PatentDe  


Dokumentenidentifikation DE69631581T2 08.07.2004
EP-Veröffentlichungsnummer 0000791930
Titel Elektrische Signalversorgungsschaltung und Halbleiterspeicheranordnung
Anmelder Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka, JP
Erfinder Hirano, Hiroshige, Nara-shi, JP;
Nakakuma, Tetsuji, Kyoto-shi, Kyoto 610-11, JP
Vertreter Grünecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhäusser, 80538 München
DE-Aktenzeichen 69631581
Vertragsstaaten DE, FR, GB, IT, NL
Sprache des Dokument EN
EP-Anmeldetag 01.10.1996
EP-Aktenzeichen 961157443
EP-Offenlegungsdatum 27.08.1997
EP date of grant 18.02.2004
Veröffentlichungstag im Patentblatt 08.07.2004
IPC-Hauptklasse G11C 11/22
IPC-Nebenklasse G11C 5/06   H01L 23/528   

Beschreibung[de]

Die vorliegende Erfindung betrifft einen elektrischen Signalbereitstellungsschaltkreis und eine Halbleiterspeichervorrichtung, und insbesondere Maßnahmen zum Anpassen einer Verzögerungszeit eines Signals.

In den letzten Jahren, in denen Halbleiterelemente großskalig integriert wurden, wurde das Anpassen einer Verzögerungszeit bei der Übertragung eines Signals zu einer Schaltkreiszelle ein Problem. Insbesondere bei einer großskalig integrierten Halbleiterspeichervorrichtung bewirkt ein Unterschied bei der Verzögerungszeit bei der Signalübertragung, der mit einer geordneten Position der Speicherzellen zusammenhängt, eine Fehlfunktion, und eine Bemühung, dieses zu vermeiden, führt zur Schwierigkeit, einen Hochgeschwindigkeitsprozess zu gewährleisten. Wie z. B. im U.S. Patent Nr. 4.873.664, etc. beschrieben wird, wird bei einem Permanentspeicher, der Kondensatoren aus Speicherzellen hat, die aus einem ferroelektrischen Material gebildet werden, eine Spannung an Zellplattenelektroden der Kondensatoren der Speicherzellen angelegt und ein Unterschied der Mengen an elektrischen Ladungen zwischen einer Hauptspeicherzelle und einer Referenzspeicherzelle (d. h. „Dummy-"Speicherzelle) wird durch einen Verstärker als Ausgangsdaten verstärkt. Falls dabei ein Unterschied bezüglich der Verzögerungszeiten bei der Signalübertragung zu den Plattenelektroden der Hauptspeicherzelle und der Referenzspeicherzelle auftritt, wird der Unterschied in den Mengen der elektrischen Ladungen zwischen den zwei Speicherzellen nicht richtig ausgegeben, was in einigen Fällen zu Fehlfunktion führen kann.

Mit Bezug auf den Blockschaltplan in 15 und das Diagramm in 16, der anhand von einem Beispiel einer herkömmlichen Struktur eine Beziehung zwischen einer Verzögerungszeit und einer Signalniveau-Spannung zeigt, erfolgt eine Beschreibung hinsichtlich eines Unterschied zwischen Verzögerungszeiten bei der Übertragung der Signale von einer elektrischen Signalquelle zu den jeweiligen Schaltkreiszellen.

In 15 ist ein Verhältnis zwischen Bezugszeichen und den Namen der Elemente wie nachfolgend angegeben. SD bezeichnet die Signalerzeugungsquelle, nachfolgend auch Signalquelle, C1 bis C5 bezeichnen die Schaltkreiszellen, R11 bis R14 bezeichnen die Widerstände und N11 bis N15 bezeichnen die Knoten. Im Schaltkreis, der in der Zeichnung gezeigt wird, wird der Knoten N1 mit der Signalerzeugungsquelle verbunden, und die vier Knoten N12 bis N15 werden in dieser Reihenfolge in Reihe geschaltet und über die Widerstände R11 bis R14 mit dem Knoten N11 verbunden. Die Schaltkreiszellen C1 bis C5 sind mit den entsprechenden Knoten N11 bis N15 verbunden. D. h., ein Signal, das von der Signalerzeugungsquelle SD ausgegeben wird, wird ohne Widerstand an die Schaltkreiszelle C1, über den Widerstand R11 an die Schaltkreiszelle C2, über die Widerstände R11 und R12 an die Schaltkreiszelle C3, über die Widerstände R11, R12 und R13 an die Schaltkreiszelle C4 und über die Widerstände R11, R12, R13 und R14 an die Schaltkreiszelle C5 ausgegeben.

Jedoch hat der Signalbereitstellungsschaltkreis, der eine solche Struktur hat, wie oben angegeben ist, die folgenden Probleme.

Wenn bei einem elektrischen Signalbereitstellungsschaltkreis mit der obigen Struktur ist der Schaltkreis wenn ein Signal an der Signalerzeugungsquelle SD von einer logischen Spannung "L" zu einer logischen Spannung "H" geändert wird, so ist die Signalniveau-Spannung am Knoten N11 durch eine Signalniveau-Spannungskurve 21 in 16 gegeben, während die Signalniveau-Spannung am Knoten N15 ist durch eine Signalniveau-Spannungskurve 22 in 16 gegeben. Kurz ausgedrückt: eine Verzögerungszeit, die erforderlich ist, bis der Knoten N15 das Niveau "1" erreicht, ist länger als eine Verzögerungszeit, die erforderlich ist, bis der Knoten N11 das Niveau "1" erreicht. Dieses wird einer Kapazität, einschließlich parasitärer Kapazitäten der jeweiligen Schaltkreiszellen C1 bis C5 und der Widerstände R11 bis R14, zugeschrieben. Es folgt dann, dass eine Verzögerungszeit eines Signals am Knoten N15 ist größer als eine Verzögerungszeit eines Signals am Knoten N11 ist. Solche Verzögerungszeitunterschiede zwischen dem jeweiligen Schaltkreiszellen stellen ein Problem für einen Schaltkreisbetrieb dar.

Die Signalerzeugungsquelle SD von 15 ist ein Spannungbereitstellungsschaltkreis für die Plattenelektroden der Speicherzellen, die jeweiligen Schaltkreiszellen C1 bis C5 sind die Hauptspeicherzellen und die Referenzspeicherzellen. Als Beispiel eines Speicherzellenkondensators wird ein Permanentspeicher, der ein ferroelektrisches Material verwendet, betrachtet. Wenn, wie oben beschrieben, eine Spannung vom Spannungsbereitstellungsschaltkreis ausgegeben wird, so ist wegen eines Unterschiedes in den Verzögerungszeiten bei der Signalübertragung eine Zeit, die die Plattenelektrode der Hauptspeicherzelle benötigt, um ein vorbestimmtes Niveau zu erreichen, verschieden von einer Zeit, die die Plattenelektrode der Referenzspeicherzelle benötigt, um ein vorbestimmtes Niveau zu erreichen, und daher werden Potentiale, die von den jeweiligen Speicherzellen gelesen werden, gegenüber Potentialen verschoben, die ohne Verzögerungszeiten in den Signalen zu den Plattenelektroden der jeweiligen Speicherzellen gelesen werden. Um solche Fehlabfragung zu verhindern, ist es notwendig, einen Leseverstärker zu benützen, nachdem eine ausreichende Zeit vergangen ist, damit sich die auslesenden Potentiale aufgebaut haben. Dies macht einen Hochgeschwindigkeitsprozess schwierig. Weiter verursacht dies, abhängig von dem Arbeitstiming des Leseverstärkers, Fehlfunktion.

Die US-A-5 610 414 beschreibt eine Halbleitervorrichtung, insbesondere eine Flüssigkristallwiedergabeeinheit, welche so eingerichtet ist, dass die Impedanz von aufgeteilten Videosignalleitungen, die auf dem Substrat ausgebildet sind, angepasst werden können, um eine gleichförmige Impedanz zu erreichen. Die Impedanzen von einer ursprünglichen Signalquelle zu Signalempfangseinrichtungen werden gleich gemacht. Die Signale werden unter Verwendung einer Hauptleitung, von der individuelle Leitungen zu den entsprechenden Vorrichtungen abzweigen, ausgegeben.

Die EP-A-0 304 930 beschreibt eine integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung mit Signalleitungen, um ein Signal an eine beliebige Stelle eines zugehörigen Schaltkreises auszugeben. Ein Taktsignal kann von einer Taktgeberzelle über eine Zelle-Zelle-Verbindungsleitung an eine Signalverbindungszelle einer bestimmten Zellenreihe ausgegeben werden, von denen jede eine Mehrzahl von Standardzellen umfasst. Das Taktsignal wird an die bestimmte Zellreihenposition weiter geleitet. Die Verbindungsleitung besitzt eine größere Breite und erstreckt sich geradlinig, um einen niedrigen Widerstandswert und kleine und identische Verzögerungszeiten für ein Signal an die entsprechende Zellenreihe zu erreichen.

Die vorliegende Erfindung wurde gemacht, um solche Probleme zu lösen. Dementsprechend ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen elektrischen Signalbereitstellungsschaltkreis zur Verfügung zu stellen und eine Halbleiterspeichervorrichtung, die stabil mit einer großen Geschwindigkeit arbeitet, und zwar infolge des Gebrauchs von Einrichtungen, der die Verzögerungszeitunterschiede bei einem Signal verringert, das an eine so große wie mögliche Anzahl von Schaltkreiszellen ausgegeben wird.

Dies wird durch die Merkmale von Anspruch 1 erreicht.

Im elektrischen Signalbereitstellungsschaltkreis, der eine wie oben angegebene Struktur aufweist, wird, da ein elektrisches Signal über die Mehrzahl der Schaltkreiszellen über die Leitung, die ausgehend von der elektrischen Signalquelle eine pyramidenförmige Konfiguration hat, übermittelt wird, ein Impedanzunterschied zwischen der elektrischen Signalquelle und jeder Schaltkreiszelle verringert, und folglich werden Verzögerungszeitunterschiede des Signals, das von der Signalerzeugungsquelle an die Schaltkreiszellen ausgegeben wird.

Der elektrische Signalbereitstellungsschaltkreis kann weiter die folgenden Strukturen haben.

Die Signalleitung („Drahtleitung") kann eine erste Hierarchieebene, die von der elektrischen Signalquelle ausgeht, und eine zweite Hierarchieebene, die sich von einem Verzweigungspunkt von der ersten Hierarchieebene aus verzweigt und an der Spitze mit den jeweiligen Schaltkreiszellen verbunden ist, aufweisen, so dass ein Widerstandswert der Signalleitung von der elektrischen Signalquelle zum Verzweigungspunkt in der ersten Hierarchieebene größer als ein Widerstandswert der Signalleitung zwischen den Schaltkreiszellen in der zweiten Hierarchieebene ist.

Da diese Struktur einen hohen Widerstandswert in der ersten Hierarchieebene ermöglicht, die einen gemeinsamen Widerstand für die jeweiligen Schaltkreiszellen in den Signalpfaden bereit stellt, das den jeweiligen Schaltkreiszellen übermittelt wird, übt der Widerstandswert in der zweiten Hierarchieebene einen kleineren Einfluss auf Verzögerungszeiten in den jeweiligen Schaltkreiszellen aus. Folglich werden Verzögerungszeitunterschiede zwischen den jeweiligen Schaltkreiszellen verringert.

Alternativ dazu kann die Signalleitung eine erste Hierarchieebene haben, die von der elektrischen Signalquelle ausgeht, und eine zweite Hierarchieebene, die sich von einem Verzweigungspunkt von der ersten Hierarchieebene aus verzweigt und an der Spitze mit den jeweiligen Schaltkreiszellen verbunden ist, und Spitzteile in der zweiten Hierarchieebene können über Widerstände mit den jeweiligen Schaltkreiszellen verbunden sein.

Dies ermöglicht es, dass die Widerstandswerte der Widerstände größer als ein Widerstandswert der Signalleitung in der ersten Hierarchieebene von der elektrischen Signalquelle zum Verzweigungspunkt zur zweiten Hierarchieebene sind, und auch größer als ein Widerstandswert der Signalleitung zwischen den Schaltkreiszellen in der zweiten Hierarchieebene sind.

Da die Widerstände zwischen den Spitzteilen in der zweiten Hierarchieebene und den jeweiligen Schaltkreiszellen eingefügt sind, erscheint bei einer solchen Struktur ein Einfluss einer Kapazität, einschließlich parasitärer Kapazitäten der jeweiligen Schaltkreiszellen, nicht ohne weiteres an den Knoten an den Spitzteilen in der zweiten Hierarchieebene, und weiter werden Verzögerungszeitunterschiede zwischen den jeweiligen Schaltkreiszellen werden verringert.

Der elektrische Signalbereitstellungsschaltkreis umfasst eine Mehrzahl von Schaltkreiszellen; eine elektrische Signalerzeugungsquelle (Signalquelle) zum Erzeugen eines Signals, das an die jeweiligen Schaltkreiszellen ausgegeben werden soll; eine erste Signalleitungsschicht, die mit der Signalerzeugungsquelle verbunden ist; und eine zweite Signalleitungsschicht, die mit den jeweiligen Schaltkreiszellen verbunden ist, wobei die erste Signalleitungsschicht und die zweite Signalleitungsschicht miteinander mit einer Mehrzahl von Kontakten, einschließlich wenigstens eines ersten Kontakts und eines zweiten Kontakts, verbunden sind, und ein elektrisches Signal wird von der elektrischen Signalquelle über die wenigstens zwei Kontakte wenigstens an Schaltkreiszellen mit Ausnahme von Schaltkreiszellen, die an den beiden Enden vorgesehen sind, ausgegeben.

Diese Struktur verringert sich Verzögerungszeitunterschiede zwischen den jeweiligen Schaltkreiszellen soweit wie möglich.

Der elektrische Signalbereitstellungsschaltkreis kann weiter die folgenden Strukturen haben.

Ein Widerstandswert im Pfad zwischen einem Endabschnitt der zweiten Signalleitungsschicht und dem ersten Kontakt kann ungefähr halb so groß sein wie ein Widerstandswert im Pfad zwischen dem ersten Kontakt und dem zweiten Kontakt in der zweiten Signalleitungsschicht.

Diese Struktur verringert weiter Verzögerungszeitunterschiede zwischen den jeweiligen Schaltkreiszellen.

Entsprechend dem oben genannten Aufbau sind Verzögerungszeitunterschiede zwischen den jeweiligen Schaltkreiszellen verringert. Weiter ist jede Schaltkreiszelle mit regelmäßigen Abständen angeordnet, wenn die Signalleitungen die gleiche Breite haben, was die Anordnung vereinfacht.

Alternativ dazu kann eine Leitungslänge zwischen einem Endabschnitt der zweiten Signalleitungsschicht und dem ersten Kontakt ungefähr halb so groß sein wie eine Leitungslänge zwischen dem ersten Kontakt und dem zweiten Kontakt in der zweiten Signalleitungsschicht.

Diese Struktur verringert die Verzögerungszeitunterschiede zwischen den jeweiligen Schaltkreiszellen. Weiter ist im Schaltkreis von der elektrischen Signalerzeugungsquelle zu den jeweiligen Schaltkreiszellen die Länge des Pfades, auf dem ein Signal einen Umweg macht und die am weitest entfernte Schaltkreiszelle erreicht, verkürzt, und folglich wird der Wert der Verzögerungszeit selbst verringert.

Vorzugsweise umfassen die oben genannten Schaltkreiszellen wenigstens ein erste, eine zweite und eine dritte Schaltkreiszelle, wobei ein erster Widerstand und ein zweiter Widerstand in der ersten Signalleitungsschicht in dieser Reihenfolge ausgehend von einem Ende vorgesehen sind, die erste Signalleitungsschicht über die Widerstände in einen ersten Knoten bis einen dritten Knoten in dieser Reihenfolge ausgehend von dem einem Ende aufgeteilt wird, ein erster Widerstand bis ein vierter Widerstand in der zweiten Signalleitungsschicht in dieser Reihenfolge ausgehend von einem Ende vorgesehen sind, das dem einem Ende der ersten Signalleitungsschicht entspricht, die zweite Signalleitungsschicht über die Widerstände in einen ersten Knoten bis einen fünften Knoten in dieser Reihenfolge ausgehend von dem einem Ende aufgeteilt wird, der erste in dieser Reihenfolge ausgehend von dem einem Ende aufgeteilt wird, der erste bzw. dritte bzw. fünfte Knoten mit der ersten bzw. zweiten bzw. dritten Schaltkreiszelle verbunden ist, der erste Kontakt zwischen dem ersten Knoten in der ersten Signalleitungsschicht und dem zweiten Knoten in der zweiten Signalleitungsschicht gebildet wird, der zweite Kontakt zwischen dem dritten Knoten in der ersten Signalleitungsschicht und dem vierten Knoten in der zweiten Signalleitungsschicht gebildet wird, die elektrische Signalerzeugungsquelle mit dem zweiten Knoten in der ersten Signalleitungsschicht verbunden ist, und der Widerstandswert des zweiten Widerstandes größer ist als der Widerstandswert des ersten Widerstands in der zweiten Signalleitungsschicht.

Mit dieser Struktur ist es möglich, einen Unterschied bezüglich der Verzögerungszeiten zwischen der Schaltkreiszelle, an die ein elektrisches Signal über zwei Pfade ausgegeben wird, und der Schaltkreiszelle, an die ein elektrisches Signal über einen Pfad ausgegeben wird, soweit wie möglich zu verringern.

In diesem Fall ist es wünschenswert, dass der Widerstandswert des ersten Widerstandes in der ersten Signalleitungsschicht ungefähr genau so groß wie der Widerstandswert des zweiten Widerstandes in der ersten Signalleitungsschicht ist, und dass der Widerstandswert des zweiten Widerstandes 21/2 mal so groß ist, wie der Widerstandswert des ersten Widerstandes.

Mit dieser Struktur ist es möglich, einen Unterschied der Verzögerungszeiten zwischen der Schaltkreiszelle, an die ein elektrisches Signal über zwei Pfade ausgegeben wird, und der Schaltkreiszelle, an die ein elektrisches Signal über einen Pfad ausgegeben wird, fast zu beseitigen.

Alternativ umfassen die Schaltkreiszellen wenigstens eine erste, eine zweite und eine dritte Schaltkreiszelle, wobei ein erster Widerstand bis ein vierter Widerstand in der ersten Signalleitungsschicht in dieser Reihenfolge ausgehend von einem Ende vorgesehen sind, die erste Signalleitungsschicht über die Widerstände in einen ersten Knoten bis einen fünften Knoten in dieser Reihenfolge ausgehend von einem Ende aufgeteilt wird, ein erster Widerstand bis ein vierter Widerstand in der zweiten Signalleitungsschicht in dieser Reihenfolge ausgehend von einem Ende vorgesehen sind, das dem einem Ende der ersten Signalleitungsschicht entspricht, die zweite Signalleitungsschicht über die Widerstände in einen ersten Knoten bis einen fünften Knoten in dieser Reihenfolge ausgehend von einem Ende aufgeteilt wird, der erste bzw. der dritte bzw. der fünfte Knoten mit der ersten bzw. der zweiten bzw. der dritten Schaltkreiszelle verbunden ist, der erste, der zweite, der vierte und der fünfte Knoten miteinander an einem ersten, einem zweiten, einem dritten und einem vierten Kontakt zwischen der ersten Signalleitungsschicht und der zweiten Signalleitungsschicht verbunden sind, die elektrische Signalerzeugungsquelle mit dem zweiten Knoten in der ersten Signalleitungsschicht verbunden ist, der Widerstandswert des ersten Widerstandes ungefähr gleich dem Widerstandswert des zweiten Widerstandes in der ersten Signalleitungsschicht ist, der Widerstandswert des ersten Widerstandes in der ersten Signalleitungsschicht ungefähr gleich dem Widerstandswert des dritten Widerstandes in der zweiten Signalleitungsschicht ist, der Widerstandswert des zweiten Widerstandes ungefähr gleich dem Widerstandswert des ersten Widerstandes in der zweiten Signalleitungsschicht ist.

Mit dieser Struktur ist es möglich, einen Unterschied der Verzögerungszeiten zwischen den Schaltkreiszellen, die an den Endabschnitten vorgesehen sind, und den Schaltkreiszellen, die an den Mittelabschnitten vorgesehen sind, nahezu zu eliminieren.

Der elektrische Signalbereitstellungsschaltkreis kann weiter umfassen: eine Mehrzahl von Schaltkreiszellen, einschließlich erster und zweiter Schaltkreiszellen, die als Hauptspeicherzellen fungieren, und einer dritten Schaltkreiszelle, die als Referenzspeicherzelle fungiert; und eine elektrische Signalerzeugungsquelle, die über Signalleitungen mit den Schaltkreiszellen verbunden ist, wobei die Signalerzeugungsquelle ein elektrisches Signal erzeugt, das an jede Schaltkreiszelle ausgegeben wird, wobei unter den Widerstandswerten in den Signalleitungen zwischen der elektrischen Signalerzeugungsquelle und den jeweiligen Schaltkreiszellen der größte Widerstandswert als der Widerstandswert in den Signalleitungen zwischen der elektrischen Signalerzeugungsquelle und der ersten Schaltkreiszelle verwendet wird, wobei unter den Widerstandswerten in den Signalleitungen zwischen der elektrischen Signalerzeugungsquelle und den jeweiligen Schaltkreiszellen der kleinste Widerstandswert als der Widerstandswert in den Signalleitungen zwischen der elektrischen Signalerzeugungsquelle und der zweiten Schaltkreiszelle verwendet wird, und der Widerstandswert in den Signalleitungen zwischen der elektrischen Signalerzeugungsquelle und der dritten Schaltkreiszelle als ein Wert zwischen dem größten Widerstandswert und dem kleinsten Widerstandswert eingestellt wird.

Im elektrischen Signalbereitstellungsschaltkreis mit einer solchen Struktur wird, da Verzögerungszeitunterschiede zwischen der Referenzspeicherzelle und den Hauptspeicherzellen, an die das Signal mit der größten oder der kleinsten Verzögerungszeit übermittelt wird, gleichförmig werden, der größte Verzögerungszeitunterschied unter den Verzögerungszeitunterschieden zwischen den Hauptspeicherzellen und der Referenzspeicherzelle in der Halbleiterspeichervorrichtung verringert. Folglich ist ein Hochgeschwindigkeitsprozess sogar in einem Permanentspeicher möglich, bei dem die elektrische Signalerzeugungsquelle eine Treiberschaltung für das Betreiben der Plattenelektroden der Speicherzellen ist, und die Schaltkreiszellen die Hauptspeicherzellen und die Referenzspeicherzelle sind, und bei dem ein ferroelektrisches Material benutzt wird, um Speicherzellenkondensatoren zu bilden, und wobei weiter eine zeitliche Verschlechterung oder Unterschiede zwischen den ferroelektrischen Kondensatoren nicht ohne weiteres eine Fehlfunktion des Permanentspeicher bewirken. Somit ist die Halbleiterspeichervorrichtung hochgradig zuverlässig.

Der elektrische Signalbereitstellungsschaltkreis kann weiter umfassen: eine Signalerzeugungsquelle , die über Signalleitungen mit den Schaltkreiszellen verbunden ist, wobei die elektrische Signalerzeugungsquelle ein Signal erzeugt, das an jede Schaltkreiszelle ausgegeben wird, wobei die dritte Schaltkreiszelle zwischen der ersten und der zweite Schaltkreiszelle vorgesehen ist.

Diese Struktur macht es möglich, einen Verzögerungszeitunterschied zwischen der ersten Schaltkreiszelle, die als Hauptspeicherzelle dient, und der dritten Speicherzelle, die als Referenzspeicherzelle dient, und einen Verzögerungszeitunterschied zwischen der zweiten Schaltkreiszelle, die als Hauptspeicherzelle dient, und der dritten Speicherzelle, soweit als möglich zu verringern.

Beim elektrischen Signalbereitstellungsschaltkreis kann die Mehrzahl der Schaltkreiszellen eine Mehrzahl von Hauptspeicherzellen und eine Mehrzahl von Referenzspeicherzellen umfassen.

Mit dieser Struktur ist es möglich, einen Referenzspeicher auszuwählen, der gleichzeitig mit jeder Hauptspeicherzelle mit der kleinsten Verzögerungszeit zusammenarbeitet, in Übereinstimmung mit einem Positions-Verhältnis hinsichtlich einer Anordnung innerhalb der Halbleiterspeichervorrichtung. Selbst wenn eine Speicherkapazität besonders groß ist, ist es möglich, einen Verzögerungszeitunterschied zu verringern.

Vorzugsweise umfassen die Mehrzahl von Schaltkreiszellen im elektrischen Signalbereitstellungsschaltkreis erste und zweite Schaltkreiszellen, die als Hauptspeicherzellen fungieren, und dritte und vierte Schaltkreiszellen, die als Referenzspeicherzellen fungieren, wobei der Widerstandswert der Signalleitung zwischen der elektrischen Signalerzeugungsquelle und der ersten Schaltkreiszelle ungefähr gleich dem Widerstandswert der Signalleitung zwischen der Signalerzeugungsquelle und der dritten Schaltkreiszelle ist, und wobei der Widerstandswert der Signalleitung zwischen der elektrischen Signalerzeugungsquelle und der zweiten Schaltkreiszelle ungefähr gleich dem Widerstandswert der Signalleitung zwischen der Signalerzeugungsquelle und der vierten Schaltkreiszelle ist.

1 ist ein Blockdiagramm, das eine schematische Struktur eines elektrischen Signalbereitstellungsschaltkreises gemäß einer ersten bevorzugten Ausführungsform zeigt;

2 ist ein Diagramm, das eine Beziehung zwischen der Zeit und einer Signalniveau-Spannung beim elektrischen Signalbereitstellungsschaltkreis gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform zeigt;

3 ist ein Blockschaltplan, der eine schematische Struktur eines elektrischen Signalbereitstellungsschaltkreises gemäß einer zweiten bevorzugten Ausführungsform zeigt;

4 ist ein Blockschaltplan, der eine schematische Struktur eines elektrischen Signalbereitstellungsschaltkreises gemäß einer dritten bevorzugten Ausführungsform zeigt;

5 ist ein Blockschaltplan, der eine schematische Struktur eines elektrischen Signalbereitstellungsschaltkreises gemäß einer vierten bevorzugten Ausführungsform zeigt;

6 ist ein Blockdiagramm, das eine schematische Struktur einer ferroelektrischen Speichervorrichtung gemäß einer fünften bevorzugten Ausführungsform zeigt;

7 ist ein Schaltplan der ferroelektrischen Speichervorrichtung gemäß der fünften bevorzugten Ausführungsform;

8 ist ein Diagramm, das eine Beziehung zwischen der Zeit und einer Signalniveau-Spannung beim elektrischen Signalbereitstellungsschaltkreis gemäß der fünften bevorzugten Ausführungsform zeigt;

9 ist ein Blockdiagramm, das eine schematische Struktur einer ferroelektrischen Speichervorrichtung gemäß einer sechsten bevorzugten Ausführungsform zeigt;

10 ist ein Blockdiagramm, das eine schematische Struktur einer ferroelektrischen Speichervorrichtung gemäß einer siebten bevorzugten Ausführungsform zeigt;

11 ist ein Blockdiagramm, das eine schematische Struktur einer ferroelektrischen Speichervorrichtung gemäß einer achten bevorzugten Ausführungsform zeigt;

12 ist ein Schaltplan der ferroelektrischen Speichervorrichtung gemäß der achten bevorzugten Ausführungsform;

13 ist ein Blockdiagramm, das eine schematische Struktur einer ferroelektrischen Speichervorrichtung gemäß einer neunten bevorzugten Ausführungsform zeigt;

14 ist ein Blockdiagramm, das eine schematische Struktur einer ferroelektrischen Speichervorrichtung gemäß einer zehnten bevorzugten Ausführungsform zeigt;

15 ist ein Blockdiagramm, das eine schematische Struktur eines herkömmlichen elektrischen Signalbereitstellungsschaltkreises zeigt; und

16 ist ein Diagramm, das eine Beziehung zwischen der Zeit und einer Signalniveau-Spannung beim herkömmlichen elektrischen Signalbereitstellungsschaltkreis zeigt.

BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN

Im folgenden erfolgt mit Bezug auf die zugehörigen Zeichnungen eine ausführliche Beschreibung der elektrischen Signalbereitstellungsschaltkreise und Halbleiterspeichervorrichtungen gemäß bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung.

<Erste bevorzugte Ausführungsform>

Zuerst wird eine erste bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die 1 und 2 beschrieben. Legende für 1: SD bezeichnet eine Signalerzeugungsquelle, C11 bis C15 bezeichnen Schaltkreiszellen, R111 bis R121 bezeichnen Widerstände, und N111 zu N115 bezeichnen Knoten. Es sollte angemerkt werden, dass in allen Ausführungsformen jeder Widerstand im Allgemeinen ein Element ist, das für den Widerstand einer Signalleitung steht, und dass übrige Widerstände, die nicht direkt von der Signalleitung herrühren, tatsächlich nicht zu diesem Widerstandselement beitragen. Dabei kann ein anderes Widerstandselement, wenn die Signalleitung einen so kleinen Widerstand hat, dass er ignoriert werden kann, vorgesehen werden.

Im Schaltkreis, der in 1 gezeigt ist, ist der Knoten N113 über den Widerstand R121 mit der Signalerzeugungsquelle SD verbunden, während die Schaltkreiszellen C11 bis C15 mit den entsprechenden Knoten N111 zu N115 verbunden sind. Der Widerstand R111 ist zwischen den Knoten N111 und N112 eingefügt, der Widerstand R112 ist zwischen den Knoten N112 und N113 eingefügt, der Widerstand R113 ist zwischen den Knoten N113 und N114 eingefügt, und der Widerstand R114 ist zwischen den Knoten N114 und N115 eingefügt. Das heißt, ein Signal von der Signalerzeugungsquelle SD wird über die Widerstände R121, R112 und R111 an die Schaltkreiszelle C11 ausgegeben, über die Widerstände R121 und R112 an die Schaltkreiszelle C12 ausgegeben, über den Widerstand R121 an die Schaltkreiszelle C13 ausgegeben, über die Widerstände R121 und R113 an die Schaltkreiszelle C14 ausgegeben, und über die Widerstände R121, R113 und R114 an die Schaltkreiszelle C15 ausgegeben. Genauer unterscheidet sich die vorliegende bevorzugte Ausführungsform von der eingangs beschriebenen herkömmlichen Struktur dadurch, dass die Signalerzeugungsquelle SD, die an den Endabschnitten der Schaltkreiszellen C11 bis C15 vorgesehen ist, mit dem Knoten N113 verbunden ist, der der mittlere der Knotenreihe ist, die über den Widerstand R121 mit den Schaltkreiszellen C11 bis C15 verbunden ist.

2 zeigt ein Signalübertragungscharakteristik beim elektrischen Signalbereitstellungsschaltkreis gemäß der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform. Wie in 2 gezeigt ist, wird eine Signalniveau-Spannung am Knoten N113, wenn ein Signal an der Signalerzeugungsquelle SD von einer logischen Spannung "L" in eine logischen Spannung "H" geändert wird, durch eine Signalniveau-Spannungskurve 11 wiedergegeben, während eine Signalniveau-Spannung am Knoten N111 oder N115, wenn ein Signal an der Signalerzeugungsquelle SD von einer logischen Spannung "L" in eine logischen Spannung "H" geändert wird, durch eine Signalniveau-Spannungskurve 12 wiedergegeben wird. Dies liegt an den Signalverzögerungen, die durch eine Kapazität einschließlich der parasitären Kapazitäten der jeweiligen Schaltkreiszellen C11 bis C15 und der Widerstände R111 bis R114, verursacht werden.

Bei dieser Schaltkreisstruktur ist eine Signalverzögerungszeit am Knoten N113 am kleinsten und eine Signalverzögerungszeit am Knoten N111 oder N115 am größten. Ein Unterschied zwischen der kleinsten Signalverzögerungszeit und der größten Signalverzögerungszeit ist kleiner als bei der herkömmlichen Struktur (vgl. 16). Wenn z. B. die Widerstandswerte zwischen den jeweiligen Schaltkreiszellen und der Kapazität, einschließlich der parasitären Kapazitäten der jeweiligen Schaltkreiszellen, unverändert bleiben, beträgt ein Signalverzögerungszeitunterschied etwa ein Viertel des Wertes der herkömmlichen Struktur.

Bei der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform werden, insbesondere dadurch, dass die Widerstandswerte der Widerstände R111 bis R114 kleiner als der Widerstandswert des Widerstandes R121 eingestellt werden, Signalverzögerungszeitunterschiede zwischen den Knoten N111 und N115 (d. h., die Schaltkreiszellen C11 bis C15) vorteilhaft verringert. Um den Widerstandswert des Widerstandes R121 zu erhöhen, können z. B. die Breiten der Signalleitungen verringert werden.

Weiter kann die Signalleitung, die den Widerstand R121 und die Signalleitung mit einschließt, und die Signalleitung, die die Widerstände R111 bis R114 mit einschließt, in einer planaren Konfiguration oder dreidimensional (mehrschichtig) angeordnet sein. Wenn die Signalleitungen in einer planaren Konfiguration angeordnet sind, so ist nur eine Signalleitung Schicht notwendig. Wenn die Signalleitungen dreidimensional angeordnet sind, nehmen die Signalleitungen nur einen kleinen Bereich ein.

<Zweite bevorzugte Ausführungsform>

Nachfolgend wird eine bevorzugte zweite Ausführungsform unter Bezugnahme auf 3 beschrieben.

Bei der zweiten bevorzugten Ausführungsform sind sechs Schaltkreiszellen C21 bis C26 mit entsprechenden sechs Knoten N211 bis N216 verbunden, sind die Knoten N211 und N212 miteinander über einen Widerstand R211 verbunden, sind die Knoten N212 und N213 miteinander über einen Widerstand R212 verbunden, sind die Knoten N214 und N215 miteinander über einen Widerstand R213 verbunden, und sind die Knoten N215 und N216 miteinander über einen Widerstand R214 verbunden. Jedoch sind die Knoten N213 und N214 bei dieser Ausführungsform nicht direkt miteinander verbunden. Der Knoten N217 ist mit der Signalerzeugungsquelle SD über den Widerstand R231 verbunden, und die Knoten N212 und N215 sind über die Widerstände R221 bzw. R222 mit dem Knoten N217 verbunden.

Beim elektrischen Signalbereitstellungsschaltkreis gemäß der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform werden, da die Signalleitungen von der Signalerzeugungsquelle SD zu den jeweiligen Schaltkreiszellen C21 bis C26 eine Pyramidenform aufweisen, Signalverzögerungszeitunterschiede zu den jeweiligen Schaltkreiszellen C21 bis C26 noch mehr als bei der ersten bevorzugten Ausführungsform verringert.

<Dritte bevorzugte Ausführungsform>

Nachfolgend wird eine bevorzugte dritte Ausführungsform mit Bezug auf 4 beschrieben.

Die Beziehungen hinsichtlich der Verbindungen zwischen den jeweiligen Schaltkreiszellen C21 bis C26, den Knoten N211 bis N216 und den Widerständen R211 bis R214 bei der dritten bevorzugte Ausführungsform sind denjenigen bei der zweiten bevorzugten Ausführungsform, die in 3 gezeigt sind, ähnlich. Jedoch ist bei der dritten bevorzugten Ausführungsform die Signalerzeugungsquelle SD über den Widerstand R221 mit dem Knoten N212 verbunden und über den Widerstand R222 mit dem Knoten N215 verbunden. Das heißt, die Signalerzeugungsquelle SD ist an der Position des Knotens N217 von 3 vorgesehen, wobei der Widerstand R231 weggelassen wird.

Beim elektrischen Signalbereitstellungsschaltkreis gemäß der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform, wie bei der zweiten bevorzugte Ausführungsform, sind die Signalleitungen von der Signalerzeugungsquelle SD zu den jeweiligen Schaltkreiszellen in Form einer Pyramide ausgebildet, und folglich sind Signalverzögerungszeitunterschiede zu den jeweiligen Schaltkreiszellen gegenüber der ersten bevorzugten Ausführungsform weiter reduziert.

Da weiter die Schaltkreiszellen so angeordnet sind, dass die Signalleitungen von der Signalerzeugungsquelle SD direkt in zwei Richtungen verzeigen, sind Widerstandswerte in den Pfaden von der Signalerzeugungsquelle SD zu den Schaltkreiszellen um einen Betrag, der zum Fehlen des Widerstandes R231 äquivalent ist, stärker als beim Schaltkreis gemäß der zweiten bevorzugten Ausführungsform verringert. Folglich wird die größte Verzögerungszeit zur am weitesten von der Signalerzeugungsquelle SD entfernten Schaltkreiszelle kleiner, was ermöglicht, dass der ganze Schaltkreis als Ganzes mit einer höheren Geschwindigkeit arbeitet.

<Vierte bevorzugte Ausführungsform>

Nachfolgend wird mit Bezug auf 5 eine vierte bevorzugte Ausführungsform beschrieben.

Wie in 5 gezeigt ist, ist ein elektrischer Signalbereitstellungsschaltkreis gemäß der vierten bevorzugte ein Ausführungsform gleich dem elektrischen Signalbereitstellungsschaltkreis gemäß der zweiten bevorzugten Ausführungsform (vgl. 3), wobei die Struktur so geändert ist, dass zusätzlich Widerstände R01 bis R06 zwischen den Knoten N211 zu N216 und zu den Schaltkreiszellen C21 bis C26 eingesetzt sind. Genauer: der Widerstand R01 ist zwischen den Knoten N201 und N211 eingefügt, welche mit der Schaltkreiszelle C21 verbunden sind, der Widerstand R02 ist zwischen den Knoten N202 und N212 eingefügt, welche mit der Schaltkreiszelle C22 verbunden sind, der Widerstand R03 ist zwischen den Knoten N203 und N213 eingefügt, welche mit der Schaltkreiszelle C23 verbunden sind, der Widerstand R04 ist zwischen den Knoten N204 und N214 eingefügt, die mit der Schaltkreiszelle C24 verbunden sind, der Widerstand R05 ist zwischen den Knoten N205 und N215 eingefügt, die mit der Schaltkreiszelle C25 verbunden sind, und der Widerstand R06 ist zwischen den Knoten N206 und N216 eingefügt, die mit der Schaltkreiszelle C26 verbunden sind. Die Beziehungen hinsichtlich Verbindungen zwischen den jeweiligen Knoten N211 bis N216 und der Signalerzeugungsquelle SD und eine Anordnung der Widerstände N211 bis N231 sind so, wie bereits in Zusammenhang mit dem Schaltkreis gemäß der zweiten bevorzugten Ausführungsform von 3 beschrieben wurde.

Wie bei der ersten und der zweiten bevorzugte Ausführungsform, sind beim elektrischen Signalbereitstellungsschaltkreis gemäß der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform die Signalleitungen von der Signalerzeugungsquelle SD zu den jeweiligen Schaltkreiszellen in Form einer Pyramide ausgebildet und folglich sind Verzögerungszeitunterschiede zu den jeweiligen Schaltkreiszellen weiter verringert.

Weiter übt bei der vierten bevorzugten Ausführungsform, da die Schaltkreiszellen C21 bis C26 über die Widerstände R01 an R06 mit den jeweiligen Knoten N211 an N216 verbunden sind, die als Signalleitungsenden dienen, die in Form einer Pyramide ausgebildet sind, die Kapazität, einschließlich der parasitären Kapazitäten der jeweiligen Schaltkreiszellen C21 bis C26, nicht ohne weiteres einen Einfluss auf die Knoten N211 bis N216 aus. Infolgedessen wird die Verzögerungszeit weiter verringert.

<Fünfte bevorzugte Ausführungsform>

Nachfolgend wird eine fünfte bevorzugte Ausführungsform mit Bezug auf die 6 bis 8 beschrieben.

6 ist ein Blockdiagramm, das eine schematische Struktur einer ferroelektrischen Speichervorrichtung gemäß der fünfte bevorzugten Ausführungsform. Wie in 6 gezeigt ist, hat der bevorzugte Schaltkreis gemäß der fünften Ausführungsform eine Struktur, die gleich der integrierten Halbleiterschaltkreis von 1 gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform ist, wobei diese so abgeändert ist, dass die Schaltkreiszelle C13, die unter den Schaltkreiszellen C11 bis C15 in der Mitte vorgesehen ist, durch eine Referenzschaltkreiszelle RC1 ersetzt wird. Die Schaltkreiszellen C11, C12, C14 und C15 sind Hauptschaltkreiszellen.

7 ist ein elektrischer Schaltplan einer ferroelektrischen Speichervorrichtung, die ein spezielles Beispiel des integrierten Halbleiterschaltkreises von 6 gezeigt ist. Jedoch zeigt 7 nur einen Teil einer einzigen von mehreren Speicherzelleanordnungen, welche im ferroelektrischen Speichervorrichtung gebildet sind. Legende für 7: WL0 bis WL7 bezeichnen Wortleitungen, RWL0 und RWL1 bezeichnen Referenz-Wortleitungen, BL und XBL bezeichnen ein Paar Bitleitungen zum Ausgeben eines nicht-invertierten Bitleitungssignals bzw. eines invertierten Bitleitungssignals, CP0 bis CP3 und RCP0 bezeichnen Zellplattenelektroden, CPD bezeichnet eine Zellplattensignalquelle, SA bezeichnet einen Leseverstärker, CC0 bis CC7 sind Hauptspeicherzellenkondensatoren aus einem ferroelektrischen Material, CR0 und CR1 bezeichnen Referenzspeicherzellenkondensatoren aus einem ferroelektrischen Material, und Qn0 bis Qn7, QnR0 bis QnR1 bezeichnen N-Kanal-Transistoren. In 7, und ebenso in anderen Anordnungen, sind Speicherzellen, die aus zwei Speicherkondensatoren und zwei N-Kanal-Transistoren bestehen, angeordnet. Die Zellplattenelektroden CP und RCP erstrecken sich entlang der Reihe zur Verbindung mit den Speicherzellen, die in der Reihe der Speicherzellenanordnungen in 7 nebeneinander angeordnet sind.

Wie in 7 gezeigt ist, ist die ferroelektrische Speichervorrichtung gemäß der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform wie unten ausgeführt ausgebildet. Die Bitleitungen BL und die XBL sind mit dem Leseverstärker SA verbunden. Die einen Elektroden der Hauptspeicherzellenkondensatoren CC0 bis CC7 sind über die N-Kanal MOS Transistoren Qn0 zu Qn7 mit den Bitleitungen BL oder XBL verbunden, und Gates der N-Kanal MOS Transistoren Qn0 bis Qn7 sind jeweils mit den entsprechenden Wortleitungen WL0 bis WL7 verbunden. Weiter dienen die anderen Elektroden der Hauptspeicherzellenkondensatoren CC0 und CC1 als die gemeinsame Zellplattenelektrode CP0, die anderen Elektroden der Hauptspeicherzellenkondensatoren CC2 und CC3 dienen als die gemeinsame Zellplattenelektrode CP1, die anderen Elektroden der Hauptspeicherzellenkondensatoren CC4 und CC5 dienen als die gemeinsame Zellplattenelektrode CP2, und die anderen Elektroden der Hauptspeicherzellenkondensatoren CC6 und CC7 dienen als die gemeinsame Zellplattenelektrode CP3. In einer ähnlichen Weise sind die einen Elektroden der Referenzspeicherzellenkondensatoren CR0 und CR1 über die N-Kanal MOS Transistoren QnR0 und QnR1 mit der Bitleitung BL oder XBL verbunden, und Gates der N-Kanal MOS Transistoren QnR0 und QnR1 sind mit den Wortleitungen RWL0 bzw. RWL1 verbunden. Die anderen Elektroden der Referenzspeicherzellenkondensatoren CR0 und CR1 dienen als die gemeinsame Zellplattenelektrode CP0. Die Zellplattenelektroden CP0 und CP1 sind über den Widerstand R14 miteinander verbunden, die Zellplattenelektroden CP1 und RCP0 sind über den Widerstand R13 miteinander verbunden, die Zellplattenelektroden RCP0 und CP2 sind über den Widerstand R12 miteinander verbunden, die Zellplattenelektroden CP2 und CP3 sind über den Widerstand R11 miteinander verbunden, und die Zellplattenelektrode CP3 ist mit der Zellplattensignalquelle CPD verbunden. Das heißt, die Zellplattenelektrode RCP0 für die Referenzspeicherzellenkondensatoren CR0 und CR1 sind im Zentrum der übrigen Zellplattenelektroden CP0 bis CP3 vorgesehen.

Die Elemente, die innerhalb der in 7 gezeigten ferroelektrischen Speichervorrichtung angeordnet sind, entsprechen auf folgende Weise den Elementen, welche innerhalb des integrierten Halbleiterschaltkreises von 6 angeordnet sind. Die Zellplattenelektroden CP3, CP2, RCP1, CP1 bzw. CP0 entsprechen den Knoten N111, N112, N113, N114 bzw. N115 von 6. Ein Speicherzelle, die aus den Hauptspeicherzellenkondensatoren CC0 und CC1, die mit der Zellplattenelektrode CP0 verbunden sind, und den N-Kanal-Transistoren Qn0 und Qn1 und Speicherzellen, die in dieser Reihe angeordnet, aber nicht in 7 abgebildet sind, besteht, entspricht der Hauptschaltkreiszelle C15 von 6. Auf ähnliche Weise entsprechen die Speicherzellen, die mit der Zellenplatte CP1 verbunden sind, der Hauptschaltkreiszelle C14 von 6. Die Referenzspeicherzellen, die mit der Zellplattenelektrode RCP0 verbunden sind, entsprechen der Referenzschaltkreiszelle RC1 von 6. Auf ähnliche Weise entsprechen die Speicherzellen, die mit den Zellenplatten CP2 und CP3 verbunden sind, den Hauptschaltkreiszellen C12 und C11 von 6.

Bei der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform, wie sie in 7 dargestellt ist, werden, da die Referenzspeicherzellenkondensatoren CR0 und CR1 im Zentrum der Hauptspeicherzellenkondensatoren CC0 bis CC7 vorgesehen sind, Unterschiede in den Verzögerungszeiten eines Signals, welches von der Zellenplattesignalquelle CPD an die Zellplattenelektroden der Hauptspeicherzellenkondensatoren und der Referenzspeicherzellenkondensatoren ausgegeben wird, klein. Dieses beseitigt eine Anordnungsabhängigkeit einer elektrische Ladungsmenge, die nach den Speicherzellen von den Hauptspeicherzellenkondensatoren und von den Referenzspeicherzellenkondensatoren zur Bitleitung BL oder dem XBL gelesen wird. Dies wiederum erlaubt einen stabilen Betrieb mit einer großen Geschwindigkeit, so dass die ferroelektrische Speichervorrichtung in hohem Grade zuverlässig ist und, sogar bei zeitlicher Verschlechterung oder bei Veränderungen zwischen den ferroelektrischen Kondensatoren, nicht ohne weiteres eine Fehlfunktion zeigt.

8 zeigt zeitliche Änderungen in den Signalniveaus an den jeweiligen Knoten im Schaltkreis von 6. In 8 stellt eine Signalniveau-Spannungskurve 13 ein Signalniveau am Knoten N111, eine Signalniveau-Spannungskurve 14 ein Signalniveau am Knoten N115 und eine Signalniveau-Spannungskurve 15 ein Signalniveau am Knoten N113 dar. Kurz: die Signalniveau-Spannungskurve 15, die der Referenzschaltkreiszelle RC1 entspricht, erstreckt sich zwischen den Signalniveau-Spannungskurven 13 und 14, die den größten Verzögerungen unter den Hauptschaltkreiszellen entsprechen. Somit ist ein Unterschied der Verzögerungszeiten zwischen den Referenzschaltkreiszellen und den Hauptschaltkreiszellen kleiner als bei der herkömmlichen Struktur.

<Sechste bevorzugte Ausführungsform>

Nachfolgend wird eine sechste bevorzugte Ausführungsform mit Bezug auf 9 beschrieben.

Wie in 9 gezeigt, ist die Schaltkreisstruktur einer ferroelektrischen Speichervorrichtungs gemäß dem sechste bevorzugten Ausführungsform gleich derjenigen des elektrischen Signalbereitstellungsschaltkreises der ersten bevorzugten Ausführungsform von 1, wobei diese so abgeändert ist, dass die Schaltkreiszelle C12, d. h. eine der sechs Schaltkreiszellen C11 bis C16, durch die Referenzschaltkreiszelle RC1 ersetzt wird, welche eine Referenzspeicherzelle bildet. Die Verhältnisse in Bezug auf Verbindungen zwischen der Signalerzeugungsschaltung SD, den jeweiligen Knoten N111 bis N115 und den Widerständen R111 bis R114 und R121 sind so, wie bereits in Bezug auf dem Schaltkreis gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform beschrieben wurde, die in 1 gezeigt ist.

Bei der sechsten bevorzugten Ausführungsform ist die Signalerzeugungsquelle SD zum Beispiel eine Zellenplattesignalquelle. Bei einem elektrischen Signalbereitstellungsschaltkreis mit einer solchen Struktur, ist eine Verzögerungszeit eines Signals von der Signalerzeugungsquelle SD am größten am Knoten N111 oder N115, während eine Verzögerungszeit eines Signals von der Signalerzeugungsquelle SD am Knoten N113 am kleinsten ist. Eine Verzögerungszeit nimmt am Knoten N112 oder N114 einen mittleren Wert an. Die Widerstandswerte der Widerstände R111 bis R121 oder andere geeignete Werte sind so eingestellt, dass eine Verzögerungszeit eines Signals von der Signalerzeugungsquelle SD zur Referenzschaltkreiszelle RC1, die eine Referenzspeicherzelle bildet, einen Mittelwert zwischen der größten Verzögerungszeit und der kleinsten Verzögerungszeit eines Signal von der Signalerzeugungsquelle SD zu den Hauptschaltkreiszellen C11, C13, C14 und C15, die Hauptschaltkreiszellen bilden, annimmt.

Da die sechste bevorzugte Ausführugsform erfordert, dass die ferroelektrische Speichervorrichtung solch eine Speicheranordnungsstruktur hat, sind Verzögerungszeitunterschiede von der Signalerzeugungsquelle SD zu den jeweiligen Hauptschaltkreiszellen, die die Hauptspeicherzellen bilden, kleiner als bei der fünften bevorzugten Ausführungsform. Da weiter eine Verzögerungszeit von der Signalerzeugungsquelle SD zu der Referenzschaltkreiszelle RC1, welche eine Referenzspeicherzelle bildet, so eingestellt ist, dass sie einen Mittelwert zwischen der größten Verzögerungszeit und der kleinsten Verzögerungszeit eines Signal von der Signalerzeugungsquelle SD zu den Schaltkreiszellen C11, C13, C14 und C15, welche Hauptschaltkreiszellen bilden, annimmt, kann die ferroelektrische Speichervorrichtung bei einer höheren Geschwindigkeit stabil arbeiten.

<Siebte bevorzugte Ausführungsform>

Nachfolgend wird eine bevorzugte siebte Ausführungsform unter Bezugnahme auf 10 beschrieben.

Wie 10 zeigt, ist die bevorzugte Schaltkreisstruktur einer ferroelektrischen Speichervorrichtung gemäß der siebten Ausführungsform gleich dem Schaltkreis zweiten bevorzugteb Ausführungsform, die in 3 gezeigt ist, wobei die zwei Schaltkreiszellen C25 und C26 der sechs Schaltkreiszellen C21 bis C26 durch die Referenzschaltkreiszellen RC1 und RC2 ersetzt werden, welche Referenzspeicherzellen bilden. Verhältnisse in Bezug auf Verbindungen zwischen der Signalerzeugungsquelle SD, den jeweiligen Knoten N211 bis N217 und den Widerständen R211 bis R214, R221 und R222 sind so, wie unter Bezug auf den Schaltkreis gemäß der zweiten bevorzugten Ausführungsform von 3 beschrieben.

Verzögerungszeiten von der Signalerzeugungsquelle SD zu den Referenzschaltkreiszellen RC1 und RC2 sind voneinander verschieden eingestellt. Wenn eine der Schaltkreiszellen C21 bis C24, die die Hauptspeicherzellen bilden, arbeitet, kann eine Referenzschaltkreiszelle, die eine Verzögerungszeit aufweist, die einer Verzögerungszeit eines Signals von der Signalerzeugungsquelle SD zu dieser Schaltkreiszelle am nächsten kommt, ausgewählt werden.

Bei der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform können, da die ferroelektrische Speichervorrichtung eine solche Struktur hat, die in 10 gezeigt ist, Verzögerungszeitunterschiede von der Signalerzeugungsquelle SD zu den jeweiligen Schaltkreiszellen weiter verringert werden, als bei der sechsten bevorzugten Ausführungsform, was ähnlich zur Art und Weise ist, in der die zweite bevorzugte Ausführungsform vorteilhafter als die erste bevorzugte Ausführungsform ist.

Zusätzlich dazu sind die Referenzschaltkreiszellen RC1 und RC2 an einer Mehrzahl von Positionen vorgesehen, und eine der Mehrzahl der Referenzschaltkreiszellen kann abhängig von Positionen gewählt werden, an denen die Schaltkreiszellen, die Hauptspeicherzellen bilden, arbeiten, d. h. abhängig von Verzögerungszeiten. Folglich werden mittels der Schaltkreiszellen, welche die Hauptspeicherzellen bilden, und der Referenzschaltkreiszellen, welche die Referenzspeicherzellen bilden, Verzögerungszeitunterschiede von der Signalerzeugungsquelle SD verringert, und folglich kann die ferroelektrische Speichervorrichtung, die eine besonders große Speicherkapazität und eine lange Signalleitungslänge von der Signalerzeugungsquelle SD hat, stabil bei einer großen Geschwindigkeit arbeiten.

<Achte bevorzugte Ausführungsform>

Nachfolgend wird eine bevorzugte achte Ausführungsform unter Bezugnahme auf die 11 und 12 beschrieben.

Wie in 11 zeigt, umfasst ein bevorzugter elektrischer Signalbereitstellungsschaltkreis gemäß der achten bevorzugten Ausführungsform die Signalerzeugungsquelle SD, eine Signalleitung W310, die über einen Widerstand R310 von der Signalerzeugungsquelle SD wegführt, eine erste Signalleitungsschicht, welche mit der Signalleitung W310 verbunden ist, sieben Schaltkreiszellen C31 bis C37, und eine zweite Signalleitungsschicht, welche mit den Schaltkreiszellen verbunden ist. Zwei Widerstände R311 und R312 sind in der ersten Signalleitungsschicht eingefügt, und sechs Widerstände R321 bis R326 sind in der zweiten Signalleitungsschicht eingefügt. Bei der achten bevorzugten Ausführungsform sind Knoten separat zwischen der ersten Signalleitungsschicht und der zweite Signalleitungsschicht angezeigt. Die erste Signalleitungsschicht wird durch die Widerstände R311 und R312 in drei Knoten N311 bis N313 auggeteilt. Die zweite Signalleitungsschicht wird durch die Widerstände R321 bis R326 in sieben Knoten N321 bis N327 geteilt, die jeweils direkt mit den Schaltkreiszellen C31 bis C37 verbunden sind. Die achte bevorzugte Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, dass sie das Ausbilden von ersten bis dritten Kontakten CT311 bis CT313 zwischen der ersten Signalleitungsschicht und der zweiten Signalleitungsschicht erfordert. Im Detail: der Knoten N311 in der ersten Signalleitungsschicht ist am ersten Kontakt CT311 mit dem Knoten N322 in der zweiten Signalleitungsschicht verbunden, der Knoten N312 in der ersten Signalleitungsschicht ist am ersten Kontakt CT312 mit dem Knoten N323 in der zweiten Signalleitungsschicht verbunden, und der Knoten N313 in der ersten Signalleitungsschicht ist am ersten Kontakt CT313 mit dem Knoten N326 in der zweiten Signalleitungsschicht verbunden. Mit anderen Worten: die Widerstände R311 und R312 sind in der ersten Signalleitungsschicht in Reihe geschaltet und die Widerstände R321 bis R326 sind in der zweiten Signalleitungsschicht, so dass ein Signal über die Mehrzahl der Kontakte an die Mehrzahl von Knoten der zweiten Signalleitungsschicht von der Mehrzahl der Knoten der ersten Signalleitungsschicht, die durch die Widerstände R311 und R312 aufgeteilt sind, ausgegeben wird.

Beim elektrischen Signalbereitstellungsschaltkreis gemäß der achten bevorzugten Ausführungsform wird, da die erste Signalleitungsschicht, in der die Widerstände R311 und R312 angeordnet sind, über die Mehrzahl der Kontakte mit der zweiten Signalleitungsschicht verbunden ist, in der die Widerstände R321 bis R326 angeordnet sind, ein Signal über die Mehrzahl der Kontakte an die jeweiligen Schaltkreiszellen ausgegeben, mit Ausnahme der zwei an den beiden Enden, d. h. über eine Mehrzahl von Pfaden. Folglich werden Verzögerungszeitunterschiede zwischen den jeweiligen Schaltkreisen C31 bis C37 verringert und ein Abstand zur am weitesten von der Signalerzeugungsquelle SD entfernten Schaltkreiszelle ist verkürzt, so dass es möglich ist, sogar die größte Verzögerungszeit zu verkürzen, d. h. eine Verzögerungszeit des Systems.

Weiter ist bei der achten bevorzugten Ausführungsform die Mehrzahl der Kontakte CT311 bis CT313 zwischen der ersten Signalleitungsschicht und der zweiten Signalleitungsschicht ausgebildet, beträgt eine Signalleitungslänge zwischen einem Ende der zweiten Signalleitungsschicht und dem ersten Kontakt CT311, der ihr am nähsten ist, ungefähr die Hälfte einer Signalleitungslänge zwischen dem ersten Kontakt CT311 und dem zweiten Kontakt CT312. Das heißt, von allen Knoten N321, N322, N323, N324, N325, N326 und N327, die in der zweiten Signalleitungsschicht vorgesehen sind, sind die geradzahligen Knoten N322, N324 und N326 mit der ersten Signalleitungsschicht verbunden. Das heißt, wenn die Zahl den Knoten in der zweiten Signalleitungsschicht eine ungerade Zahl (2m + 1; wobei m eine natürliche Zahl ist; m = 3 in dem achten bevorzugte Ausführungsform) ist, so ist m die Anzahl der Kontakte mit der ersten Signalleitungsschicht. Da die Breiten der Signalleitungen gleichmäßig sind, beträgt bei der achten bevorzugten Ausführungsform der Widerstandswert des Widerstandes R321 zwischen dem Ende der zweiten Signalleitungsschicht und dem ersten Kontakt CT311, der ihm am nächsten ist, ist ungefähr Hälfte des Widerstandswertes von jedem der Widerstände R322 und R323 (die zueinander identische Widerstandswerte haben), die zwischen dem ersten Kontakt CT311 und dem zweiten Kontakt CT312 gebildet sind. Das heißt, die Widerstandswerte der Widerstände R321, R322, R323, R324, R325 und R326 sind gleich. Wenn die Signalleitungen in der Breite, d. h. in der Schnittebene, gleich sind, so sind die Schaltkreiszellen in regelmäßigen Abständen angeordnet. So ist das Layout vereinfacht, was im praktischen Prozess vorteilhaft ist.

Nachfolgend zeigt 12 einen Schaltplan einer Speicherzellenanordnung einer ferroelektrischen Speichervorrichtung mit der in 11 gezeigten Schaltkreisstruktur. Anders als beim Beispiel, das in 7 gezeigt wurde, zeigt die bevorzugte achte nur die Hauptspeicherzellen und lässt die Referenzspeicherzellen weg. Allerdings sind die Referenzspeicherzellen in anderen Teilen in dieser Anordnung vorgesehen. Weiter gibt es, ohne dass dies erwähnt werden müsste, eine Anzahl von anderen Anordnungen, obgleich 12 nur eine Anordnung zeigt. In 12 ist der Zusammenhang zwischen Bezugszeichen und den Namen der Elemente wie nachfolgend angegeben. WL0 bis WL13 bezeichnen Wortleitungen, BL und XBL bezeichnen ein ein Paar Bitleitungen zum Bereitstellen eines nicht-invertierten Bitleitungssignals bzw. eines invertierten Bitleitungssignals, CP0 bis CP6 bezeichnen Zellplattenelektroden, CPD bezeichnet eine Zellenplattensignalbereitstellungsquelle (oder kurz: Zellenplattensignalquelle), welche als eine Signalquelle dient, SA bezeichnet einen Leseverstärker, CC0 bis CC13 bezeichnen Hauptspeicherzellenkondensatoren, die aus einem ferroelektrischen Material gebildet sind, und Qn0 bis Qn13 bezeichnen N-Kanal Transistoren. In 12 umfassen andere Anordnungen ebenso Speicherzellen, die aus Paaren mit zwei Speicherkondensatoren und zwei N-Kanal Transistoren bestehen. Jede Zellplattenelektrode CP erstreckt sich entlang der Reihe, um die Speicherzellen, die bei der Speicherzellenanordnung von 12 in Reihe angeordnet sind, miteinander zu verbinden.

Wie in 12 gezeigt, ist die ferroelektrische Speichervorrichtung gemäß der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform in der unten beschriebenen Art und Weise ausgebildet. Die Bitleitungen BL und XBL sind mit denn Leseverstärker SA verbunden. Eine der Elektroden der Hauptspeicherzellenkondensatoren CC0 bis CC13 ist über die N-Kanal-Transistoren Qn0 bis Qn13 jeweils mit der Bitleitung BL oder XBL verbunden, und Gates der N-Kanal-Transistoren Qn0 bis Qn13 sind jeweils mit den Wortleitungen WL0 bis WL13 verbunden. Weiter dienen die anderen Elektroden des Paares der Hauptspeicherzellenkondensatoren CC0 und CC1 und des Paares der Hauptspeicherzellenkondensatoren CC2 und CC3, etc., als gemeinsame Zellplattenelektroden CP0, CP1, ... . Die Zellplattenelektroden CP0 und CP1 sind miteinander über den Widerstand R326 verbunden, die Zellplattenelektroden CP1 und CP2 sind miteinander über den Widerstand R325 verbunden, die Zellplattenelektroden CP2 und CP3 sind miteinander über den Widerstand R324 verbunden, die Zellplattenelektroden CP3 und CP4 sind miteinander über den Widerstand R323 verbunden, die Zellplattenelektroden CP4 und CP5 sind miteinander über den Widerstand R322 verbunden, und die Zellplattenelektroden CP5 und CP6 sind miteinander über den Widerstand R321 verbunden. Die Kontakte CT311 bis CT313 sind für jede übernächste Zellplattenelektrode CP5, CP3, CP1 ausgebildet, wobei von der ersten Signalleitungsschicht an gezählt wird.

Bei der ferroelektrischen Speichervorrichtung, die in 12 gezeigt ist, entsprechen die Speicherzellen, welche in den Reihen geordnet sind, die mit den Zellplattenelektroden CP0 bis CP6 verbunden sind, den Schaltkreiszellen C31 bis C37 von 11.

Da die ferroelektrische Speichervorrichtung gemäß der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform eine solche Struktur hat, wie in den 11 und 12 gezeigt ist, ist es möglich, Verzögerungszeitunterschiede zwischen den Hauptspeicherzellen in den Speicherzellenanordnungen so stark wie möglich zu verringern.

<Neunte bevorzugte Ausführungsform>

Nachfolgend wird eine bevorzugte neunte Ausführungsform unter Bezugnahme auf 13 beschrieben.

Wie in 13 gezeigt ist, umfasst ein bevorzugter elektrischer Signalbereitstellungsschaltkreis gemäß der neunten Ausführungsform die Signalerzeugungsquelle SD, eine Signalleitung W410, die von der Signalerzeugungsquelle SD über einen Widerstand R410 wegführt, eine erste Signalleitungsschicht, die mit der Signalleitung W410 verbunden ist, eine Anzahl von Schaltkreiszellen einschließlich dreier Schaltkreiszellen C41 bis C43 und eine zweite Signalleitungsschicht, die zwischen den jeweiligen Schaltkreiszellen geschaltet ist. Zwei Widerstände R411 und R412 sind in der ersten Signalleitungsschicht eingefügt, und vier Widerstände R421 bis R424 sind in der zweiten Signalleitungsschicht eingefügt. Die erste Signalleitungsschicht ist über die Widerstände R411 und R412 in drei Knoten N411 bis N413 aufgeteilt. Die zweite Signalleitungsschicht ist über die Widerstände R421 bis R424 in fünf Knoten N421 bis N425 aufgeteilt. Die neunte bevorzugte Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, dass sie erfordert, dass der Knoten N411 in der ersten Signalleitungsschicht an einem ersten Kontakt CT411 mit dem Knoten N422 in der zweiten Signalleitungsschicht verbunden ist und der Knoten N413 in der ersten Signalleitungsschicht an einem zweiten Kontakt CT412 mit dem Knoten N424 in der zweiten Signalleitungsschicht verbunden ist. Jedoch wird kein Kontakt zwischen dem zentralen Knoten N412 in der ersten Signalleitungsschicht und dem Knoten N423 in der zweiten Signalleitungsschicht ausgebildet.

Weiter erfordert die neunte bevorzugte Ausführungsform, dass die Widerstandswerte r22 und r23 der zwei Widerstände R422 und R423, die in einem Pfad geordnet sind, der mit der Schaltkreiszelle C42 verbunden ist, die eine elektrische Ladung (d. h. Signal) aus zwei Richtungen empfängt, gemäß folgender Beziehung (1) eingestellt werden, wobei der Widerstandswert r21 des Widerstandes R421, der in einem Pfad angeordnet ist, der mit der Schaltkreiszelle C41 verbunden ist, die eine elektrische Ladung nur aus einer Richtung empfängt: r21 : r22 (= r23) = 1 : 21/2 (1)

Eine ähnliche Beziehung besteht zwischen dem Widerstandswert des Widerstandes R424, der in einem Pfad geordnet ist, der mit der Schaltkreiszelle C43 verbunden ist, die am anderen Endabschnitt vorgesehen ist, und den Widerstandswerten der zwei Widerstände R422 und R423, die in einem Pfad geordnet sind, der mit der zentralen Schaltkreiszelle C42 verbunden ist. Dabei sind der Widerstandswert des Widerstandes R411 und der Widerstandswert des Widerstandes R412 so eingestellt, dass sie einander gleich sind. Die Einstellung in dieser Weise ermöglicht es, dass die Verzögerungszeiten zu den Schaltkreiszellen C41 und C42 gleich sind. Dies wird im nachfolgend beschrieben. Wenn die Kapazitäten der Schaltkreiszellen C41 und C42 gleich CA1 sind, erhält man aus der durch Gleichung (2) ausgedrückt Beziehung unter der Annahme, dass Signalverzögerungszeiten von der ersten Signalleitungsschicht zu diesen zwei Schaltkreiszellen gleich sind, die oben angegebene Gleichung (1): r21 × &agr;·r21·CA = (r22/2)·r22·CA (2)

Da die neunte bevorzugte Ausführungsform erfordert, dass die Werte wie oben beschrieben eingestellt werden, wird eine Struktur, die als Ganzes kleine Verzögerungszeitunterschiede aufweist, erreicht. Weiter ist es, wie bei der zuvor beschriebenen achten bevorzugten Ausführungsform, möglich, sogar das größte Verzögerungszeit, d. h. Verzögerungszeit des Systems, deutlich zu verkürzen, da ein Abstand von der am weitesten von der Signalerzeugungsquelle SD entfernten Schaltkreiszelle verkürzt ist. Nur wenn der Widerstandswert des Widerstandes R422 größer als der Widerstandswert des Widerstandes R421 ist, ist Verringerungseffekt bei den Verzögerungszeitunterschieden zwischen den Schaltkreiszellen C41 und C42 gewährleistet.

Obgleich nicht in 13 gezeigt, kann die bevorzugte die Struktur gemäß der neunten Ausführungsform kann an die Struktur der Speicherzellenanordnung der ferroelektrischen Speichervorrichtung von 12 angewandt werden, was nicht erwähnt werden muss.

Wo eine Mehrzahl von Kontakten zwischen der ersten Signalleitungsschicht und der zweiten Signalleitungsschicht ausgebildet ist, ist die Methode des Anordnens der Kontakte nicht auf die oben in Bezug auf die neunte bevorzugte Ausführungsform beschriebene eingeschränkt.

<Zehnte bevorzugte Ausführungsform>

Nachfolgend wird eine zehnte bevorzugte Ausführungsform mit Bezug auf 14 beschrieben.

Wie in 14 ist, umfasst ein elektrischer Signalbereitstellungsschaltkreis gemäß der zehnten bevorzugte Ausführungsform die Signalerzeugungsquelle SD, eine Signalleitung W510, die von der Signalerzeugungsquelle SD über einen Widerstand R510 wegführt, eine erste Signalleitungsschicht, die mit der Signalleitung W510 verbunden ist, eine Anzahl von Schaltkreiszellen einschließlich dreier Schaltkreiszellen C51 bis C53 und eine zweite Signalleitungsschicht, die zwischen den jeweiligen Schaltkreiszellen geschaltet ist. Vier Widerstände R511 bis R514 sind in der ersten Signalleitungsschicht eingefügt, und vier Widerstände R521 bis R524 sind in der zweiten Signalleitungsschicht eingefügt. Bei der zehnten bevorzugten Ausführungsform sind Knoten separat zwischen der ersten Signalleitungsschicht und der zweiten Signalleitungsschicht wiedergegeben. Die erste Signalleitungsschicht ist über die Widerstände R511 bis R514 in fünf Knoten N511 bis N515 aufgeteilt. Die zweite Signalleitungsschicht ist über die Widerstände R521 bis R524 in fünf Knoten N521 bis N525 aufgeteilt. Die zehnte bevorzugte Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, dass sie erfordert, dass erste bis vierter Kontakten CT511 bis CT514 zwischen der ersten Signalleitungsschicht und der zweiten Signalleitungsschicht ausbildet werden. Genauer: der Knoten N511 in der ersten Signalleitungsschicht ist am ersten Kontakt CT511 mit dem Knoten N521 in der zweiten Signalleitungsschicht verbunden, der Knoten N512 in der ersten Signalleitungsschicht ist am zweiten Kontakt CT512 mit dem Knoten N522 in der zweiten Signalleitungsschicht verbunden, der Knoten N514 in der ersten Signalleitungsschicht ist am dritten Kontakt CT513 mit dem Knoten N524 in der zweiten Signalleitungsschicht verbunden, und der Knoten N515 in der ersten Signalleitungsschicht ist am vierten Kontakt CT514 mit dem Knoten N525 in der zweiten Signalleitungsschicht verbunden. Allerdings ist kein Kontakt zwischen dem zentralen Knoten N513 in der ersten Signalleitungsschicht und dem Knoten N523 in der zweiten Signalleitungsschicht gebildet. Mit anderen Worten: die Struktur des elektrischen Signalbereitstellungsschaltkreises gemäß der zehnten bevorzugten Ausführungsform ist gleich der Struktur gemäß der neunten bevorzugten Ausführungsform, die oben beschrieben wurde, wobei als einzige Modifikation zusätzlich über die Widerstände Kontakte an den Knoten an den beiden Enden der zweiten Signalleitungsschicht gebildet werden.

Da bei der zehnten bevorzugten Ausführungsform die Schaltkreiszelle C51, die am Ende vorgesehen ist (und auch die Schaltkreiszelle C53), und die Schaltkreiszelle C52, die in der Mitte vorgesehen ist, eine elektrische Ladung aus zwei Richtungen empfangen, wenn der zusammengesetzte Widerstandswert der Widerstände R511 und R521 gleich dem zusammengesetzten Widerstandswert der Widerstände R512 und R522 eingestellt ist, sind Verzögerungszeiten zu den beiden Schaltkreiszellen gleich groß eingestellt. Die Widerstandswerte der Widerstände R512 und R513 sind gleich.

Folglich realisiert die zehnte bevorzugte Ausführungsform ebenso eine Struktur, die als Ganzes kleine Verzögerungszeitunterschiede aufweist. Insbesondere erlaubt die Struktur gemäß der zehnten bevorzugten Ausführungsform, verglichen mit der neunten bevorzugten Ausführungsform, ein einfacheres Anpassen der Widerstandswerte der jeweiligen Widerstände. Weiter ist es möglich, wie bei der oben beschriebenen achten bevorzugten Ausführungsform, da ein Abstand zur am weitesten von der Signalerzeugungsquelle SD verkürzt ist, sogar die größte Verzögerungszeit, d. h. Verzögerungszeit des Systems, stark zu verkürzen.

Obgleich nicht in 14 gezeigt, kann die Struktur gemäß der zehnten bevorzugten Ausführungsform an die Struktur der Speicherzellenanordnung der ferroelektrischen Speichervorrichtung von 12 angewandt werden, was unnötig zu erwähnen ist.

In dem Fall, dass eine Mehrzahl von Kontakten zwischen der ersten Signalleitungsschicht und der zweiten Signalleitungsschicht gebildet ist, ist das Verfahren des Anordnens der Kontakte nicht auf diejenige eingeschränkt, begrenzt, die oben in Bezug zur zehnten bevorzugten Ausführungsform beschrieben wurde.


Anspruch[de]
  1. Elektrischer Signalbereitstellungsschaltkreis umfassend:

    eine Mehrzahl von Schaltkreiszellen (C21...C26; C31...C37; C41...C43; C51...C53);

    eine elektrische Signalerzeugungsquelle (SD) zur Erzeugung eines Signals, das jeder der Schaltkreiszellen zuzuführen ist, und

    eine Signalleitung, die von der elektrischen Signalerzeugungsquelle (SD) so geführt ist, dass mit jeder Schaltkreiszelle verbunden ist, wobei die Signalleitung in einer hierarchischen Anordnung verzweigt ist und an der Spitze mit jeder der Schaltkreiszellen verbunden ist, wobei eine erste Hierarchieebene der Signalleitung mit der elektrischen Signalerzeugungsquelle (SD) verbunden ist und eine zweite Hierarchieebene an einem Verzweigungspunkt (N217) von der ersten Hierarchieebene verzweigt ist und an der Spitze mit jeder der Schaltkreiszellen (C21...C26) verbunden ist,

    dadurch gekennzeichnet, dass

    ein Widerstandswert in der Signalleitung von der elektrischen Signalerzeugungsquelle (SD) zu dem Verzweigungspunkt (N217; N412; N513) in der ersten Hierarchieebene kleiner ist als ein Widerstandswert in der Signalleitung zwischen den Schaltkreiszellen in der zweiten Hierarchieebene.
  2. Elektrischer Signalbereitstellungsschaltkreis nach Anspruch 1, wobei Spitzenabschnitte in der zweiten Hierarchieebene mit den Schaltkreiszellen (C21...C26) über Widerstände (R01...R06) verbunden sind.
  3. Elektrischer Signalbereitstellungsschaltkreis nach Anspruch 2, wobei Widerstandswerte der Widerstände (R01...R06) größer als ein Widerstandswert in der Signalleitung von der elektrischen Signalerzeugungsquelle (SD) zu dem Abzweigungspunkt (N217) in der ersten Hierarchieebene und als ein Widerstandswert in der Signalleitung zwischen den Schaltkreiszellen (C21...C26) in der zweiten Hierarchieebene ist.
Es folgen 9 Blatt Zeichnungen






IPC
A Täglicher Lebensbedarf
B Arbeitsverfahren; Transportieren
C Chemie; Hüttenwesen
D Textilien; Papier
E Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Physik
H Elektrotechnik

Anmelder
Datum

Patentrecherche

Patent Zeichnungen (PDF)

Copyright © 2008 Patent-De Alle Rechte vorbehalten. eMail: info@patent-de.com