Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Leistungselektronik. Sie geht aus von einer Stromrichterschaltungsanordnung nach dem Oberbegriff des ersten Anspruchs.

Solche Schaltungsanordnungen werden beispielsweise im Artikel "Efficient Snubbers for Voltage-Source GTO Inverters" von W. McMurray, IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. PE-2, No. 3, July 1987 beschrieben. Es handelt sich dabei um Stromrichterschaltungsanordnungen mit mindestens zwei in Serie geschalteten GTOs, welche an eine Gleichspannungsquelle angeschlossen sind und mit dem gemeinsamen Knotenpunkt der Serieschaltung einen Lastanschluss bilden. Parallel zu den GTOs sind ausserdem sogenannte Antiparalleldioden vorgesehen, welche nach der Kommutierung den Stromfluss übernehmen. Um die GTOs beim Schalten vor allzu hohen Strom- und Spannungsflanken zu schützen, muss eine Beschaltung oder englisch "Snubber" vorgesehen werden. Diese umfasst nach dem Stand der Technik, wie er im erwähnten Artikel dargestellt ist, ein vergleichsweise aufwendiges Netzwerk von Induktivitäten, Kondensatoren, Widerständen und Dioden, welches parallel und in Serie zu den GTOs und Antiparalleldioden angeordnet ist. Weitere Beschaltungsvarianten offenbart der Artikel "An Overview of Low-Loss Snubber Technology for Transistor Converters" von A. Ferraro, IEEE 1982, Seiten 466-467.

In den Europäischen Patentanmeldungen EP-A1-0 489 945 und der WO-93/09600 wird die sogenannte "harte Ansteuerung" eines GTO beschrieben, und es werden Schaltungsanordnungen für entsprechende Ansteuereinheiten angegeben. Im Hinblick auf diese beiden Europäischen Patentanmeldungen versteht man unter dem Begriff "harte Ansteuerung" die Ansteuerung des GTO mit einem Gatestrom, der so gestaltet ist, dass die Abschaltverstärkung IA/IGpeak deutlich kleiner ist als 3 und dass ein Anodenspannungsanstieg von mindestens 1 kV/µs resultiert. Im Rahmen der vorliegenden Erfindung ist diese harte Ansteuerung von Bedeutung und der Inhalt der oben genannten Europäischen Patentanmeldungen soll deshalb an dieser Stelle ausdrücklich aufgenommen werden.

Die nach dem obigen Stand der Technik gebauten GTO-Phasenbausteine - darunter versteht man denjenigen Teil eines Stromrichters, der für eine Phase eines Wechselspannungssystem benötigt wird - weisen aber immer noch einen vergleichsweise hohen Grad an Komplexität auf. Gründe hierfür sind:

• das hohe Mass an Schutzbeschaltungen, die zum Begrenzen der Strom- und Spannungssteilheit beim Ein- und Ausschalten der GT0s und Dioden notwendig sind;
• die Wechselwirkung zwischen den Beschaltungsmassnahmen (Kondensatoren zur dV/dt-Begrenzung bilden Schwingkreise mit den Drosseln zur dI/dt-Begrenzung);
• das Einwirken von Störungen aus dem versorgenden Zwischenkreis auf die jeweilige Phase mittels Verschiebungsströmen in den dV/dt-Kondensatoren, die zu störenden Ladungsträgerinjektionen in die Snuberdioden führen kann;
• die Verknüpfung der Eigenschaften vieler Einzelbauelemente zu einem komplexen Gesamtgebilde (Phasenbaustein, Umrichter), in dem Eigenschaften eines Einzelelementes (GTO, Ansteuerung des GTO, Diode, Snubber, Parasitäten des Zwischenkreises) im allgemeinen nicht ohne Gefährdung anderer Elemente geändert werden.

GTO-Phasenbausteine sind deshalb gross, kostspielig und entwicklungsintensiv. Nur in wenigen Fällen ist es gelungen, dem Wunsch des Kunden nach Modularität und einfachem Service wirksam und mit vertretbarem Mehraufwand nachzukommen.

In der nicht vorveröffentlichten Deutschen Patentanmeldung P 195 23 095.7 ist es gelungen, dass Beschaltungsnetzwerk zu verkleinern. Zum Einsatz kommen dort insbesondere GTOs, wie sie im US Patent No. 5,345,096 beschrieben werden. Es muss aber pro Zweig immer noch ein Spannungsanstieg begrenzender Schutzkondensator vorgesehen werden. Gerade aber die Kondensatoren sind vergleichsweise teuer und nehmen auch viel Platz in Anspruch. Wünschenswert wäre deshalb eine Schaltungsanordnung, bei welcher ganz auf ein Beschaltungsnetzwerk verzichtet werden kann.

Die Aufgabe der Erfindung ist es, eine Stromrichterschaltungsanordnung anzugeben, welche modular, kostengünstig und klein aufgebaut werden kann. Parasitäre Effekte der beschriebenen Art sollen durch die Schaltung weitgehend von vorn herein ausgeschlossen sein, so dass Entwicklungsrisiko und -kosten auf ein Mass zurückgehen, wie es derzeit bereits von IGBT-Umrichtern der unteren Spannungs- und Leistungsklassen her bekannt ist. Insbesondere sollen die Leistungshalbleiterschalter ohne Schutzbeschaltungsnetzwerk betrieben werden können.

Diese Aufgabe wird bei einer Stromrichterschaltungsanordnung der eingangs genannten Art durch die Merkmale des ersten Anspruchs gelöst. Kern der Erfindung ist es also, dass

• die abschaltbaren Thyristoren hart angesteuert werden. Insbesondere soll das Verhältnis des Anodenstroms I_A zu einem maximalen Gatestrom I_Gpeak, I_A/I_Gpeak, kleiner oder gleich 1 sein, und der Gatestrom soll derart schnell ansteigen, dass der Maximalwert I_Gpeak innerhalb einer Anstiegszeit tr kleiner gleich 2µs, vorzugsweise kleiner gleich 1µs, erreicht wird;
• eine Gesamtinduktivität LG des Ansteuerkreises jedes GTOs muss so klein gewählt werden, dass L_G≤ V_GR/(I_Gpeak/tr) gilt, wobei VGR der Rückwärtsblockierspannung des Gates entspricht;
• eine Freilaufschaltung zwischen der Gleichspannungsquelle und der Serieschaltung der abschaltbaren Thyristoren vorgesehen ist; und dass
• die zu den Thyristoren antiparallel liegenden Dioden ein Rückstromverhalten mit einer Spannungszeitflanke dV/dt von 2 kV/µs bis 10 kV/µs aufweisen.

Diese Kombination von Massnahmen ermöglicht die Angabe einer Schaltung, die ohne die bisher notwendigen Snubberkondensatoren arbeiten kann. Dadurch werden Komponenten eingespart. Dies ermöglicht eine Kostenreduktion, und erfordert ein geringeres Bauvolumen. Ausserdem werden die Verluste des Umrichters durch den Wegfall gespeicherter Energien reduziert. Die Verluste bei Teillast sind mit der erfindungsgemässen Schaltung ungefähr proportional zum Laststrom, und die parasitären Einwirkungsmöglichkeiten werden aufgebrochen. Dadurch sind geringere Entwicklungskosten, ein kleineres Risiko und hoher Standardisierungsgrad möglich.

Die Freilaufschaltung umfasst einen Kondensator, eine Induktivität, eine Diode und einen Widerstand, wobei der Kondensator parallel zur Serieschaltung der abschaltbaren Thyristoren liegt.

Es werden verschiedene Ausführungsbeispiele für die Freilaufschaltung angegeben. Im einfachsten Fall ist pro Zweig eine Freilaufschaltung vorgesehen. Teile oder sogar die ganze Freilaufschaltung können auch für eine Mehrzahl von Zweigen verwendet werden. Dadurch ergeben sich Schaltungen, welche durch einen äusserst kompakten Aufbau gekennzeichnet sind.

Weitere Ausführungsbeispiele ergeben sich aus den entsprechenden abhängigen Ansprüchen.

Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert.

Es zeigen:

Fig. 1

Ein Ersatzschaltbild einer erfindungsgemässen Stromrichterschaltungsanordnung;

Fig. 2

Strom- und Spannungsverlauf des Rückstromverhaltens der Antiparalleldioden;

Fig. 3

Eine zweite Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 4

Eine dritte Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 5

Eine Variante der Ausführungsform nach Figur 1.

Die in den Zeichnungen verwendeten Bezugszeichen und deren Bedeutung sind in der Bezugszeichenliste zusammengefasst aufgelistet. Grundsätzlich sind in den Figuren gleiche Teile mit gleichen Bezugszeichen versehen.

Figur 1 zeigt einen Zweig einer erfindungsgemässen Stromrichterschaltungsanordnung 1. Mit GTO 1 und GTO2 sind zwei Abschaltthyristoren bezeichnet, die in Serie geschaltet sind. Der mittlere gemeinsame Knotenpunkt bildet einen Phasen oder Lastanschluss, an welche z.B. die Phasenanschlüsse eines Asynchronmotors angeschlossen werden können. Zwischen den Abschaltthyristoren und einer Gleichspannungsquelle, welche insbesondere durch einen Gleichspannungszwischenkreis Uzk eines Umrichters gebildet wird, ist eine Freilaufschaltung 2 angeordnet.

Die GTOs der erfindungsgemässen Schaltung werden hart angesteuert. Es konnte gezeigt werden, dass es durch die harte Ansteuerung möglich wird, die durch die thermischen Möglichkeiten der GTOs (Wärmeerzeugung und -abfuhr) markierten Abschaltwerte für die meisten Anwendungen im Betrieb ohne Beschaltungs-, d.h. Spannungsanstieg begrenzende Kondensatoren, zu erreichen.

Im Gegensatz zur Erfindung sind bei Stand der Technik immer noch Schutzkondensatoren parallel zu den GTOs notwendig.

Im Gegensatz zur eingangs erwähnten EP-A1-0 489 945, wo noch kein beschaltungsfreier Betrieb möglich ist, soll das Verhältnis des Anodenstroms I_A zu einem maximalen Gatestrom I_Gpeak, I_A/I_Gpeak, kleiner oder gleich 1 sein, und der Gatestrom soll derart schnell ansteigen, dass der Maximalwert I_Gpeak innerhalb einer Anstiegszeit tr kleiner gleich 2µs, vorzugsweise kleiner gleich 1µs, erreicht wird.

Zu diesem Zwecke muss auch eine Gesamtinduktivität LG des Ansteuerkreises jedes GTOs so klein gewählt werden, dass L_G≤ V_GR/(I_Gpeak/tr) gilt, wobei VGR der Rückwärtsblockierspannung des Gates entspricht. Für Hochstrom-GTOs erreicht man dieses Ziel z.B. mit einem Aufbau, wie er in der eingangs genannten US 5,345,096 gelehrt wird.

Insgesamt erreicht man durch diese Art der Ansteuerung, dass der Kathodenstrom beim Abschalten den Wert Null erreicht, bevor die Anodenspannung ansteigt.

Antiparallel zu den GTOs sind Antiparalleldioden D1, D2 vorgesehen. Diese können im Falle eines rückwärtsleitenden GTOs auch im GTO integriert werden. Diese Dioden erfordern eine Begrenzung des dI/dt, die in bekannter Weise durch die Induktivität L erreicht wird. Die Dioden müssen neu ohne Snubberkondensator oder Beschaltung gegen diese induktive Last abkommutieren (Rückstromverhalten, "Reverse Recovery"). Die Dioden zeigen ein Rückstromverhalten, wie se in Figur 2 oben dargestellt ist. Bei Übernahme der Spannung fliesst der Strom zunächst einmal für eine bestimmte Zeit in umgekehrter Richtung weiter. Erst dann steigt die Spannung mit einer bestimmten Flankensteilheit dV/dt an. Für die Erfindung werden deshalb speziell getrimmte Dioden (z.B. durch Lifetime-design mittels Protonen- oder Heliumbestrahlung) eingesetzt, die vorzugsweise so eingestellt werden, dass ihr dV/dt beim Abkommutieren unter Vollast im Bereich von 2 kV/µs ... 10 kV/µs liegt (siehe Figur 2).

Der snubberfreie Betrieb der GT0s und Antiparalleldioden führt speziell beim Design auf kleine Schaltverluste zu hohen dV/dt und entsprechend schnellen Abkommutierungsvorgängen mit hohen dl/dt. Es ist deshalb ein extrem niederinduktiver Aufbau notwendig (Gesamtkreis-Streuinduktivität < 100 ... 200nH). Zwischenkreis und Freilaufwiderstände lassen im allgemeinen einen solch niederinduktiven Aufbau nicht zu. Nach der Erfindung ist deshalb eine Schaltung notwendig, die die Einführung eines niederinduktiven Überlaufs gestattet. Der Überlaufkondensator C wird dabei in seiner Grösse so bemessen, dass er die transienten Überspannungen wirksam begrenzt, den Freilauf der Induktivität aber im wesentlichen nicht beeinflusst. So resultiert ein Kondensator mit C = 1 µF bis 3µF für die meisten Anwendungen im Bereich von 3kA Abschaltstrom.

Deshalb ist zwischen der Gleichspannungsquelle Uzk und den Schaltern eine niederinduktive schnelle Freilaufschaltung 2 vorgesehen. Im einfachsten Fall (Figur 1) umfasst diese Schaltung einen Kondensator C, welcher parallel zu den GTOs angeordnet ist und eine von einer Induktivität überbrückte Serienschaltung eines Widerstands R und einer Diode D, wobei der Widerstand R bzw. der Kondensator C einerseits mit der Kathode der Diode und andererseits mit dem Plusanschluss bzw. Minusanschluss der Gleichspannungsquelle verbunden ist.

In Figur 1 ist lediglich ein Zweig eines Stromrichters dargestellt. Im Allgemeinen sind mehrere Zweige oder Phasenbausteine vorgesehen und jedem Phasenbaustein wird eine Freilaufschaltung zugeordnet. Besonders bevorzugte Ausführungsformen lassen es zu, diese Elemente darüber hinaus für mehrere Phasenbausteine gemeinsam zu nutzen:

In Figur 3 wird der Freilaufwiderstand R und der Überlaufkondensator C von mehreren Phasenbausteinen gemeinsam genutzt. Es ist aber für jeden Zweig eine Induktivität vorgesehen. Diese Ausführungsform weist folgende Vorteile auf:

• Geringere Anzahl Bauelemente
• Konzentration der Wärmeleistung in einem Widerstand, d.h. geringer Kühlaufwand speziell bei Wasserkühlung, erhöhte Zuverlässigkeit bezüglich Wasserführung und Widerstandsdesign (robuster).
• kompakte Modulbauweise.

Bei der Ausführungsform nach Figur 4 werden die Induktivität L, der Widerstand R, der Überlaufkondensator C und die Diode D gemeinsam genutzt. Die Vorteile dieser Schaltung sind:

• extrem geringer Aufwand
• kompaktes Design
• minimales Gewicht und Bauvolumen (nur eine Induktivität, minimale Verschienungen).

Bei dieser Schaltung sollte vor dem Schalten einer Phase aber der Schaltvorgang eines Vorgängers soweit abgeschlossen sein, dass nur noch ein geringer Strom im Freilaufwiderstand R fliesst.

Die Freilaufschaltungen können aber auch, wie in Figur 5 für einen Zweig beispielhaft gezeigt wird, zwischen dem Minuspol des Gleichspannungszwischenkreises und den Abschaltthyristoren angeordnet sein. Die Diode D muss dann mit umgekehrter Polarität eingesetzt werden. Der Rest der Schaltung ist spiegelsymmetrisch.

Insgesamt ergibt sich durch die erfindungsgemässen Massnahmen die Möglichkeit, einen Stromrichter zu bauen, der ohne Schutzbeschaltung der Abschaltthyristoren und Antiparalleldioden auskommt.

Der Stromrichter kann auch die Form eines Dreipunktwechselrichters aufweisen. In diesem Fall sind pro Zweig mindestens vier Schalter vorgesehen, und es kann durch entsprechende Verschaltung der Schalter und des Gleichspannungszwischenkreises nicht nur die positive und die negative Zwischenkreisspannung sondern auch Null Volt an den Lastanschluss, der wiederum durch den mittleren gemeinsamen Knoten der Serieschaltung der Schalter gebildet wird, geschaltet werden. Die Funktion und der Aufbau eines Dreipunktwechselrichters sind aus vielen Fundstellen der Literatur bekannt und brauchen hier nicht weiter erklärt werden.

1

Stromrichterschaltungsanordnung

2

Freilaufschaltung

GTO1, GTO2

Abschaltthyristoren

D1, D2

Antiparalleldioden

D

Freilaufdiode

L

Induktivität

R

Freilaufwiderstand

C

Kondensator

Uzk

Gleichspannungsquelle