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Dokumentenidentifikation DE69625747T2 23.10.2003
EP-Veröffentlichungsnummer 0750338
Titel Ätzverfahren für CoSi2-Schichten und Verfahren zur Herstellung von Schottky-Barrieren Detektoren unter Verwendung desselben
Anmelder Interuniversitair Micro-Electronica Centrum VZW, Leuven-Heverlee, BE
Erfinder Donaton, Ricardo Alves, 3001 Heverlee, BE;
Maex, Karen Irma Josef, 3020 Herent, BE;
Verbeeck, Rita, 3110 Rotselaar, BE;
Jansen, Philippe, 2250 Olen, BE;
Rooyackers, Rita, 3010 Leuven, BE;
Deferm, Ludo, 3581 Beverloo, BE;
Baklanov, Mikhail Rodionovich, 3000 Leuven, BE
Vertreter Patentanwälte von Kreisler, Selting, Werner et col., 50667 Köln
DE-Aktenzeichen 69625747
Vertragsstaaten AT, BE, DE, ES, FR, GB, IT, NL
Sprache des Dokument EN
EP-Anmeldetag 19.06.1996
EP-Aktenzeichen 968700781
EP-Offenlegungsdatum 27.12.1996
EP date of grant 15.01.2003
Veröffentlichungstag im Patentblatt 23.10.2003
IPC-Hauptklasse H01L 21/321
IPC-Nebenklasse H01L 21/266   H01L 31/108   H01L 21/336   

Beschreibung[de]
Gegenstand der Erfindung

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Ätzverfahren für CoSi&sub2; Schichten bei der Behandlung von Halbleitern.

Die vorliegende Erfindung bezieht sich ebenfalls auf die Anwendung dieses Ätzverfahrens für die Bildung Von Schottky-Barriere Infrarot-Detektoren.

Stand der Technik

Die Verwendung von Kobaltdisilicid (CoSi&sub2;) in den Mikroelektronikanwendungen wird immer wichtiger. In der CMOS Technologie, bei einer Verkleinerung der Maßstäbe, besonders bei der Herstellung von Transistoren nach der CMOS Technologie mit einer Gatelänge von weniger als 0,35 um, ist CoSi&sub2; wegen seiner besseren Merkmale im Vergleich zu dem öfter benutzten TiSi&sub2; ein attraktives Material geworden.

Die Wechselwirkung zwischen einem Silicidfilm und Chemikalien sowie mit reaktiven Gasen während der weiteren Behandlung ist ein wichtiges Anliegen um die Intaktheit des Films in der voll integrierten Struktur zu erhalten. TiSi&sub2; ist als sehr reaktiv gegenüber Chemikalien bekannt, wie NH&sub4;OH- und HF-basierenden Lösungen. CoSi&sub2; ist in dieser Beziehung viel robuster. Ein Nassätzen von CoSi&sub2; ist sogar im allgemeinen als sehr schwierig angesehen worden.

Das Dokument Journal of Applied Physics, Vol. 72, Nr. 5, Seiten 1864-1873, im September 1992 veröffentlicht, offenbart, dass CoSi&sub2; bei Raumtemperatur in einem gepufferten Oxidätzmittel mit einer Geschwindigkeit von ungefähr 5 nm/Min geätzt wird.

Das Dokument Journal of Crystal Growth, Vol 127, Nr. 1- 4, Seiten 659-662, im Februar 1993 veröffentlicht, offenbart die Herstellung von Schottky-Barriere Infrarot-Detektoren unter Benutzung von CoSi&sub2; Kontakten. In diesem Dokument wird CoSi&sub2; mit gepuffertem HF geätzt.

Ziele der vorliegenden Erfindung

Die vorliegende Erfindung zielt in erster Linie darauf ab, ein Ätzverfahren von CoSi&sub2; Schichten bei der Behandlung von Halbleitern, das genau kontrolliert werden kann, vorzuschlagen.

Des Weiteren zielt die vorliegende Erfindung darauf ab, die Anwendung des Ätzverfahrens gemäss der vorliegenden Erfindung vorzuschlagen, um selektive Ätzschritte zu erzielen.

Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung besteht in der Herstellung von Schottky-Barriere Infrarot-Detektoren, die verbessert sein werden im Vergleich zu denjenigen, die gemäss dem Stand der Technik vorgeschlagen werden.

Hauptmerkmale der vorliegenden Erfindung

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Ätzverfahren für CoSi&sub2; Schichten bei der Behandlung von Halbleitern mit Hilfe einer auf HF basierenden Lösung, wobei die Ätzgeschwindigkeit von CoSi&sub2; kontrolliert wird, indem man den pH-Wert der auf HF basierenden Lösung regelt.

Der pH-Wert dieser Lösung wird dadurch gesteuert, dass man der besagten Lösung Chemikalien hinzufügt, die den pH verändern, wie H&sub2;SO&sub4; oder HCT, um so den pH-Wert oder NH&sub4;OH zu verringern und um den pH-Wert der auf HF basierenden Lösung zu erhöhen.

Die auf HF basierende Lösung kann eine gepufferte oder eine nicht gepufferte Lösung sein.

Gemäss einer ersten bevorzugten Ausführungsform, wird der pH-Wert der auf HF basierenden Lösung auf einen pH-Wert geregelt, der zwischen 0 und 1,5 liegt, um eine eher schnelle Ätzgeschwindigkeit der CoSi&sub2; Schicht zu erhalten.

Diese besonders bevorzugte Ausführungsform wird eingesetzt, um Schottky-Barriere Infrarot-Detektoren mit einer CoSi&sub2;/Si oder CoSi&sub2;/Si1-xGex Grenzfläche zu erhalten.

Als erster Gegenstand bezieht sich die vorliegende Erfindung auf ein Ätzverfahren für CoSi&sub2; Schichten, wie dies in Anspruch 1 definiert wird.

Als zweites Gegenstand bezieht sich die vorliegende Erfindung auf ein Verfahren zum Herstellen von CoSi&sub2;/Si Schottky-Barriere Infrarot-Detektoren, vorzugsweise von CoSi&sub2;/Si1-xGex Schottky-Barriere Infrarot-Detektoren, das die folgenden Schritte aufweist:

- Züchten einer Si1-xGex Schicht auf einem Siliziumsubstrat;

- Züchten einer Si Opferschicht oben auf der Si1-xGex Schicht;

- Auftragen einer Co Schicht auf der besagten Si Opferschicht;

- Erhitzen der Co Schicht, um eine CoSi&sub2; Schicht zu erzielen;

- Auftragen eines Photoresiststreifens auf der besagten CoSi&sub2; Schicht;

- Entwickeln des Photoresiststreifens unter Anwendung einer Abdeckschicht, um das erforderte Muster der CoSi&sub2; Schicht zu erzeugen;

- Ätzen der CoSi&sub2; Schicht mit einer auf HF basierenden Lösung mit einem pH-Wert von weniger als 1,5;

- Entfernen des Photoresiststreifens.

Beschreibung der Figuren

Fig. 1 zeigt den Folienleitwert der CoSi&sub2; Schichten als eine Funktion der Ätzzeit in einer HF 2 Gew.-% Lösung.

Fig. 2 stellt die SEM-Bilder der Oberfläche des CoSi&sub2; Films (60 nm) dar: a) nach 20 Sekunden Ätzen; b) nach 160 Sekunden Ätzen in HF 2%.

Fig. 3 stellt die RBS-Spektren des während 40, 140 und 200 Sekunden in HF 2% geätzten CoSi&sub2; Films (60 nm) dar.

Fig. 4 stellt den Folienleitwert des CoSi&sub2; (60 nm) als eine Funktion der Ätzzeit für verschiedene HF Lösungen dar.

Fig. 5 stellt den Folienleitwert des CoSi&sub2; (60 nm) als eine Funktion der Ätzzeit in HF 2% für verschiedene pH-Werte dar.

Fig. 6 stellt die Konzentration der verschiedenen in einer verdünnten HF Lösung vorhandenen Arten als eine Funktion ihres pH-Wertes dar.

Fig. 7 stellt die Ätzgeschwindigkeit des CoSi&sub2; in HF 2% als eine Funktion des pH-Wertes der Mischung dar.

Fig. 8 stellen schematische Ansichten der verschiedenen Schritte des Ätzens von CoSi&sub2; Schichten im Hinblick auf deren Benutzung bei der Herstellung von CoSi&sub2;/Si oder CoSi&sub2;/Si1-xGex Schottky-Barriere Infrarot-Detektoren dar.

Detaillierte Beschreibung von mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung

Als Beispiel werden Kobaltsilicide auf einer 125 mm Halbleiterscheibe aus orientiertem Silizium von dem n-Typ < 100> gebildet. Ein gewöhnliches RCA-Reinigung, gefolgt von einem Eintauchen in HF zum Zweck einer Wasserstoffpassivierung der Siliziumoberfläche, werden unmittelbar vor dem Laden der Halbleiterscheiben in das Auftragensystem durchgeführt. Die Co Schichten mit einer Dicke von 8 nm, 16 nm und 40 nm werden unter Benutzung eines BALZERS BAS450 DC Magnetron-Sputtersystems aufgetragen. Der Anfangsdruck war immer stärker als 3,0 · 10&supmin;&sup4; Pa (3,0 · 10&supmin;&sup6; mbar). Ein zweistufiges Silizidbildungsverfahren wurde in einem AST schnellen thermischen Prozessor in einer Stickstoffumgebung ausgeführt. Die Temperaturen des ersten und des zweiten Glühschritts lagen bei 550ºC beziehungsweise 700ºC. Zwischen diesen zwei Glühschritten wurde ein selektives Ätzen in einer H&sub2;SO&sub4;/H&sub2;O&sub2; Lösung vorgenommen, um das nicht reagierte Metall oben auf dem Silicid zu entfernen.

Um die Ätzgeschwindigkeit beim CoSi&sub2; in den auf Fluorwasserstoff (HF) basierenden Lösungen zu untersuchen, wurden HF Konzentrationen von 0,5 und 2 Gew.-% benutzt, sowie eine gepufferte Fluorwasserstofflösung (BHF - buffered hydrogen fluoride), die aus 1 Teil HF 50% und 7 Teilen NH&sub4;F 40% gebildet wird. Ätzzeiten von 10 Sekunden bis zu 15 Sekunden wurden getestet. H&sub2;SO&sub4; oder HCL oder NH&sub4;OH würden zu den Lösungen hinzugefügt, um ihren pH-Wert zu verändern. Die pH-Werte der Lösungen wurden mit pH-Papier gemessen.

Das Verdünnen der CoSi&sub2; Schichten wurde durch Vierpunkt-Sondenmessungen des Folienwiderstands (vor und nach dem Ätzen) gesteuert. Die Proben wurden ebenfalls durch Rasterelektronmikroskopie (SEM) und Rutherford Rückstreu- Spektroskopie (RBS) gekennzeichnet.

Die Tabellen 1 & 2 sind eine Zusammenfassung der erhaltenen experimentellen Resultate.

Fig. 1 zeigt den Folienleitwert von drei verschiedenen CoSi&sub2; Schichten als eine Funktion der Ätzzeit in einer HF 2 Gew.-% Lösung. Die Dicke der ursprünglichen CoSi&sub2; Schichten war 29, 60 und 150 nm, was zu einem Folienwiderstand von 5,5, bzw. 2,6 und 1,1 ohm/sq. führte. Für eine homogene Schicht ist die Umkehrung des Folienwiderstands (Folienleitwert) direkt proportional zu ihrer Dicke. Es ist klar, dass sich die Werte des Folienleitwerts mit einer Zunahme der Ätzzeit verringern. Dies zeigt, dass der CoSi&sub2; Film von der HF Lösung angegriffen wird. Außerdem ist die Ätzgeschwindigkeit des Silicids (durch das Abfallen der Kurve bestimmt) beständig und unabhängig von der Schichtdicke. Die Fast-Null Werte der Folienleitfähigkeit stehen in Zusammenhang mit dem Leitwert des Siliziumsubstrates und sie zeigen an, dass das Silicid entfernt worden ist.

Eine Folge von SEM Bildern, die nach verschiedenen Ätzzeiten aufgenommen wurden, zeigen in Fig. 2 die Veränderungen der Gestaltung der Oberfläche des CoSi&sub2; Films von 60 nm an.

Fig. 2a zeigt die Oberfläche der CoSi&sub2; Schicht nach 20 Sekunden Ätzdauer. In Fig. 2b wurde die Probe während 160 Sekunden geätzt und es ist möglich, der Umriss der Korngrenzen des Silicidfilms zu sehen. Es scheint, dass der Film etwas schneller geätzt wird als die Korngrenzen. Nach einem Ätzen von 300 Sekunden (nicht gezeigt) wurde das Silicid vollständig entfernt und die beobachteten Muster sind Abdrücke der Silicidkörner auf der Oberfläche des Siliziumsubstrats.

Die RBS-Spektren von Proben, die während 40, 140 und 200 Sekunden geätzt worden sind, wie in Fig. 3 dargestellt, bestätigen das Verdünnen der Silicidschichten durch die Ätzzeit. Diese Resultate deuten klar hin auf einen schichtweisen Ätzmechanismus des CoSi&sub2; Films.

Danach wurde das Ätzen von CoSi&sub2; in HF 0,5 Gew.-% und BHF Lösungen untersucht. Der Folienleitwert als eine Funktion der Ätzzeit wird für verschiedene HF Lösungen in Fig. 4 eingetragen, angefangen mit 60 nm CoSi&sub2;. Die Ätzgeschwindigkeit des Silicids ist etwas niedriger für HF 0,5 Gew.-% als für HF 2 Gew.-% Lösungen. Des Weiteren beginnt das Ätzen der Silicidschicht in HF 0,5% nach ungefähr 120 Sekunden. Es ist zum jetzigen Zeitpunkt noch nicht klar, ob diese Verzögerung der Zeit angelastet werden kann, die zur Entfernung des ursprünglichen Oxids auf dem CoSi&sub2; benötigt wird. Die Konzentration des H&spplus; in dieser Lösung muss ebenfalls in Betracht gezogen werden: anfangs reicht sie nicht aus, um die Reaktion zu starten, aber wegen einer autokatalytischen Reaktion steigt die H&spplus; Konzentration an und das Silicid kann geätzt werden.

Wenn BHF benutzt wird, dann wird die Silicidschicht mit einer bedeutend geringeren Geschwindigkeit angegriffen als in dem Fall von HF 2%. Dies ist unerwartet, denn aufgrund der Erfahrung mit dem Ätzen von SiO&sub2; ist BHF eine viel stärkere Ätzlösung mit einer bedeutend höheren Ätzgeschwindigkeit als HF 2%. Bei BHF sind die am meisten vorhandenen Formen der Fluoride F&supmin; und HF&sub2;&supmin; während HF und H&sub2;F&sub2; stärker in HF 2% vorhanden sind. Dieser Unterschied in der Zusammensetzung ergibt einen niedrigeren Säuregrad für BHF (pH = 4,5) als für eine HF 2% Lösung (pH = 1,5).

Um einen möglichen Einfluss des pH-Wertes auf das Ätzen von CoSi&sub2; in HF Lösungen zu untersuchen, wurden entweder H&sub2;SO oder NH&sub4;OH zu dem HF 2% hinzugefügt, um die pH-Werte von fast null auf 8,5 zu erhöhen. Die Fig. 5 stellt die Folienleitwerte als eine Funktion der Ätzzeit für 2% HF Lösungen mit schwankendem pH-Wert dar. Dadurch dass man eine stärker saure Lösung bildet, wird die Ätzgeschwindigkeit erhöht. Eine 60 nm CoSi&sub2; Schicht wird in weniger als 30 Sekunden entfernt wenn der pH-Wert der Lösung bei fast null liegt. Andererseits scheint die Silicidschicht bei der Lösung mit dem höchsten getesteten pH-Wert (pH = 8,5) nicht angegriffen zu werden. Es lohnt sich zu bemerken, dass die Schwefelsäure selbst das Silicid nicht angreift. In einer Lösung mit dem gleichen Gehalt an H&sub2;SO&sub4;, aber keinem HF, wird das Silicid überhaupt nicht geätzt. Das gleiche Experiment, in verdünntem BHF ausgeführt, zeigte die gleiche Tendenz: Lösungen mit höheren pH-Werten ätzen Kobaltsilicidfilme mit einer niedrigeren Geschwindigkeit als Lösungen mit niedrigeren pH-Werten. Diese Resultate bestätigen, dass das Ätzen von CoSi&sub2; in auf HF basierenden Lösungen überwiegend durch die H&spplus; Konzentration gesteuert wird.

Um die Ätzgeschwindigkeit von CoSi&sub2; in HF 2% quantitativ zu beschreiben, werden die Konzentrationen der verschiedenen Arten, die in den verdünnten HF Lösungen vorhanden sind, berechnet. In diesen Berechnungen werden die folgenden Gleichgewichte benutzt:

HF = H&spplus; + F&supmin;

HF + F&supmin; = HP&sub2;&supmin;

2HF = H&sub2;F&sub2;

Das Resultat wird in Fig. 6 gezeigt, wo die Artenkonzentration als eine Funktion des pH-Wertes der Mischung graphisch dargestellt wird. Wie man sehen kann, sind HF und H&sub2;F&sub2; für niedrige pH-Werte (pH < 1,5) beherrschend, und ihre Konzentrationen bleiben konstant. Für pH-Zwischenwerte erhöhen sich die Konzentrationen von F&supmin; und HF&sub2;&supmin; und für hohe pH-Werte wird die Lösung fast ganz von F&supmin; gebildet.

Die Ätzgeschwindigkeit (ÄG) von CoSi&sub2; in HF 2% als eine Funktion des pH-Wertes der Mischung wird in Fig. 7 eingetragen. Im Bereich wo pH < 1,5, wird das Silicid sehr schnell geätzt. Da die Konzentration aller Fluorid enthaltenden Arten in diesem Bereich konstant ist, spielt H&spplus; eine wichtige Rolle, dadurch dass es die beherrschende Art für das Ätzen ist. Zwischen pH-Werten von 1,5 und 5,5 ist die Ätzgeschwindigkeit geringer und hauptsächlich konstant, und für pH-Werte von mehr als 5,5, scheint das Silicid nicht angegriffen zu werden.

Ein zweiter Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist die Herstellung von CoSi&sub2;/Silizium Schottky-Barriere Detektoren.

Schottky-Barriere Infrarot-Detektoren, die Silicid/Silizium Schottky Dioden benutzen, sind von einem hohen Interesse für Anwendungen in dem Bereich von 1-10 um. Unter diesen Detektoren sind die PtSi/Si Schottky IR- Detektoren die am meisten entwickelten Vorrichtungen mit einer Grenzwellenlänge von ungefähr 5-6 um. In den letzten Jahren sind CoSi&sub2;/Si Schottky-Detektoren als vielversprechende Kandidaten für IR-Anwendungen im Bereich von 1-3 um vorgeschlagen worden.

Die Fig. 8 stellen die verschiedenen Schritte des Ätzverfahrens einer auf ein Si Substrat verspannten CoSi&sub2; Schicht unter Benutzung einer auf HF basierenden Lösung mit einem pH-Wert von weniger als 1,5 genauer dar.

Insbesondere stellt Fig. 8a das Si Substrat dar, auf dem eine CoSi&sub2; Schicht aufgetragen worden ist.

Die Fig. 8b stellt die Beschichtung eines Photoresiststreifens und den lithographischen Schritt dar, um ein erfordertes Muster der CoSi&sub2; Schicht zu erzielen.

Fig. 8c stellt das erhaltene Resultat nach dem Nassätzen in einer auf HF basierenden Lösung der nicht mit einem Photoresiststreifen abgedeckten CoSi&sub2; Schicht dar.

Fig. 8d stellt das Entfernen des Photoresiststreifens dar, wobei das erforderte CoSi&sub2; Muster auf dem Si Substrat zurückgelassen wird.

Um das Ätzverfahren der CoSi&sub2; Schicht zu illustrieren, wird die Herstellung eines CoSi&sub2;/Si1-xGex Infrarot-Detektors im nachfolgenden als eine bevorzugte Ausführungsform dieses Verfahrens beschrieben.

Diese Herstellungsweise könnte auch vorteilhaft in die CMOS Verfahren integriert werden.

Für Studien der Silizidbildung wurden leicht dotierte (NA = 5 · 10¹&sup6; cm&supmin;³) Halbleiterscheiben vom p-Typ < 100> benutzt, während für Detektorenexperimente stark dotierte (NA = 5 · 10¹&sup8; cm&supmin;³) Halbleiterscheiben mit leicht dotierten (NA = 5 · 10¹&sup6; cm&supmin;³) Oberflächenepitaxialschichten oben drauf benutzt wurden. Pseudomorphe Si1-xGex Schichten und Si Oberflächenopferschichten werden epitaxisch auf diesen Proben gezüchtet. Das Auftragen der Si Opferschicht auf der SiGe Schicht wird notwendig, um irgendwelche Reaktionen des Kobalts mit der SiGe Schicht zu vermeiden.

Für die Proben der Silizidbildungsstudien haben die Pufferschicht, die abgestufte Schicht, die verspannte schicht und die Si Opferschicht beziehungsweise eine Dicke von 5nm, 50 nm, 100 nm und 30 nm. Für die Detektorenproben liegt die Dicke der Pufferschicht bei 5 nm, die Dicke der abgestuften Schicht beträgt 50 nm, und die Dicke der verspannten Schicht beträgt 30 nm. Das Dotieren der Schichten ist von dem p-Typ 10¹&sup6; cm&supmin;³. Die Ge-Konzentration x beträgt x = 0,2. Die Si Opferschicht darüber beträgt 40 nm für die Detektorenproben sowie 30 nm und 100 nm für die Proben der Silizidbildungsstudien.

Vor dem Auftragen des Metalls werden die Halbleiterscheiben durch ein Eintauchen in HF d (2%) gesäubert. Co Schichten von 10 nm werden auf den Proben für die Silizidbildungsstudien aufgetragen und Schichten von 7 nm auf den Detektorenproben. Da die Silizidbildungsbedingungen nicht so gesteuert werden konnten, dass eine Reaktion mit der Si1-xGex verspannten schicht als ausgeschlossen garantiert werden kann, wurden die Dicken der Si Opferschichten für die Detektorenproben so gewählt, dass sie leicht dicker waren als die Dicken, die dazu bestimmt waren, von der aufgesprühten Co Dicke aufgezehrt zu werden. Danach wurden die Proben der Silizidbildungsstudien in einem AG Heatpulse schnellen thermischen Prozessor in einer Stickstoffumgebung bei Temperaturen zwischen 550ºC und 700,ºC während 30 Sekunden silizidiert. Die Detektorenproben wurden bei 600ºC silizidiert. Nach der Silizidbildung wurde ein selektives Ätzen in H&sub2;SO&sub4;/H&sub2;O&sub2; ausgeführt, um das möglicherweise übrigbleibende nicht reagierte Metall zu entfernen.

Ein CoSi&sub2;/verspannter Si1-xGex Detektor bietet den großen Vorteil, dass kein Metall benutzt ist, das zu Zuständen führen würde, welche die Lebensdauer der Minoritätsladungsträger tatsächlich verringern. Die Si Halbleiterscheibe hat die Funktion des Substrats. Da eine zusätzliche Schicht benutzt wird, wird das Kontaktieren des Silicids schwieriger.

Der Kontakt mit der dünnen CoSi&sub2; Schicht erfordert sehr kritische Ätz- und Metallisierungsschritte nach der Silizidbildung. Eine Definition der Silicidbereiche ist über ein selbstregelndes Silicid oder auch über ein Silicidätzen möglich.


Anspruch[de]

1. Ätzverfahren für CoSi&sub2; Schichten bei der Behandlung von Halbleitern mit Hilfe einer auf HF basierenden Lösung, dadurch gekennzeichnet, dass.

- die Ätzgeschwindigkeit von CoSi&sub2; kontrolliert wird, indem man den pH-Wert der auf HF basierenden Lösung auf einen Wert von weniger als 4,0 oder von gleich 4,0 regelt und dass

- der pH-Wert der auf HF basierenden Lösung durch die Zugabe von Chemikalien zu der besagten Lösung gesteuert wird.

2. Ätzverfahren für CoSi&sub2; Schichten gemäss Anspruch 1, wobei die auf HF basierende Lösung eine gepufferte oder eine nicht gepufferte Lösung ist.

3. Ätzverfahren für CoSi&sub2; Schichten gemäss Anspruch 1 oder 2, wobei die zu der auf HF basierenden Lösung zugegebenen Chemikalien H&sub2;SO&sub4; oder HCL oder NH&sub4;OH sind.

4. Ätzverfahren für CoSi&sub2; Schichten gemäss Anspruch 1, wobei der ph-Wert der auf HF basierende Lösung auf einen pH-Wert von weniger als 1,5 oder von gleich 1,5 geregelt wird.

5. Verfahren zur Herstellung von CoSi&sub2;/Si Schottky- Barriere Infrarot-Detektoren vorzugsweise von CoSi&sub2;/Si1-xGex Schottky-Barriere Infrarot-Detektoren, das die folgenden Schritte umfasst.

- Züchten einer Si1-xGex Schicht auf einem Siliziumsubstrat;

- Züchten einer Si Opferschicht oben auf der Si1-xGex Schicht;

- Auftragen einer Co Schicht auf der besagten Si Opferschicht;

- Erhitzen der Co Schicht, um eine CoSi&sub2; Schicht zu erzielen;

- Auftragen eines Photoresiststreifens auf der besagten CoSi&sub2; Schicht;

- Entwickeln des Photoresiststreifens unter Anwendung einer Abdeckschicht, um das erforderte Muster der CoSi&sub2; Schicht zu erzeugen;

- Ätzen der CoSi&sub2; Schicht mit einer auf HF basierenden Lösung mit einem pH-Wert von weniger als 1,5;

- Entfernen des Photoresiststreifens.







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