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Dokumentenidentifikation DE69728681T2 14.04.2005
EP-Veröffentlichungsnummer 0000931186
Titel Verfahren und Vorrichtung zur epiktaktischem Wachsen von Objekten
Anmelder OKMETIC OYJ, Vantaa, FI
Erfinder KORDINA, Olle, S-590 52 Sturefors, SE;
ELLISON, Alex, S-582 53 Linköping, SE;
GU, Chun-Yuan, S-722 46 Väster s, SE;
JANZ N, Erik, S-590 30 Borensberg, SE;
HALLIN, Christer, S-583 31 Linköping, SE;
TUOMINEN, Marko, S-582 51 Linköping, SE
Vertreter Meissner, Bolte & Partner GbR, 80538 München
DE-Aktenzeichen 69728681
Vertragsstaaten AT, DE, FI, FR, GB, IT, SE
Sprache des Dokument EN
EP-Anmeldetag 25.09.1997
EP-Aktenzeichen 979442449
WO-Anmeldetag 25.09.1997
PCT-Aktenzeichen PCT/SE97/01612
WO-Veröffentlichungsnummer 0098014643
WO-Veröffentlichungsdatum 09.04.1998
EP-Offenlegungsdatum 28.07.1999
EP date of grant 14.04.2004
Veröffentlichungstag im Patentblatt 14.04.2005
IPC-Hauptklasse C30B 25/14

Beschreibung[de]
TECHNISCHES GEBIET DER ERFINDUNG UND STAND DER TECHNIK

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum epitaxialen Aufwachsen von Objekten aus einem von a) SiC, b) einem Nitrid der Gruppe III und c) Legierungen davon durch chemisches Aufdampfen auf ein Substrat, wobei die Vorrichtung folgendes aufweist: einen Sekundärzylinder, der Umfangswandungen hat, die einen Raum zur Aufnahme des Substrats umgeben, eine Einrichtung zum Zuführen eines Stroms aus mindestens einem Trägergas und reaktionsfähigen Gasen, die für das Aufwachsen notwendig sind, in den Sekundärzylinder in Richtung zu dem Substrat, und eine Einrichtung zum Erwärmen der Umfangswandungen und somit des Substrats und der reaktionsfähigen Gase über ein Temperaturniveau, von dem aus die reaktionsfähigen Gase beginnen, sich in Substanzen zu zersetzen, die sich auf dem Substrat zum Aufwachsen eines genannten Objekts absetzen, wobei die Zuführeinrichtung eine Leitung aufweist, die in den genannten Raum austritt, sowie ein Verfahren zum epitaxialen Aufwachsen solcher Objekte nach dem Oberbegriff des beigefügten unabhängigen Verfahrensanspruchs.

Die Erfindung ist also beim Aufwachsen von SiC, Nitriden der Gruppe III und Legierungen davon anwendbar; ein allgemeines Problem beim Aufwachsen solcher Objekte mit hoher kristalliner Güte und mit einer angemessenen Wachstumsrate aus großtechnischer Sicht wird jedoch nachstehend mit Hilfe eines nicht einschränkenden Beispiels für SiC näher erläutert.

Beim Aufwachsen von SiC-Einkristallen mit einer angemessenen Wachstumsrate muß die Temperatur, auf die das Substrat und die reaktionsfähigen Gase, beispielsweise Silan und Propan, erwärmt werden, ziemlich hoch sein, und bevorzugt wird die sogenannte chemische Hochtemperatur-Aufdampftechnik (High Temperature Chemical Vapour Deposition = HTCVD), die in dem US-Patent 5 704 985 (die der SE-Patentanmeldung 9502288-5 der Anmelderin entspricht) angewandt. Derartig hohe Temperaturen bewirken jedoch eine vorzeitige Zersetzung der reaktionsfähigen Gase, insbesondere von Silan, in der Leitung nahe deren Einlaß in den Raum einer Vorrichtung, wie sie vorstehend definiert und beispielsweise in dem US-Patent 5 704 985 beschrieben ist. Eine solche vorzeitige Zersetzung verursacht nach einiger Zeit ein Zusetzen der Leitung, so daß das Aufwachsen früher als gewünscht unterbrochen werden muß. Ferner kommt es zu Unregelmäßigkeiten in dem Strom der reaktionsfähigen Gase in Richtung zu dem Substrat, wenn der Querschnitt des freien Durchgangs der Leitung während des Aufwachsen allmählich verringert wird.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Lösung des vorstehend erläuterten Problems anzugeben, indem eine Vorrichtung und ein Verfahren bereitgestellt werden, die das epitaxiale Aufwachsen von Objekten aus SiC, einem Nitrid der Gruppe III oder Legierungen davon mit einer hohen Wachstumsrate ermöglichen, während gleichzeitig immer noch eine hohe kristalline Güte des aufgewachsenen Objekts erhalten wird und es möglich ist, das Aufwachsen so lange auszuführen, bis ein Objekt der gewünschten Größe aufgewachsen ist.

Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung gelöst, indem eine in der Einleitung definierte Vorrichtung versehen ist mit: einer Zuführeinrichtung, die ferner eine zusätzliche zweite Leitung aufweist, die in der erstgenannten ersten Leitung aufgenommen ist, einen kleineren Querschnitt als die erste Leitung hat und in der Längsrichtung der ersten Leitung mit einem umfangsmäßigen Abstand verläuft, der sie von Innenwandungen der ersten Leitung trennt, wobei die Zuführeinrichtung so ausgebildet ist, daß die erste Leitung im wesentlichen nur ein Trägergas führen kann und die zweite Leitung im wesentlichen den Gesamtstrom von reaktionsfähigen Gasen führen kann, und wobei die zweite Leitung – in Richtung der genannten Ströme gesehen – in einer Distanz von dem genannten Raum endet und in die erste Leitung eintritt. Diese Distanz ist so gewählt, daß die reaktionsfähigen Gase keine so hohe Temperatur im Inneren der zweiten Leitung erreichen, daß sie sich darin zersetzen. Die reaktionsfähigen Gase sind also von dem Hauptstrom des Trägergases getrennt (die zweite Leitung kann eventuell auch kleinere Trägergasmengen führen, um die Geschwindigkeit des darin befindlichen Stroms zu erhöhen). Aufgrund der Tatsache, daß die zweite Leitung in einer Distanz von dem Raum endet, wird sie nicht so heiß, daß eine Gefahr der Zersetzung von reaktionsfähigen Gasen darin und des Zusetzens der zweiten Leitung besteht. Ferner ist aufgrund des Umfangsraums der Strom von reaktionsfähigen Gasen, der aus der zweiten Leitung austritt, in der kritischen Zusetzzone von dem Trägergasstrom in der Leitung umgeben, und tendiert dazu, sich weiter geradeaus zu bewegen, als ob die zweite Leitung immer noch vorhanden wäre, ohne sich mit dem Trägergasstrom erheblich zu vermischen. Der Trägergasstrom isoliert also mindestens teilweise den Strom von reaktionsfähigen Gasen thermisch gegenüber der heißen Wandung der ersten Leitung, so daß die Temperatur in diesem Teil der ersten Leitung, in dem die reaktionsfähigen Gase strömen, niedriger ist. Diese Tatsache wirkt einer vorzeitigen Zersetzung der reaktionsfähigen Gase in der ersten Leitung vor deren Einlaß in den Raum entgegen, und wenn eine solche Zersetzung doch aufträte, müssen die zersetzten Gase einen langen Weg zurücklegen, um durch den Trägergasstrom zu diffundieren, um die Innenwand der ersten Leitung zu erreichen, und erreichen daher nur in einem geringen Ausmaß die genannte Wandung, so daß ein Zusetzen des Bereichs der ersten Leitung, der dem Raum an nächsten ist, vermieden wird oder auf jeden Fall nach einer viel längeren Zeit als bei bekannten Vorrichtungen resultiert. Ein weiterer Vorteil dieser Vorrichtung ist, daß die reaktionsfähigen Gase, insbesondere Silan, im Fall des Aufwachsens von SiC nicht durch eine erhebliche Zersetzung und ein Absetzen vor ihrem Eintreten in den Sekundärzylinder verschwendet werden, so daß auch in diesem Sinn eine bessere Wirtschaftlichkeit erzielt wird.

Nach einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung hat die erste Leitung einen Querschnitt, der in dem Bereich, in dem die zweite Leitung in die erste Leitung austritt, vergrößert ist und von diesem Bereich ausgehend in Richtung des Raums abnimmt. Dies ist ein sehr vorteilhaftes Merkmal, durch das eine beträchtliche Verlängerung der Zeitdauer möglich ist, während der die Vorrichtung zum Aufwachsen verwendet werden kann, bis eventuell ein Zusetzen des Einlasses erfolgt, und zwar auch dann, wenn das Objekt mit einer hohen Wachstumsrate aufwächst. Wie erwähnt, zersetzt sich ein Bruchteil der reaktionsfähigen Gase doch in der ersten Leitung vor Erreichen des Raums und tendiert dazu, sich an deren Innenwandung abzusetzen. Solche Ablagerungen treten im wesentlichen nur innerhalb eines bestimmten Temperaturbereichs der reaktionsfähigen Gase auf, welcher der Temperatur entspricht, die diese Gase nahezu unmittelbar an der Abstromseite ihres Eintritts in die erste Leitung erreichen, also in dem genannten Bereich, und in dem Abstand an der Abstromseite davon haben sie wiederum diesen kritischen Temperaturbereich überschritten, so daß sich ein Ablagerungsring in der ersten Leitung in diesem Bereich bildet. Durch Vergrößern des Querschnitts in diesem Bereich und Verkleinern desselben von diesem Bereich ausgehend in Richtung des Raums wird der äußere Trägergasstrom, der entlang den Wandungen der ersten Leitung geführt wird, in diesem Bereich beschleunigt, während er durch einen Bereich dieser Leitung hindurchgeht, der einen abnehmenden Querschnitt hat, so daß dieser Strom bei Erreichen des kritischen Bereichs, in dem parasitäre Ablagerungen auftreten können, einige Arten der reaktionsfähigen Gase zur Mitte zurückdrängt. Die Nettomenge der Arten von den zersetzten reaktionsfähigen Gasen, die die erwärmten Wandungen der ersten Leitung erreichen, wird geringer. Ferner wird das Erwärmen der Innenwandungen der ersten Leitung in diesem Bereich durch eine Strahlungsabschirmwirkung und durch eine Nettoabnahme von Leitungswärmeübertragung pro Volumeneinheit gesenkt, da der Querschnitt der ersten Leitung näher an dem Raum kleiner ist als in dem Bereich. Außerdem dauert es auch länger, bis die erste Leitung zugesetzt ist, einfach weil ihr Querschnitt in diesem Bereich größer ist.

Nach einer anderen bevorzugten Ausführungsform der Erfindung hat die erste Leitung Innenwandungen, die von dem Bereich aus konvergieren. Man hat gefunden, daß dies eine geeignete Möglichkeit ist, den abnehmenden Querschnitt zu erhalten. Die Wandungen können auf jede gewünschte Weise konvergieren, wie etwa linear, exponentiell oder gemäß irgendeiner anderen Funktion.

Nach einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung hat die erste Leitung einen Querschnitt, der ausgehend von dem Bereich in Richtung des Raums bis zu einer ersten Stelle an der Aufstromseite des Raums abnimmt, und hat ausgehend von dieser Stelle bis zu dem Raum einen im wesentlichen konstanten Querschnitt hat, was die Erwärmung der Innenwandungen der ersten Leitung an der Aufstromseite dieser Stelle durch eine Strahlungsabschirmwirkung und durch eine Nettoabnahme von Leitungswärmeübertragung pro Volumeneinheit reduziert.

Nach einer anderen bevorzugten Ausführungsform der Erfindung nimmt der Querschnitt der ersten Leitung von einer zweiten Stelle an der Abstromseite des Bereichs und zu dem Raum zu, so daß die Öffnung in den Raum als Diffusor geformt ist und sich die reaktionsfähigen Gase auf eine Weise ausbreiten, die unter gewissen Umständen erwünscht ist.

Nach einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist diese eine Einrichtung auf, die so ausgebildet ist, daß sie die Innenwandungen eines ersten Wandbereichs der ersten Leitung nahe dem Bereich an der Aufstromseite davon kühlt und daß Wandbereiche der ersten Leitung an der Abstromseite des ersten Wandbereichs aus einem Material mit einer Wärmeleitfähigkeit bestehen, die die Wärmeübertragung von dem erwärmten Sekundärzylinder nutzt, um entlang Wandungen der ersten Leitung in dem genannten Bereich einen Temperaturgradienten zu erzielen, der so steil wie möglich ist. Dies bedeutet, daß der Temperaturgradient in der ersten Leitung in dem Bereich sehr steil ist, was bedeutet, daß die reaktionsfähigen Gase sehr stark erwärmt werden, wenn sie aus der inneren zweiten Leitung austreten, und aufgrunddessen durch freie Konvektion beschleunigt werden und den Bereich, der für parasitäre Ablagerungen kritisch ist, so rasch wie möglich passieren. Ferner gestattet die Anwesenheit eines steilen Temperaturgradienten, den kritischen Bereich als unmittelbar abstromseitig davon zu definieren, so daß Ablagerungen in einem Teil der ersten Leitung mit großem Querschnitt auftreten, wo sie unschädlich sind, und nicht in dem Ende des Leitungsteils mit abnehmendem Querschnitt, wo sie zu einem raschen Zusetzen führen würden.

Nach einer anderen bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind die erste und die zweite Leitung in bezug aufeinander zumindest nahe dem genannten Raum konzentrisch angeordnet. Eine solche gegenseitige Anordnung der zwei Leitungen ist vorteilhaft, da dann der kürzeste Abstand zwischen der zweiten Leitung und den Innenwandungen der ersten Leitung maximal ist, und dadurch ist der oben erwähnte Vorteil der Erfindung so groß wie möglich.

Nach einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung haben die Leitungen eine im wesentlichen vertikale Erstreckung, ist eine im wesentlichen vertikale Wand des Raums zum Tragen des Substrats ausgebildet und hat der Raum einen Gasauslaß, der in seiner Decke im wesentlichen dem Einlaß gegenüberliegend angeordnet ist. Durch Ausbildung einer sogenannten Schornsteinreaktorkonfiguration ist ein Aufwachsen hoher Güte erhältlich. Diese Konfiguration der Vorrichtung ermöglicht ferner, eine Vielzahl von Substraten für das Aufwachsen eines Objekts darauf an den im wesentlichen vertikalen Wänden des Raums anzuordnen, so daß die Aufwachskapazität vervielfacht wird, und es können aufgrund einer Geometrie, die für höhere Temperaturen bei geringen Trägergasströmen zweckmäßig ist, auch höhere Wachstumsraten erzielt werden.

Nach einer anderen bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist die Vorrichtung zum Aufwachsen von Objekten aus SiC ausgebildet, und die Heizeinrichtung ist so angeordnet, daß sie die reaktionsfähigen Gase so erwärmt, daß deren Temperatur nach dem Eintritt in die erste Leitung, jedoch vor dem Eintritt in den Raum über 500°C ansteigt. Dies ist vorteilhaft, da die reaktionsfähigen Gase, insbesondere Silan, wenn es verwendet wird, beginnen, sich bei 500°C zu zersetzen, und man muß vermeiden, daß dies in der zweiten Leitung stattfindet. Es ist jedoch unmöglich zu vermeiden, daß dies geschieht, bevor die reaktionsfähigen Gase den Raum erreichen, da anderenfalls die Temperatur in dem Raum viel zu niedrig wäre, um eine hohe Wachstumsrate zu erzielen. Nach einer weiteren bevorzugten Ausführungsform, die eine Weiterentwicklung der zuletztgenannten Ausführungsform darstellt, ist die Heizeinrichtung so angeordnet, daß sie die reaktionsfähigen Gase so erwärmt, daß deren Temperatur in dem Bereich der ersten Leitung mit abnehmendem Querschnitt in dem am weitesten aufstromseitigen Teil dieses Bereichs über 500°C ansteigt. Dies wird stark bevorzugt, da der Ablagerungsring, der hauptsächlich von Si-Spezies gebildet wird, dadurch dort liegt, wo der Querschnitt sehr groß ist, und ein mögliches Zusetzen der Leitung sehr lang dauert.

Ein Verfahren nach der Erfindung und bevorzugte Ausführungsformen sind in den beigefügten Verfahrensansprüchen definiert, und die Vorteile der Merkmale dieser Ansprüche ergeben sich aus der vorstehenden Erläuterung; hier sei nur hinzugefügt, daß bei einer bevorzugten Ausführungsform das Trägergas in die erste Leitung im wesentlichen mit der gleichen Geschwindigkeit wie diejenige des Stroms von reaktionsfähigen Gasen in der zweiten Leitung zugeführt wird, und daß es sich herausgestellt hat, daß die Wahl von im wesentlichen der gleichen Geschwindigkeit beider Ströme zu einem optimalen Ergebnis bei minimalem Vermischen der zwei Ströme jenseits des Endes der zweiten Leitung führt, so daß die reaktionsfähigen Gase sich in der Verlängerung der zweiten Leitung weiterbewegen, die von dem Trägergasstrom, der im wesentlichen keinerlei reaktionsfähige Gase enthält, umgeben ist.

Weitere bevorzugte Merkmale und Vorteile der Vorrichtung und des Verfahrens nach der Erfindung ergeben sich aus der nachstehenden Beschreibung und den anderen Unteransprüchen.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen folgt nachstehend eine spezielle Beschreibung von bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung, die als Beispiele angegeben sind.

Die Zeichnungen zeigen in:

1 eine Querschnittsansicht in Längsrichtung einer bekannten Vorrichtung von dem in dem US-Patent 5 704 985 beschriebenen Typ zum Aufwachsen von Objekten durch chemisches Aufdampfen,

2 eine vergrößerte Ansicht des Gaseinlaßteils des Sekundärzylinders in einer Vorrichtung von dem in 1 gezeigten Typ gemäß einer ersten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung,

3 eine in bezug auf 2 vergrößerte Ansicht des Bereichs, wo die zweite Leitung in die erste Leitung des Gaseinlaßteils von 2 eintritt,

4 eine 3 entsprechende Ansicht des Gaseinlaßteils einer Vorrichtung gemäß einer zweiten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung,

5 eine Schnittansicht einer Vorrichtung gemäß einer dritten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung,

6 eine den 3 und 4 entsprechende Ansicht des Gaseinlaßteils des Sekundärzylinders in einer Vorrichtung gemäß einer vierten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung, und

7 eine vereinfachte Ansicht einer Vorrichtung gemäß einer fünften bevorzugten Ausführungsform der Erfindung.

GENAUE BESCHREIBUNG EINER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM DER ERFINDUNG

1 zeigt schematisch eine Vorrichtung von dem in dem US-Patent 5 704 985 beschriebenen Typ, diese wird aber dennoch hier erläutert, da die Vorrichtung nach der Erfindung die gleiche grundsätzliche Ausbildung wie diese Vorrichtung haben kann und sich davon nur durch spezielle Charakteristiken unterscheidet, die in der vorliegenden Erfindung definiert sind. Diese Vorrichtung ist zum epitaxialen Aufwachsen von SiC durch chemisches Aufdampfen auf einem SiC-Substrat geeignet. Die Vorrichtung ist vereinfacht gezeigt, und es ist offensichtlich, daß die betreffende Vorrichtung auch andere Einrichtungen wie etwa Pumpen aufweist; herkömmliche Einrichtungen, die mit der Aufgabe der Erfindung nichts zu tun haben, sind jedoch aus Gründen der Klarheit und der Konzentration auf die Erfindung weggelassen.

Diese Vorrichtung weist ein Gehäuse 1 auf, das aus einem sich im wesentlichen vertikal erstreckenden Rohr 2 aus Quarz und zwei einander gegenüberliegenden Endflanschen 3 und 4 gebildet ist. Der Endflansch 4 ist bevorzugt abnehmbar, so daß Zugang zu dem Innenraum des Rohrs 2 möglich ist. Eine Leitung 5 zum Zuführen eines Stroms aus einem Trägergas und reaktionsfähigen Gasen, bevorzugt Silan und Propan, für das Aufwachsen auf das Substrat ist durch den unteren Endflansch 3 hindurch eingeführt. Die Leitung 5 ist mit separaten Leitungen 20 bis 23 verbunden, die zu Quellen verschiedener Gase für das Aufwachsen, wie etwa Silan und Propan, und das Trägergas führen, und diese Leitungen sind mit nicht gezeigten Durchflußreguliereinrichtungen zum Regulieren des Anteils jeder Komponente in dem Gasstrom in der Leitung 5 verbunden. Die Leitungen 20 bis 23 sind in 1 aus Gründen der Klarheit in einer Weise dargestellt, in der sie nahe dem Gehäuse 1 in die Leitung 5 eintreten; in der Praxis sind sie jedoch eher in einem größeren Abstand davon.

Ferner weist die Vorrichtung einen Trichter 6 auf, um den Gasstrom aus der Leitung 5 in einen Sekundärzylinder 7 zu konzentrieren. Der in 1 gezeigte Sekundärzylinder 7 ist für epitaxiales Aufwachsen von SiC-Schichten ausgebildet. Der Sekundärzylinder ist im wesentlichen zylindrisch mit Umfangswandungen 8 von erheblicher einheitlicher Dicke. Die Wandungen bestehen aus Graphit, sind jedoch innen mit einer SiC-Schicht beschichtet oder alternativ mit einer zylindrischen Platte aus SiC bedeckt. Der den Sekundärzylinder umgebende Raum ist umschlossen und mit Graphitschaum 10 zur Wärmedämmung gefüllt, um das umgebende Quarzrohr 2 zu schützen. Eine HF-Feld-Strahlungseinrichtung 11 in Form einer HF-Wicklung umgibt das Rohr 2 entlang der Längserstreckung des Sekundärzylinders 7. Diese Heizeinrichtung 11 ist so angeordnet, daß sie ein HF-Feld abstrahlt, das die Wandungen 8 des Sekundärzylinders und somit das in den Sekundärzylinder eingeleitete Gasgemisch gleichmäßig erwärmt.

Der Sekundärzylinder 7 weist einen Decke 12 aus dem gleichen Material wie der restliche Sekundärzylinder auf, an dessen Unterseite ein SiC-Substrat 13 angeordnet ist und der von dem übrigen Sekundärzylinder abgenommen werden kann, um das Substrat zu entfernen, nachdem eine Schicht darauf aufgewachsen ist. Der Deckel 12 ist mit peripheren Gasauslaßlöchern 14 versehen, so daß ein bevorzugt laminarer Gasstrom durch eine untere Einlaßleitung 15 in den Sekundärzylinderraum 18 eintritt und nahe dem Substrat strömt und den Sekundärzylinder durch die oberen Auslässe 14 und dann die Vorrichtung durch eine Leitung 16 verläßt, die fakultativ eventuell mit einer nicht gezeigten Pumpe verbunden ist.

Die Temperatur im Inneren des Sekundärzylinders 7 kann durch Einblick in den Sekundärzylinder 7 durch ein bei 17 gezeigtes Fenster pyrometrisch geprüft werden.

Bei einer solchen Vorrichtung erwärmt die Heizeinrichtung 11 die Sekundärzylinderwände 8 und dadurch den Sekundärzylinderraum 18 und das Substrat 13 und die durch die Leitung 15 in den Sekundärzylinderraum eingeleiteten Gase, so daß sich die reaktionsfähigen Gase zersetzen und auf dem Substrat zum Aufwachsen absetzen. Wenn jedoch hohe Wachstumsraten erwünscht sind, ist es erforderlich, die Temperatur im Inneren des Sekundärzylinders auf ein hohes Niveau wie beispielsweise über 2000°C zu erhöhen, und es kann möglicherweise nicht vermieden werden, daß die Temperatur in der Leitung 15 so hoch ist, daß sich reaktionsfähige Gase, insbesondere Silan, bereits in dieser Leitung zersetzen und an der Innenwandung dieser Leitung absetzen, so daß der Querschnitt des freien Duchgangs davon verringert wird und ein Zusetzen der Leitung erfolgt lange, bevor ein Aufwachsprozeß anderenfalls abgeschlossen würde, so daß der Aufwachsprozeß zu früh unterbrochen werden muß.

2 zeigt, wie die Einlaßseite einer solchen Vorrichtung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung modifiziert werden kann, um das gerade genannte Problem zu lösen. Bei dieser Vorrichtung tritt eine erste Leitung 24 in den Raum 18 des Sekundärzylinders 7 aus und ist so ausgebildet, daß sie im wesentlichen nur ein Trägergas zu dem Sekundärzylinderraum 18 führt. Trägergas wird als ein Gas definiert, das an dem Aufwachsen nicht aktiv beteiligt ist, d. h. das keine Komponenten hat, die zu dem Objekt auf dem Substrat aufwachsen. Dieses Trägergas kann bevorzugt Argon, Helium oder ein Gemisch davon sein. Die Vorrichtung weist ferner eine zweite Leitung 25 auf, die in der ersten Leitung aufgenommen ist, einen kleineren Querschnitt als die erste Leitung hat und in Längsrichtung der ersten Leitung mit einem umfangsmäßigen Abstand verläuft, der sie von Innenwandungen der ersten Leitung trennt.

Ferner ist die zweite Leitung in bezug auf die erste Leitung konzentrisch angeordnet. Beide Leitungen sind in diesem Fall starre Rohre, und die erste Leitung 24 besteht beispielsweise aus rostfreiem Stahl, was den Bereich 26 angeht, der sich zu der Außenwandung des Sekundärzylinders erstreckt, und dieser Bereich 26 ist wassergekühlt. Die Innenwandungen der ersten Leitung 24, die dem Raum 18 am nächsten ist, sind aus SiC, kompaktem Graphit oder pyrolitischem Graphit hergestellt, indem dort ein Rohr 28 angeordnet ist. Die zweite, innere Leitung 25 besteht bevorzugt aus SiC oder anderen hochtemperaturbeständigen Materialien wie Tantal und Wolfram, um eine Kontaminierung der reaktionsfähigen Gase durch unerwünschte Verunreinigungen zu vermeiden.

Die zweite Leitung 25 ist so ausgebildet, daß sie im wesentlichen den Gesamtstrom von reaktionsfähigen Gasen führt, es kann jedoch auch etwas Trägergas gemeinsam mit diesen reaktionsfähigen Gasen eingeleitet werden, die beim Aufwachsen von SiC für den Siliciumvorläufer Silan oder Chlorsilane und für den Kohlenstoffvorläufer Propan, Methan oder Ethylen sein können, um ihnen in Abhängigkeit von den Bedingungen eine hohe Geschwindigkeit zu verleihen. Es können auch Dotierungsquellengase in der zweiten Leitung geführt werden. Ferner, und dies ist ein wesentliches Merkmal der vorliegenden Erfindung, endet – in Richtung der genannten Ströme gesehen – die zweite Leitung in einem Abstand von dem Raum 18 und tritt dort in die erste Leitung ein. Dieser Abstand ist so gewählt, daß die reaktionsfähigen Gase im Inneren der zweiten Leitung keine solch hohe Temperatur erreichen, daß sie sich darin zersetzen, und das Erfordernis dieses Abstands hängt also ab von der Temperatur, die im Inneren des Sekundärzylinderraums 18 für das Aufwachsen gewählt wird, von dem Trägergasstrom und davon, welches Trägergas gewählt wird, da das Trägergas als ein Wärmeisolator zwischen den Wandungen der ersten Leitung und der zweiten Leitung wirksam sein kann. Genauer gesagt, die zweite Leitung endet vergleichsweise nahe dem Raum, und zwar in kurzer Entfernung von der Unterseite 29 davon, dies reicht jedoch aus, um eine Zersetzung von reaktionsfähigen Gasen in der zweiten Leitung zu vermeiden.

Die reaktionsfähigen Gase treten also in die erste Leitung ein, ohne zersetzt zu werden, und bewegen sich in dem mittleren Teil der ersten Leitung in einer Entfernung von den Wandungen davon, und der Trägergasstrom bewegt sich in dem Raum zwischen dem Strom von reaktionsfähigen Gasen und den Innenwandungen der ersten Leitung, als ob die zweite Leitung 25 sich tatsächlich bis zu dem Raum 18 des Sekundärzylinders fortsetzen würde. Es wird bevorzugt, die Geschwindigkeiten des Trägergasstroms und des Stroms in der zweiten Leitung so zu steuern, daß sie im wesentlichen gleich sind, damit möglichst wenig Vermischung zwischen ihnen stattfindet. Der umgebende Trägergasstrom ist als Wärmeisolator für den mittleren Strom von reaktionsfähigen Gasen wirksam und verzögert dessen Temperaturanstieg, so daß sich die reaktionsfähigen Gase bevorzugt nicht zersetzen, bevor sie in den Raum 18 des Sekundärzylinders eintreten. Sollte dies doch der Fall sein, erreichen die aus einer Zersetzung von reaktionsfähigen Gasen resultierenden Komponenten nur in einem geringen Ausmaß die Wandung der ersten Leitung, da sie durch den umgebenden Trägergasstrom die ganze Strecke bis zu der Innenwandung der ersten Leitung diffundieren müssen, um sich daran abzusetzen.

Man hat jedoch gefunden, daß ein Teil der aus der Zersetzung der reaktionsfähigen Gase resultierenden Spezies die Innenwandung der ersten Leitung erreicht und sich dort absetzt; und man hat ferner gefunden, ein solches Absetzen nur innerhalb eines bestimmten Temperaturbereichs der reaktionsfähigen Gase auftritt, nämlich im Fall des Aufwachsen von SiC zwischen ungefähr 500 und 800°C. Unter 500°C zersetzt sich SiH4 nicht, und über 800°C verhindern die Beschleunigung der Gase und die homogene Keimbildung von SiH4 zu festen Polymeren/Kristalliten, die nicht mehr imstande sind, mit den Einlaßwänden zu reagieren, ein Absetzen. Wenn eine hohe Wachstumsrate erreicht werden soll, werden dafür hohe Temperaturen in dem Sekundärzylinder benötigt, und zwar mindestens oberhalb 1500°C, am meisten bevorzugt jedoch zwischen 2000 und 2500°C, so daß es unmöglich ist zu vermeiden, daß die reaktionsfähigen Gase innerhalb dieses Temperaturbereichs in das Innere der ersten Leitung eintreten, und bei der in 2 gezeigten Ausführungsform resultiert dies in einem Ablagerungsring 30, der in 3 gezeigt ist. Dieser Ablagerungsring befindet sich einige Millimeter über dem Ende der zweiten Leitung 25. Dieses Absetzen, das im Fall von SiH4 Gas auf das Absetzen von polykristallinem Si zurückzuführen ist, führt dort schließlich zu einem Zusetzen der ersten Leitung, insbesondere wenn sehr hohe Wachstumsraten und hohe Temperaturen gewählt werden, was eine Notwendigkeit für die Erzeugung von SiC-Kristallen auf eine großtechnisch interessante Weise ist.

In 4 ist schematisch gezeigt, wie die erste Leitung in dem Bereich 31, wo die zweite Leitung in die erste Leitung eintritt, modifiziert werden kann, um dieses Problem zu lösen. Genauer gesagt, der Querschnitt der ersten Leitung ist in diesem größer, und die Innenwandungen davon konvergieren in der Abstromrichtung, so daß ein Bereich 32 der ersten Leitung im wesentlichen konusförmig ist. Auf diesen Bereich folgt ein im wesentlichen zylindrischer Bereich 33. Dies bedeutet, daß sich der Ablagerungsring 30 in einem Teil der ersten Leitung befindet, wo der Querschnitt groß ist, und dadurch ist die Absetzrate am langsamsten und unschädlich. Der abnehmende Querschnitt der ersten Leitung in diesem Bereich resultiert auch in einer Beschleunigung des Trägergasstroms, so daß dadurch die reaktionsfähigen Spezies zu der Mitte der ersten Leitung zurückgedrängt werden und somit der Aufbau des Ablagerungsrings reduziert wird. An der Abstromseite des Ablagerungsrings ist die Temperatur über dem Absetztemperaturbereich. Aufgrund der Beschleunigung der Gase werden eine niedrigere Si-Übersättigung und eine homogene Keimbildung von mit Si verwandten Spezies in der Gasphase zu festen Polymeren/Teilchen erzielt. Die festen Polymere/Teilchen sind nicht mehr imstande, mit den Einlaßwänden zu reagieren. Es gibt also kein parasitäres Absetzen mehr.

Eine Vorrichtung nach einer anderen Ausführungsform der Erfindung ist in 5 gezeigt. Für entsprechende Elemente sind die gleichen Bezugszeichen wie in den vorhergehenden Figuren verwendet. Es ist gezeigt, wie ein Einlaßflansch 26, der die erste Leitung bildet, mit einer Wasserkühleinrichtung 34 zum Kühlen der ersten Leitung versehen ist, so daß die Temperatur des Trägergasstroms darin und dadurch die Temperatur der reaktionsfähigen Gase in der zweiten Leitung auf einem akzeptablen Niveau gehalten werden. Ferner kann entweder die Dicke des konvergierenden Bereichs 32 der ersten Leitung verändert werden, oder der Bereich 32 kann aus zwei Graphitteilen 35, 41 mit unterschiedlicher Wärmeleitfähigkeit bestehen, so daß der Temperaturgradient von dem wassergekühlten Bereich 36 aus rostfreiem Stahl zu dem Graphit des Bereichs 35 (der hauptsächlich durch Leitung und Strahlung von dem weiter oben angeordneten Graphit-Sekundärzylinder 7 erwärmt wird) sehr steil ist, so daß die reaktionsfähigen Gase sehr stark erwärmt werden, wenn sie aus der zweiten Leitung austreten, so daß sie durch freie Konvektion beschleunigt werden und so rasch wie möglich die kritische Temperaturzone (500 bis 800°C für SiH4) passieren. Ferner ermöglicht es die Anwesenheit eines steilen Temperaturgradienten, diese kritische Zone als Graphit zu definieren, der unmittelbar darüber angeordnet ist, so daß gewährleistet ist, daß unvermeidbare Ablagerungen in dem Teil des konvergierenden Einlasses mit großem Querschnitt auftreten, wo sie unschädlich sind.

6 zeigt eine weitere Möglichkeit, eine erste Leitung nahe der Öffnung in den Sekundärzylinderraum 18 auszubilden, und ein Bereich 37 der ersten Leitung nahe dem Sekundärzylinderraum divergiert in Richtung zu dem Raum, so daß ein diffusorartiger Einlaß gebildet wird und sich dadurch die in den Sekundärzylinderraum eintretenden Gase in Richtung zu den Umfangswandungen davon ausbreiten, was zweckmäßig sein kann, insbesondere bei einer Vorrichtung von dem in 7 gezeigten Typ.

Die Vorrichtung nach 7 ist ein sogenannter Schornsteinreaktor, der einen Auslaß 38 hat, der in der Mitte dem Einlaß gegenüber angeordnet ist, und vertikale Wandungen 39 des Sekundärzylinders sind so angeordnet, daß sie Substrate 40 für das epitaxiale Aufwachsen von SiC darauf tragen. Der Querschnitt des Raums kann in diesem Fall rechteckig sein. Auf diese Weise ist es möglich, die Kapazität des Sekundärzylinders zu erhöhen und mehr als ein Objekt auf einmal aufwachsen zu lassen, und aufgrund einer Geometrie, die für erhöhte Temperaturen zweckmäßig ist und mit kleinen Trägergasströmen können höhere Wachstumsraten erhalten werden.

Wie bereits erwähnt, ist die Erfindung auch beim Aufwachsen eines Nitrids der Gruppe III oder einer Legierung von Nitriden der Gruppe III oder einer Legierung von SiC und einem oder mehreren Nitriden der Gruppe III anwendbar, wobei ein entsprechendes positives Ergebnis zu erwarten ist. Als Beispiel kann erwähnt werden, daß Trimethylgallium als Vorläufergas für das Aufwachsen von GaN verwendet werden kann.

Die Definition von "Objekte" in den Ansprüchen ist derart, daß das epitaxiale Aufwachsen aller Kristalltypen wie etwa von Schichten unterschiedlicher Dicke sowie von dicken birnenförmigen Körpern umfaßt ist.

Sämtliche das Material betreffenden Definitionen umfassen selbstverständlich auch unvermeidbare Verunreinigungen sowie gewolltes Dotieren.

In den Figuren ist zwar gezeigt, daß der Strom von Gasen zu dem Substrat im wesentlichen vertikal ist; es ist jedoch im Rahmen der Erfindung, die Vorrichtung mit einer beliebigen Erstreckungsrichtung wie beispielsweise horizontal anzuordnen.


Anspruch[de]
  1. Vorrichtung zum epitaxialen Aufwachsen von Objekten aus einem von a) SiC, b) einem Nitrid der Gruppe III und c) Legierungen davon durch chemisches Aufdampfen auf ein Substrat, wobei die Vorrichtung folgendes aufweist: einen Sekundärzylinder (7), der Umfangswandungen (8) hat, die einen Raum (18) zur Aufnahme des Substrats umgeben, eine Einrichtung zum Zuführen eines Stroms aus mindestens einem Trägergas und reaktionsfähigen Gasen, die für das Aufwachsen notwendig sind, in den Sekundärzylinder in Richtung zu dem Substrat, und eine Einrichtung zum Erwärmen der Umfangswandungen und des Substrats und der reaktionsfähigen Gase über ein Temperaturniveau, von dem aus die reaktionsfähigen Gase beginnen, sich in Substanzen zu zersetzen, die sich auf dem Substrat zum Aufwachsen eines genannten Objekts absetzen, wobei die Zuführeinrichtung eine Leitung aufweist, die in den genannten Raum austritt, dadurch gekennzeichnet, daß die Zuführeinrichtung ferner eine zusätzliche zweite Leitung (25) aufweist, die in der erstgenannten ersten Leitung (24) aufgenommen ist, einen kleineren Querschnitt als die erste Leitung hat und in der Längsrichtung der ersten Leitung mit einem umfangsmäßigen Abstand verläuft, der sie von Innenwandungen der ersten Leitung trennt, daß die Zuführeinrichtung so ausgebildet ist, daß die erste Leitung im wesentlichen nur ein Trägergas führen kann und die zweite Leitung im wesentlichen den Gesamtstrom von reaktionsfähigen Gasen führen kann, und daß die zweite Leitung – in Richtung der genannten Ströme gesehen – in einer Distanz von dem genannten Raum endet und in die erste Leitung in einem Bereich (31) eintritt, wobei die Distanz so gewählt ist, daß die reaktionsfähigen Gase keine so hohe Temperatur im Inneren der zweiten Leitung erreichen, daß sie sich darin zersetzen, und daß die erste Leitung (24) Innenwandungen (32) hat, die von dem genannten Bereich in Richtung zu dem Raum (18) konvergieren.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Leitung (24) einen Querschnitt hat, der in dem Bereich (31), in dem die zweite Leitung in die erste Leitung austritt, vergrößert ist.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Leitung (24) ausgehend von dem Bereich (31) und in Richtung zu dem Raum (18) im wesentlichen konusförmig ist.
  4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Leitung (24) einen Querschnitt hat, der ausgehend von dem Bereich (31) in Richtung des Raums bis zu einer ersten Stelle an der Aufstromseite des Raums abnimmt, und daß sie ausgehend von dieser Stelle bis zu dem Raum einen im wesentlichen konstanten Querschnitt hat.
  5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Querschnitt der ersten Leitung von einer zweiten Stelle an der Abstromseite (37) des Bereichs (31) und zu dem Raum (18) zunimmt.
  6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine Einrichtung (34) aufweist, die so ausgebildet ist, daß sie die Innenwandungen eines ersten Wandbereichs der ersten Leitung nahe dem Bereich (31) an der Aufstromseite davon kühlt, und daß Wandbereiche der ersten Leitung an der Abstromseite des ersten Wandbereichs aus einem Material mit einer Wärmeleitfähigkeit bestehen, die die Wärmeübertragung von dem erwärmten Sekundärzylinder nutzt, um einen Temperaturgradienten entlang Wandungen der ersten Leitung in dem genannten Bereich zu erzielen, wobei der Temperaturgradient so steil wie möglich ist.
  7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Leitung (24) mindestens zwei aufeinanderfolgende Teile mit unterschiedlicher Wärmeleitfähigkeit aufweist.
  8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die erste (24) und die zweite (25) Leitung in bezug aufeinander zumindest nahe dem genannten Raum konzentrisch angeordnet sind.
  9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite, innere Leitung (25) aus Sic, Tantal oder Wolfram besteht.
  10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitungen eine im wesentlichen vertikale Erstreckung haben, eine im wesentlichen vertikale Wand (29) des Raums (18) zum Tragen des Substrats (40) ausgebildet ist, und der Raum einen Gasauslaß (38) hat, der in seiner Decke im wesentlichen dem Einlaß gegenüberliegend angeordnet ist.
  11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Wände (39) des Raums so ausgebildet sind, daß sie eine Vielzahl von Substraten (40) tragen, um Objekte darauf aufwachsen zu lassen.
  12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß sie zum Aufwachsen von Objekten aus SiC ausgebildet ist.
  13. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizeinrichtung so angeordnet ist, daß sie die Umfangswandungen (8) und dadurch das Substrat und die reaktionsfähigen Gase auf eine Temperatur oberhalb 1500°C erwärmt.
  14. Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizeinrichtung so angeordnet ist, daß sie die Umfangswandungen und dadurch das Substrat und die reaktionsfähigen Gase auf eine Temperatur oberhalb 2000°C erwärmt.
  15. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 12 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizeinrichtung so angeordnet ist, daß sie die reaktionsfähigen Gase so erwärmt, daß deren Temperatur nach dem Eintritt in die erste Leitung (24), jedoch vor dem Eintritt in den Raum (18) über 500°C ansteigt.
  16. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizeinrichtung so angeordnet ist, daß sie die reaktionsfähigen Gase so erwärmt, daß deren Temperatur in dem Bereich (32) der ersten Leitung mit abnehmendem Querschnitt in dem am weitesten aufstromseitigen Teil dieses Bereichs über 500°C ansteigt.
  17. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 12 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Zuführeinrichtung so angeordnet ist, daß sie Silan oder Chlorsilane als Siliciumvorstufe und Propan, Methan oder Ethylen als Kohlenstoffvorstufe in konzentrierter oder verdünnter Form zuführt.
  18. Verfahren zum epitaxialen Aufwachsen von Objekten aus eines von a) SiC, b) ein Nitrid der Gruppe III und c) Legierungen davon durch chemisches Aufdampfen auf ein Substrat, das in einem Raum (18) eines Sekundärzylinders (7) aufgenommen ist, der Umfangswandungen (8) hat, wobei ein Strom aus mindestens einem Trägergas und für das Aufwachsen notwendigen reaktionsfähigen Gasen in den Raum zu dem Substrat hin zugeführt wird, wobei die Umfangswandungen, das Substrat und die reaktionsfähigen Gase über ein Temperaturniveau erwärmt werden, von dem aus die reaktionsfähigen Gase beginnen, in Substanzen zu zerfallen, die sich auf dem Substrat für das Aufwachsen eines genannten Objekts absetzen, dadurch gekennzeichnet, daß ein Strom von im wesentlichen nur einem Trägergas dem Raum in einer ersten Leitung (24) zugeführt wird und im wesentlichen der gesamte Strom von reaktionsfähigen Gasen dem Sekundärzylinder in einer zweiten Leitung (25) zugeführt wird, die in der ersten Leitung aufgenommen ist, kleineren Querschnitt als die erste Leitung hat und in der Längsrichtung der ersten Leitung mit einem umfangsmäßigen Abstand verläuft, der sie von den Innenwandungen der ersten Leitung trennt, derart, daß der Strom im Inneren der zweiten Leitung in einer Distanz von dem Raum in die zweite Leitung austritt, so daß die reaktionsfähigen Gase im Inneren der zweiten Leitung keine so hohe Temperatur erreichen, daß sie sich darin zersetzen.
  19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägergas in einem Bereich (31) der ersten Leitung (24) ist, in dem die zweite Leitung in die erste Leitung unter Führung in einer Bahn mit abnehmendem Querschnitt näher an der Mitte der ersten Leitung austritt, um den Durchfluß des Trägergases in diesem Bereich zu beschleunigen.
  20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Innenwand (36) der ersten Leitung, die an der Aufstromseite einer Stelle in dem genannten Bereich (31) liegt, gekühlt wird, und daß die Innenwandbereiche, die sich an der Aufstromseite dieser Stelle befinden, und diejenigen, die sich an der Abstromseite davon befinden, in bezug aufeinander wärmegedämmt sind, um an dieser Stelle in dem genannten Bereich einen steilen Temperaturgradienten zu erzielen.
  21. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß man SiC epitaxial auf dem Substrat aufwachsen läßt und Silan und Propan als reaktionsfähige Gase in der zweiten Leitung (25) zugeführt werden.
  22. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß Helium, Argon oder ein Gemisch daraus als Trägergas in der ersten Leitung (24) zugeführt wird.
  23. Verfahren nach Anspruch 21 oder 22, dadurch gekennzeichnet, daß die Erwärmung der reaktionsfähigen Gase so durchgeführt wird, daß das Temperaturniveau, von dem aus der Siliciumvorläufer sich zersetzen und auf Oberflächen absetzen kann, in dem Bereich (31), in dem die zweite Leitung in die erste Leitung austritt, weit abstromseitig von dem Ende der zweiten Leitung passiert wird.
  24. Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß das Erwärmen der reaktionsfähigen Gase so durchgeführt wird, daß eine Temperatur von 500°C der Gase in der ersten Leitung im wesentlichen unmittelbar abstromseitig von dem Ende der zweiten Leitung passiert wird.
  25. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 24, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägergas in die erste Leitung (24) im wesentlichen mit der gleichen Geschwindigkeit wie diejenige des Stroms von reaktionsfähigen Gasen in der zweiten Leitung (25) zugeführt wird.
  26. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 25, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägergasstrom und der Strom von reaktionsfähigen Gasen so zugeführt werden, daß der Strom von reaktionsfähigen Gasen in die erste Leitung (24) im wesentlichen konzentrisch dazu austritt.
  27. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 24, dadurch gekennzeichnet, daß die Umfangswandungen (8) über 1500°C erwärmt werden.
  28. Verfahren nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, daß die Umfangswandungen (8) über 2000°C erwärmt werden.
  29. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 28, dadurch gekennzeichnet, daß die reaktionsfähigen Gase in den Raum (18) auf eines oder mehrere Substrate (40) geleitet werden, die an im wesentlichen vertikalen Innenwandungen (39) des Raums angeordnet sind, um ein Objekt darauf im wesentlichen in der Horizontalrichtung aufwachsen zu lassen.
Es folgen 4 Blatt Zeichnungen






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