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Dokumentenidentifikation DE10239580A1 18.03.2004
Titel Verfahren zum Ausbilden eines Kompensationsgebiets
Anmelder Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
Erfinder Rüb, Michael, Dr., Faak am See, AT
Vertreter Müller - Hoffmann & Partner Patentanwälte, 81667 München
DE-Anmeldedatum 28.08.2002
DE-Aktenzeichen 10239580
Offenlegungstag 18.03.2004
Veröffentlichungstag im Patentblatt 18.03.2004
IPC-Hauptklasse H01L 21/334
IPC-Nebenklasse H01L 21/328   H01L 29/06   
Zusammenfassung Um ein Kompensationsgebiet (30) für ein Kompensationshalbleiterbauelement (10) auf besonders einfache Art und Weise und doch wohldefiniert und zuverlässig herstellen zu können, wird vorgeschlagen, primäre Dotierstoffdepots (31, 32, 33) zueinander lateral versetzt in einem ersten Bereich (21) eines Halbleitermaterialbereichs (20) auszubilden und dann nachfolgend durch Ausdiffundieren über eine entsprechende Überlagerung daraus entstehender sekundärer Dotierstoffdepots (31', 32', 33') in das entsprechende Kompensationsgebiet (30) in zusammenhängender Form derart auszubilden, dass sich das Kompensationsgebiet (30) zumindest zum Teil lateral erstreckt.

Beschreibung[de]

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ausbilden eines Kompensationsgebiets gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 1, ein Verfahren zum Ausbilden eines Kompensationshalbleiterbauelements, sowie ein Kompensationshalbleiterbauelement gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 14.

Zur Realisierung vielfältiger Anwendungen werden in der modernen Halbleitertechnologie häufig geeignet gewählte Kompensationsgebiete in einem Bereich eines Halbleitermaterialbereichs ausgebildet. Dadurch wird erreicht, dass die gemäß einer vorgegebenen Dotierung in dem jeweiligen Bereich vorliegenden Ladungsträger aufgrund einer entgegengesetzten Dotierung eingebrachter Dotierstoffteilchen oder Dotierstoffdepots ausgeglichen werden. Dadurch wird erreicht, dass in dem jeweiligen Kompensationsgebiet ein Nettoladungsausgleich zwischen den entgegengesetzten Dotierungen vorliegt, gleich wohl aber eine große Anzahl von Ladungsträgern zur Verfügung steht. Dadurch kann zum Beispiel erreicht werden, dass bei Transistoren mittels der Kompensationstechnik die entsprechenden Einschaltwiderstände besonders niedrig eingestellt sind.

Bei herkömmlichen Verfahren zum Ausbilden eines Kompensationsgebiets, insbesondere für ein Kompensationshalbleiterbauelement, wird zunächst eine Mehrzahl primärer Dotierstoffdepots eines ersten Leitungstyps oder Leitfähigkeitstyps in einem ersten Bereich eines zweiten und vom ersten verschiedenen Leitungstyps oder Leitfähigkeitstyps in einem Halbleitermaterialbereich ausgebildet. Nachfolgend werden dann die primären Dotierstoffdepots im ersten Bereich des Halbleitermaterialbereichs ausdiffundiert. Dadurch entstehen sekundäre Dotierstoffdepots in einem jeweils räumlich aufgeweiteten Bereich, deren Überlagerung dann ein Kompensationsgebiet in zusammenhängender Art und Weise im ersten Bereich des Halbleitermaterialbereichs bildet.

Bekannte Verfahren zum Ausbilden derartiger Kompensationsgebiete, welche maßgeblich mit einer so genannten Trenchimplantation oder Implantation über Grabenstrukturen oder über eine Aufbautechnik mit Multiepitaxie realisiert werden, sind vergleichsweise aufwändig.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Verfahren zum Ausbilden eines Kompensationsgebiets sowie eines Kompensationshalbleiterbauelements und darüber hinaus ein entsprechendes Kompensationshalbleiterbauelement anzugeben, bei welchen auf besonders flexible und gleichwohl zuverlässige Art und Weise mit einfachen Mitteln ein Kompensationsgebiet in einem Halbleitermaterialbereich realisierbar ist.

Gelöst wird die Aufgabe bei einem Verfahren zum Ausbilden eines Kompensationsgebiets der eingangs genannten Art erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1. Ferner wird die Aufgabe durch ein Verfahren zum Ausbilden eines Kompensationshalbleiterbauelements gemäß den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs 12 gelöst. Des Weiteren wird die Aufgabe durch ein Kompensationshalbleiterbauelement gemäß den kennzeichnenden Merkmalen von Anspruch 14 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen sind jeweils Gegenstand der abhängigen Unteransprüche.

Das erfindungsgemäße Verfahren zum Ausbilden eines Kompensationsgebiets, insbesondere für ein Kompensationshalbleiterbauelement ist dadurch gekennzeichnet, dass die primären Dotierstoffdepots zueinander lateral versetzt im ersten Bereich des Halbleitermaterialbereichs ausgebildet werden. Aufgrund dieser Maßnahme findet nunmehr eine Abkehr von sich strikt senkrecht erstreckenden Kompensationsgebieten statt, wobei die einzelnen Verfahrensschritte besonders einfach realisierbar sind.

Bei einer besonders vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es vorgesehen, dass ein sich zumindest teilweise lateral erstreckendes Kompensationsgebiet ausgebildet wird. Dies ist ggf. eine direkte Folge der zueinander lateralen Anordnung der dem Kompensationsgebiet zugrunde liegenden primären Dotierstoffdepots.

Bei einer anderen Fortbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es vorgesehen, dass die primären Dotierstoffdepots durch Ionenimplantation ausgebildet werden.

Diese Ionenimplantation für die primären Dotierstoffdepots kann insbesondere an oder in Grabenstrukturen durchgeführt werden. Dabei ist es besonders vorteilhaft, wenn jedes primäre Dotierstoffdepot separat in einem Trench oder in einer Grabenstruktur ausgebildet wird.

Ein besonderer Aspekt der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass die Ionenimplantation für die primären Dotierstoffdepots im Wesentlichen im Bereich des jeweiligen Bodens oder Bodenbereichs der jeweiligen Grabenstruktur oder des jeweiligen Trenches erfolgt. Im Gegensatz dazu ist im Stand der Technik maßgeblich auf eine Implantation im Bereich der Grabenseitenwände oder Trenchseitenwände abgestellt worden, wodurch sich prozesstechnische oder strukturelle Nachteile nicht vermeiden ließen.

Bei einer anderen vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Ausbilden eines Kompensationsgebiets ist es vorgesehen, dass die Grabenstrukturen für die Ionenimplantation für die primären Dotierstoffdepots mit einem retrograden Profil ausgebildet werden. Dies ist ein Profil, bei welchem sich die Trenchweite oder der Durchmesser der Grabenstruktur von der jeweiligen Öffnung bis zum jeweiligen Boden im Graben monoton erweitert. Das bedeutet, dass die Öffnung einen geringeren Durchmesser besitzt als der Boden des Grabens. Dadurch wird eine Wechselwirkung der zu implantierenden Ionen mit den Grabenseitenwänden, insbesondere im Hinblick auf eine zu vermeidende Reflexion der Teilchen an den Seitenwänden, verhindert.

Das Ausbilden der retrograden Struktur für das Profil der Grabenstruktur für die Ionnenimplantation für die primären Dotierstoffdepots wird bevorzugterweise durch einen Ätzvorgang realisiert. Insbesondere bietet sich ein so genannter Bosch-Ätzvorgang an.

Dieses erwähnte Bosch-Ätzverfahren ist auch unter der Bezeichnung ASE-Verfahren oder als so genanntes Advanced-Silicone-Etch-Verfahren bekannt. Es ist ein zweistufiges Ätzverfahren, durch welches es möglich wird, tiefe Gräben mit hohem Aspektverhältnis in Silizium zu ätzen. Dieses Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, dass nach einem ersten Verfahrensschritt über eine Maske einem wesentlichen Isotropa-Ätzschritt mit einer Tiefe von insbesondere zirka 50 bis 200 nm durgeführt wird. Es wird dabei eine ätzende Gaskomponente verwendet, welche nach diesem ersten Verfahrensschritt abgeschaltet wird. Es wird nach dem Abschalten der ätzenden Gaskomponente eine passivierende Gaskomponente in den entsprechenden Reaktionsbereich geleitet. Dabei bildet sich eine passivierende Schicht aus, durch welche ein weiterer Ätzangriff verhindert wird. Nachfolgend wird dann wieder ein isotrop durchgeführter Ätzschritt begonnen. Es werden dabei reaktive Ionen verwendet, welche durch eine angelegte Beschleunigungsspannung kinetische Energie aufnehmen. Die beschleunigten reaktiven Ionen können somit durch physikalische Einwirkung am Boden der geätzten Wanne oder des geätzten Trenches oder Grabens die jeweils dort befindliche passivierende Schicht aufbrechen. Dadurch wird nachfolgend wiederum ein chemischer Ätzabtrag möglich. Die Seitenwände verbleiben jedoch in dem passivierten Zustand. Insgesamt gesehen ist somit ein anisotropes Ätzen durchgeführt worden. Nach weiterem Ätzen von 20 bis 50 nm wird abermals in den passivierenden Modus umgeschaltet. Durch häufiges oder sehr häufiges Wiederholen dieser Prozesssequenz können somit sehr tiefe Gräben mit hoher Ätzgeschwindigkeit erzeugt werden.

Alternativ oder zusätzlich ist es vorgesehen, dass auf dem Oberflächenbereich des Halbleitermaterialbereichs, in welchem die Grabenstrukturen für die Ionenimplantation für die primären Dotierstoffdepots eingebracht werden, eine Maskenanordnung ausgebildet wird, welche Randbereiche der Grabenstruktur für die Ionenimplantation für die primären Dotierstoffdepots in Bezug auf die Ionenimplantation für die primären Dotierstoffdepots abschatten. Das bedeutet, dass die Maskenanordnung im Öffnungsbereich des Grabens jeweils über die Grabenswände übersteht, sodass die Grabenwand im Öffnungsbereich und darunter die Maskenanordnung unterschneidet.

Gemäß einer weiter bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es vorgesehen, dass die Tiefe der Gräben für die Ionenimplantation für die primären Dotierstoffdepots über deren Weite jeweils im Öffnungsbereich der Gräben gesteuert wird. Dabei wird also ausgenutzt, dass ein weiterer Graben tiefer geätzt wird bei gleicher Ätzdauer als ein engerer Graben. Dabei ist es insbesondere vorgesehen, dass die Tiefe des jeweiligen Grabens über die Weite der jeweiligen Öffnung in der Maskenanordnung gesteuert wird. Das bedeutet, dass je nach Wahl des Fensters in der Maskenanordnung oder der Öffnung in der Maskenanordnung sich eine Grabenstruktur ergibt, deren Tiefe mit der Weite der Öffnung korreliert. Dabei ist es insbesondere vorgesehen, dass die Öffnungen in der Maskenanordnung bestimmte Formen aufweisen, um die Ausbildung der Grabenstruktur in der Tiefe weiter zu steuern. Dabei wird ausgenutzt, dass lang erstreckte Löcher oder Öffnungen der Maskenanordnung zu tieferen Gräben führen als kompaktere Öffnungen.

Die Grabenstrukturen können entweder separat und/oder durch einen gegebenenfalls mehrfach unterbrochenen Ätzvorgang oder auch in einem gemeinsamen Ätzvorgang erzeugt werden.

Auch im Hinblick auf die Ausbildung der primären Dotierstoffdepots durch Implantation kann an separate Prozesse für verschiedene primäre Dotierstoffdepots oder Gruppen davon gedacht werden oder in einem gemeinsamen Implantationsvorgang, insbesondere unter Verwendung von Bor als Dotierstoff und/oder insbesondere unter Verwendung einer niedrigen Implantationsenergie. Es sind auch Arsen, Phosphor und/oder Wasserstoff als Dotierstoffe denkbar. Der Energiebereich bei der Implantation liegt insbesondere unterhalb von 1 MeV, vorzugsweise etwa bei 200 keV.

Ein weiterer Aspekt der vorliegenden Erfindung schafft ein Verfahren zum Ausbilden eines Kompensationsbauelements, bei welchem in einem ersten Bereich eines Halbleitermaterialbereichs mindestens ein Kompensationsgebiet durch das erfindungsgemäße Verfahren zum Ausbilden eines Kompensationsgebiets ausgebildet wird.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Ausbilden des Kompensationshalbleiterbauelements ist es vorgesehen, dass eine Feldeffekttransistoreinrichtung und insbesondere ein MOSFET ausgebildet wird und dass dabei das mindestens eine Kompensationsgebiet zumindest als Teil einer Epitaxiedriftzone zwischen einem Sourcebereich und einem Drainbereich ausgebildet wird.

Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Kompensationshalbleiterbauelement geschaffen, welches insbesondere gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren ausgebildet wird, wobei mindestens ein in einem ersten Bereich eines Halbleitermaterialbereichs ausgebildetes Kompensationsgebiet vorgesehen wird und wobei sich das mindestens eine Kompensationsgebiet zumindest zum Teil lateral erstreckt im ersten Bereich des Halbleitermaterialbereichs.

Bei einer besonders vorteilhaften Ausführungsform des erfindungsgemäßen Kompensationshalbleiterbauelements ist es vorgesehen, dass dieses als Feldeffekttransistoreinrichtung und insbesondere als MOSFET ausgebildet ist oder als eine Anordnung mit einer Mehrzahl von Feldeffekttransistoreinrichtungen oder MOSFETs.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Kompensationshalbleiterbauelements ist es vorgesehen, dass das mindestens eine Kompensationsgebiet jeweils als Teil einer Epitaxiedriftzone ausgebildet oder vorgesehen ist, insbesondere jeweils zwischen einem Sourcebereich und einem Drainbereich.

Das erfindungsgemäße Kompensationshalbleiterbauelement kann als Zellentransistor oder als Anordnung von Zellentransistoren ausgebildet sein. Besonders vorteilhaft ist jedoch die Ausführung als Streifentransistor oder als eine Anordnung mit einer Mehrzahl Streifentransistoren.

Diese und weitere Aspekte der vorliegenden Erfindung werden anhand der nachfolgenden Bemerkungen weiter im Detail erläutert:

Technisches Problem:

Neuartige vertikale Hochvoltsiliziumbauelemente, z.B. mit einer Spannungsfestigkeit über 300 V, benötigen in der Epitaxiedriftzone vertikale, säulenartige, fein strukturierte Dotiergebiete. Diese so genannten Kompensationsbauelemente erreichen eine Reduktion des Einschaltwiderstandes um bis zu einer Größenordnung.

Insbesondere der in punkto Maschinenauslastung, Waferdurchlaufzeit und Kosten aufwendige Fertigungsprozess bei der Aufbautechnik könnte verbessert bzw. durch andere, effizientere, Prozesse bzw. Fertigungstechnologien ersetzt werden, weil die Voraussetzung für eine Ausweitung des Umsatzes in einer Erhöhung der Fertigungskapazität und in der Reduktion der Produktkosten besteht.

Unter dem Begriff Aufbautechnik soll u.a. verstanden werden die mehrmalige Abfolge der Protzessequenz aus maskierter und/oder niederenergetischer Implantation und Abscheidung einer Epitaxieschicht, um dadurch eine oder mehrere Säulen des herkömmlichen Kompensationsgebiets aufzubauen. Insbesondere die mehrmalige Abscheidung von epitaktischem Silizium ist jedoch sehr kostenintensiv. Es werden daher Wege gesucht mit maximal einer Epitaxieschicht auszukommen.

Eine Möglichkeit ist, die Säulen mittels Trenchätzung und geeigneten Dotierverfahren herzustellen.

Bisheriges Vorgehen:

Abgesehen von der Idee die Säulen mittels Hochenergieimplantation direkt zu implantieren existiert z.Zt. kein praktikabler Vorschlag wie die Multiepitaxie abzulösen sei.

In der Vergangenheit gab es bereits mehrere Ansätze die säulenartigen Dotiergebiete durch (a) das epitaktische Auffüllen von geätzten Trenches oder durch (b) Implantationen in geätzte Trenches herzustellen.

Diese Ansätze wurden jedoch nicht weiter verfolgt, und zwar im Wesentlichen wegen der im Folgenden genannten Nachteile bzw. technischen Schwierigkeiten.

Zu (a): epitaktisches Auffüllen von geätzten Trenches

Geätzte tiefe Trenches werden mittels dotierter epitaktischer Abscheidung im Trench verfüllt bzw. aufgekleidet. Auf diese Weise entstehen die geforderten p-dotierten Säulen.

Benötigt werden dabei ein aufwendiger Trenchätzprozess mit geringer Oberflächenrauhigkeit und mit minimaler Schwankung des Trenchwinkels sowie ein aufwendiger Epitaxieprozess zum Dotieren und Füllen der Trenches mit einer Aufwachsrate von wenigen Nanometern pro Minute (nm/min), wobei die Aufwachsrate exponentiell von der Temperatur abhängig und/oder reaktionslimitiert ist.

Trotz dem sehr große Sorgfalt auf die Beherrschung des genannten Prozesse verwandt wurde, hat sich in Simulationen gezeigt, dass alleine die prozessbedingte Restschwankung des Trenchwinkels, dazu führt, dass Kompensationsbauelemente wegen der sich dadurch ergebenden allzu großen Schwankungen in der eingebrachten Dotierung auf diese Weise nicht hergestellt werden können.

Wegen der aufwendigen Trenchätzung und des langsamen und empfindlichen Epiprozessresist ist kein Kostenvorteil (Waferkosten) gegenüber der Aufbautechnik zu erwarten.

Zu (b): Implantation in geätzte Trenches

In geätzte tiefe Trenches wird mittels niederenergetischer Implantation z.B. Bor implantiert. Die Trenches werden anschließend verschlossen. Durch die Implantation (u.U. unter versch. Winkeln) werden die Seitenwände der Trenches dotiert.

Das Problem hierbei ist, dass vornehmlich unter sehr flachem Winkel (bezogen auf die Trenchwand) implantiert werden muss. Die genaue vertikale Lage der implantierten Ionen hängt damit extrem stark von der Beschaffenheit der Trenchseitenwand (Rauhigkeit) und des Trenchwinkels ab. Außerdem sind stark störende Effekte durch reflektierte Ionen zu erwarten. Auch bei Implantation unter verschiedenen Winkel wird ein Großteil der Ionen am Trenchboden deponiert werden, d.h., der Trenchboden wird übermäßig stark dotiert. Es ist also recht schwierig reproduzierbar ein gegebenes Dotierprofil einzustellen.

Wegen des flachen Einfalls der Ionen werden diese an der Trenchseitenwand nur sehr oberflächennah deponiert. Bei anschließenden Temperaturprozessen (z.B. Oxidation der Trenchwand) wird ein Großteil der Ionen den Siliziumkristall wieder verlassen. Es ist zu befürchten, dass diese Ausdiffusion nur recht schwer kontrolliert werden kann.

In der vorliegenden Erfindung wird ein Kompensationsbauelement (hergestellt durch Trenchimplantation) beschrieben, bei welchem die oben genannten Nachteile oder prozesstechnischen Schwierigkeiten nicht auftreten und welches einen deutlichen Kostenvorteil aufweist.

Grundideen der Erfindung:

Ausgangspunkt der Überlegungen ist die Tatsache, dass eine n-Ladung die sie kompensierende p-Ladung nicht unbedingt in nächster Nähe finden muss. Von entscheidender Bedeutung für das Bauelement ist vielmehr, dass sich integral p- und n-Ladungen genau die Waage halten und das Linienintegral innerhalb der ausgeräumten Raumladungszone die Durchbruchsladung nicht überschreitet.

Bei allen bekannten Produkten sind die primären oder sekundären Dotierstoffdepots oder n- oder p-Bubbles senkrecht direkt untereinander angeordnet. Dies ist jedoch nicht unbedingt erforderlich.

In den 5A bis 6B ist gezeigt wie man beispielsweise von der Zellstruktur mit senkrecht untereinander angeordneten Bubbles zu einer Streifenstruktur mit versetzt angeordneten Bubbles gelangt.

Eine erfindungsgemäße Idee besteht nun darin, eine solche Struktur mit lateral und/oder vertikal versetzten Bubbles für Kompensationsbauelemente anzuwenden.

In den 6A und 6B ist der laterale Versatz nur in einer Richtung der zweidimensionalen Zeichenebene gezeigt, nämlich der X-Richtung. Ebenso kann die Versetzung in die zweite Richtung bzw. in beide Richtungen angelegt sein.

Wie im Folgenden ausgeführt wird, hat sich gezeigt, dass die in den 6A und 6B vorgeschlagene Anordnung der p-Bubbles auf besonders einfache Weise herstellbar ist.

Die Herstellung erfolgt erfindungsgemäß über Implantationen in Gräben, Grabenstrukturen oder Trenches.

Abweichend von den erläuterten bekannten Vorschlägen wird nicht die Seitenwand eines Trenches durch Implantation dotiert, sondern im Wesentlichen nur den Trenchboden. Dies kann dadurch erreicht werden, dass der Trench ein retrogrades, also ein von der Öffnung zum Trenchboden hin sich erweiterndes Profil bekommt, wie dass auch in den 8A und 8B gezeigt ist. Dies kann durch einen Boschätzprozess erreicht werden.

Zur Realisierung der in den 6A und 6B gezeigten Bubbleanordnung sind daher nebeneinander angeordnete verschieden tiefe Trenches geeignet.

Nebeneinander liegende, verschieden tiefe Trenches kann man zum einen durch (aufwendige) mehrmalige Trenchätzung mit jeweils verschiedenen Tiefen erreichen. Eine solche Lösung ist jedoch recht teuer.

Geschickter ist es u.U. den im Folgenden beschriebenen Effekt auszunutzen:

Die Tiefe einer Trenchätzung ist abhängig von der Größe der Öffnung in der Hartmaske. Durch die Anordnung verschieden großer z.B. kreisrunder Öffnungen nebeneinander ist somit durch eine einzige Trenchätzung eine Vielzahl von selbstjustierten Trenchtiefen realisierbar, wie das in den 8A und 8B dargestellt ist.

Als Richtwert kann davon ausgegangen werden, dass die Halbierung des Öffnungsradius' in etwa zu einer 25%-igen Reduktion der Trenchtiefe führt.

Wenn der Effekt sich linear verhält, ergeben sich z.B. folgende Werte:

Für einen 600 V Bauform sind jedoch mindestens fünf Schichten notwendig. Die letzte Schicht könnte durch eine 3 McV-Borimplantation eingebracht werden.

Breitere Variationen erhält man dadurch, dass zusätzlich zu den Abmessungen auch die Geometrie der einzelnen Öffnungen verändert wird. Grundsätzlich ist es so, dass Langlöcher tiefer werden als runde Löcher.

Durch die Implantation in die Trenchöffnungen entsteht ähnlich wie in der Aufbautechnik eine Bubblestruktur der Dotierung.

Die einzelnen Bubbles sind jetzt jedoch in vertikaler Richtung nicht mehr in einer Reihe angeordnet, sondern zueinander versetzt oder leicht versetzt. Durch geeignete Ausdiffusion können die Bubbles miteinander verbunden werden, siehe 8B.

Es sind auch andere geometrische Anordnungen der Bubbles möglich.

Variable Säule:

Die gesamte Dosis kann z.B. durch eine einzige gleichzeitige Implantation in alle Trenches implantiert werden, wobei das vertikale Dotierprofil durch die Anordnung von mehr oder weniger Trenches mit dem einer bestimmten Tiefe entsprechenden Öffnungsdurchmesser variabel eingestellt werden kann.

Beispiel:

→ pro Einheitsfläche wird ein Trench mit 5&mgr;m Durchmesser und 3,5 (= 4) Trenches mit 3 &mgr;m Durchmesser angeordnet.

Zu beachten ist nun allerdings, dass durch jeden geätzten Trench ein Bereich mit n-Dotierung entfernt wird. In den oberen Ebenen wird immer mehr n-Ladung entfernt als in den unteren Ebenen.

Mit nur einer p-Implantation ist es daher nicht möglich eine Dotierungsabstufung von unten p-lastig zu oben n-lastig zu realisieren. Für avalanchefeste Bauteile ist ein solcher Dotierungsverlauf allerdings essentiell. Ein Ausweg der sich hier anbietet ist, die Epitaxieschicht mit variabler Dotierung abzuscheiden. In den unteren Ebenen wird die n-Dotierung niedriger gehalten als in den oberen Ebenen. Im Gegensatz zur konventionellen Aufbautechnik, kann die stufenweise Abscheidung, ohne dass die Scheiben den Epitaxiereaktor verlassen müssen erfolgen. Aus Kostensicht ist ein solcher Prozess daher als eine Epitaxieabscheidung zu werten.

Weitere Vorteile der Erfindung:

  • – Retrograde Trenchform ist vorteilhaft. D.h. die Maskierung der Implantation kann durch die Trenchätzungshartmaske vorgenommen werden. Die exakte Trenchform (Seitenwandrauhigkeit, Scallops etc.) ist somit zweitrangig.
  • – Die Anforderungen an den Trenchätzprozess und somit auch die Kosten verringern sich durch die entspannten Anforderungen an den Ätzprozess.
  • – Die eingebrachte Dotierstoffmenge ist bei niederenergetischer Implantation durch die Hartmaskenöffnung bzw. die obere Trenchöffnung bestimmt und somit leicht und exakt kontrollierbar.

Abweichungen von der exakten Ladungskompensation können lediglich durch Schwankungen in der n-Dotierung entstehen, z.B. durch Schwankungen der Trenchflankenwinkel, durch Schwankungen der Trenchtiefe oder durch Abweichungen in der Solldotierung der Epitaxie.

Da wegen der retrograden Trenchform kaum Reflexionen auftreten, werden die Ionen am Trenchboden in einer Tiefe deponiert, die im Wesentlichen der eingestellten Ionenenergie entspricht. Nachbearbeitung des Trenches z.B. Oxidation oder Diffusion ist ohne nennenswerten Verlust von Ladung möglich.

Grundideen der Erfindung:

Eine erste Idee der Erfindung liegt darin die Dotierstoffdepots oder -bubbles nicht senkrecht untereinander, sondern in lateraler Richtung versetzt anzuordnen. Eine zweite, die Herstellung betreffende, erfinderische Idee besteht darin, die Bubbles durch Trenchimplantation auszuführen, wobei durch die spezielle Ausgestaltung der geätzten Trenches sichergestellt wird, dass eine Ionenimplantation in diese Trenches nahezu vollständig im Trenchboden deponiert wird.

Ausführungsbeispiele der Erfindung:

Für das Konzept der nicht senkrecht untereinander angeordneten Bubbles existieren neben der hier beschriebenen Trenchimplantationstechnologie u.U. auch noch andere vorteilhafte Herstellungsverfahren.

Da die Bubbles nun nicht mehr in vertikaler Richtung untereinander angeordnet sind, ist es sinnvoll den Transistor als Streifentransistor auszuführen.

Ein Zellenlayout ist natürlich ebenfalls möglich erfordert jedoch u.U. einen höheren Platzbedarf.

Wie bei allen bisher durchdachten Streifentransistoren stellt sich auch in diesem Fall die Frage nach einem geeigneten Randabschluss. Da bei der vorgeschlagenen Technologie eine Trenchätzung enthalten ist, bietet sich der so genannte Oxidrand an.

Zur Herstellung des in den 9A und 9B gezeigten Streifentransistors könnte folgende Prozessfolge verwendet werden:

  • 1. Abscheidung einer Hartmaske (lediglich einige 100 nm dick, da der Bosch Prozess zu Oxid eine hohe Selektivität aufweist)
  • 2. Strukturierung der Hartmaske
  • 3. Trenchätzung
  • 4. Reinigung der Trenchseitenwand und Oxidation der Trenchseitenwand (Passivierung)
  • 5. Implantation der geforderten Bordosis mit ca. 200 keV
  • 6. Verschluss der Trenches mit TEOS (Verfüllen Oxidtrenchrand)
  • 7. Verdichtung TEOS und Bubbleausdiffusion
  • 8. Strukturierung TEOS als EOX, über den Trenches bleiben kleine TEOS „Hütchen" stehen.
  • 9. Gateoxid oder GOX
  • 10. Polyabscheidung
  • 11. Polystrukturierung
  • 12. Implantation Body und 3 MeV deep Body (= oberster Bubble) über Poly
  • 13. Diffusion des Kanalgebiets

Weitere Schritte erfolgen ggf. wie beim Standard. Die Gesamtwaferkosten dürften mit der UHE-I2-Technologie vergleichbar sein. Wegen des relativ großen Platzbedarfs der Bubbles könnte der erreichbare RDSON allerdings etwas schlechter liegen als beim jetzigen Standard.

Nachfolgend wird die Erfindung anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele auf der Grundlage einer schematischen Zeichnung näher erläutert.

1A4B zeigen in geschnittener Seitenansicht Zwischenzustände, welche bei verschiedenen Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Ausbilden eines Kompensationsgebiets erreicht werden.

5A, B zeigen eine Draufsicht bzw. eine geschnittene Seitenansicht eines herkömmlichen Kompensationsbauelements.

6A, B zeigen eine Draufsicht bzw. eine geschnittene Seitenansicht eines erfindungsgemäßen Kompensationshalbleiterbauelements.

7 zeigt eine Draufsicht auf einen Halbleitermaterialbereich mit einer erfindungsgemäßen Anordnung von Grabenstrukturen.

8A, 8B zeigen in geschnittener Seitenansicht verschiedene Zwischenzustände, welche bei einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens, ausgehend von der Anordnung der 7, erreicht werden.

9A, B zeigen in Draufsicht und in geschnittener Seitenansicht eine erfindungsgemäße Streifentransistoranordnung.

Nachfolgend werden strukturell oder funktionsmäßig gleiche oder gleich wirkende Elemente durch dieselben Bezugszeichen bezeichnet, und es wird nicht an jeder Stelle ihres Auftretens eine detaillierte Beschreibung wiederholt. Des Weiteren werden im Rahmen der vorliegenden Erfindung auch die Begriffe Dotierstoffdepot und Bubble synonym zueinander verwendet. Das gleiche gilt für die Begriffe Graben, Trench, Grabenstruktur.

Die 1A und 1B zeigen in geschnittener Seitenansicht zwei Zwischenzustände, die bei einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Ausbilden eines Kompensationsgebiets erreicht werden.

1A zeigt einen Halbleitermaterialbereich 20, mit einem ersten Bereich 21, einem zweiten Bereich 22 und einem dritten Bereich 23, wobei ein planarer Oberflächenbereich 20a vorgesehen ist und wobei in der Ausführungsform der 1A und 1B die ersten, zweiten und dritten Bereiche 21, 22 bzw. 23 n-, p- bzw. n-dotiert sind und in einer Anwendung zum Beispiel einen Epitaxiebereich, einen Bodybereich bzw. einen Sourcebereich darstellen können. Im Innern des ersten Bereichs 21 des Halbleitermaterialbereichs 20 sind drei primäre Dotierstoffdepots 31, 32 und 33 in p-dotierter Form vorgesehen. Diese haben in der 1A gezeigten Anordnung eine bestimmte Ausdehnung und besitzen in Bezug aufeinander unterschiedliche laterale und vertikale Positionen in X-Richtung bzw. in Y-Richtung.

Im Übergang zum Zustand der 1B wird nun ein Prozess des Ausdiffundierens in Bezug auf die primären Dotierstoffdepots 31, 32, 33 durchgeführt. Dieses Ausdiffundieren kann zum Beispiel durch thermische Anregung, also durch einen Annealingprozess realisiert werden. Dabei diffundieren die Dotierstoffanteile aus den primären Dotierstoffdepots 31, 32, 33 derart, dass sich die primären Dotierstoffdepots 31, 32, 33 in radial erweiterte sekundäre Dotierstoffdepots 31', 32' und 33' umwandeln. Diese sekundären Dotierstoffdepots 31', 32' und 33' berühren einander oder durchdringen und überlagern sich zu einem zusammenhängenden Gebiet, welches aufgrund des in diesem Gebiet dann vorliegenden Gleichgewichts zwischen n-Ladungen des ersten Bereichs 21 des Halbleitermaterialbereichs 20 und den p-Ladungen der primären Dotierstoffdepots 31, 32 und 33 gerade das Kompensationsgebiet 30 bildet. Wie sich aus der 1B ergibt, erstreckt sich aufgrund der gegeneinander lateral, also in X-Richtung versetzten Anordnung der primären Dotierstoffdepots 31, 32 und 33 auch ein sich teilweise lateral, also in X-Richtung erstreckendes Kompensationsgebiet 30. Gleichzeitig sind die primären Dotierstoffdepots 31, 32 und 33 auch vertikal in Y-Richtung gegeneinander versetzt angeordnet, so dass sich für das erzeugte Kompensationsgebiet 30 auch ein zumindest teilweise vertikaler Verlauf in Y-Richtung ergibt.

Die 2A und 2B zeigen in geschnittener Seitenansicht Zwischenzustände einer anderen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Ausbilden eines Kompensationsgebiets 30, wobei hier aber zusätzlich Bezug genommen wird auf die Art und Weise, wie die primären Dotierstoffdepots 31, 32 und 33 ausgebildet werden. Zusätzlich zu der in 1A gezeigten Anordnung sind nun beim Zustand gemäß 2A Grabenstrukturen T1, T2 und T3 im Halbleitermaterialbereich 20 von dessen Oberflächenbereich 20a her eingebracht, und zwar mittels eines Ätzprozesses unter Verwendung einer Maskenanordnung 100 auf dem Oberflächenbereich 20a des Halbleitermateralbereichs 20. Durch den mittels Pfeile dargestellten Implantationsprozess werden in Bodenbereichen T1o, T2o und T3o der Grabenstrukturen T1, T2 und T3 die primären Dotierstoffdepots 31, 32 bzw. 33 ausgebildet. Der Einfachheit halber sind die in der 2A gezeigten Grabenstrukturen T1, T2 und T3 mit identischem Öffnungsdurchmesser dargestellt.

Im Übergang zum Zustand der 2B findet nach dem Verschließen und Verfüllen der Grabenstrukturen oder Trenches T1, T2 oder T3 analog zu dem Übergang bei der Ausführungsform der 2A und 2B der Ausdiffusionsprozess in Bezug auf die primären Dotierstoffdepots 31, 32 und 33 zu den sekundären Dotierstoffdepots 31', 32' und 33' und mithin zum gemeinsamen Überlagerungsgebiet oder Kompensationsgebiet 30 statt.

Die 3A bis 4B zeigen Details verschiedener Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Ausbilden eines Kompensationsgebiets, und zwar jeweils im Hinblick auf einen einzelnen Trench oder Graben T1 und damit im Hinblick auf ein einzelnes auszubildendes primäres bzw. sekundäres Dotierstoffdepot 31 bzw. 31'. Dies geschieht jeweils mittels einer geschnittenen Seitenansicht.

Die 3A zeigt in geschnittener Seitenansicht einen ersten Bereich 21 eines Halbleitermaterialbereichs 20, auf dessen Oberflächenbereich 20a über eine Maskenanordnung 100 mit einem Maskenfenster 100o mittels eines Ätzvorgangs eine Grabenstruktur T1 mit einem Öffnungsbereich T1o Seitenwandbereichen T1r und einem Bodenbereich T1b eingebracht ist. Aufgrund des hier gewählten Ätzvorgangs ist die Trenchweite Do im oberen Bereich der Grabenstruktur T1, also im Bereich der Grabenöffnung T1o geringer als die Trenchweite Db im Bereich des Bodens T1b der Grabenstruktur T1. Durch die Pfeile oberhalb der Maskenanordnung 100 wird ein Ionenimplantationsprozess angedeutet.

Im Übergang zum Zustand der 3B ist über den in 3A mittels Pfeile angedeuteten Ionenimplantationsprozess im Bodenbereich T1b der Grabenstruktur T1 ein primäres Dotierstoffdepot 31 entstanden. Aufgrund des retrograden Profils der Grabenstruktur T1 ist tatsächlich nur der Bodenbereich T1b der Grabenstruktur T1 mit Dotierstoff beaufschlagt, wogegen die Randbereiche T1r keine nennenswerten Dotierstoffkonzentrationen aufweisen. Gestrichelt angedeutet sind die durch Ausdiffusion erhaltbare Ausdehnung eines entsprechenden sekundären Dotierstoffdepots 31'.

Die 4A und 4B zeigen ein zum Vorgehen der 3A und 3B analoges Vorgehen, wobei aber die dort gewählte Grabenstruktur kein retrogrades Profil aufweist. Vielmehr wird bei der Ausführungsform der 4A und 4B eine Implantation im Randbereich T1r der Grabenstruktur T1 dadurch verhindert, dass durch einen entsprechenden Ätzvorgang die Grabenstruktur T1 über die Öffnung 100o der Maskenanordnung 100 hinaus geätzt wird, so dass sich quasi ein Überhang der Maskenanordnung 100 über den Randbereich T1r ergibt. Wie in 4B gezeigt ist, wird durch den Überhang der Maskenanordnung 100 über den Randbereich T1r des Grabens T1 bei der durch die Pfeile aus 4A angedeuteten Ionenimplantation auch eine Abschattung des Randbereichs T1r des Grabens T1 erreicht, so dass sich wiederum ausschließlich im Bodenbereich T1b des Grabens T1 ein primäres Dotierstoffdepot 31 ergibt, welches dann wiederum nach einem Annealingprozess auf die gestrichelt angedeutete Ausdehnung eines sekundären Dotierstoffdepots 31' erweitert wird.

Die 5A und 5B zeigen in Draufsicht bzw. in geschnittener Seitenansicht eine konventionelle Anordnung von MOSFET vom Zellentypus, wobei die 5B einen Schnitt entlang der Linie A-A' senkrecht zur Zeichenebene der 5A bezeichnet. Bei dieser konventionellen Anordnung sind, wie sich aus 5B ergibt, vertikal übereinander angeordnet jeweils mehrere primäre Dotierstoffdepots 61, welche nach entsprechende Ausdiffusion eine ausschließlich vertikal verlaufende Säule 60 eines herkömmlichen Kompensationsgebiets 60 bilden. Die ersten, zweiten und dritten Bereiche 21, 22 bzw. 23 des Halbleitermaterialbereichs 20 bilden dabei die Epitaxiedriftzone 21 den Bodybereich B bzw. den Sourcebereichs S der jeweiligen Transistoren.

Im Gegensatz dazu zeigt die Abfolge der 6A und 6B das Layout für einen Streifentransistor 10 in der erfindungsgemäßen Form. Die 6B ist dabei ein Schnitt entlang der Linie B-B' senkrecht zur Zeichenebene aus 6A. Der Pitch der in 5B gezeigten Zellenstruktur entspricht dabei in etwa dem durch die Linie C-C' gezeigten Abstand. Wie sich aus der Ansicht der 6B ergibt, bildet die Abfolge der primären Dotierstoffdepots 31, welche gegeneinander vertikal und lateral versetzt sind, nach Ausdiffusion ein Kompensationsgebiet 30, welches sowohl vertikal verlaufende als auch lateral verlaufende Komponenten derart aufweist, dass sich insgesamt gesehen ein sehr viel stärker strukturierter Verlauf für das erfindungsgemäße Kompensationsgebiet 30 im Vergleich zum herkömmlichen Kompensationsgebiet 60 ergibt.

Die 7 zeigt in schematischer Draufsicht den Oberflächenbereich 20a eines Halbleitermaterialbereichs 20 mit einer Anordnung verschieden dimensionierter Grabenstrukturen T1 bis T4. Aufgrund der Abhängigkeit der Ätztiefe von der Öffnung des Maskenfensters und mithin der Öffnung des Trenches im oberen Bereich ergibt sich nach einer entsprechenden Implantation primärer Dotierstoffdepots und nach einem entsprechenden Annealen aufgrund der Anordnung der Tiefen der Trenchböden und deren Verteilung in lateraler Ausrichtung eine entsprechende Dotierstoffverteilung im Halbleitermaterialbereich 20.

Die 8A und 8B nehmen Bezug auf die 7 und stellen einen Schnitt entlang der Linie A-A' der 7 dar. In der 8A wird dabei ein Zustand gezeigt, bei welchem in Analogie zum Zustand der 3B unter Verwendung retrograder Grabenstrukturprofile eine Implantation ausschließlich im Bereich des Trenchbodens T1b, T2b bzw. T3b erfolgt ist. Im Übergang zum Zustand der 8B erfolgt dann die Ausdiffusion der primären Dotierstoffdepots 31, 32 bzw. 33 aus 8A in sekundäre und einander durchdringende Dotierstoffdepots 31', 32' bzw. 33', die in Überlagerung miteinander das zusammenhängende und sich teilweise lateral und teilweise vertikal erstreckende Kompensationsgebiet 30 der 8B bilden.

Die 9A und 9B zeigen in größerem Detail den Aufbau eines erfindungsgemäßen Streifentransistors in Draufsicht bzw. in schematischer Seitenansicht, wobei die Seitenansicht einen Schnitt entlang der Linie A-A' der 9A in Zeichenebene darstellt. Die ersten, zweiten und dritten Bereiche 21, 22 und 23 des Halbleitermaterialbereichs 20 werden hier wieder gebildet von dem Epitaxiedriftbereich, dem Bodybereich bzw. dem Sourcebereich. In der Draufsicht 9A sind noch die Öffnungen der nunmehr verschlossenen Trenches oder Grabenstrukturen T1, T2, T3 bzw. T4 dargestellt. In der geschnittenen Darstellung der 9B ist zu sehen, dass nach dem Verfüllen und Verschließen der Trenches T4 aus dem primären Dotierstoffdepot 31 ein sekundäres Dotierstoffdepot 31' entstanden ist.

10 Kompensationshalbleiterbauelement 20 Halbleitermaterialbereich 20a Oberflächenbereich 21 erster Bereich, Epitaxiebereich, Driftzone 22 zweiter Bereich, Bodybereich, Body 23 dritter Bereich, Sourcebereich, Source 30 Kompensationsgebiet, Kompensationsbereich 31 primäres Dotierstoffdepot 31' sekundäres Dotierstoffdepot 32 primäres Dotierstoffdepot 32' sekundäres Dotierstoffdepot 33 primäres Dotierstoffdepot 33' sekundäres Dotierstoffdepot 60 herkömmliches Kompensationsgebiet 61 herkömmliches primäres Dotierstoffdepot 61' herkömmliches sekundäres Dotierstoffdepot 100 Maskenanordnung, Maske 100o Maskenfenster, Maskenöffnung B Bodybereich D Drain E Epitaxiedriftzone G Gate S Source T1 Grabenstruktur, Graben, Trench T1b Bodenbereich, Boden T1o Öffnungsbereich, Öffnung T1r Randbereich, Rand T1 Grabenstruktur, Graben, Trench T2b Bodenbereich, Boden T2o Öffnungsbereich, Öffnung T2r Randbereich, Rand T2 Grabenstruktur, Graben, Trench T3b Bodenbereich, Boden T3o Öffnungsbereich, Öffnung T3r Randbereich, Rand T4 Grabenstruktur, Graben, Trench T4b Bodenbereich, Boden T4o Öffnungsbereich, Öffnung T4r Randbereich, Rand

Anspruch[de]
  1. Verfahren zum Ausbilden eines Kompensationsgebiets, insbesondere für ein Kompensationshalbleiterbauelement, mit den Schritten:

    – Ausbilden einer Mehrzahl primärer Dotierstoffdepots (31, 32, 33) eines ersten Leitungstyps oder Leitfähigkeitstyps (p) in einem ersten Bereich (21) eines zweiten und vom ersten verschiedenen Leitungstyps oder Leitfähigkeitstyps (n) in einem Halbleitermaterialbereich (20),

    – Ausdiffundieren der primären Dotierstoffdepots (31, 32, 33) im ersten Bereich (21) des Halbleitermaterialbereichs (20) und

    – dadurch Ausbilden des Kompensationsgebiets (30) als zusammenhängende Überlagerung aus den primären Dotierstoffdepots (31, 32, 33) entstehender sekundärer Dotierstoffdepots (31', 32', 33') im ersten Bereich (21) des Halbleitermaterialbereichs (20),

    dadurch gekennzeichnet,

    dass die primären Dotierstoffdepots (31, 32, 33) zueinander lateral versetzt im ersten Bereich (21) des Halbleitermaterialbereichs (20) ausgebildet werden.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein sich zumindest teilweise lateral erstreckendes Kompensationsgebiet (30) ausgebildet wird.
  3. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die primären Dotierstoffdepots (31, 32, 33) durch Ionenimplantation ausgebildet werden.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Ionenimplantation für die primären Dotierstoffdepots (31, 32, 33) in oder an Grabenstrukturen (T1, T2, T3) durchgeführt wird, insbesondere für jedes der primären Dotierstoffdepots (31, 32, 33) an oder in einer separaten Grabenstruktur (T1, T2, T3).
  5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Ionenimplantation für die primären Dotierstoffdepots (31, 32, 33) im Wesentlichen im Bereich des Bodens (T1b, T2b, T3b) der jeweiligen Grabenstruktur (T1, T2, T3) erfolgt.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Grabenstrukturen (T1, T2, T3) für die Ionenimplantation für die primären Dotierstoffdepots (31, 32, 33) mit einem retrograden Profil oder mit einer sich von der jeweiligen Öffnung (T1O, T2O, T3O) bis zum jeweiligen Boden (T1b, T2b, T3b) monoton erweiterten oder erweiternden Grabenweite ausgebildet werden.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Grabenstrukturen (T1, T2, T3) für die Ionenimplantation für die primären Dotierstoffdepots (31, 32, 33) über einen Boschätzvorgang erzeugt werden.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Oberflächenbereich (20a) des Halbleitermaterialbereichs (20), in welchem die Grabenstrukturen (T1, T2, T3) für die Ionenimplantation für die primären Dotierstoffdepots (31, 32, 33) eingebracht werden, eine Maskenanordnung (100) ausgebildet wird, welche Randbereiche (T1r, T2r, T3r) der Grabenstrukturen (T1, T2, T3) für die Ionenimplantation für die primären Dotierstoffdepots (31, 32, 33) in Bezug auf die Ionenimplantation für die primären Dotierstoffdepots (31, 32, 33) abschatten.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Tiefe der Grabenstrukturen (T1, T2, T3) für die Ionenimplantation für die primären Dotierstoffdepots (31, 32, 33) über deren Weite jeweils im Öffnungsbereich (T1o, T2o, T3o) gesteuert wird, insbesondere über die Weite der jeweiligen Öffnung (100o) in der Maskenanordnung (100).
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass alle Grabenstrukturen (T1, T2, T3) gemeinsam ausgebildet werden, insbesondere in einem gemeinsamen Ätzvorgang.
  11. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass alle primären Dotierstoffdepots (31, 32, 33) gemeinsam ausgebildet werden, insbesondere in einem gemeinsamen Implantationsvorgang, insbesondere unter Verwendung von Bor, Arsen, Phosphor und/oder Wasserstoff und/oder insbesondere bei niedrigen Energien, vorzugsweise unter 1 MeV, weiter vorzugsweise bei etwa 200 keV.
  12. Verfahren zum Ausbilden eines Kompensationshalbleiterbauelements, bei welchem in einem ersten Bereich (21) eines Halbleitermaterialbereichs (20) mindestens ein Kompensationsgebiet (30) durch ein Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11 ausgebildet wird.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet,

    – dass eine Feldeffekttransistoreinrichtung (10) und insbesondere ein MOSFET ausgebildet wird und

    – dass dabei das mindestens eine Kompensationsgebiet (30) zumindest als Teil einer Epitaxiedriftzone zwischen einem Sourcebereich (S) und einem Drainbereich (D) ausgebildet wird.
  14. Kompensationshalbleiterbauelement,

    mit mindestens einem in einem ersten Bereich (21) eines Halbleitermaterialbereichs (20) vorgesehenen Kompensationsgebiets (30),

    welches insbesondere unter Verwendung eines Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 13 ausgebildet ist,

    dadurch gekennzeichnet,

    dass sich das mindestens eine Kompensationsgebiet (30) zumindest zum Teil lateral erstreckt im ersten Bereich (21) des Halbleitermaterialbereichs (20).
  15. Kompensationshalbleiterbauelement nach Anspruch 14, welches als Feldeffekttransistoreinrichtung und insbesondere als MOSFET ausgebildet ist oder einen solchen oder eine Anordnung einer Mehrzahl davon aufweist.
  16. Kompensationshalbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, dass das mindestens eine Kompensationsgebiet (30) jeweils als Teil einer Epitaxiedriftzone ausgebildet und vorgesehen ist, insbesondere jeweils zwischen einem Sourcebereich (S) und einem Drainbereich (D).
  17. Kompensationshalbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 14 bis 16, welches als Zellentransistor oder Streifentransistor ausgebildet ist oder einen solchen oder eine Anordnung einer Mehrzahl davon aufweist.
Es folgen 8 Blatt Zeichnungen






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