfilms mit der Verunreinigung wird nachstehend erläutert.

Jeder der Isolierfilme 24a, 24b und 24c wird mittels ähnlicher Prozesse gebildet. In dem Prozeß zum Bilden des Isolierfilms 24 wird eine Verunreinigung, wie z. B. Phosphor (P), Bor (B) oder Mischungen davon, zugeführt, so daß der Isolierfilm 24 mit der Verunreinigung dotiert werden kann. Dabei wird die Menge an zugeführter Verunreinigung beim Bilden des Isolierfilms 24 gesteuert, um den Dotierungsgrad von jedem einzelnen der Isolierfilme oder Isolierschichten 24a, 24b, 24c zu steuern. Mit anderen Worten ist die Menge der zugeführten Verunreinigung, wenn der erste Isolierfilm 24a gebildet wird, größer als diejenige, wenn der zweite und dritte Isolierfilm 24b und 24c gebildet werden. Die Menge der zugeführten Verunreinigung, wenn der zweite Isolierfilm 24b gebildet wird, ist kleiner als diejenige, wenn der erste Isolierfilm 24a gebildet wird, aber größer als diejenige, wenn der dritte Isolierfilm 24c gebildet wird. Ebenfalls ist die Menge der zugeführten Verunreinigung, wenn der dritte Isolierfilm 24c gebildet wird, kleiner als diejenige, wenn der zweite Isolierfilm 24b gebildet wird.

Ein Verfahren zum Dotieren von jedem einzelnen der Zwischenschicht-Isolierfilme mit einer Verunreinigung wird nachstehend erläutert unter dem Beispiel einer weiteren Ausführungsform.

In ähnlicher Weise wird jeder der Isolierfilme 24a, 24b und 24c durch ähnliche Prozesse gebildet. Jedes Mal, wenn einer der Isolierfilme 24a, 24b und 24c gebildet wird, wird eine Verunreinigung, wie z. B. Phosphor (P) oder Bor (B), mittels eines Verunreinigungs-Ionen-Implantationsprozesses implantiert. Wenn der Verunreinigungs-Ionen-Implantationsprozeß für jeden der Isolierfilme 24a, 24b, 24c durchgeführt wird, wird die Menge der Verunreinigung gesteuert, um den Dotierungsgrad von jedem einzelnen der Isolierfilme 24a, 24b, 24c einzustellen. Mit anderen Worten ist die Menge an implantierten Verunreinigungen im zweiten und dritten Isolierfilm 24b und 24c geringer als diejenige im ersten Isolierfilm 24a.

Ebenfalls ist die Menge an implantierten Verunreinigungen im zweiten Isolierfilm 24b geringer als diejenige im ersten Isolierfilm 24a, aber größer als diejenige im dritten Isolierfilm 24c. Ebenfalls ist die Menge an implantierten Verunreinigungen im dritten Isolierfilm 24c geringer als diejenige im zweiten Isolierfilm 24b.

Der erste bis dritte Isolierfilm 24a bis 24c mit der verschiedenen Verunreinigungskonzentration werden vorzugsweise sequentiell gebildet, um den zweiten Zwischenschicht-Isolierfilm 24 zu bilden, zum Erhöhen der Ätzrate des unteren Bereichs 24a gegenüber derjenigen des oberen Bereichs 24c des zweiten Zwischenschicht-Isolierfilms 24, wenn ein vorgegebener Bereich des zweiten Zwischenschicht-Isolierfilms 24 geätzt wird.

Jetzt mit Bezug auf Fig. 2B wird ein Photolackmuster 25 auf dem zweiten Zwischenschicht-Isolierfilm 24 gebildet. Vorgegebene Bereiche des zweiten Zwischenschicht-Isolierfilms 24 werden durch Bilden des Photolackmusters 25 freigelegt. Eine Ladungsspeicherelektrode des Kondensators wird in den freiliegenden Bereichen in einem folgenden Prozeß gebildet.

Jetzt mit Bezug auf Fig. 2C werden die freigelegten Bereiche des zweiten Zwischenschicht-Isolierfilms 24 entfernt mittels eines Ätzprozesses unter Verwendung des Photolackmusters 25 als Ätzmaske, um so zweite Kontaktlöcher 26 zu bilden. Eine obere Oberfläche des Ladungsspeicher-Elektrodenstöpsels 23 wird freigelegt am Boden des zweiten Kontaktlochs 26. Als nächstes wird das Photolackmuster 25 entfernt.

Dabei wird die Menge an Polymer, welcher erzeugt wird, wenn der Isolierfilm 24 geätzt wird, variiert mittels der Differenz im Dotierungsgrad des ersten bis dritten Isolierfilms 24a bis 24c. Aufgrund dessen wird das Ätzprofil im unteren Bereich des zweiten Kontaktlochs 26 nahezu vertikal.

Jetzt mit Bezug auf Fig. 2D wird ein Naßreinigungsprozeß durchgeführt zum Entfernen des verbleibenden Polymers, usw., welches erzeugt wird beim Ätzprozeß zum Bilden des zweiten Kontaktlochs 26 oder beim Entfernen des Photolackmusters 25.

Dabei wird der Naßreinigungsprozeß durchgeführt unter Verwendung von BOE(buffered oxide etchant)-Lösung oder HF- Lösung, einer Oxid-Ätzlösung. Wenn die Dotierungsgrade des ersten bis dritten Isolierfilms 24a bis 24c verschieden sind und die Ätzrate im unteren Bereich des zweiten Kontaktlochs 26 schneller ist als diejenige im oberen Bereich des zweiten Kontaktlochs 26 bei Verwendung der Naßätzung, ist das Profil des zweiten Kontaktlochs 26 nach dem Reinigungsprozeß vertikaler als nach dem Ätzprozeß, wie in Fig. 2D gezeigt. Im allgemeinen wird die Naßätzrate, falls die Verunreinigungsmenge, wie z. B. Phosphor (P) oder Bor (B), erhöht ist, weiter erhöht aufgrund der geringeren Dichte der hochdotierten Bereiche im Vergleich zu derjenigen der niedriger dotierten Bereiche.

Jetzt mit Bezug auf Fig. 2E werden die zweiten Kontaktlöcher 26 gebildet in den vorgegebenen Bereichen des zweiten Zwischenschicht-Isolierfilms 24 zum Freilegen der Ladungsspeicher-Elektrodenstöpsel 23. Dann wird ein leitfähiges Material (siehe 27 in Fig. 2E) auf der gesamten Struktur gebildet einschließlich der Ladungsspeicher-Elektrodenstöpsel 23 und der zweiten Kontaktlöcher 26. Als nächstes wird ein Planarisierungsprozeß, wie z. B. ein chemisch-mechanischer Polierungsprozeß, durchgeführt zum Entfernen des leitenden Materials auf dem zweiten Zwischenschicht-Isolierfilm 24, um eine Mehrzahl unabhängiger Ladungsspeicherelektroden 27 zu bilden.

Da das Querschnittsprofil im unteren Bereich des zweiten Kontaktlochs 26 rechteckig ist, wird der Speicher-Elektrodenstöpsel 23 durch die Elektrode 27 am Boden des Lochs kontaktiert, was eine Abnahme der Kapazität des Kondensators verhindert.

Darauf werden, obwohl in den Zeichnungen nicht gezeigt, ein dielektrischer Film und eine obere Elektrode auf der gesamten Struktur mittels eines gemeinsamen Prozesses gebildet, um somit den Kondensator zu vervollständigen.

Gemäß der obigen Beschreibung wird der zweite Zwischenschicht-Isolierfilm 24 bestehend aus drei Isolierfilmen 24a bis 24c gebildet. Jedoch sollte man verstehen, daß der zweite Zwischenschicht-Isolierfilm 24 aus zwei oder mehr Isolierfilmen oder einer Anzahl von N-Isolierfilmen bestehen könnte, und zwar abhängig vom Aspektverhältnis des Loches oder der Prozeßbedingung. Die Dotierungskonzentration ist die höchste im oberen Bereich des ersten Isolierfilms und wird geringer gegen den oberen Bereich des Isolierfilms hin. Die Dotierungskonzentration des ersten bis N-ten Isolierfilms, welche den oberen Zwischenschicht-Isolierfilm bilden, kann willkürlich gesteuert werden.

Wie oben erwähnt, wird das Ätzprofil eines Loches in einem Bereich, in dem die Ladungsspeicherelektrode gebildet wird, vertikal oder im wesentlichen vertikal sein, so daß ein Bereich, in dem die Ladungsspeicherelektrode gebildet wird, einen maximalen Kontaktbereich aufweisen kann. Deshalb haben die offenbarten Verfahren und Vorrichtungen hervorragende Vorteile, welche eine Abnahme in der Kapazität verhindern können und die Zuverlässigkeit des Prozesses verbessern können.

Die offenbarten Verfahren und Vorrichtungen wurden bezüglich bestimmter Ausführungsformen im Zusammenhang mit einer bestimmten Anwendung erläutert. Die Fachleute werden erkennen, daß zusätzliche Modifikationen und Anwendungen in den Schutzbereich der Erfindung fallen.

Deshalb sollen die angehängten Patentansprüche alle solche Anwendungen, Modifikationen und Ausführungsformen innerhalb des Schutzbereichs der Erfindung umfassen.


Anspruch[de]
  1. 1. Verfahren zum Herstellen eines Kondensators einer Halbleitervorrichtung, welches folgende Schritte aufweist:

    Bilden eines Zwischenschicht-Isolierfilms auf dem Substrat, wobei der Zwischenschicht-Isolierfilm mehrere Dotiergrade aufweist, wobei die mehreren Dotiergrade erhalten werden durch Kontrollieren von Verunreinigungskonzentrationen während der Bildung des Zwischenschicht-Isolierfilms, so daß ein unterer Bereich des Zwischenschicht-Isolierfilms eine höhere Dotierungskonzentration als ein oberer Bereich des Zwischenschicht-Isolierfilms aufweist;

    Bilden von Kontaktlöchern durch Entfernen vorgegebener Bereiche des Zwischenschicht-Isolierfilms;

    Durchführen eines Naßreinigungsprozesses.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch den Schritt:

    Bilden einer Schicht eines leitfähigen Materials auf der gesamten Struktur einschließlich der Kontaktlöcher nach dem Naßreinigungsprozeß.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch den Schritt:

    Durchführen eines Planarisierungsprozesses zum Bilden einer Mehrzahl von Ladungsspeicherelektroden nach dem Bilden der Schicht aus leitfähigem Material.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch den Schritt:

    Bilden eines dielektrischen Films auf einer oberen Elektrode auf der gesamten Struktur nach dem Planarisierungsprozeß.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Verunreinigung Phosphor (P) oder Bor (B) ist.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Zwischenschicht-Isolierfilm eines von BPSG oder BSG aufweist.
  7. 7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Naßreinigungsprozeß unter Verwendung von BOE(buffered oxide etchant)-Lösung oder HF(Oxid-Ätzlösung) durchgeführt wird.
  8. 8. Verfahren zum Herstellen eines Kondensators einer Halbleitervorrichtung, welches folgende Schritte aufweist:

    sequentielles Bilden einer Mehrzahl von Zwischenschicht- Isolierfilmen auf dem Halbleitersubstrat, wobei die Vielzahl der Zwischenschicht-Isolierfilme verschiedene Verunreinigungskonzentrationen aufweisen, wobei die Verunreinigungskonzentration eines unteren Zwischenschicht-Isolierfilms größer ist als diejenige eines oberen Zwischenschicht-Isolierfilms;

    Bilden von Löchern durch Entfernen vorgegebener Bereiche des Zwischenschicht-Isolierfilms;

    Durchführen eines Naßätzprozesses.
  9. 9. Verfahren nach Anspruch 8, gekennzeichnet durch den Schritt:

    Bilden einer Schicht aus einem leitfähigen Material auf der gesamten Struktur einschließlich der Löcher nach dem Naßreinigungsprozeß.
  10. 10. Verfahren nach Anspruch 9, gekennzeichnet durch den Schritt:

    Entfernen eines Teils des leitfähigen Materials durch Durchführen eines Planarisierungsprozesses zum Bilden einer Mehrzahl von Ladungsspeicherelektroden.
  11. 11. Verfahren nach Anspruch 10, gekennzeichnet durch den Schritt:

    Bilden eines dielektrischen Films und einer oberen Elektrode auf der gesamten Struktur nach dem Planarisierungsprozeß.
  12. 12. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Verunreinigung Phosphor (P) oder Bor (B) ist.
  13. 13. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Zwischenschicht-Isolierfilm eines von BPSG oder PSG aufweist.
  14. 14. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das sequentielle Bilden der Zwischenschicht-Isolierfilme folgende Schritte aufweist:

    Bilden eines ersten Zwischenschicht-Isolierfilms und Zuführen der Verunreinigung mit einer ersten Konzentration;

    Bilden eines zweiten Zwischenschicht-Isolierfilms und Zuführen der Verunreinigung mit einer zweiten Konzentration, welche geringer als die erste Konzentration ist; und

    Bilden eines dritten Zwischenschicht-Isolierfilms und Zuführen der Verunreinigung mit einer dritten Konzentration, welche geringer als die zweite Konzentration ist.
  15. 15. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das sequentielle Bilden der Zwischenschicht-Isolierfilme folgende Schritte aufweist:

    Bilden eines ersten Zwischenschicht-Isolierfilms;

    Implantieren der Verunreinigung in den ersten Zwischenschicht-Isolierfilm mit einer ersten Konzentration;

    Bilden eines zweiten Zwischenschicht-Isolierfilms;

    Implantieren der Verunreinigung in den zweiten Zwischenschicht-Isolierfilm mit einer zweiten Konzentration, welche geringer als die erste Konzentration ist;

    Bilden eines dritten Zwischenschicht-Isolierfilms; und

    Implantieren der Verunreinigung in den dritten Zwischenschicht-Isolierfilm mit einer dritten Konzentration, welche geringer als die zweite Konzentration ist.
  16. 16. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Naßreinigungsprozeß durchgeführt wird unter Verwendung einer BOE-Lösung oder einer HF-Lösung, welche eine Oxid- Ätzlösung ist.
  17. 17. Verfahren zum Bilden eines Kontaktlochs in einer Halbleitervorrichtung mit den Schritten:

    Bilden von Isolierfilmen mit einem oberen Film und einem unteren Film, wobei eine Verunreinigungskonzentration des oberen Films geringer ist als diejenige des unteren Films; und

    Durchführen eines Ätzprozesses zum Entfernen eines Bereichs der Isolierfilme, so daß ein Kontaktloch mit einer vertikalen Gestalt gebildet wird.
  18. 18. Verfahren nach Anspruch 17, gekennzeichnet durch den Schritt:

    Durchführen eines Naßätzprozesses.
  19. 19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß der Naßätzprozeß unter Verwendung einer BOE-Lösung oder einer HF-Oxid-Ätzlösung durchgeführt wird.
  20. 20. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Verunreinigung Phosphor (P) oder Bor (B) ist.






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