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Dokumentenidentifikation DE10300746A1 23.10.2003
Titel Nichtflüchtiges Speicherelement und Anzeigematrizen sowie deren Anwendung
Anmelder Samsung SDI Co., Ltd., Suwon, Kyonggi, KR
Erfinder Redecker, Michael, Dr., 12524 Berlin, DE
Vertreter Anwaltskanzlei Gulde Hengelhaupt Ziebig & Schneider, 10117 Berlin
DE-Anmeldedatum 07.01.2003
DE-Aktenzeichen 10300746
Offenlegungstag 23.10.2003
Veröffentlichungstag im Patentblatt 23.10.2003
IPC-Hauptklasse G11C 11/22
IPC-Nebenklasse G11C 13/06   G02F 1/1335   
Zusammenfassung Ein nichtflüchtiges Speicherelement und eine Anzeigematrix daraus werden angegeben. Das nichtflüchtige Speicherelement umfasst eine Source, einen Drain, eine Aktivschicht, eine Gate-Isolatorschicht sowie ein Gate. Die Aktivschicht wird durch einen organischen Halbleiter in einem Kontaktbereich zwischen Source und Drain gebildet. Die Gate-Isolatorschicht wird mittels eines ferroelektrischen Materials auf der Aktivschicht gebildet. Das Gate wird auf der Gate-Isolatorschicht gebildet. Demnach sind sowohl das nichtflüchtige Speicherelement als auch die Anzeigematrix und deren Anwendung sehr flexibel, weisen ein leichtes Gewicht auf, sind mehrfach programmierbar und können leicht hergestellt werden.

Beschreibung[de]
ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK 1. Beschreibung der Erfindung

Die vorliegende Erfindung betrifft ein nichtflüchtiges Speicherelement und dessen Anwendung in Anzeigematrizen und insbesondere, ein nichtflüchtiges aktives Speicherelement, welches imstande ist, Informationen in einer Zustandgröße durch entsprechende Spannungspulse nach Abschalten der Versorgungsspannung zu speichern, sowie eine Anzeigematrize daraus.

2. Stand der Technik - eine Beschreibung

Elektronische Speicherelemente, die auf der Basis von Siliziumtechnologie und anorganischer Halbleitertechnologie hergestellt werden, bilden nach dem Mikroprozessor den wichtigsten funktionalen Teil jedes Computersystems. Bei den Speicherelementen unterscheidet man zwischen nichtflüchtigen Speicherelementen und flüchtigen Speicherelementen. Zu den Beispielen eines nichtflüchtigen Speicherelements zählen ROM (read only memory), PROM (programmable read only memory), EPROM (erasable programmable read only memory) und EEPROM (electrically erasable programmable read only memory). Das nichtflüchtige Speicherelement übernimmt die Funktion, wesentliche Informationen zum Systemstart, zur Systemkonfiguration sowie zur Identifikation zu speichern. In neuerer Zeit wurde ein ferroelektrischer Speicher (FRAM, ferroelectric random access memory) mit hoher Leistung entwickelt. Dieser Speicher entspricht, hinsichtlich der Funktionalität, dem Konzept eines EEPROM, erlaubt aber kürzere Schreibzeiten. Bei der Herstellung eines FRAM wird ein anorganisches ferroelektrisches Material mit Silizium-Halbleitertechnologie kombiniert.

Allgemein bekannt sind organische Halbleiter, die die Integration einfacher elektronischer Schaltungen in flexiblen Substraten erlauben. Hier können elektronische Identifikationselemente auf Polymerbasis über ein Hochfrequenzfeld angesprochen werden und ein vorprogrammierter Identifikationscode kann zurück gesendet werden.

Allen Anwendungen von organischen Halbleitern ist gemeinsam, dass Referenzinformationen bezüglich einer Codierung/Identität auf einer flexiblen Schaltung gespeichert werden müssen. Ein nichtflüchtiger Speicher ist ein wesentliches Element einer solchen Anordnung, um das Gewicht einer Schaltung zu reduzieren, weil eine Batterie nicht ständig vorhanden sein muss, um eine Betriebspannung für die Schaltung aufrechtzuerhalten. In diesem Zusammenhang sind Radiofrequenz-Transponder bekannt geworden (C. J. Drury et al. Applied Physics Letters, Vol. 73 (1998), p. 198 ff).

Ein nichtflüchtiger Speicher in dem Radiofrequenzumwandler wird leitend gemacht, indem die Oberfläche mit einer Nadel durchstochen wird, um mechanisch programmierbare Kontakte herzustellen. Es wird hier eine sehr einfache, jedoch kaum der Massenproduktion zugängliche Methode der Programmierung angewandt. Zudem kann dem Transponder nach einmaliger Programmierung kein neuer Code mehr zugewiesen werden. Wie oben beschrieben, werden nichtflüchtige Speicherelemente allgemein als "ROM's" bezeichnet.

Wiederbeschreibbare Speicherelemente auf der Basis ferroelektrischer Materialien wurden in WO 98/14.989 und USPN 5,860,254 offengelegt. Bei den offengelegten ferroelektrischen Kondensatoren handelt es sich um passive Bauelemente, deren Polarisationszustand unter Änderung der gespeicherten Information abgefragt werden kann.

Aktive Speicherelemente auf der Basis von Silizium-Technologie wurden in USPN 5,471,417 beschrieben, in denen anorganische ferroelektrische Materialien verwendet werden) und in dem Journal of Applied Physics, Vol. 4 (1986), p. 60 ff. (Polymere Ferroelektrische Materialien) von Yamauchi et al.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein nichtflüchtiges Speicherelement zu entwickeln und dessen Anwendung in Anzeigen anzugeben, mit dem die Nachteile des Standes der Technik vermieden werden und welches bei geringem Gewicht, hoher Flexibilität and einfacher Herstellung eine mehrfache Programmierung gewährleistet.

In einem Aspekt bietet die vorliegende Erfindung ein nichtflüchtiges Speicherelement mit Feldeffekttransistor, welches eine Source, einen Drain, eine Aktivschicht, eine Gate- Isolatorschicht sowie ein Gate umfasst. Die Aktivschicht wird aus einem organischem Halbleiter zwischen Source und Drain gebildet. Die Gate-Isolatorschicht wird aus einem ferroelektrischen Material auf der Aktivschicht gebildet. Das Gate wird auf der Gate- Isolatorschicht gebildet.

Das nichtflüchtige Speicherelement nach der vorliegenden Erfindung beinhaltet die ferroelektrische Gate-Isolatorschicht und die organische Halbleiter-Aktivschicht. Aus diesem Grunde ist es sehr flexibel, hat ein leichtes Gewicht, ist mehrfach programmierbar und kann leicht hergestellt werden.

In einem anderen Aspekt bietet die vorliegende Erfindung eine elektrisch ansprechbare Matrixanzeige, in der mehrere nichtflüchtige Speicherelemente mit Zeilenlinien und Spaltenlinien zusammen mit Anzeigeelementen verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, dass jedes nichtflüchtige Speicherelement den oben beschriebenen Feldeffekttransistor darstellt, der eine Source, einen Drain, eine organische Halbleiter-Aktivschicht, eine ferroelektrische Gate-Isoiatorschicht sowie ein Gate umfasst.

Die vorliegende Erfindung bietet auch eine optisch beschreibbare Anzeigematrix, in der mehrere nichtflüchtige Speicherelemente mit Zeilenlinien und Spaltenlinien zusammen mit Anzeigeelementen verbunden sind, wobei die einzelnen Elemente sowohl als Anzeige als auch als ein optischer Sensor fungiert, dadurch gekennzeichnet, dass jedes einzelne nichtflüchtige Speicherelement den oben beschriebenen Feldeffekttransistor darstellt, welcher folgende Bauelemente umfasst: eine Source, einen Drain, eine organische Halbleiter Aktivschicht, eine ferroelektrische Gate-Isolatorschicht sowie ein Gate.

EINE KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen beschrieben. Die Erfindung wird nachfolgend in Ausführungsbeispielen von Speicherelementen und Anzeigen anhand von Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 der schematische Aufbau eines nichtflüchtigen Speicherelements und dessen Schaltbild nach einer Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung;

Fig. 2 eine alternative Ausgestaltung eines nichtflüchtigen Speicherelements und dessen Schaltbild nach Fig. 1.;

Fig. 3A und 3B elektrisch adressierbare 3 × 3 Anzeigematrizen nach einer Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung, in denen nichtflüchtige Speicherelemente mit organischen Leuchtdioden (LEDs) verbunden sind; und

Fig. 4A und 4B optisch beschreibbare 3 × 3 Anzeigematrizen nach einer anderen Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung.

EINE NÄHERE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG

In den folgenden Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung, basieren ein nichtflüchtiges Speicherelement und eine Anzeigematrize auf dem Funktionsprinzip eines ferroelektrischen Speichers (random access memory, FRAM). Insbesondere beim FRAM, wird ein ferroelektrisches Material durch ein angelegtes elektrisches Feld polarisiert. Die Polarisation bleibt auch nach dem Abschalten des Feldes bestehen. Sie kann durch ein entsprechendes Feld in umgekehrte Richtung gedreht werden.

Bezugnehmend auf die Darstellung in Fig. 1, besteht ein nichtflüchtiges Speicherelement nach der vorliegenden Erfindung aus einem Substrat 1 und einem Feldeffekttransistor.

Der Feldeffekttransistor besteht aus einem Gate 6, einer dielektrischen Schicht 5, einer Source 4, einem Drain 3 und einer organischen Halbleiter-Aktivschicht 2. Die dielektrische Schicht 5 des Feldeffektransistors ist eine ferroelektrische Gate-Isoiatorschicht. Der Feldeffektransistor weist einen Source-Drain-Kanal auf, dessen Leitfähigkeit durch die Ladungsträgerkonzentration im Kanal und damit mittelbar durch das herrschende elektrische Potential an der Grenzfläche zwischen dem Gate-Isolator 5 und der organischen Halbleiter- Aktivschicht 2 gesteuert wird. Dieses Potential setzt sich aus der eingestellten Spannung am Gate 6 und einer Polarisationsspannung der Gate-Isolatorschicht 5 zusammen.

Der Polarisationszustand der ferroelektrischen Gate-Isoiatorschicht 5 kann durch eine Spannung zwischen Gate 6 und Source 4 oder Drain 3 verändert werden, wenn diese eine bestimmte Höhe übersteigt.

Als Alternativ kann das nichtflüchtige Speicherelement nach der vorliegenden Erfindung über ein zusätzliches Gate 8 verfügen, wie in der Fig. 2 gezeigt wird. In dem nichtflüchtigen Speicherelement gemäß Fig. 2 wird eine Programmierspannung zwischen Gate 6 und dem zusätzlichen Gate 8 angelegt. In Fig. 2, kennzeichnen dieselben Referenzzahlen wie diejenigen in Fig. 1 die gleichen Elemente wie in Fig. 1. Das Schaltbild unterhalb der Schnittansicht des nichtflüchtigen Speicherelements zeigt die elektrische Funktion der wesentlichen Bauelemente des nichtflüchtigen Speicherelements. Der Arbeitspunkt des Transistors lässt sich über die Programmierung verändern und permanent speichern.

Fig. 3A bis 4B zeigen wichtige Ausführungen von Anzeigematrizen nach Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung. Bei Fig. 3A und 3B sind elektrisch adressierbare Speicherelemente mit geeigneten Anzeigeelementen gekoppelt. Fig. 4A und 4B zeigen eine Anzeigematrix, in der das Anzeigeelement gleichzeitig als Lichtsensor fungiert. Die Bildinformation kann optisch eingelesen werden und ist dann permanent gespeichert. Durch geeignetes Ansteuern der Speicherelemente kann die Information als Bild angezeigt werden.

Im folgenden werden Ausführungsbeispiele des nichtflüchtigen Speicherelements nach der vorliegenden Erfindung und deren Anwendung näher beschrieben.

In den in Fig. 1 und 2 dargestellten nichtflüchtigen Speicherelementen, wird die organische Halbleiter-Aktivschicht 2 mittels eines üblichen Verfahrens der Dünnschichtabscheidung hergestellt. Diese Dünnschichtabscheidung umfasst Vakuumverdampfung, plasmaassistierte Schichtabscheidung, Aufschleudem, Tintenstrahldrucken, Siebdruck (Serigrafie) sowie verwandte Beschichtungsverfahren. Zusätzlich können anorganische Hilfsschichten durch Vakuumverdampfung, Sputtern oder plasmaassistierte Schichtabscheidung aufgebracht werden.

Die Struktur des nichtflüchtigen Speicherelements gemäß Fig. 1 kann durch folgende Arbeitsschritte verwirklicht werden. Das Substrat 1 weist eine Vorstruktur für den Kontakt zwischen Source 4 und Drain 3 auf Source 4 und Drain 3 werden durch Aufbringen einer durch Fotolithographie strukturierten Lackmaske und durch anschließendes Ätzen einer Metallschicht hergestellt. Als geeignete Kontaktmaterialien kommen Gold, Platin, Palladium und Indium-Zinnoxid (ITO) in Frage. Das Aufbringen eines strukturierten Films eines leitfähigen Polymers, wie z. B. Polyäthylendioxythiophen, mittels Tintenstrahldrucken ist ebenfalls möglich.

Dann, das Aufschleudern einer Vorläufer-Lösung der organischen Halbleiter-Aktivschicht 2 oder Aufdampfen im Hochvakuum. Zu den geeigneten organischen Halbleiter-Vorläufern für das Aufschleudern zählen Polythiophene und Pentacen-Vorläufermaterialien. Geeignete Materialien für die Hochvakuumverdampfung sind weiterhin Pentacen, niedermolekulare Oligothiophene, Perylenimid und Naphthalindicarbonsäurediimid.

Wie in Fig. 2 gezeigt, kann eine dünne Schicht eines Hilfsisolators im Hochvakuum zusätzlich aufgedampft werden. Hier kommen insbesondere Polyxylylen und Siliziummonoxid in Frage.

Dann, das Aufschleudem einer Vorläufer-Lösung für die ferroelektrische Gate-Isolatorschicht 5. Als geeignete Materialien für die ferroelektrische Gate-Isolatorschicht 5 kommen hier insbesondere Polyvinylidenfluorid sowie Copolymere von Vinylidenfluorid und Trifluoräthylene zur Anwendung.

Optional können zusätzliche Hilfsisolierschichten auf oder unter der ferroelektrischen Gate- Isolatorschicht 5 in einem Hochvakuum angebracht werden. Mit anderen Worten: die zusätzlichen Isolatorschichten werden auf der organischen Halbleiter-Aktivschicht 2 und auf der ferroelektrischen Gate-Isolatorschicht 5 gebildet.

Als Nächstes das Aufdampfen des Gate 6 mit einem Metall wie, zum Beispiel, Aluminium, Neodym, Silber, Gold, Nickel, Palladium und Kupfer. Das Aufbringen eines Films eines leitfähigen Polymers wie, z. B. Polyäthylendioxythiophen ist ebenfalls möglich.

Eine elektrisch adressierbare Anzeigematrix nach der vorliegenden Erfindung besteht aus den Speicherelementen gemäß Fig. 1 und Fig. 2. Durch das Zusammenschalten von mehreren Speicherelementen mit Anzeigepixeln, wie in der Fig. 3 gezeigt, kann eine elektrisch adressierbare Anzeigematrix mit Speicherfunktion realisiert werden. Der Anzeigepixel basiert vorzugsweise auf einer organischen Leuchtdiode (OLED). Andere mögliche Anzeigetechnologien umfassen Flüssigkeitskristallanzeigen sowie Elektrochrome und elektrophoretische Anzeigemechanismen.

Die Steueranschlüsse Data/Vop sowie Select/VDD (Fig. 3A und Fig. 3B) sind im Sinne einer Matrix verbunden, d. h. Data/Vop sind zu Spalten und Select/VDD zu Zeilen verbunden. Die angegebenen Spannungspegel beziehen sich auf Bauelemente, die mittels lochleitender organischer Halbleiter aufgebaut wurden.

Im folgenden wird der Schreibzyklus der Anzeigematrizen (Fig. 3A und Fig. 3B) beschrieben.

Für die Programmierung eines Pixels ist eine ausreichende Spannungsdifferenz zwischen Select/Vdd und Data/Vop nötig, wenn die Kathodenspannung Ucath auf Massepotential gehalten wird. Wird zum Beispiel nur an eine Datenleitung eine positive Spannung angelegt und an nur eine Select-Leitung eine negative Spannung, so tritt nur an einem einzelnen Speicherelement der Matrix eine Spannungsdifferenz auf, die zur Programmierung ausreicht. Durch Adressieren der entsprechenden Daten- und Select-Leitungen kann somit die Matrix beschrieben werden. Die Bildinformation ist nun permanent gespeichert.

Im folgenden wird der Lesezyklus der Anzeigematrizen (Fig. 3A und Fig. 3B) beschrieben. Zum Anzeigen des geschriebenen Bildes werden alle Anschlüsse Select/Vdd auf Massepotential gelegt. Alle Anschlüsse Data/Vop werden auf ein geeignetes negatives Potential gelegt, um zu gewährleisten, dass die entsprechenden Transistoren entsprechend ihrer Programmierung entweder öffnen oder sperren. Die Kathodenspannung Ucath wird auf ein geeignetes negatives Potential gelegt. Dementsprechend werden die Pixels wahlweise aktiviert bzw. deaktiviert, um das gespeicherte Bild anzuzeigen.

Optisch beschreibbare Anzeigenmatrizen nach der vorliegenden Erfindung (Fig. 4A und 4B) sind ähnlich der elektrisch adressierbaren Matrix (Fig. 3A und 3B) aufgebaut. Bei der optisch beschreibbaren Anzeigematrix (Fig. 4) ist jedoch eine Selektierung der willkürlichen Zeilen/Spalten-Anschlüsse nicht notwendig. In der Ausgestaltung der Erfindung sind alle Anschlüsse Vop miteinander verbunden, ebenso alle Select-Anschlüsse. Das Anzeigeelement wirkt sowohl als Lichtsensor als auch als Anzeige. Die Anzeigeelemente sind bevorzugt auf einer Leuchtdiode (OLED) basiert. Wird diese Leuchtdiode in Rückwärtsrichtung betrieben, so fungiert sie als Photodiode. Dies wird im Schreibzyklus genutzt.

Im folgenden wird der Schreibzyklus der Anzeigematrizen (Fig. 4A und Fig. 4B) beschrieben. Wird der lochleitende Halbleiter wie oben beschrieben eingesetzt, werden die Anschlüsse Vop sowie Select auf negatives Potential gelegt, der Anschluss Ucath wird auf Massepotential gehalten. Die Spannung des Drain-Anschlusses jedes Speichertransistors wird nun durch einen eventuellen Photostrom durch die Leuchtdiode bestimmt. Fällt Licht geeigneter Wellenlänge auf die Leuchtdiode (LED), so steigt die Spannung an Drain und führt bei ausreichender Helligkeit zur Programmierung der Speichertransistoren.

Zum Löschen der Programmierung muss ein entsprechendes entgegengesetztes Potential über Gate und Drain angelegt werden. Dazu werden Ucath und Select auf Massepotential gelegt sowie Vop auf positives Potential. Die Einwirkung von Licht ist hier nicht nötig.

Im folgenden wird der Lesezyklus der Anzeigematrizen (Fig. 4A und Fig. 48) beschrieben. Im Lesezyklus werden alle Anschlüsse Select auf positives Potential gelegt, alle Anschlüsse Vop auf leicht negatives Potential sowie Ucath auf Massepotential. Entsprechend ihrer Programmierung werden die Transistoren entweder leitend oder sperrend. Die Leuchtdioden arbeiten in Vorwärtsrichtung und emittieren Licht, wenn der Transistor geöffnet ist. Das gespeicherte Abbild wird als leuchtendes Bild gezeigt.

Wie oben beschrieben, beinhaltet das nichtflüchtige Speicherelement nach der vorliegenden Erfindung die organische Halbleiter-Aktivschicht in einem aktiven Bereich der Speicherschaltung. Aus diesem Grunde ist das nichtflüchtige Speicherelement zusammen mit der Anzeigematrix und deren Anwendung sehr flexibel, hat ein leichtes Gewicht, ist mehrfach programmierbar und kann leicht hergestellt werden.

Die Erfindung beschränkt sich nicht auf die hier dargestellten Ausführungsbeispiele. Vielmehr ist es möglich, durch Kombination und Modifikation der genannten Mittel und Merkmale weitere Ausführungsvarianten zu realisieren, ohne den Rahmen der Erfindung zu verlassen.


Anspruch[de]
  1. 1. Nichtflüchtiges Speicherelement auf der Basis eines Feldeffekttransistors, welches folgende Bauelemente umfasst:

    eine Source;

    einen Drain;

    eine zwischen Source und Drain gebildete organische Halbleiter-Aktivschicht;

    eine auf der organischen Halbleiter-Aktivschicht gebildete ferroelektrische Gate- Isolatorschicht; und

    ein auf der ferroelektrischen Isolatorschicht gebildete Gate.
  2. 2. Nichtflüchtiges Feldeffekttransistor-Speicherelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die ferroelektrische Gate-Isolatorschicht aus einem organischen Material wie ein Polymer gebildet ist.
  3. 3. Nichtflüchtiges Feldeffekttransistor-Speicherelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass dieses weiterhin eine Hilfsisolierschicht auf der organischen Halbleiter-Aktivschicht aufweist.
  4. 4. Nichtflüchtiges Feldeffekttransistor-Speicherelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass dieses weiterhin eine Hilfsisolierschicht auf der ferroelektrischen Gate-Isoiatorschicht aufweist.
  5. 5. Nichtflüchtiges Feldeffekttransistor-Speicherelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass dieses weiterhin eine Hilfsisolierschicht auf der ferroelektrischen Gate-Isoiatorschicht aufweist.
  6. 6. Nichtflüchtiges Feldeffekttransistor-Speicherelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass dieses weiterhin folgende Bauelemente umfasst:

    ein Hilfs-Gate auf einem Substrat; und

    eine Hilfsisolierschicht auf dem Hilfs-Gate und unterhalb der organischen Halbleiter- Aktivschicht, Source und Drain.
  7. 7. Nichtflüchtiges Feldeffekttransistor-Speicherelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass dieses weiterhin folgende Bauelemente umfasst:

    ein Hilfs-Gate auf einem Substrat; und

    eine Hilfsisolierschicht auf dem Hilfs-Gate und unterhalb der organischen Halbleiter- Aktivschicht, Source und Drain.
  8. 8. Elektrisch adressierbare Anzeigematrix, dadurch gekennzeichnet, dass diese mehrere nichtflüchtige Speicherelemente enthält, die an Zeilen und Spalten zusammen mit Anzeigeelementen gekoppelt sind, wobei jedes einzelne Speicherelement ein Feldeffekttransistor ist, welcher folgende Bauelemente umfasst:

    eine Source;

    einen Drain;

    eine zwischen Source und Drain gebildete organische Halbleiter-Aktivschicht; eine auf der organischen Halbleiter-Aktivschicht gebildete ferroelektrische Gate- Isolatorschicht; und

    ein auf der ferroelektrischen Isolatorschicht gebildete Gate.
  9. 9. Elektrisch adressierbare Anzeigematrix nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass jede Anzeigematrix eine organische Leuchtdiode enthält.
  10. 10. Elektrisch adressierbare Anzeigematrix nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die ferroelektrische Gate-Isolatorschicht aus einem organischen Material wie Polymer gebildet ist.
  11. 11. Elektrisch adressierbare Anzeigematrix nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass jedes einzelne nichtflüchtige Speicherelement weiterhin eine Hilfsisolierschicht auf der organischen Halbleiter-Aktivschicht umfasst.
  12. 12. Elektrisch adressierbare Anzeigematrix nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass jedes einzelne nichtflüchtige Speicherelement weiterhin eine Hilfsisolierschicht auf der ferroelektrischen Gate-Isolatorschicht umfasst.
  13. 13. Elektrisch adressierbare Anzeigematrix nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass jedes nichtflüchtige Speicherelement weiterhin folgende Bauelemente umfasst:

    ein Hilfs-Gate auf einem Substrat; und

    eine Hilfsisolierschicht auf dem Hilfs-Gate und unterhalb der organischen Halbleiter- Aktivschicht, Source und Drain.
  14. 14. Elektrisch beschreibbare Anzeigematrix, dadurch gekennzeichnet, dass diese mehrere nichtflüchtige Speicherelemente enthält, die an Zeilen und Spalten zusammen mit Anzeigeelementen gekoppelt sind, wobei jedes einzelne Anzeigeelement die Funktion einer Anzeige sowie eines optischen Sensors aufweist, und wobei jedes nichtflüchtige Speicherelement ein Feldeffekttransistor ist, der folgende Bauteile umfasst:

    eine Source;

    einen Drain;

    eine zwischen Source und Drain gebildete organische Halbleiter-Aktivschicht;

    eine auf der organischen Halbleiter-Aktivschicht gebildete ferroelektrische Gate- Isolatorschicht; und

    ein auf der ferroelektrischen Isolatorschicht gebildete Gate.
  15. 15. Optisch beschreibbare Anzeigematrix nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass jede Anzeigematrix eine organische Leuchtdiode enthält.
  16. 16. Optisch beschreibbare Anzeigematrix nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die ferroelektrische Gate-Isolatorschicht aus einem organischen Material wie Polymer gebildet ist.
  17. 17. Optisch beschreibbare Anzeigematrix nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass jedes einzelne nichtflüchtige Speicherelement weiterhin eine Hilfsisolierschicht auf der organischen Halbleiter-Aktivschicht umfasst.
  18. 18. Optisch beschreibbare Anzeigematrix nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass jedes einzelne nichtflüchtige Speicherelement weiterhin eine Hilfsisolierschicht auf der ferroelektrischen Gate-Isolatorschicht umfasst.
  19. 19. Optisch beschreibbare Anzeigematrix nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass jedes nichtflüchtige Speicherelement weiterhin folgende Bauelemente umfasst:

    ein Hilfs-Gate auf einem Substrat; und

    eine Hilfsisolierschicht auf dem Hilfs-Gate und unterhalb der organischen Halbleiter- Aktivschicht, Source und Drain.






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