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Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher und Verfahren zu dessen Herstellung - Dokument DE10194689T1
 
PatentDe  


Dokumentenidentifikation DE10194689T1 16.10.2003
Titel Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher und Verfahren zu dessen Herstellung
Anmelder Sony Corp., Tokio/Tokyo, JP
Erfinder Moriya, Hiroyuki, Tokyo, JP;
Kobayashi, Toshio, Tokyo, JP
Vertreter Müller - Hoffmann & Partner Patentanwälte, 81667 München
DE-Aktenzeichen 10194689
Vertragsstaaten DE, IL, US
WO-Anmeldetag 25.10.2001
PCT-Aktenzeichen PCT/JP01/09390
WO-Veröffentlichungsnummer 0000239502
WO-Veröffentlichungsdatum 16.05.2002
Date of publication of WO application in German translation 16.10.2003
Veröffentlichungstag im Patentblatt 16.10.2003
IPC-Hauptklasse H01L 29/792
IPC-Nebenklasse H01L 27/115   H01L 21/8247   








IPC
A Täglicher Lebensbedarf
B Arbeitsverfahren; Transportieren
C Chemie; Hüttenwesen
D Textilien; Papier
E Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Physik
H Elektrotechnik

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