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Dokumentenidentifikation DE10225398B4 18.03.2004
Titel Halbleiterspeichervorrichtung mit Speicherzellenarrays, die zum Durchführen eines wahlfreien Zugriffs in der Lage ist
Anmelder Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon, Kyonggi, KR
Erfinder Lee, Seung-Jae, Yongin, KR;
Lim, Young-Ho, Suwon, KR
Vertreter Kuhnen & Wacker Patent- und Rechtsanwaltsbüro, 85354 Freising
DE-Anmeldedatum 07.06.2002
DE-Aktenzeichen 10225398
Offenlegungstag 12.12.2002
Veröffentlichungstag der Patenterteilung 18.03.2004
Veröffentlichungstag im Patentblatt 18.03.2004
IPC-Hauptklasse G11C 16/04

Beschreibung[de]
1. Gebiet der Erfindung

Die Offenbarung betrifft eine nicht-flüchtige Halbleiterspeichervorrichtung mit einer elektrischen Lösch-/Programmierfunktion, und insbesondere eine nicht-flüchtige Halbleiterspeichervorrichtung mit einer NAND-Struktur, die elektrisch löschbare und programmierbare Speicherzellen aufweist.

In Allgemeinen werden Halbleiterspeichervorrichtungen in zwei Gruppen eingeteilt, nämlich flüchtige Halbleiterspeichervorrichtungen und nicht-flüchtige Halbleiterspeichervorrichtungen. Flüchtige Halbleiterspeichervorrichtungen können weiterhin in dynamische Direktzugriffspeicher und statische Direktzugriffspeicher (DRAMs und SRAMs) eingeteilt werden. Direktzugriffspeicher werden auch als "Speicher mit wahlfreiem Zugriff" bezeichnet. Flüchtige Halbleiterspeichervorrichtungen weisen eine hohe Schreib- und Lesegeschwindigkeit auf, besitzen jedoch den Nachteil, dass der in den Speicherzellen gespeicherte Inhalt nach Abschalten der elektrischen Leistungsversorgung verloren geht.

Nicht-flüchtige Halbleiterspeichervorrichtungen werden in maskenprogrammierbare Festwertspeicher (MROM), programmierbare Festwertspeicher (PROM), löschbare und programmierbare Festwertspeicher (EPROM) und elektrisch löschbare und programmierbare Festwertspeicher (EEPROM) eingeteilt. Festwertspeicher werden auch als "Nur-Lese-Speicher" bezeichnet. Da eine nicht-flüchtige Halbleiterspeichervorrichtung den Inhalt ihrer Speicherzellen auch dann permanent speichert, wenn die externe Leistungsversorgung abgeschaltet ist, wird diese Vorrichtung hauptsächlich Leim Speichern von Inhalten verwendet, die unabhängig von einer Leistungsversorgung in dem Speicher benötigt werden.

Jedoch kann kein Benutzer ein Lesen und Schreiben (oder Programmieren) ohne die Einschränkung durch ein elektronisches System, das mit dem MROM, PROM und EPROM ausgestattet ist, durchführen. Das heißt, es ist für den Benutzer nicht einfach on-board-programmierte Inhalte zu löschen oder umzuprogrammieren. Da das EEPROM elektrische Lösch- und Schreibvorgänge innerhalb seines Systems selbst durchführen kann, ist es und wird es auch weiterhin im Gegensatz zu den vorhergehend genannten Systemen als eine Systemprogrammspeichervorrichtung oder eine Unter- bzw. Sub-Speichervorrichtung verwendet, deren Inhalt ununterbrochen erneuert werden muß.

Mit anderen Worten, benötigen zahlreiche elektronische Systeme, die durch einen modernen Computer oder Mikroprozessor gesteuert werden ein verbessertes EEPROM, das genaue Lösch- und Programmierungsfunktionen aufweist. Da überdies ein batteriebetriebenes Computersystem, das eine Notebookgröße oder die Größe eines tragbaren Computers aufweist, eine Festplattenvorrichtung mit einer rotierenden Magnetscheibe, die eine relativ große Fläche einnimmt, als eine Zusatz- oder Hilfsspeichervorrichtung benutzt, sind Entwickler derartiger Systeme sehr an der Entwicklung eines hochintegrierten und hochleistungsfähigen EEPROM, das eine relativ kleine Größe aufweist, interessiert.

Es ist sehr wichtig, die Fläche, die durch die Speicherzellen eingenommen wird, zu verringern, um ein hochintegriertes EEPROM zu erhalten. Um dieses Problem zu lösen ist ein EEPROM entwickelt worden, das Speicherzellen mit einer NAND-Struktur aufweist, durch welche die Anzahl an Auswahltransistoren pro Zelle und die Anzahl an Kontaktlöcher, die mit Bit-Leitungen verbunden sind, verringert werden kann. Ein Beispiel für eine derartige NAND-Zellenstruktur ist auf den Seiten 412 bis 415 unter dem Titel "NEW DEVICE TECHNOLOGIES FOR 5V-ONLY 4Mb EEPROM WITH NAND STRUCTURE CELL" von IEDM offenbart worden, welche hierbei mit offenbart sind.

Eine derartige NAND-Zellenstruktur wird im Folgenden erläutert, um ein besseres Verständnis für die später zu erläuternde vorliegende Erfindung zu geben.

Die vorhergehend erwähnte NAND-Zellenstruktur besteht aus einem ersten Auswahltransistor, einem zweiten Auswahltransistor, dessen Source mit einer gemeinsamen Source-Leitung verbunden ist, und acht Speichertransistoren, deren Kanäle in Serie zwischen der Source des ersten Auswahltransistors und der Drain des zweiten Auswahltransistors verbunden sind. Die Zellen der NAND-Struktur sind auf einem P-Typ Halbleitersubstrat ausgebildet und jeder der Speichertransistoren weist ein Floatinggate auf, das durch ein Ausbilden einer Gateoxidschicht auf einem Kanalbereich zwischen dem Source-Bereich und dem Drain-Bereich ausgebildet ist, und ein Steuergate, das auf dem Floatinggate durch eine Zwischenisolationsschicht ausgebildet ist. Um einen Speichertransistor, der innerhalb einer NAND-Zelleneinheit ausgewählt worden ist, zu programmieren, werden alle Speichertransistoren innerhalb der Zelleneinheit gelöscht und anschließend Programmierungsvorgänge durchgeführt. Die Löschvorgänge für alle Speichertransistoren (im Allgemeinen als Flash-Löschvorgang bezeichnet) werden gleichzeitig durch ein Anliegen von 0 Volt an die Bit-Leitungen und ungefähr 17 Volt an ein Gate des ersten Auswahltransistors und der Steuergates aller Speichertransistoren durchgeführt. Das heißt, alle Speichertransistoren werden zu Anreicherungstransistoren (enhancement mode transistors) umgewandelt, von denen angenommen wird, dass sie Transistoren sind, die mit einer Binärziffer "1" programmiert worden sind.

Um die ausgewählten Speichertransistoren mit einer Binärziffer "1" zu programmieren, wird eine Spannung von ungefähr 22 Volt an die Bit-Leitungen, einem Gate des ersten Auswahltransistors und einem Steuergate jedes Speichertransistors zwischen dem ersten Auswahltransistor und dem ausgewählten Speichertransistoren angelegt. Ebenso werden 0 Volt an das Steuergate des ausgewählten Speichertransistors, dem Gate des zweiten Auswahltransistors und einem Steuergate jedes der Speichertransistoren zwischen den Source-Leitungen und dem ausgewählten Speichertransistoren angelegt. Daher wird der ausgewählte Speichertransistor von seinem Drain zu einem Floatinggate durch ein Fowler-Nordheim (F-N)-Tunneln von Löchern programmiert.

Jedoch weist ein derartiges Programmierungsverfahren ein Problem dahingehend, dass eine Gateoxidschicht durch eine hohe Spannung, die an den Drain des ausgewählten Speichertransistors angelegt wird, belastet wird, was in der belasteten Gateoxidschicht einen Leckstrom verursacht. Folglich ist das Datenbeibehaltungsvermögen der Speicherzelle verringert, wenn ein Löschen und Programmieren ununterbrochen wiederholt wird, was zu einer Verringerung in der Zuverlässigkeit eines EEPROMs führt. Um dieses Problem zu lösen, wurde auf den Seiten 129 bis 130 von „Symposium on VLSI Technology", veröffentlicht 1990 unter dem Titel „A NAND STRUCTURED CELL WITH A NEW PROGRAMMING TECHNOLOGY FOR HIGHLY RELIABLE 5V-ONLY FLASH EEPROM", ein Lösch- und Speicherverfahren offenbart worden, das eine verbesserte Vorrichtung verwendet, in welcher NAND-Zelleneinheiten auf einem P-Typ Wannenbereich ausgebildet sind, die auf einem N-Typ Halbleitersubstrat ausgebildet sind. Hierbei werden Löschvorgänge der Speicherzellen, d.h. aller Speichertransistoren innerhalb der NAND-Zelleneinheit, durch Anlegen von 0 Volt an alle Steuergates und 20 Volt an den P-Typ Wannenbereich und das N-Typ Substrat durchgeführt. Dabei werden Elektronen gleichmäßig von den Floatinggates aller Speichertransistoren zu den P-Typ Wannen entladen. Folglich wird die Schwellwertspannung aller Speichertransistoren in eine negative Spannung von -4V umgewandelt und die Transistoren gehen in einen Verarmungszustand (depletion state) über, von dem angenommen wird, dass eine Binärziffer "0" (logisch 0) darin gespeichert ist. Um die ausgewählten Speichertransistoren innerhalb der NAND-Zelleneinheit zu programmieren, wird eine hohe Spannung von 20V an einem Gate des ersten Auswahltransistors und einem Steuergate des ausgewählten Speichertransistors angelegt, 0V an dem Gate des zweiten Auswahltransistors angelegt bzw. eine mittlere Spannung von 7V an einem Steuergate jedes der nicht ausgewählten Speichertransistoren angelegt. Falls der ausgewählte Speichertransistor mit einer binären logischen "1" programmiert ist, wird 0V an die Bit-Leitungen angelegt, die mit der NAND-Zelleneinheit gekoppelt sind, wodurch das Floatinggate des ausgewählten Speichertransistors mit Elektronen implantiert wird und der ausgewählte Speichertransistor in einen Anreicherungszustand umgewandelt wird. Falls im Gegensatz dazu der ausgewählte Speichertransistor mit einer binäre logischen "0" programmiert ist, wird an die korrespondierenden Bit-Leitungen eine mittlere Spannung von 7V angelegt, um ein Programmieren zu verhindern, wodurch der Programmiervorgang der ausgewählten Speicherzelle verhindert wird. Da bei einem derartigen Programmierungsvorgang es den Elektronen möglich ist, in das Floatinggate durch die Gateoxidschicht von der P-Typ Wanne gleichmäßig implantiert zu werden, wird in der dünnen Gateoxidschicht keine partielle Belastung bzw. Streß erzeugt, wodurch ein Leckstrom in der Gateoxidschicht verhindert wird.

Wenn Systementwickler einen Löschvorgang zum Umprogrammieren eines Teils oder Blocks der programmierten oder beschriebenen Speicherzellen durchführen will, tritt ein Problem auf. In diesem Fall ist ein allgemein übliches Verfahren, alle Speichertransistoren innerhalb eines Speicherzellenarray gleichzeitig zu löschen (beispielsweise Flash-Löschen) und danach all die Inhalte, die bereits programmiert worden sind, und die neuen zu programmierenden Inhalte, wieder zu programmieren.

Da auch der Teil oder Block der Speicherzellen gleichzeitig gelöscht wird, der weiterhin mit dem neuen Programm verwendet werden könnte, bedarf es zahlreicher Iterationen und ist daher ebenso ungeeignet zum Umprogrammieren des neuen und des bereits bestehenden Programms. Diese Ungeeignetheit wird immer weiter vergrößert, da die Kapazität der Speicher mehr und mehr anwächst. Ein Löschen aller Speichertransistoren lediglich innerhalb des ausgewählten Speicherblocks, vermeidet einen Großteil dieser Probleme. Jedoch im Fall des EEPROMs, das das vorhergehende verbesserte Lösch- und Programmierungsverfahren benutzt, muß eine hohe Spannung von mehr als 18V oder gleich der Löschspannung an ein Steuergate jedes der Speichertransistoren in dem nicht ausgewählten Block angelegt werden, um zu verhindern, dass die Speichertransistoren gelöscht werden.

Wie vorhergehend beschrieben, ist das EEPROM-Entwicklungsverfahren für einen langen Zeitraum ständig verbessert worden und der NAND-Typ Flash EEPROM, der dementsprechend zum Aufweisen einer Flash-Löschfunktion entwickelt worden ist, kann vorteilhaft als eine hochintegrierte Sub-Speichervorrichtung aufgrund des verglichen mit einem herkömmlichen EEPROM hohen Integrationsgrades angewandt werden. Je nach Typ des Speicherzellenarray des Flash-EEPROMs, kann das Flash-EEPROM in einen NAND-Typ, NOR-Typ, und AND-Typ eingeteilt werden. Der NAND-Typ weist einen höheren Integrationsgrad als der NOR- oder AND-Typ auf, wie vorhergehend beschrieben.

Die NAND-Flash-EEPROM-Speicherzelle wird derart hergestellt, dass n-Typ Bereiche, die als Source- und Drainbereiche dienen, auf einem P-Typ Substrat in einem vorbestimmten Abstand zueinander ausgebildet werden, und danach werden aufeinanderfolgend ein Floatinggate und ein Steuergate, die durch eine Isolationsschicht voneinander getrennt sind, auf einem oberen Abschnitt eines Kanalbereichs ausgebildet, der zwischen den Source- und Drainbereichen platziert ist. Das leitende Floatinggate (FG), das von der Isolationsschicht umgeben ist, ist mit Ladungen angehäuft, die als Programmierungsdaten aufgrund einer Programmierungsspannung dienen, die an das Steuergate (Control Gate CG) angelegt wird.

Die Lösch-, Schreib- und Lesevorgänge des Flash-EEPROMs vom NAND-Typ werden im Folgenden erläutert.

Die Lösch- und Schreibvorgänge werden unter Verwendung eines F-N-Tunnelstroms durchgeführt. Während eines Löschvorgangs wird beispielsweise eine hohe Spannung an ein Substrat angelegt und eine niedrige Spannung wird an ein Steuergate (CG) angelegt. In diesem Fall wird die Spannung durch das Verhältnis der Kapazität zwischen dem CG und dem FG und der Kapazität zwischen dem FG und dem Substrat bestimmt, und die Spannung an das FG angelegt.

Wenn der Potentialunterschied zwischen der Floatinggatespannung (Vfg), die an FG anliegt, und der Substratspannung (Vsub), die an dem Substrat anliegt, größer als die Potentialdifferenz ist, die ein F-N-Tunneln verursacht, beginnen Elektronen in dem FG in Richtung des Substrats zu fließen. Folglich ändert sich die Schwellwertspannung (Vt) des Speicherzellentransistors, bestehend aus CG, FG, Source und Drain. Obwohl 0V an dem CG und die Source in einem Zustand angelegt sind, bei der Vt ausreichend niedrig ist, wird, falls ein Strom fließt, wenn eine ausreichend hohe Spannung an dem Drain angelegt ist, ein derartiger Zustand als „ERASED" bezeichnet und zeigt eine logische "1" an. Andererseits werden zum Schreiben von Daten in eine Zelle 0V an eine Source und eine Drain angelegt und eine sehr hohe Spannung an das CG. Zu diesem Zeitpunkt wird innerhalb des Kanalbereichs eine Sperr- bzw. Inversionsschicht ausgebildet und Source und Drain halten ein elektrisches Potential von 0V aufrecht.

Wenn die Differenz des elektrischen Potentials, das zwischen Vfg und der Kanalspannung Vchannel (0V) angelelgt ist, die durch das Kapazitätsverhältnis zwischen dem CG und dem FG und zwischen dem FG und dem Kanalbereich bestimmt ist, so groß wird, daß ein F-N Tunneln erzeugt wird, fließen Elektronen von dem Kanalbereich zum dem FG. In diesem Fall erhöht sich Vt und falls kein elektrischer Strom fließt, wenn ein vorbestimmter Spannungspegel an das CG gelegt wird, 0V an die Source angelegt wird und ein richtiger Spannungspegel an den Drain angelegt wird, wird der Zustand eines Speicherzellentransistors als "PROGRAMMED" bezeichnet und mit einer logischen "0" dargestellt.

Auch bei dem zuvor beschriebenen NAND-Flashspeicher enthält die Grundeinheit eines Speicherzellenarrays, der ähnlich dem zuvor beschriebenen Aufbau ist, einen ersten Auswahltransistor, einen zweiten Auswahltransistor, eine Zellenreihe (cell string), die aus einer Vielzahl von Speicherzellentransistoren ausgebildet wird, bei welchem die Drain-Source-Kanäle in Reihe miteinander verbunden sind und dessen FGs zwischen den ersten und zweiten Transistoren ausgebildet sind. Dabei sollte festgehalten werden, daß auf diesem Gebiet die Zellreihe ebenso als eine NAND-Zelleneinheit bezeichnet werden kann. Der übliche NAND-Flashspeicher enthält einen Speicherzellenarray mit einer Vielzahl von Zellenreihen, Bitleitungen zum Eingeben von Daten zu den Zellenreihen und Empfangen von Daten aus den Zellenreihen, Wortleitungen, die die Bitleitungen kreuzen, zum Steuern der Gates der Speicherzellentransistoren und der Auswahltransistoren in der Zellenreihe, einen X-Dekoder zum Auswählen der Wortleitungen, Seitenspeicher bzw. Page Buffers, die mit den Bitleitungen zum Auslesen und Speicher von Eingangs-/Ausgangsdaten der Speicherzellentransistoren verbunden sind, und einem Y-Dekoder zum Steuern der Dateneingabe/-ausgabe zu den Page Buffern.

Die Seiteneinheit bei der Speicherzellenarraystruktur stellt die Speicherzellentransistoren dar, die gemeinsam mit einer Wortleitung an ihren Steuergates verbunden sind. Eine Vielzahl von Seiten, die eine Vielzahl von Speicherzellentransistoren einschließt, wird als Zellblock bezeichnet. Eine Zellenblockeinheit enthält im allgemeinen eine oder eine Vielzahl von Zellenreihen pro Bitleitung. Ein zuvor beschriebener NAND-Flashspeicher besitzt einen Seitenprogrammierungsmodus für einen Hochgeschwindigkeitsprogrammierungsvorgang. Der Seitenprogrammierungsvorgang enthält einen Datenladebetrieb und einen Programmierungsbetrieb. Der Datenladebetrieb ist ein Betrieb zum Halten bzw. Zwischenspeichern und Speichern von Daten im Byteformat aus den Eingabe/Ausgabe-Anschlüssen in Datenregistern. Die Datenregister sind zum Korrespondieren mit jeder der Bitleitungen vorgesehen. Der Programmierungsvorgang ist ein Vorgang oder Betrieb, bei welchem die in den Datenregistern gespeicherten Daten gleichzeitig in Speichertransistoren auf einer durch die Bitleitungen ausgewählten Wortleitungen registriert werden. Das Seitenprogrammierungsverfahren bei einem EEPROM mit NAND-Zelleneinheiten wird im "IEEE journal of solid-state circuits, Vol. 25, No.2", herausgegeben April 1990, auf den Seiten 417 bis 423 offenbart.

Wie vorhergehend beschrieben, führt der NAND-Flashspeicher im allgemeinen einen Lesevorgang und einen Programmiervorgang durch eine Seiten- oder Pageeinheit durch und einen Löschvorgang durch eine Blockeinheit. Praktisch tritt das Phänomen, daß Elektronen zwischen dem FG und dem Kanal des Speicherzellentransistors fließen, bei Lösch- und Programmierungsvorgängen auf. Bei einem Lesevorgang findet ein Vorgang eines Lesens von Daten, die in den Speicherzellentransistoren gespeichert sind, ohne Beschädigen der Daten nach dem Ende der vorhergehenden Vorgänge statt.

Bei dem Lesevorgang wird ein nicht ausgewähltes CG des NAND-Flashspeichers mit einer höheren Spannung versorgt als ein CG eines ausgewählten Speichers. Folglich fließt ein elektrischer Strom oder fließt kein elektrischer Strom in entsprechenden Bitleitungen abhängig von einem programmierten Zustand des ausgewählten Speicherzellentransistors. Bei einer vorbestimmten Spannungsbedingung, d.h. falls die Schwellwertspannung der programmierten Speicherzelle höher als eine Referenzspannung ist, wird die Speicherzelle als eine off-Zelle identifiziert und dadurch wird die korrespondierende Bitleitung auf einen hohen Spannungspegel aufgeladen. Im Gegensatz dazu, d.h. falls die Schwellwertspannung der programmierten Speicherzelle niedriger als eine Referenzspannung ist, wird die Speicherzelle als eine on-Zelle ausgelesen, und dadurch die korrespondierende Bitleitung auf einen niedrigen Spannungspegel entladen. Eine derartige Bitleitung wird schlußendlich als eine "0" oder "1" durch einen Leseverstärker ausgelesen, der als Seitenpuffer oder Page Buffer bezeichnet wird.

Da es in diesem Fall viele Zellenreihen gibt, wird die Ladungsmenge in der Bit-leitung groß und der Strombetrag, der beim Auslesen der on-Zelle durch diese fließt, klein. Da die Spannungsaufbauzeit relativ stark anwächst, wird dementsprechend die Auslesezeit länger. Somit erhöht sich die Auslesezeit, die der Page Buffer zum Auslesen der gespeicherten Daten benötigt, ebenso größer, was zu einem längeren Lesevorgang führt. Um diesem unerwünschten Zustand zu begegnen, führt der NAND-Flashspeicher einen Seiteneinheitsvorgang der Seiteneinheit während des Lesevorgangs durch. Bei dem Lesevorgang einer Seiteneinheit werden alle Daten der Zelle in einer Seite auf einmal ausgelesen und die Ergebnisse in einer Reihenfolge ausgegeben, die als serieller Zugriff bezeichnet wird. Wenn die Datenmenge groß ist, wird folglich die Datenauslesezeit pro Bit ähnlich verringert, wodurch eine relativ lange Auslesezeit kompensiert werden kann.

Da jedoch der Seiteneinheitsvorgang wahlfrei zu lesende Adressen wählt, ist seine Effizienz erheblich verringert, wenn lediglich eine kleine Datenmenge gelesen oder darauf zugegriffen werden soll. Das heißt die Zugriffszeit, die zum Lesen von einem Datenbit benötigt wird, ist annähernd die gleiche, wie für das Lesen der Daten einer Seite.

Aufgrund der Eigenschaften des NAND-Flashpeicher-Lesevorgangs gibt es daher ein Problem dahingehend, daß der NAND-Flashspeicher bei der Verwendung auf ein Speicheranwendungsgebiet beschränkt ist, das einen wahlfreien Zugriff (Direktzugriff) mit hoher Geschwindigkeit erfordert. Beispielsweise ist der NAND-Flashspeicher auf die Verwendung für den Fall beschränkt, daß eine kleine Datenmenge, wie beispielsweise eine ROM-Tabelleninformation oder Indexinformation, die Daten betreffen, die in einem Haupt-Speicherzellenarray gespeichert sind, mit einer höheren Geschwindigkeit ausgelesen werden soll, als die Lesezeit des Flashspeicherzellenarrays. Dementsprechend sind verbesserte Techniken notwendig, um Daten mit einer höheren Geschwindigkeit auszulesen als bei einem wahlfreien Zugriff mit hoher Geschwindigkeit oder einem Zugriff auf wenig Daten.

JP 10172292 A offenbart ein E2PROM, das einen ersten E2PROM-Array 19 zum Aufzeichnen einer ersten Art von Information aufweist und aus NAND-Zellen besteht, sowie einen zweiten E2PROM-Array 27 zum Aufzeichnen einer zweiten Art von Information, der aus herkömmlichen Speicherzellen besteht, die auf einem Substrat integriert sind. Darüberhinaus ist ein Leseverstärker 20, ein Zeilendekoder 21, ein Zeilenadresspuffer 22 und ein Spaltendekoder 23 in einem ersten Array 19 angeordnet und ein Schieberegister 24 zum vorübergehenden Speichern von I/O-Daten ist ebenso vorgesehen. Um den zweiten Array 27 herum sind desweiteren ein Leseverstärker 28, ein Zeilendekoder 29 und ein Spaltenadresspuffer 31 angeordnet.

Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sehen einen nicht-flüchtigen Halbleiterspeicher vor, bei welchem Daten mit einer höheren Geschwindigkeit gelesen werden können als bei einem wahlfreien Zugriff mit hoher Geschwindigkeit oder einem Zugriff auf wenig Daten.

Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sehen eine nicht-flüchtige Halbleiterzellenarraystruktur vor, die eine verringerte Lesevorgangszeit aufweist, welche bei Gebieten anwendbar ist, bei denen ein wahlfreier Zugriff mit hoher Geschwindigkeit bei einem Flashspeicherarray vom NAND-Typ anwendbar ist.

Gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung wird ein wahlfreier Zugriff mit hoher Geschwindigkeit in dem gleichen Speicher selektiv durchgeführt. Die Struktur kann bei dem Speicherzellenanwendungsgebiet verwendet werden, das ein wahlfreies Lesen von wenigen Daten mit einer hohen Geschwindigkeit erfordert, und bei ROM-Tabellen für ein Hochgeschwindigkeitsauslesen.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Die vorhergehende und andere Aufgaben, Aspekte und Vorteile werden aus der Folgenden detaillierten Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnung besser ersichtlich, in welcher:

1 ein Blockdiagramm einer Speicherzellenarrays einer Halbleiterspeichervorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;

2 ein detailliertes Blockdiagramm zeigt, das den Aufbau von Hauptarrayblöcken für einen seriellen Zugriff darstellt, die in 1 gezeigt sind;

3 ein detailliertes Schaltungsdiagramm darstellt, das einen der I/O-Hauptarrays zeigt, die in 2 dargestellt sind;

4 ein detailliertes Blockdiagramm darstellt, das eine Struktur der Unterarrayblöcke für einen wahlfreien Zugriff darstellt, die in 1 gezeigt sind;

5 ein detailliertes Blockdiagramm zeigt, das eine andere Struktur der Unterarrayblöcke für einen wahlfreien Zugriff darstellt, die in 1 gezeigt sind; 6 ein detailliertes Schaltungsdiagramm zeigt, das einen der I/O-Unterarrays zeigt, die in 4 oder 5 dargestellt sind;

7 ein Schaltungsdiagramm zeigt, das die Struktur des Page Buffers darstellt, der in 1 gezeigt ist;

8 ein detailliertes Schaltungsdiagramm zeigt, das eine der Page Buffereinheiten darstellt, die in 7 gezeigt sind;

9 ein detailliertes Schaltungsdiagramm des Sub-Arrayspaltenselektors zeigt, der in 1 gezeigt ist;

10 ein detailliertes Schaltungsdiagramm zeigt, das eine Verbindungsbeziehung zwischen einer virtuellen Leistungssteuervorrichtung und einem Leseverstärker darstellt, die in 1 gezeigt sind.

11 ein detailliertes Schaltungsdiagramm zeigt, das den in 1 gezeigten Dateneingabepuffer darstellt;

12 ein detailliertes Schaltungsdiagramm des Datenausgabe-Multiplexers in 1 darstellt; und

13 ein detailliertes Schaltungsdiagramm zeigt, das den Lesevorgang des Sub-Arrayblocks in 1 darstellt.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN

Im folgenden werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung im Detail unter Bezugnahme auf die begleitende Zeichnung beschrieben. Es ist zu beachten, daß durch die Zeichnungen hindurch zur Bezeichnung von ähnlichen oder gleichen Teilen oder Abschnitten aus Gründen der Einfachheit der Darstellung und Erläuterung gleiche Bezugszeichen verwendet werden. Ebenso werden in der folgenden Beschreibung bestimmte technische Angaben gemacht, um ein sorgfältiges Verständnis der vorliegenden Erfindung zu gewährleisten. Es ist für den Fachmann offensichtlich, daß die vorliegende Erfindung auch ohne diese bestimmten Angaben erzielt werden kann. Es wird auf eine detaillierte Beschreibung von wohlbekannten Funktionen und Strukturen verzichtet, um die wichtigen Punkte der vorliegenden Erfindung herauszustellen.

1 zeigt ein Blockdiagramm eines Speicherzellenarrays einer Halbleiterspeichervorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Gemäß 1 enthält der Speicherzellenarray einen Haupt-Speicherzellenarray 100 für einen seriellen Zugriff und einen Sub-Speicherzellenarray 200 für einen wahlfreien Zugriff.

Der Sub-Speicherzellenarray 200 ist so entworfen worden, daß er lediglich für einen wahlfreien Zugriffsvorgang verwendet wird, der ein Datenlesen mit einer höheren Geschwindigkeit erfordert, als bei dem Haupt-Speicherzellenarray 100, um die vorhergehend beschriebenen Vorteile zu erzielen. Der Sub-Speicherzellenarray 200 kann eine Indexinformation speichern, die Daten betrifft, die in dem Haupt-Speicherzellenarray 100 gespeichert sind. Außerdem kann der Sub-Speicherzellenarray 200 eine ROM-Tabelleninformation als Daten, die einen wahlfreien Zugriff mit hoher Geschwindigkeit erfordern oder Information speichern, die einen Hochgeschwindigkeits-Datenlesevorgang erfordern. Zwischen den Haupt-Speicherzellenarray 100 und dem Sub-Speicherzellenarray 200 gibt es einen Sub-Bitleitungs-Selektor 70, der aus Abschalttransistoren (shut-off transistors) ausgebildet ist. Bei dem Beispiel eines Speicherzellenarrays in 1 verbindet der Sub-Bitleitungs-Selektor 70 die Sub-Bitleitungen SB/Ll-SB/L8192 des Sub-Speicherzellenarrays 200 mit den Haupt-Bitleitungen MB/L1-MB/L8192 des Haupt-Speicherzellenarrays 100. Wenn die Speicherzellentransistoren in dem Sub-Speicherzellenarray 200 elektrisch programmiert oder gelöscht werden, werden an die Gates der Abschalttransistoren eine höhere Spannung angelegt, als die Spannung, die an die Sub-Bitleitungen angelegt wird. Folglich werden die Sub-Bitleitungen mit den korrespondierenden Haupt-Bitleitungen verbunden, wodurch die Daten in dem Sub-Speicherzellenarray 200 in der gleichen Art und Weise wie in dem Haupt-Speicherzellenarray 100 programmiert oder gelöscht werden.

Für den Fall, daß Daten, die in den Speicherzellentransistoren in dem Sub-Speicherzellenarray 200 gespeichert sind, gelesen werden, liegt an dem Abschaltsignaleingang des Sub-Bitleitungs-Selektor 70 0V an. Dementsprechend werden die elektrischen Verbindungen der Sub-Bitleitungen SB/L1-SB/L8192 des Sub-Speicherzellenarrays 200 mit den Haupt-Bitleitungen MB/L1-MB/L8192 des Haupt-Speicherzellenarrays 100 unterbrochen. Der Leseweg des Sub-Speicherzellenarrays 200 wird von dem Leseweg des Haupt-Speicherzellenarrays 100 getrennt. Das heißt, im Fall des Haupt-Speicherzellenarrays 100 werden Daten unter Verwendung eines Page Buffers 90, der mit Haupt-Bitleitungen MB/L1-MB/L8192 verbunden ist, als einen Leseverstärker ausgelesen. Im Gegensatz dazu wird im Fall des Sub-Speicherzellenarrays 200 der Page Buffer 90 bei dem Programmierungsvorgang und Löschvorgang verwendet, aber nicht bei einem Lesevorgang. Das heißt, ein separater Leseverstärker wird verwendet.

Der Sub-Speicherzellenarray 200 ist aus einer Vielzahl von I/O Sub-Arrays ausgebildet, von denen jeder mit dem korrespondierenden Leseverstärker 30 verbunden ist. Wie aus der Zeichnung ersichtlich, dient ein Sub-Array-Spaltenselektor 50 zum Verbinden der Spalten des Sub-Speicherzellenarrays 200 mit dem Leseverstärker 30. Der Sub-Array-Spaltenselektor 50 ist zwischen den Sub-Bitleitungen SB/L1-SB/L8192 und den Sub-Bitdatenleitungen SD/L1-SD/L8 verbunden bzw. geschaltet. Eine virtuelle Leistungs-Steuervorrichtung 10 steuert eine Leistungs-Versorgungsspannung derart, daß die Sub-Bitleitungen SB/L1-SB/L8192 während Programmierungs- und Löschvorgängen durch die Sub-Datenleitungen SD/L1-SD/L8 mit einer Leistungs-Versorgungsspannung versorgt werden können, und der Leseverstärker 30, der mit den Sub-Datenleitungen SD/L1-SD/L8 verbunden ist, kann während eines Lesevorgangs mit Daten versorgt werden.

Ein Datenausgabe-Multiplexer 120 dient zum selektiven Ausgeben von Daten, die auf den Sub-Datenleitungen SD/L1-SD/L8 und den Haupt-Datenleitungen MD/L1-MD/L8 auftreten. Ein Eingangs-Puffer 130 führt ein Eingangs-Zwischenspeichern (input buffering) durch, so daß externe Eingabedaten in eine ausgewählte Zelle innerhalb des Haupt-Speicherzellenarrays 100 und des Sub-Speicherzellenarrays 200 während eines Programmierungsvorgangs geschrieben werden können.

2 zeigt ein detailliertes Blockdiagramm, das den allgemeinen Aufbau der in 1 gezeigten Hauptarrayblöcken für einen seriellen Zugriff darstellt, und die 3 zeigt ein detailliertes Schaltungsdiagramm, das einen der in 2 gezeigten I/O-Haupt-Arrays darstellt. Gemäß 2 ist jeder Vielzahl an Haupt-Arrayblöcken 110 und 120 in dem Haupt-Speicherzellenarray 100 aus acht I/O-Haupt-Arrays ausgebildet, so daß acht Datensätze auf einmal eingegeben und ausgegeben werden können. Jeder der in 3 gezeigten I/O-Haupt-Arrays enthält einen ersten Auswahltransistor S1, dessen Drain mit einer korrespondierenden Bitleitung der Bitleitungen MB/L1-MB/L1024 verbunden ist und dessen Source mit dem Drain des Speicherzellentransistors, der ein Floating Gate aufweist, verbunden ist; einen zweiten Auswahltransistor G1, dessen Drain mit einer Source des Speicherzellentransistors verbunden ist, der ein FG aufweist, und dessen Source mit einer gemeinsamen Sourceleitung (CSL) verbunden ist; und eine Zellenreihe, die aus einer Vielzahl von Speicherzellentransistoren C1-Cn ausgebildet ist, die Drain-Source-Kanalreihen aufweisen, die zwischen den ersten und zweiten Auswahltransistoren verbunden sind. Die Speicherzellentransistoren C1-Cn weisen jeweils Floating Gates (FG) auf.

Die Page-Einheit sind Speicherzellentransistoren, welche in einer horizontalen Richtung in 3 angeordnet sind und an ihren Gates mit einer Wortleitung, beispielsweise W/L1-1, verbunden sind.

Die Vielzahl von Pages, die eine Vielzahl von Speicherzellentransistoren enthält, wird als ein Zellenblock bezeichnet. Eine Zellenblockeinheit enthält eine Zellenreihe oder eine Vielzahl aus Zellenreihen pro Bitleitung. Bei der Struktur, die in den Zeichnungen gezeigt ist, werden Lese- und Programmierungsvorgänge an einer Page-Einheit und ein Löschvorgang an einer Blockeinheit ähnlich wie bei der herkömmlichen Weise durchgeführt.

4 zeigt ein detailliertes Blockdiagramm, das eine Struktur der in 1 gezeigten Sub-Arrayblöcke für einen wahlfreien Zugriff darstellt, und 5 zeigt ein detailliertes Blockdiagramm, das eine andere Struktur der in 1 gezeigten Sub-Arrayblöcke für einen wahlfreien Zugriff darstellt. 6 zeigt ein detailliertes Schaltungsdiagramm, das einen der in 4 oder 5 dargestellten I/O-Sub-Arrays darstellt. Gemäß 4 und 5 sind, ähnlich wie die Haupt-Arrayblöcke, jede der Vielzahl von Sub-Arrayblöcken 210 und 220 in dem Sub-Speicherzellenarray 200 aus acht I/O-Sub-Arrays ausgebildet, so daß acht Datensätze auf einmal ein- und ausgelesen werden können. Jede der in 6 gezeigten I/O-Sub-Arrays enthält einen ersten Auswahltransistor S1 dessen Drain mit der entsprechenden Bitleitungen aus den Sub-Bitleitungen SB/L1-SB/L1024 verbunden ist und dessen Source mit einem Drain eines Speicherzellentransistors verbunden ist, der ein FG aufweist, und dessen Gate mit einer Reihenauswahlleitung SSL1 verbunden ist; einen zweiten Auswahltransistor G1 dessen Drain mit einer Source des Speicherzellentransistors verbunden ist, der ein FG aufweist, und dessen Source mit einer gemeinsamen Source-Leitung (CSL) verbunden ist und dessen Gate mit einer Masse-Auswahlleitung GSL1 verbunden ist; und eine Zellenreihe, die aus einem Speicherzellentransistor C1 mit einem FG ausgebildet ist, der zwischen den ersten und zweiten Auswahltransistoren verbunden ist.

Die Zeichnung zeigt, daß die Reihe lediglich einen Speicherzellentransistor aufweist und eine Wortleitung mit den Steuergates der Speicherzellentransistoren in der Vielzahl von Reihen verbunden ist. Falls es jedoch notwendig ist, können die Reihe aus Sub-Speicherzellenarrays eine Vielzahl von Speicherzellentransistoren aufweisen, auch wenn deren Anzahl geringer ist, als die Anzahl der Speicherzellentransistoren in der Zellenreihe des Haupt-Speicherzellenarrays.

Um einen wahlfreien Zugriffsvorgang schneller zu machen können die Reihen-Auswahlleitung SSL oder die Masse-Auswahlleitung GSL aus einem gut leitenden Metall hergestellt sein, beispielsweise ein Silizid wie Wolfram. Eine derartige Metall-Leitung dient zum Verringern eines Widerstands während des Vorgangs. Außerdem ist aufgrund der Ausbildung der Sub-Speicherzellenarrays, die aus Sub-Arrayblöcken mit einer Vielzahl von I/O-Sub-Arrays, wie in 6 gezeigt, ausgebildet sind, eine Aufladung bzw. eine Belastung der Sub-Bitleitung während eines Lesevorgangs verringert werden und dementsprechend die Auslesezeit stark verringert werden. Im Ergebnis wird dadurch ein wahlfreier Zugriff mit hoher Geschwindigkeit (high-speed random access) erzielt.

Als Beispiel für ein Ausbilden der Auswahlleitungen mit einem gut leitenden Metall ist die Reihen-Auswahlleitung SSL1-SSLn aus einer Metall-Leitung L1 ausgebildet. In diesem Fall ist es vorteilhaft, wenn ein Auswahlsignal auf die Reihen-Auswahlleitung SSL eingegeben wird, wodurch auf Daten in den Speicherzellentransistoren C1 zugegriffen wird. Für den Fall, daß das Auswahlsignal der Reihen-Auswahlleitung SSL eingegeben wird und dementsprechend Daten gelesen werden, wenn der I/O-Sub-Array in einem Nicht-Betriebs-Zustand ist, ist die Wortleitungsspannung geringer, als die Schwellwertspannung der Zelle, die in einem off-Zustand ist, und die Spannung, die an die Reihen-Auswahlleitung SSL angelegt wird, ist auf einen Pegel, bei welchem der erste Auswahltransistor S1 eingeschaltet werden kann.

Bei 5 ist die Masse-Auswahlleitung GSL1-GSLn mit einer Metall-Leitung L1 ausgeführt, welche für den Fall geeignet ist, daß auch Daten durch ein Eingeben des Auswahlsignals an die Masse-Auswahlleitung GSL zugegriffen wird. Für den Fall, daß auf Daten durch ein Eingeben des Auswahlsignals an die Masse-Auswahlleitung GSL zugegriffen wird, während der I/O-Sub-Array in einem Nicht-Betriebs-Zustand ist, ist die Wortleitungsspannung geringer als die Schwellwertspannung eines off-Zustands der Zelle und die Spannung, die an die Masse-Auswahlleitung GSL eingegeben wird, ist auf einem Pegel, der so groß ist, daß der zweite Auswahltransistor G1 eingeschaltet werden kann.

Wie gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung vorhergehend beschrieben worden ist, ist der Sub-Speicherzellenarray 200 aus den in 6 gezeigten Sub-Arrayblöcken 210 und 220 ausgebildet, die eine Vielzahl von I/O-Sub-Arrays aufweisen, wodurch die Anzahl an Speicherzellentransistoren in einer Zellenreihe geringer wird, als die Anzahl an Speicherzellentransistoren in der Zellenreihe des Haupt Speicherzellenarrays 100 in der Zellenreihe des Haupt-Speicherzellenarrays 100, und folglich wird ein Aufladen bzw. eine Belastung (loading) der Bitleitungen verringert. Da außerdem die Größe des elektrischen Stroms, der durch die aktivierten Zellen (on-cells) während eines Auslesens der aktivierten Zellen fließt, relativ größer ist als für den Fall des Haup-Speicherzellenarrays, kann eine Spannungs-Aufbauzeit verringert werden. Mit anderen Worten, die Auslesezeit eines Lesevorgangs kann verringert werden und dementsprechend kann ein wahlfreier Zugriff mit hoher Geschwindigkeit erzielt werden.

7 zeigt ein Schaltungsdiagramm, das den Aufbau des in 1 gezeigten Page Buffers 90 darstellt, und 8 zeigt ein detailliertes Schaltungsdiagramm, das eine der in 7 gezeigten Page Buffer Einheiten darstellt.

Aus 7 wird ersichtlich, daß eine Haupt-Datenleitung MD/L1 mit den Page Buffer Einheiten verbunden ist. Der Page Buffer selbst enthält eine Vielzahl von Page Buffer Einheiten 90-1 bis 90-4, von denen jede mit den entsprechenden zwei Haupt-Bitleitungen MB/L1 und MB/L2 bis MB/L1023 und MB/L1024 verbunden sind, um einen Datenzwischenspeichervorgang (data latch operation) durchzuführen, und die Auswahltransistoren T1 bis T22, die so gesteuert sind, daß eine Datenausgabe von den Page Buffer Einheiten 90-1 bis 90-4 zu der Haupt-Datenleitung MD/L1 geliefert wird. Die Gates der Auswahltransistoren T1 bis T22 sind mit den Ausgängen des Y-Dekoders verbunden und Daten, die von den Page Buffer Einheiten 90-1 bis 90-4 ausgegeben werden, werden selektiv zu der Haupt-Datenleitung übermittelt.

Gemäß 8 enthält jede der Page Buffer Einheiten 90-1 bis 90-4 einen Latch LA1, der aus Invertern I1 und I2 und Transistoren N1 bis N5 und P1 ausgebildet ist, und die zum Speichern von Daten und Ausgeben der gespeicherten Daten notwendig sind.

9 zeigt ein detailliertes Schaltungsdiagramm des in 1 gezeigten Sub-Array-Spaltenselektors 50. Der Sub-Array-Spaltenselektor 50 enthält eine Vielzahl von Transistoren N1-N10, so daß die Sub-Bitleitungen SB/L1-SB/L8192 selektiv mit der Sub-Datenleitung SUB D/L verbunden werden können, die ein Eingangsanschluß des Leseverstärkers 30 ist.

Die Vielzahl der Transistoren N1 bis N10 werden in Reaktion auf die Signale eingeschaltet, die durch die Gates eingegeben werden, um dadurch Daten zu den Sub-Datenleitungen SUB D/L zu übertragen, die auf den Sub-Bitleitungen SB/L1 – SB/L8192 des Sub-Speicherzellenarrays 200 auftreten.

10 zeigt eine detaillierte Schaltungsansicht, die die Beziehung zwischen den in 1 dargestellten virtuellen Leistungs-Steuereinrichtungen 10 und dem Leseverstärker 30 darstellen. Die virtuelle Leistungs-Steuereinrichtung 10 ist aus einem Inverter, der die Transistoren P1 und N1 enthält, ausgebildet. Die virtuelle Leistungs-Steuereinrichtung 10 dient zum Zuführen einer Leistungs-Versorgungsspannung, so daß die Sub-Bitleitungen SB/L1 – SB/L8192 mit der Leistungs-Versorgungsspannung über die Sub-Bitdatenleitungen SD/L1 – SD/L8 während der Lösch- und Programmierungsvorgänge zugeführt werden kann, und zum Zuführen einer Leistungs-Versorgungsspannung zu den Sub-Datenleitungen SD/L1 – SD/L8, so daß der Leseverstärker 30, der mit den Sub-Datenleitungen SD/L1-SD/L8 verbunden ist, mit Daten während eines Lesevorgangs versorgt werden kann. Der Leseverstärker 30 enthält MOS-Transistoren P2 und N2 vom P- bzw. N-Typ und einen Inverter I1, der mit dem Ausgangsanschlüssen der MOS-Transistoren P2 und N2 vom P- bzw. N-Typ verbunden ist. Der Drain des NMOS-Transistors N2 ist mit der entsprechenden Leitung aus den Sub-Datenleitungen SD/L1 – SD/L8 verbunden, und sein Gate nimmt eine Bias-Spannung auf. Die Ausgänge des Inverters II sind Daten, die während eines wahlfreien Zugriffs ausgegeben werden und zu dem Datenausgangs-Multiplexer 120 über die Leitung L10 übermittelt wird, wie es in 1 gezeigt ist.

11 zeigt eine detaillierte Schaltungsansicht des in 1 gezeigten Dateneingangspuffers 130. Es gibt insgesamt acht Dateneingangspuffer, für jeden Eingang/Ausgang (I/O) einen. Der Dateneingangspuffer 130 enthält einen Puffer, der ein D-Flip-Flop D1 und Inverter I1 und I2 und einen Tri-State-Buffer aufweist, der aus den MOS-Transistoren P1, P2, N1 und N2 des N- bzw. P-Typs aufgebaut ist, wie es in 11 gezeigt ist, so daß Programmierungsdaten, die von der Eingabe/Ausgabe über den Eingangsanschluß Din1 eingegeben werden, zu der entsprechenden Haupt-Datenleitung in Reaktion auf das Takt-Eingangssignal CLOCK zugeführt werden. Bei einem Programmierungsvorgang weist das Steuersignal nDINen einen genauso niedrigen Eingangspegel wie ein Gate des PMOS-Transistors P1 auf und das Steuersignal DINen weist einen genauso hohen Eingangspegel wie ein Gate des NMOS-Transistors N1 auf, wodurch die von dem Zwischenspeicher ausgegebenen Daten zu der Haupt-Datenleitung MD/L1 übertragen werden.

12 zeigt eine detaillierte Schaltungsansicht des Datenausgabe-Multiplexers 120, der in 1 gezeigt ist. Ähnlich dem Dateneingangspuffer 130 gibt es insgesamt acht Datenausgabe-Multiplexer, für jeden Ein-/Ausgang einen. Jeder der Multiplexer 120 weist einen Inverter I1 zum Invertieren eines Multiplex-Steuersignals nRandom, ein erstes NOR-Gatter NOR1 zum Aufnehmen von Ausgangsdaten SA01 des Leseverstärkers 30 und des Multiplex-Steuersignals nRandom auf, um dadurch eine NOR-Antwort zu erzeugen, ein zweites NOR-Gatter NOR2 zum Aufnehmen eines Ausgangs des Inverters I1 und des Ausgangs der Haupt-Datenleitung MD/L1 auf, um dadurch eine NOR-Antwort zu erzeugen, und ein drittes NOR-Gatter NOR3 zum Aufnehmen von Ausgängen der ersten und zweiten NOR-Gatter auf, um dadurch eine NOR-Antwort zu erzeugen und sie zu der Datenausgangsleitung Dout1 auszugeben, so daß die Daten, die auf den Sub-Datenleitungen SD/L1 – SD/L8 und den Haupt-Datenleitungen MD/L1 – MD/L8 auftreten, selektiv ausgegeben werden. Insgesamt ist die in 12 gezeigte Struktur eine Verbindungsstruktur, bei welcher eine Leitung aus den Leitungen L10 und L20 entsprechend einem Logikpegel des Multiplex-Steuersignals nRandom ist und die resultierenden Daten werden zu der Datenausgangsleitung Dout1 zugeführt.

13 zeigt ein detaillierteres Blockdiagramm als 1, das zum Darstellen eines Lesevorgangs des in 1 gezeigten Sub-Arrayblocks verwendet wird. Wenn Daten eines I/O-Sub-Array-Speicherzellentransistors in den Sub-Arrayblöcken 210 und 220 programmiert werden oder bereits gespeicherte Daten gelöscht werden, wird das Abschaltsignal SHUTOFF mit einem Spannungspegel eingegeben, der höher ist, als der Spannungspegel der Sub-Bitleitungen. Während die virtuelle Leistungs-Steuereinrichtung 10 betrieben wird, werden außerdem die Sub-Bitleitungen SB/L1 – SB/L8192 derart gesteuert, daß sie mit einer Leistungs-Versorgungsspannung versorgt werden. Dementsprechend sind die Sub-Bitleitungen SB/L1 – SB/L8192 und die Haupt-Bit-leitungen MB/L1 – MB/L8192 elektrisch miteinander verbunden und Daten des Sub-Speicherzellenarrays 200 werden auf die gleiche Art und Weise wie bei dem Programmierungs- oder Löschvorgang des Haupt-Speicherzellenarrays 100 programmiert oder gelöscht.

Mit anderen Worten: Durch Vorsehen der gleichen Spannungs-Eingangsbedingungen wie bei dem Programmierungs- oder Löschvorgang des Haupt-Speicherzellenarrays 100 werden die Daten des Speicherzellentransistors Sub-Speicherzellenarray 200 programmiert oder in dem Speicherzellentransistor gespeicherte Daten werden gelöscht.

Wenn es notwendig ist, Daten aus einer ROM-Tabelle für ein Hochgeschwindigkeits-Auslesen zu lesen oder wenig Daten in einer höheren Geschwindigkeit als der Lesegeschwindigkeit des Haupt-Speicherzellenarrays 100 zu lesen, passieren derartige Daten nacheinander durch den Eingangspuffer 130 – die Haupt-Datenleitung L20 – den Page Buffer 90 – die Haupt-Bitleitung – den Sub-Bitleitungsselektor 70, der Sub-Bitleitung, und werden danach in dem Speicherzellentransistor der ausgewählten Zellreihe in dem Sub-Speicherzellenarray 200 während des zuvor erwähnten Programmierungsvorgangs gespeichert. Als nächstes wird der Lesevorgang für einen wahlfreien Zugriff gemäß der vorliegenden Erfindung erläutert.

Wenn Daten, die in den Speicherzellentransistoren in den Sub-Speicherzellenarrays 200 gespeichert sind, ausgelesen werden, wird der Pegel des Abschaltsignals SHUTOFF, das den Sub-Bitleitungsselektor 70 zugeführt wird, 0V. Für den Fall, daß die virtuelle Leistungs-Steuereinrichtung 10 ebenso betrieben wird, werden die Sub-Bitleitungen SB/L1 – SB/L8192 des Sub-Speicherzellenarrays 200 von den Haupt-Bitleitungen MB/L1 – MB/L8192 des Haupt-Speicherzellenarrays 100 elektrisch getrennt.

Wie in 13 gezeigt, werden die Reihen-Auswahltransistoren in den Sub-Arrays 200 eingeschaltet, und bei einem Lesevorgang die in den Speicherzellentransistoren gespeicherten Daten zu den entsprechenden Sub-Bitleitungen hin entwickelt bzw. ausgelesen, wenn SSL1, W/L1, GSL1 und CSL aufeinanderfolgend bzw. in Reihenfolge als eine Leistungs-Versorgungsspannung VDD, 0V, ein Signalpegel bzw. 0V eingegeben werden, und wenn die Auswahlsignale SYb1, SYa1 und SYa2 des Sub-Array-Spaltenselektors 50 als eine Leistungs-Versorgungsspannung VDD, eine Leistungs-Versorgungsspannung VDD bzw. 0V eingegeben werden, die Signale zu den Sub-Bitleitungen SB/L1 – SB/L8192 innerhalb des Sub-Speicherzellenarrays 200 ausgelesen, beispielsweise Daten, die in den Speicherzellentransistoren gespeichert sind, passieren durch den Sub-Array-Spaltenselektor 50 – die Sub-Datenleitung – den Leseverstärker 30 – der Leseverstärker-Ausgangsleitung L20, und dadurch werden sie zu dem Datenausgabe-Multiplexer 120 ausgegeben.

Der Sub-Speicherzellenarray 200 weist NAND-Zellenreihen auf, von denen jede eine vorbestimmte Anzahl an Speicherzellentransistoren aufweist, die geringer ist als die Anzahl an Speicherzellentransistoren, die in der NAND-Zellenreihe des Haupt-Speicherzellenarrays 100 enthalten sind, und der Sub-Speicherzellenarray 200 weist die in 4 gezeigten Metalleitungen L1 auf, wodurch ein Aufladen bzw. eine Belastung der Sub-Bitleitung relativ zu dem Aufladen bzw. der Belastung der Haupt-Bitleitung verringert wird und ein Lesevorgang mit einer schnelleren Datenauslesezeit durchgeführt werden kann, als bei dem Haupt-Speicherzellenarray 100.

Da die Vorgangsgeschwindigkeit des Leseverstärkers 30, der in 10 gezeigt ist, schneller ist als die des in 8 gezeigten, kann außerdem ein wahlfreier Zugriffsvorgang mit hoher Geschwindigkeit (high-speed random access operation) erzielt werden. Der Datenausgabe-Multiplexer 120, der aus insgesamt acht einzelnen Multiplexern für jede I/O-Leitung besteht, wählt Daten, die von der Leseverstärker-Ausgangsleitung L10 während des Datenlesevorgangs ausgegeben werden aus, um sie dadurch zu der gemeinsamen Datenausgangsleitung Dout mit acht Bit auszugeben, wodurch der wahlfreie Zugriff mit hoher Geschwindigkeit, beispielsweise der Hochgeschwindigkeits-Datenlesevorgang, erzielt werden kann.

Während die Erfindung in Bezug auf bevorzugte Ausführungsformen beschrieben worden ist, erkennt der Fachmann, daß die Erfindung auch mit Abwandlungen innerhalb des Grundgedankens und des Umfangs der beigefügten Ansprüche realisiert werden kann. Beispielsweise kann die Struktur bzw. der Aufbau des Sub-Speicherzellenarrays und der entsprechenden Steuereinrichtung modifiziert werden oder aufgrund irgendwelcher erforderlichen Bedingungen geändert werden. Insbesondere kann der Speicherarray in irgendeiner Größe ausgeführt sein, der innerhalb des Konzepts der Erfindung liegt, obgleich der Speicherarray in einer bestimmten Größe dargestellt worden ist.


Anspruch[de]
  1. Nicht-flüchtige Halbleiterspeichervorrichtung, die aufweist:

    einen Haupt-Speicherzellenarray, der aus einer Vielzahl von NAND-Zellenreihen ausgebildet ist, wobei jede Zellenreihe aus einer Anzahl an Speicherzellentransistoren ausgebildet ist;

    einen Sub-Speicherzellenarray, der eine Vielzahl von NAND-Zellenreihen aufweist, die jeweils aus einer Anzahl von Speicherzellentransistoren ausgebildet sind, wobei die Anzahl der Speicherzellentransistoren in den Zellenreihen des Sub-Speicherzellenarrays geringer ist als die Anzahl an Speicherzellentransistoren in den NAND-Zellenreihen des Haupt-Speicherzellenarrays, wobei der Sub-Speicherzellenarray während Programmierungs- und Löschvorgängen mit Haupt-Bitleitungen des Haupt-Speicherzellenarrays betriebsmäßig verbunden ist, wobei die Sub-Speicherzellenarrays von den Haupt-Bitleitungen während eines Lesebetriebs elektrisch getrennt sind, und wobei der Sub-Speicherzellenarray einen separaten Lesepfad aufweist, der unabhängig von dem Lesepfad des Haupt-Speicherzellenarrays ist.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Sub-Speicherzellenarray eine Vielzahl von Sub-Arrayblöcken aufweist, von denen jeder eine Vielzahl von I/O-Sub-Arrays aufweist, und jeder I/O-Sub-Array eine Vielzahl von NAND-Zellenreihen aufweist.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei jeder der Sub-Arrays mit einer einzigen Wortleitung verbunden ist.
  4. Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei eine der NAND-Zellenreihen des Sub-Speicherzellenarrays aufweist:

    einen ersten Auswahltransistor, dessen Drain mit einer jeweiligen Sub-Bitleitung verbinden ist, dessen Source mit einem Drain eines Speicherzellentransistors, der ein Floating Gate aufweist, verbunden ist, und dessen Gate mit einer Reihen-Auswahlleitung verbunden ist;

    einen zweiten Auswahltransistor, dessen Drain mit einer Source des Speicherzellentransistors verbunden ist, dessen Source mit einer gemeinsamen Source-Leitung verbunden ist und dessen Gate mit einer Masse-Auswahlleitung verbunden ist;

    wobei der Speicherzellentransistor zwischen dem ersten und dem zweiten Auswahltransistoren verbunden ist.
  5. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Sub-Speicherzellenarray zu einem Datenlesen mit einem wahlfreien Zugriff in der Lage ist, das schneller als ein Datenlesen in den Haupt-Speicherzellenarray ist.
  6. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Sub-Speicherzellenarray in der Lage ist, Daten zu speichern, die Daten indizieren, die in dem Haupt-Speicherzellenarray gespeichert sind.
  7. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei eine ROM-Tabelle innerhalb des Sub-Speicherzellenarrays gespeichert ist.
  8. Speicherzellenarraystruktur eines nicht flüchtigen Halbleiterspeichers, der aufweist:

    einen ersten Speicherzellenarray, der Haupt-Arrayblöcke aufweist, die aus einer Vielzahl von I/O-Haupt-Arrays ausgebildet sind, die wiederum aus einer Vielzahl von NAND-Zellenreihen ausgebildet sind;

    einen zweiten Speicherzellenarray, der eine Vielzahl von NAND-Zellenreihen aufweist, wobei jede Zellenreihe aus einer Anzahl von Speicherzellentransistoren ausgebildet ist, wobei die Anzahl an Speicherzellentransistoren in dem zweiten Speicherzellenarray geringer ist als die Anzahl an Speicherzellentransistoren in den NAND-Zellenreihen des ersten Speicherzellenarrays, wobei der zweite Speicherzellenarray mit Haupt-Bitleitungen des ersten Speicherzellenarrays während Programmierungs- und Löschvorgängen betriebsmäßig verbunden ist, wobei die zweiten Speicherzellenarrays von den Haupt-Bitleitungen während eines Lesevorgangs elektrisch getrennt sind, wobei der zweite Speicherzellenarray einen separaten Lesepfad aufweist, der unabhängig von einem Lesepfad des ersten Speicherzellenarrays ist, und wobei der zweite Speicherzellenarray während eines Lesevorgangs eine Auslesezeit aufweist, die kürzer ist als eine Auslesezeit bei dem ersten Speicherzellenarray.
  9. Struktur nach Anspruch 8, wobei ein Lesepfad des ersten Speicherzellenarrays und ein Lesepfad des zweiten Speicherzellenarrays mit einer Datenausgabeleitung durch einen Datenausgabe-Multiplexer verbunden sind, der auf einen Logikpegel des Multiplex-Steuersignals reagiert.
  10. Struktur nach Anspruch 9, wobei zumindest eine der NAND-Zellenreihen des zweiten Speicherzellentransistors aufweist:

    einen ersten Auswahltransistor, dessen Drain mit einer Sub-Bitleitung verbunden ist, dessen Source mit einem Drain eines Speicherzellentransistors, der ein Floating Gate aufweist, verbunden ist und dessen Gate mit einer Reihen-Auswahlleitung verbunden ist;

    einen zweiten Auswahltransistor, dessen Drain mit einer Source des Speicherzellentransistors verbunden ist, dessen Source mit einer gemeinsamen Source-Leitung verbunden ist und dessen Gate mit einer Masse-Auswahlleitung verbunden ist; und

    wobei der Speicherzellentransistor einen Drain-Source-Kanal aufweist, der zwischen den ersten und zweiten Auswahltransistoren verbunden ist, und ein Steuer-Gate aufweist, das mit einer Wortleitung verbunden ist.
  11. Struktur nach Anspruch 10, wobei die Masse-Auswahlleitung aus einer Metall-Leitung ausgebildet oder mit einer Metall-Leitung verbunden ist, die eine höhere elektrische Leitfähigkeit als die Wortleitung aufweist.
  12. Struktur nach Anspruch 10, wobei die Reihen-Auswahlleitung aus einer Metall-Leitung ausgebildet oder mit einer Metall-Leitung verbunden ist, die eine höhere elektrische Leitfähigkeit als die Wortleitung aufweist.
  13. Elektrisch programmierbare und löschbare nicht-flüchtige Halbleiterspeichervorrichtung, die aufweist:

    einen Speicherzellenarray mit einer Vielzahl von Haupt-Arrayblöcken, wobei jeder der Vielzahl von Haupt-Arrayblöcken eine Vielzahl von NAND-Zellenreihen enthält, in welchen Speicherzellentransistoren zwischen Reihen-Auswahltransistoren und Masse-Auswahltransistoren verbunden sind, die jeweils mit einer Haupt-Bitleitung und einer virtuellen Masse verbunden sind, wobei die NAND-Zellenreihen zwei oder mehr Speicherzellentransistoren aufweisen, die mit Bitleitungen verbunden sind, wobei die Speicherzellentransistoren Drain-Source-Kanäle aufweisen, die seriell verbunden sind, und wobei jeder der Speicherzellentransistoren ein Steuer-Gate; und ein Floating Gate zum Speichern von Daten aufweist; einen Sub-Speicherzellenarray, der Sub-Arrayblöcke mit einer Vielzahl von NAND-Zellenreihen aufweist, wobei jede der Zellenreihen des Sub-Speicherzellenarrays Speicherzellentransistoren enthält, wobei die Anzahl an Speicherzellentransistoren geringer ist als die Anzahl an Speicherzellentransistoren in den NAND-Zellenreihen des Haupt-Speicherzellenarrays, wobei der Sub-Speicherzellenarray mit Haupt-Bitleitungen des Haupt-Speicherzellenarrays während Programmierungs- und Löschvorgängen betriebsmäßig verbunden ist, wobei die Sub-Speicherzellenarrays von den Haupt-Bitleitungen während eines Lesebetriebs elektrisch getrennt sind und der Sub-Speicherzellenarray einen separaten Lesepfad aufweist, der unabhängig von dem Lesepfad des Haupt-Speicherzellenarrays ist;

    Sub-Bitleitungs-Selektoren zum selektiven Verbinden von Sub-Bitleitungen mit Haupt-Bitleitungen in Reaktion auf ein Abschaltsignal;

    Page Buffers, die zwischen den Haupt-Bitleitungen und den Haupt-Datenleitungen zum Zugriff auf Daten ausgewählter Speicherzellentransistoren und zum Anlegen einer Programmierungsspannung an die Haupt-Bitleitungen während eines Programmierungsvorgangs verbunden sind;

    Sub-Arrayspalten-Selektroren, die zwischen Sub-Bitleitungen und Sub-Bitdatenleitungen verbunden sind;

    Leseverstärker, die mit Sub-Bitdatenleitungen zum Zugreifen auf Daten ausgewählter Speichertransistoren in dem Sub-Speicherzellenarray verbunden sind; eine virtuelle Leistungssteuereinrichtung zum Zuführen einer Leistungs-Versorgungsspannung zu den Sub-Datenleitungen;

    ein Datenausgabe-Multiplexer zum selektiven Ausgeben von Daten über eine gemeinsame Ausgangsleitung, die zu den Sub-Datenleitungen und zu den Haupt-Datenleitungen zugeführt werden; und

    einen Eingangspuffer zum Eingangspuffern eines Dateneingangs von einer externen Schaltung während eines Programmierungsvorgangs, um diese den Haupt-Leitungen zuzuführen.
  14. Vorrichtung nach Anspruch 13, wobei der Sub-Speicherzellenarray eine Vielzahl von Sub-Arrayblöcken aufweist, von denen jeder acht I/O-Sub-Arrays aufweist, und jeder I/O-Sub-Array eine Vielzahl von NAND-Zellenreihen aufweist.
  15. Vorrichtung nach Anspruch 14, wobei der I/O-Sub-Array mit einer einzigen Wortleitung verbunden ist.
  16. Vorrichtung nach Anspruch 14, wobei die NAND-Zellenreihe des Sub-Speicherzellenarrays aufweist:

    einen ersten Auswahltransistor, dessen Drain mit einer Sub-Bitleitung verbunden ist, dessen Source mit einem Drain eines Speicherzellentransistors verbunden ist,

    der ein Floating Gate aufweist, und dessen Gate mit einer Reihen-Auswahleitung verbunden ist;

    einen zweiten Auswahltransistor, dessen Drain mit einer Source des Speicherzellentransistors verbunden ist, dessen Source mit einer gemeinsamen Source-Leitung verbunden ist und dessen Gate mit einer Masse-Auswahlleitung verbunden ist;

    wobei der Speicherzellentransistor an seinem Steuer-Gate mit einer Wortleitung verbunden ist und sein Drain-Source-Kanal zwischen den ersten und zweiten Auswahltransistoren verbunden ist.
  17. Vorrichtung nach Anspruch 13, wobei der Sub-Speicherzellenarray während eines wahlfreien Zugriffs, der einen Datenlesevorgang mit einer höheren Geschwindigkeit als bei dem Haupt-Speicherzellenarray erfordert, betriebsfähig ist.
  18. Vorrichtung nach Anspruch 13, wobei der Sub-Speicherzellenarray zum Speichern von Indexdaten in der Lage ist, die Daten betreffen, die in dem Haupt-Speicherzellenarray gespeichert sind.
  19. Vorrichtung nach Anspruch 13, wobei der Sub-Speicherzellenarray in der Lage ist ROM-Tabelleninformation zu speichern.
  20. Vorrichtung nach Anspruch 16, wobei die Masse-Auswahlleitung aus einer Metall-Leitung ausgebildet oder mit einer Metall-Leitung verbunden ist, die eine höhere elektrische Leitfähigkeit als die Wortleitung aufweist.
  21. Vorrichtung nach Anspruch 16, wobei die Reihen-Auswahlleitung aus einer Metall-Leitung ausgebildet oder mit einer Metall-Leitung verbunden ist, die eine höhere elektrische Leitfähigkeit als die Wortleitung aufweist.
  22. Verfahren zum Zugriff auf einen Speicherzellenarray einer nicht flüchtigen Halbleiterspeichervorrichtung mit einem Haupt-Speicherzellenarray, der aus einer Vielzahl von NAND-Zellenreihen ausgebildet ist, und mit einem Sub-Speicherzellenarray, der eine Vielzahl von NAND-Zellenreihen enthält, die aus Speicherzellentransistoren ausgebildet sind, wobei die Anzahl der Speicherzellentransistoren in dem Sub-Speicherzellenarray geringer ist als die Anzahl an Speicherzellentransistoren in den NAND-Zellenreihen des Haupt-Speicherzellenarrays, wobei das Verfahren aufweist:

    Durchführen von gleichen Programmierungs- und Löschvorgängen in dem Sub-Speicherzellenarray wie in dem Haupt-Speicherzellenarray durch ein betriebsmäßiges Verbinden von Sub-Bitleitungen des Sub-Speicherzellenarrays mit Haupt-Bitleitungen des Haupt-Speicherzellenarrays während Programmierungs- und Löschvorgängen des Sub-Speicherzellenarrays; und

    Durchführen eines Lesevorgangs mit einer kürzeren Datenauslesezeit wie bei dem Haupt-Speicherzellenarray durch ein elektrisches Trennen von den Sub-Bitleitungen und den Haupt-Bitleitungen während eines Lesevorgangs mit wahlfreiem Zugriff in dem Sub-Speicherzellenarray.
  23. NAND-Flash-Speichervorrichtung, die aufweist:

    einen Haupt-Speicherzellenarray mit einer Vielzahl von Haupt-Arrayblöcken, die darin eine Vielzahl von NAND-Zellenreihen aufweisen, in welcher Speicherzellentransistoren zwischen Reihen-Auswahltransistoren und Masse-Auswahltransistoren verbunden sind, die jeweils mit einer Haupt-Bitleitung und einer virtuellen Masse verbunden sind, wobei die NAND-Zellenreihen zwei oder mehr Speicherzellentransistoren aufweisen, die mit Bitleitungen verbunden sind, in welchen Drain-Source-Kanäle seriell verbunden sind, wobei jeder Speicherzellentransistor eine Steuer-Gate und ein Floating Gate zum Speicher von Daten aufweist, wobei die Steuer-Gates der Speicherzellentransistoren mit einer jeweiligen Vielzahl von Wortleitungen verbunden sind, und wobei die Drains der Reihen-Auswahltransistoren mit einer Vielzahl von Bitleitungen verbunden sind, die die Wortleitungen kreuzen;

    einen Sub-Speicherzellenarray, der mit Sub-Arrayblöcken vorgesehen ist, die eine Vielzahl von NAND-Zellenreihen aufweisen, in welchen Speicherzellentransistoren vorgesehen sind, wobei eine Anzahl der Speicherzellentransistoren in dem Sub-Speicherarray geringer ist als die Anzahl der Speicherzellentransistoren in den NAND-Zellenreihen des Haupt-Speicherzellenarray, wobei der Sub-Speicherzellenarray mit den Haupt-Bitleitungen des Haupt-Speicherzellenarrays während Programmierungs- und Löschvorgängen betriebsmäßig verbunden ist, wobei die Sub-Speicherzellenarrays von den Haupt-Bitleitungen während eines Lesevorgangs elektrisch getrennt sind, und wobei der Sub-Speicherzellenarray einen separaten Lesepfad aufweist, der unabhängig von einem Lesepfad des Hauptspeichers ist, wobei der Sub-Speicherzellenarray während eines Lesevorgangs eine schnellere Auslesezeit aufweist als der Haupt-Speicherzellenarray;

    eine Zugriffseinrichtung zum Zugreifen auf Daten der Haupt- und Sub-Speicherzellenarrays; und

    eine gemeinsame Ausgangseinrichtung zum selektiven Ausgeben von Daten, die von der Zugriffseinrichtung ausgegeben werden.
  24. Elektrisch programmierbare und löschbare nicht flüchtige Halbleiterspeichervorrichtung, die aufweist:

    eine Vielzahl von NAND-Zellenreihen, in welchen eine oder eine Vielzahl von Speicherzellen, die ein Steuer-Gate und ein Floating Gate aufweisen, derart verbunden sind, daß ihre Kanäle seriell verbunden sind, wobei die Speicherzellen seriell mit einer Bitleitung und einer virtuellen Masse über eine Reihen-Auswahleinrichtung bzw. eine Masse-Auswahleinrichtung verbunden sind;

    eine Vielzahl von Wortleitungen, die jeweils mit Steuer-Gates der Vielzahl von NAND-Zellenreihen verbunden sind;

    eine Vielzahl von NAND-Zellenblöcken mit Bitleitungen;

    einen NAND-Zellenarray in welchem die Vielzahl von NAND-Zellenblöcken mit jeweiligen Bitleitungen gekoppelt ist;

    einen NAND-Zellen-Haupt-Array, der die gleiche Struktur wie der NAND-Zellenarray aufweist;

    einen NAND-Zellen-Sub-Array mit NAND-Zellenblöcken, wobei die Anzahl der NAND-Zellenblöcke geringer ist als die Anzahl der NAND-Zellenblöcke in den NAND-Zellen-Haupt-Array;

    eine Sub-Bitleitungs-Auswahleinrichtung zum Verbinden und Unterbrechen von Bitleitungen zu jedem der zwei Arrays;

    einen Page Buffer, der mit einer Bitleitung des NAND-Zellen-Haupt-Arrays verbunden ist, um dadurch einen Zustand einer Speicherzelle zu lesen und eine Programmierungsspannung zu der Bitleitung während eines Programmierungsvorgangs zuzuführen;

    einen Sub-Array-Spaltenselektor, der mit einer Bitleitung des NAND-Zellen-Sub-Arrays verbunden ist, um dadurch alle oder einen Teil der Vielzahl von Bitleitungen des NAND-Zellen-Sub-Arrays auszuwählen, so daß die ausgewählte Bitleitung mit einer separaten Schaltung verbunden ist;

    einen Leseverstärker zum Lesen eines Zellzustands der Bitleitungen, die durch den Sub-Arrayspaltenselektor ausgewählt worden ist; und

    eine virtuelle Leistungssteuereinrichtung zum Vorsehen einer Leistungs-Versorgungsspannung zu den Bitleitungen, die durch den Sub-Arrayspaltenselektor ausgewählt worden sind.
  25. Vorrichtung nach Anspruch 24, wobei eine Haupt-Bitleitung derart aufgebaut ist, daß eine Sub-Bitleitung durch die Sub-Bitleitungs-Auswahleinrichtung während eines Programmierens des NAND-Zellen-Sub-Arrays elektrisch verbunden ist.
  26. Vorrichtung nach Anspruch 25, wobei die Haupt-Bitleitung von der Sub-Bitleitung von der Sub-Bitleitungs-Auswahleinrichtung während eines Lesevorgangs des NAND-Zellen-Sub-Arrays elektrisch getrennt ist.
  27. Vorrichtung nach Anspruch 25, wobei der NAND-Zellenblock innerhalb des NAND-Zellen-Sub-Arrays mit einer Wortleitung verbunden ist.
  28. Vorrichtung nach Anspruch 24, wobei die Reihen-Auswahleinrichtung des NAND-Zellenblocks innerhalb des NAND-Zellen-Sub-Arrays mit einem Signal durch eine oder mehrere Verbindungseinrichtungen versorgt wird, die einen elektrischen Widerstand aufweist, der geringer als der der Wortleitung ist.
  29. Vorrichtung nach Anspruch 24, wobei eine Wortleitungsspannung während eines Nicht-Betriebszustands des NAND-Zellen-Sub-Arrays mit einem geringeren Pegel angelegt wird, als der einer Schwellwertspannung der NAND-Zelle in einem Off-Zustand, und wobei eine Spannung, die an die Masse-Auswahleinrichtung angelegt ist, mit einem Pegel angelegt ist, der so groß ist, daß die Masse-Auswahleinrichtung eingeschaltet werden kann.
  30. Vorrichtung nach Anspruch 27, wobei die Masse-Auswahleinrichtung des NAND-Zellenblocks innerhalb des NAND-Zellen-Sub-Arrays durch eine oder mehrere Verbindungseinrichtungen, die einen elektrischen Widerstand aufweisen, der geringer als der der Wortleitungen ist, mit einem Signal versorgt ist.
  31. Vorrichtung nach Anspruch 24, wobei eine Wortleitungsspannung während des Nicht-Betriebszustands des NAND-Zellen-Sub-Arrays mit einem niedrigeren Pegel angelegt ist, als der der Schwellwertspannung der NAND-Zelle im Aus-Zustand, und wobei die Spannung, die an die Reihen-Auswahleinrichtung angelegt ist, mit einem Pegel angelegt ist, der so groß ist, daß die Masse-Auswahleinrichtung eingeschaltet werden kann.
  32. Vorrichtung nach Anspruch 28, wobei die Auswahlleitung mit der Verbindungseinrichtung an drei oder mehr Verbindungsabschnitten davon gekoppelt ist.
  33. Vorrichtung nach Anspruch 32, wobei die Verbindungsabschnitte durch die I/O-Arrayeinheit aufgeteilt sind.
Es folgen 13 Blatt Zeichnungen






IPC
A Täglicher Lebensbedarf
B Arbeitsverfahren; Transportieren
C Chemie; Hüttenwesen
D Textilien; Papier
E Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Physik
H Elektrotechnik

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