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Dokumentenidentifikation DE69717900T2 30.04.2003
EP-Veröffentlichungsnummer 0801422
Titel Reinigungsmittelzusammensetzung für Photoresist und Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden integrierten Schaltkreises
Anmelder Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc., Tokio/Tokyo, JP
Erfinder Iwata, Keiichi, Tayuhama, Niigata-ken, JP;
Karita, Tetsuya, Tayuhama, Niigata-ken, JP;
Aoyama, Tetsuo, Tayuhama, Niigata-ken, JP
Vertreter Gille Hrabal Struck Neidlein Prop Roos, 40593 Düsseldorf
DE-Aktenzeichen 69717900
Vertragsstaaten DE, FR, GB, IT
Sprache des Dokument EN
EP-Anmeldetag 03.04.1997
EP-Aktenzeichen 971055470
EP-Offenlegungsdatum 15.10.1997
EP date of grant 18.12.2002
Veröffentlichungstag im Patentblatt 30.04.2003
IPC-Hauptklasse H01L 21/321
IPC-Nebenklasse G03F 7/42   

Beschreibung[de]
GEBIET DER ERFINDUNG

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Entfernungsmittel- Zusammensetzung, die zur Entfernung eines Photoresists in einem Verfahren für die Herstellung von integrierten Halbleiterschaltkreisen verwendet wird, und ein Verfahren zur Herstellung eines integrierten Halbleiterschaltkreises.

STAND DER TECHNIK

Integrierte Halbleiterschaltkreise werden hergestellt durch ein Verfahren, bei dem ein Photoresist (Photolack) auf ein anorganisches Substrat aufgebracht wird, ein Muster auf dem Photoresist durch Belichtung mit Licht gebildet wird, anschließend entwickelt wird, das gebildete Muster aus dem Photoresist als Maske verwendet wird, die Anteile des anorganischen Substrates, die nicht durch das Photoresistmuster maskiert sind, geätzt werden, um feine Schaltkreise zu bilden, und anschließend der Photoresist von dem anorganischen Substrat entfernt wird; oder durch ein Verfahren, bei dem, nachdem feine Schaltkreise durch die gleichen Schritte gebildet wurden, wie diejenigen, die oben beschrieben sind, der Photoresist verascht wird und verbleibende Rückstände dies Photoresists von dem anorganischen Substrat entfernt werden.

Bislang wurden im allgemeinen als Entfernungsflüssigkeiten für das Photoresist in diesen Verfahren saure Entfernungsmittel oder alkalische Entfernungsmittel verwendet.

Beispiele saurer Entfernungsmittel schließen Entfernungsmittel ein, die eine Arylsulfonsäure, wie Benzolsulfonsäure, Toluolsulfonsäure und Xylolsulfonsäure, ein Phenol und ein organisches Lösungsmittel, das Chlor enthält, ein (US-Patent Nr. 3 582 401) und ein Entfernungsmittel, das aromatische Kohlenwasserstoffe wie Naphthalin, ein Phenol und eine Arylsulfonsäure umfasst (japanische Patentanmeldung mit der Offenlegungsnummer JP-A-62 035 357).

Diese sauren Entfernungsmittel besitzen ein geringes Entfernungsvermögen und zeigen eine hohe korrosive Wirkung bei Aluminium und Kupfer, die häufig als Verdrahtungsmaterial für die Bildung der feinen Schaltkreise verwendet werden. Diese Mittei sind daher nicht geeignet für Feinarbeiten, bei denen in den letzten Jahren eine strikte Formgenauigkeit erforderlich war. Außerdem ist es, da die Löslichkeit dieser sauren Entfernungsmittel in Wasser gering ist, notwendig, dass das erhaltene Produkt nach der Entfernung des Photoresists mit einem organischen Lösungsmittel, wie einem Alkohol, gewaschen wird und anschließend mit Wasser gereinigt wird. Dies verursacht den Nachteil, dass das Verfahren komplizierter wird.

Beispiele alkalischer Entfernungsmittel schließen ein Entfernungsmittel, das ein Additionsprodukt von Ethylenoxid an ein Alkanolamin oder ein Polyalkylenpolyamin, eine Sulfon-Verbindung und einen Glykolmonoalkylether umfasst (JP-A-62 049 355) und ein Entfernungsmittel ein, das Dimethylsulfoxid als Haupf-Komponente, einen Diethylenglykolmonoalkylether und eine organische Hydroxy-Verbindung, die Stickstoff enthält, umfasst, (japanische Patentanmeldung mit der Offenlegungsnummer JP-A-1 042 653).

Diese alkalischen Entfernungsmittel zerfallen jedoch mit Feuchtigkeit, die während der Verwendung absorbiert wird, wobei Amine gebildet werden, und werden alkalisch. Daher ist, wenn die Reinigung mit einem organischen Lösungsmittel, wie einem Alkohol, zwischen der Entfernung des Photoresists und der Reinigung mit Wasser, nicht durchgeführt wird, das Produkt im Zeitpunkt der Reinigung mit Wasser alkalisch. Die alkalischen Entfernungsmittel zeigen eine hohe korrosive Wirkung gegenüber Aluminium und Kupfer, die häufig als Verdrahtungsmaterial für die Bildung von feinen Schaltkreisen verwendet werden. Daher sind diese Mittel ungeeignet für Feinarbeiten, bei denen in den letzten Jahren eine strikte Dimensionsgenauigkeit gefordert war. Außerdem ist es, wenn alkalische Entfernungsmittel verwendet werden, notwendig, das Produkt nach der Entfernung des Photoresists mit organischen Lösungsmitteln zu spülen, wie einem Alkohol. Dies bedingt den Nachteil, dass das Verfahren komplizierter wird.

In den letzten Jahren bestand, da das Verfahren zur Bildung von Schaltkreisen zu ultrafeinen Schaltkreisen tendierte, der Trend, dass auch die Bedingungen des Ätzens der Materialien, die in den Schaltkreisen verwendet werden, strenger wurden, und die in dem Verfahren verwendeten Photoresists zur Beeinträchtigung neigten. Da die oben beschriebenen sauren Entfernungsmittel und alkalischen Entfernungsmittel eine sehr schwache Entfernungsfähigkeit zeigen, tritt das Problem auf, dass Photoresist auf den anorganischen Substraten zurückbleibt.

Um daher die obigen Probleme zu lösen, ist ein Entfernungsmittel erforderlich, das leicht Filme, Schichten und Rückstände von Photoresists entfernen kann und keine Korrosion des Verdrahtungsmaterials in dem Schaltkreis verursacht.

Der Stand der Technik offenbart auch ein Reinigungsmittel, das ein quaternäres Ammoniumhydroxid, ein Alkoholamin und einen Zuckeralkohol umfasst (JP-A-7 028 254).

Ein weiteres bekanntes Reinigungsmittel umfasst ein nukleophiles Amin mit Oxidations- und Reduktionspotentialen und einen Chelat (EP-A-0 578 507). Die Beispiele 13 und 15 des genannten Dokumentes offenbaren eine Reinigungslösung, die auf Hydroxylamin, Tetramethylammoniumhydroxid und Catechol basiert.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Die vorliegende Erfindung besitzt daher die Aufgabe die obigen Probleme der Entfernungsmittel, die in konventionellen Technologien verwendet wurden, zu lösen, und eine Entfernungsmittel- Zusammensetzung für ein Photoresist bereitzustellen, die eine Schicht des Photoresists, die auf einem anorganischen Substrat aufgetragen ist, eine Schicht eines Photoresists, die nach dem Trockenätzen eines anorganischen Substrates, das mit der Schicht maskiert ist, verbleibt, oder Rückstände einer Schicht des Photoresists, die nach dem Trockenätzen eines anorganisches Substrates, das durch die Schicht maskiert ist, und worin die Schicht anschließend verascht wird, verbleiben, leicht bei niedrigen Temperaturen in kurzer Zeit entfernen kann, Ultrafein-Arbeiten ohne die geringste Korrosion des Verdrahtungsmaterials des Schaltkreises erlaubt, das Spülen des Produktes, das nach der. Entfernung des Photoresists erhalten wird, allein mit Wasser ohne Spülen mit einem organischen Lösungsmittel wie einem Alkohol erlaubt und zur Herstellung eines Schaltkreises mit hoher Genauigkeit führt.

Als Ergebnis der extensiven Untersuchungen der vorliegenden Erfinder, um die obigen Probleme zu lösen, wurde entdeckt, dass eine Entfernungsmittel-Zusammensetzung, die eine wässrige Lösung, die ein quaternäres Ammoniumhydroxid, eine nukleophile Amin-Verbindung mit einem Oxidations-Reduktions-Potential, einen Zucker und/oder einen Zuckeralkohol umfasst, das Entfernen eines Photoresists leicht bei niedrigen Temperaturen in kurzer Zeit in einem Verfahren für die Herstellung von integrierten Halbleiterschaltkreisen erlaubt, und das die obige Zusammensetzung eine Kombination vorteilhafter Eigenschaften zeigt, in dem die Zusammensetzung keine korrosiven Eigenschaften zeigt und keine Korrosion des Verdrahtungsmaterials, das in dem Schaltkreis verwendet wird, stattfindet, und somit der Betrieb erleichtert werden kann.

Daher stellt die vorliegende Erfindung eine Entfernungsmittel- Zusammensetzung für ein Photoresist nach Anspruch 1, und ein Verfahren für die Herstellung von integrierten Halbleiterschaltkreisen, das die Entfernung eines Photoresists, das auf einem anorganischen Substrat aufgetragen ist, unter Verwendung der Entfernungsmittel- Zusammensetzung nach Anspruch 1 umfasst, bereit.

KURZE BESCHREIBUNG DER ABBILDUNG

Fig. 1 zeigt eine Querschnittsansicht eines integrierten Halbleiterschaltkreises, des erhalten wird durch Bilden eines Schaltkreises von Aluminium 3 durch Trockenätzen unter Verwendung einer Schicht eines Resists 4 als Maske.

Fig. 2 zeigt eine Querschnittsansicht eines integrierten Halbleiterschaltkreises, der erhalten wird durch Veraschen der Schicht des Resists 4 in dem integrierten Halbleiterschaltkreis, der in Abb. 1 gezeigt ist, mit Sauerstoffplasma, um die Schicht des Resists 4 zu entfernen.

Die Nummern in den Abbildungen besitzen die in der folgenden Liste gezeigten Bedeutungen:

1: eine Apparatur zur Herstellung eines integrierten Halbleiterschaltkreises

2: eine Oxidschicht

3: ein Aluminiumschaltkreis

4: eine Photoresist-Schicht

5: ein Photoresist an der Seite oder ein Rest eines Photoresists an der Seite.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG

Das quaternäre Ammoniumhydroxid, das in der vorliegenden Erfindung verwendet wird, wird durch die allgemeine Formel [(R¹)&sub3;N-R]&spplus;·OH&supmin; dargestellt (worin R eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen oder eine Hydroxy-substituierte Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen und R¹ eine Alkylgruppe mit 1 bis 3 Kohlenstoffatomen darstellt).

Beispiele der durch die obige Formel dargestellten quaternären Ammoniumhydroxide schließen ein:

Tetramethylammoniumhydroxid, Tetraethylammoniumhydroxid, Tetrapropylammoniumhydroxid, Tetrabutylammoniumhydroxrid, Trimethylethylammoniumhydroxid, Dimethyldiethylammoniumhydroxid, Trimethyl(2-hydroxyethyl)ammoniumhydroxid, Triethyl(2-hydroxyethyl)ammoniumhydroxid, Tripropyl(2-hydroxyethyl)ammoniumhydroxid, Trimethyl(1-hydroxypropyl)ammoniumhydroxid und Tributyl(2-hydroxyethyl)ammoniumhydroxid.

Unter diesen quaternären Ammoniumhydroxiden sind Tetramethylammoniumhydroxid (im folgenden als TMAH bezeichnet) und Trimethyl(2-hydroxyethyl)ammoniumhydroxid (im folgenden als Cholin bezeichnet) besonders bevorzugt.

Die Konzentration des quaternären Ammoniumhydroxids beträgt 0,01 bis 20 Gew.-%, bevorzugt 0,1 bis 10 Gew.-% der gesamten Lösung. Wenn die Konzentration des quaternären Ammoniumhydroxids unterhalb des angegebenen Bereichs liegt, ist die Entfernungsgeschwindigkeit des Photoresists gering. Wenn die Konzentration oberhalb des angegebenen Bereichs liegt, kann eine Korrosion des Verdrahtungsmaterials in dem Schaltkreis nicht verhindert werden.

Beispiele der nukleophilen Amin-Verbindung, mit einem Oxidations- Reduktions-Potential, die in Kombination mit dem quaternären Ammoniumhydroxid in der vorliegenden Erfindung verwendet wird, schließen ein: Hydrazine, dargestellt durch die allgemeine Formel R¹R²N-NR³R&sup4; (worin R¹, R², R³ und R&sup4; jeweils ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe, eine Cycloalkylgruppe, eine Alkenylgruppe, eine Alkinylgruppe, eine substituierte Carboxylgruppe, eine Alkylaminogruppe oder eine Hydroxy-substituierte Alkylgruppe jeweils mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen darstellen) und Hydroxylamine, dargestellt durch die allgemeine Formel R¹R²N-O-R³ (worin R¹, R² und R³ jeweils ein Wasserstoffatom und eine Alkylgruppe, eine Cycloalkylgruppe, eine Alkenylgruppe, eine Alkinylgruppe, eine substituierte Carboxylgruppe, eine Alkylaminogruppe oder eine Hydroxy-substituierte Alkylgruppe, jeweils mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen darstellen).

Spezifische Beispiele der Hydrazine schließen ein: Hydrazin, Methylhydrazin, 1,1-Dimethylhydrazin, Hydrazinoethanol. Spezifische Beispiele des Hydroxylamins schließen N-Methylhydroxylamin, N,N- Dimethylhydroxylamin, N,N-Diethylhydroxylamin.

Die Konzentration der nukleophilen Amin-Verbindungen mit dem Oxidations-Reduktionspotential liegt im Bereich von 1 bis 80 Gew.-%, bevorzugt 3 bis 40 Gew.-% der gesamten Lösung. Wenn die Konzentration unterhalb des angegebenen Bereichs liegt, ist die Entfernungsgeschwindigkeit des Photoresists gering.

Beispiele des Zuckers, der in der vorliegenden Erfindung verwendet wird, schließen Monosaccharide und Polysaccharide ein. Spezifische Beispiele des Zuckers schließen Glycerinaldehyde mit 3 bis 6 Kohlenstoffatomen, Threose, Arabinose, Xylose, Ribose, Ribulose, Xylulose, Glucose, Mannose, Galactose, Tagatose, Allose, Altrose, Gulose, Idose, Tolose, Sorbose, Psicose und Fruchtzucker ein, Beispiele des Zuckeralkohols schließen Threitol, Erythritol, Adonitol, Arabitol, Xylitol, Talitol, Sorbitol, Manitol, Iditol und Dulcitol ein.

Unter diesen Verbindungen sind Glucose, Mannose, Galactose, Sorbitol, Manitol und Xylitol und dem Gesichtspunkt der Löslichkeit und der Zersetzungs-Eigenschaften bevorzugt.

Die Konzentration des Zuckers oder des Zuckeralkohols liegt im Bereich von 0,5 bis 20 Gew.-%, bevorzugt 1 bis 15 Gew.-% der gesamten Lösung. Wenn die Konzentration des Zuckers oder des Zuckeralkohols unterhalb des angegebenen Bereich liegt, kann die Korrosion des Verdrahtungsmaterials in dem Schaltkreis nicht ausreichend verhindert werden. Wenn die Konzentration oberhalb des angegebenen Bereichs liegt, kann kein zusätzlicher Vorteil gefunden werden, und die Konzentration ist aus ökonomischen Gründen nicht bevorzugt.

Beispiele der anorganischen Substrate, die in dem Verfahren zur Herstellung der integrierten Halbleiterschaltkreise der vorliegenden Erfindung verwendet werden, schließen ein: Materialien, die für Halbleiterschaltkreise verwendet werden, wie Silizium, Polysilizium, Siliziumoxidfilme, Aluminium, Aluminiumlegierungen, Titan, Titan-Wolfram, Titannitrid und Wolfram; Verbindungshalbleiter wie Gallium-Arsen, Gallium-Phosphor und Indium-Phosphor und Glassubstrate von LCDs.

Die Entfernungsmittel-Zusammensetzung für ein Photoresist der vorliegenden Erfindung wird verwendet zur Entfernung einer Photoresistschicht, die auf einem anorganischen Substrat aufgetragen ist, eine Photoresistschicht, die zurückbleibt nach Trockenätzen eines anorganischen Substrates, das mit der Photoresistschicht maskiert war, oder Rückständen eines Photoresists, die zurückbleiben nach Trockenätzen eines organischen Substrates, das mit einer Photoresistschicht maskiert ist und anschließendem Veraschen der Photoresistschicht, Bei der Durchführung der Entfernung der Schicht oder der Rückstände kann geeignet das Erwärmen oder die Behandlung mit Ultraschallwellen in Kombination verwendet werden.

Im allgemeinen kann die Schicht der Rückstände des Photoresists ausreichend entfernt werden bei Raumtemperatur. Erwärmen oder die Behandlung mit Ultraschallwellen kann bei Bedarf auch in Kombination verwendet werden.

Im allgemeinen wird, bei der Behandlung unter Verwendung der Entfernungsmittel-Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung das Verfahren des Eintauchens durchgeführt. Es können jedoch auch andere Methoden wie Besprühen verwendet werden.

Wenn die Entfernungsmittel-Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung verwendet wird, ist es nicht notwendig, dass das Produkt, das nach der Entfernung des Photoresists erhalten wird, mit einem organischen Lösungsmittel, wie einem Alkohol gespült wird. Das Spülen mit Wasser allein ist ausreichend.

Um die Vorteile der vorliegenden Erfindung unter Verwendung der Entfernungsmittel-Zusammensetzung für ein Photoresist der vorliegenden Erfindung zusammenzufassen, kann eine Schicht eines Photoresists, die auf einem anorganischen Substrat aufgebracht ist, eine Schicht eines Photoresists, die nach dem Trockenätzen eines anorganischen Substrates, das mit einer Schicht maskiert ist, zurückbleibt, oder Rückstände von Schichten eines Photoresists, die nach dem Trockenätzen eines anorganischen Substrates, das mit einer Schicht maskiert wurde, und anschließender Veraschung der Schicht zurückbleiben, leicht bei niedrigen Temperaturen in kurzer Zeit entfernt werden. Ultrafeines Arbeiten ist ohne jegliche Korrosion des Verdrahtungsmaterials des Schaltkreises möglich. Das Produkt, das nach der Entfernung des Photoresists erhalten wird, kann mit Wasser allein gespült werden und das Spülen mit einem organischen Lösungsmittel wie einem Alkohol ist nicht notwendig. Integrierte Schaltkreise können mit hoher Genauigkeit hergestellt werden. Daher können durch das Verfahren zur Herstellung von integrierten Halbleiterschaltkreisen der vorliegenden Erfindung integrierte Schaltkreise mit hoher Genauigkeit sehr vorteilhaft industriell gefertigt werden.

Die vorliegende Erfindung wird nun im Hinblick auf die Beispiele detailliert erläutert. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf die Beispiele beschränkt.

Fig. 1 zeigt eine Querschnittsansicht eines integrierten Halbleiterschaltkreises, der durch Bildung eines Schaltkreises von Aluminium 3 durch Trockenätzen unter Verwendung einer Schicht eines Resists 4 als Maske erhalten wird. In Abb. 1 wird das Substrat 1 des integrierten Halbleiterschaltkreises mit einer Schicht eines Oxids 2 beschichtet und weist Schichten an den Seiten 5 zum Schutz der Seiten während des Ätzens auf.

Fig. 2 zeigt eine Querschnittsansicht eines integrierten Halbleiterschaltkreises, der durch Veraschen der Schicht eines Resists 4 in einem integrierten Halbleiterschaltkreis, der in Abb. 1 gezeigt ist, mit Sauerstoffplasma erhalten wird, um die Schicht des Resists 4 zu entfernen. In Fig. 2 bleiben die Rückstände des Photoresists an den Seiten (die akkumulierten Schichten, um die Seiten zu schützen) zurück, ohne durch das Sauerstoffplasma entfernt zu werden, obwohl die oberen Teile der Rückstände in solcher Weise deformiert sind, dass sie im Hinblick auf die Zentrallinie des Schaltkreises aus Aluminium 3 offen sind.

BEISPIELE 1 BIS 9 UND VERGLEICHSBEISPIELE 1 BIS 4

Der in Fig. 1 gezeigte integrierte Halbleiterschaltkreis wurde in eine Entfernungsmittel-Zusammensetzung mit einer Zusammensetzung, die in Tabelle 1 gezeigt ist, für eine angegebene Zeit eingetaucht. Nach dem Eintauchen wurde der integrierte Schaltkreis getrocknet und unter einem Elektronenmikroskop (SEM) beobachtet. Die Entfernungseigenschaften für die Schicht des Photoresists 4 und der Rückstände des Photoresists 5 und die Korrosion des Aluminiumschaltkreises (AL) 3 wurden durch Beobachtung bewertet, und die Ergebnisse sind in Tabelle 1 gezeigt. Die Ergebnisse der Bewertung sind entsprechend der folgenden Klassifizierung gegeben:

(Entfernungseigenschaften)

o: vollständige Entfernung

Δ: teilweise verblieben

X: überwiegend verblieben (Korrosion)

o: nicht die geringste Korrosion

Δ: partielle Korrosion

X: schwere Korrosion

Tabelle 1-1
Tabelle 1-2

BEISPIELE 9 BIS 16 UND VERGLEICHSBEISPIELE 5 BIS 8

Der in Fig. 2 gezeigte integrierte Halbleiterschaltkreis, der durch die Veraschung behandelt worden war, wurde in eine Entfernungsmittel- Zusammensetzung mit der in Tabelle 2 angegebenen Zusammensetzung für eine gegebene Zeit eingetaucht. Nach dem Eintauchen wurde der integrierte Schaltkreis mit ultrareinem Wasser gespült, getrocknet und unter einem Elektronenmikroskop (SEM) beobachtet. Die Entfernungseigenschaften der Schicht des Photoresists 4 und der Rückstände des Photoresists 5 und die Korrosion des Aluminiumschaltkreises (AL) 3 wurden durch Beobachtung bewertet, und die Ergebnisse sind in Tabelle 2 gezeigt. Die Ergebnisse der Bewertung sind entsprechend der gleichen Klassifizierung wie derjenigen, die für die Ergebnisse, die in Tabelle 1 gezeigt sind, verwendet wurden, angegeben.

Tabelle 2-1
Tabelle 2-2


Anspruch[de]

1. Entfernungsmittel-Zusammensetzung für ein Photoresist, das umfasst: 0,01 bis 20 Gew.-% eines quaternären Ammoniumhydroxids, dargestellt durch die allgemeine Formel [(R¹)&sub3;N-R]&spplus;·OH&supmin; (worin Reine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen oder eine Hydroxy-substituierte Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen darstellt, und R¹ eine Alkylgruppe mit 1 bis 3 Kohlenstoffatomen darstellt), 1 bis 80 Gew.-% einer Verbindung, die ausgewählt wird aus der Gruppe die besteht aus: Hydrazinen, dargestellt durch die allgemeine Formel R¹R²N-NR³R&sup4; (worin R¹, R², R³ und R&sup4; jeweils ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe, eine Cycloalkylgruppe, eine Alkenylgruppe, eine Alkinylgruppe, eine substituierte Carboxylgruppe, eine Alkylaminogruppe oder eine Hydroxy- substituierte Alkylgruppe, jeweils mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen darstellen), und Hydroxylaminen, dargestellt durch die allgemeine Formel R¹R²N-O-R³ (worin R¹, R² und R³ jeweils ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe, eine Cycloalkylgruppe, eine Alkenylgruppe, eine Alkinylgruppe, eine substituierte Carboxylgruppe, eine Alkylaminogruppe oder eine Hydroxy-substituierte Alkylgruppe jeweils mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen darstellen), 0,5 bis 20 Gew.-% eines Zuckers und/oder eines Zuckeralkohols und Wasser in der verbleibenden Menge.

2. Verfahren zur Herstellung eines integrierten Halbleiterschaltkreises, das umfasst: Entfernen des Photoresists, das auf einem anorganischen Substrat aufgetragen ist, unter Verwendung einer Entfernungsmittel- Zusammensetzung, die in Anspruch 1 beschrieben ist.

3. Verfahren nach Anspruch 2, worin eine Maske auf einem anorganischen Substrat mit einer Schicht des genannten Photoresists gebildet wird, die Anteile des anorganischen Substrates, die nicht mit der genannten Maske beschichtet sind, trocken geätzt werden, und anschließend die Schicht des Photoresists, die zur Maske gebildet ist, entfernt wird.

4. Verfahren nach Anspruch 2, worin eine Maske auf einem anorganischen Substrat mit einer Schicht des genannten Photoresists gebildet wird, die Anfeile des nicht mit der genannten. Maske beschichteten anorganischen Substrates trocken geätzt werden, anschließend die genannte Schicht des Photoresists, die zur Maske gebildet ist, verascht wird und die Rückstände des Photoresists, die nach dem Veraschen verblieben sind, entfernt werden.







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