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Dokumentenidentifikation DE10196527T1 07.08.2003
Titel Dicke Oxidschicht auf dem Boden einer Grabenstruktur in Silicium
Anmelder Fairchild Semiconductor Corp., South Portland, Me., US
Erfinder Hurst, Henry W., West Orem, Utah, US;
Murphy, James J., South Jordan, Utah, US
Vertreter Eisenführ, Speiser & Partner, 80335 München
DE-Aktenzeichen 10196527
Vertragsstaaten AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW, AP, EA, EP, OA
WO-Anmeldetag 15.08.2001
PCT-Aktenzeichen PCT/US01/25698
WO-Veröffentlichungsnummer 0000215280
WO-Veröffentlichungsdatum 21.02.2002
Date of publication of WO application in German translation 07.08.2003
Veröffentlichungstag im Patentblatt 07.08.2003
IPC-Hauptklasse H01L 29/768








IPC
A Täglicher Lebensbedarf
B Arbeitsverfahren; Transportieren
C Chemie; Hüttenwesen
D Textilien; Papier
E Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Physik
H Elektrotechnik

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