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Dokumentenidentifikation DE10356668A1 30.06.2005
Titel Herstellungsverfahren für eine Hartmaske auf einer Halbleiterstruktur
Anmelder Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
Erfinder Völkel, Lars, 01309 Dresden, DE
Vertreter PAe Reinhard, Skuhra, Weise & Partner GbR, 80801 München
DE-Anmeldedatum 04.12.2003
DE-Aktenzeichen 10356668
Offenlegungstag 30.06.2005
Veröffentlichungstag im Patentblatt 30.06.2005
IPC-Hauptklasse H01L 21/31
IPC-Nebenklasse G03F 7/00   
Zusammenfassung Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für eine Hartmaske auf Halbleiterstruktur mit den Schritten: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1); Aufbringen einer Hartmaskenschicht (5) auf das Halbleitersubstrat (1); Aufbringen einer siliziumhaltigen Spin-On-Maskenschicht (13) auf der Hartmaskenschicht (5); Aufbringen einer Photolack-Maskenschicht (11) auf der Spin-On-Maskenschicht (13); photolithographisches Strukturieren der Photolack-Maskenschicht (11); Übertragen der Strukturierung der Photolack-Maskenschicht (11) auf die siliziumhaltige Spin-On-Maskenschicht (13) mittels eines ersten Ätzverfahren; und Übertragen der Strukturierung der Spin-On-Maskenschicht (13) auf die Hartmaskenschicht (5) mittels eines zweiten Ätzverfahrens.

Beschreibung[de]

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für eine Hartmaske auf einer Halbleiterstruktur.

Obwohl prinzipiell auf beliebige integrierte Schaltungen anwendbar, werden die vorliegende Erfindung sowie die ihr zugrundeliegende Problematik in bezug auf integrierte Schaltungen in Silizium-Technologie erläutert.

Die Strukturierung von Halbleiter-Bauelementen erfolgt im wesentlichen durch Kombination von optischen Belichtungsprozessen und Trockenätz-Verfahren. Infolge von immer kleiner werdenden Strukturen wird die Lackmaske immer dünner (gleichbleibendes Aspektverhältnis) und reicht nicht mehr als alleinige Maske für das Trockenätzen aus. Die Einführung von Hartmasken, beispielsweise von Kohlenstoff-Hartmasken, war die Folge.

In 2a bezeichnet Bezugszeichen 1 ein Silizium-Halbleitersubstrat, auf dem eine Kohlenstoff-Hartmaskenschicht 5, eine SiON-Maskenschicht 7, eine organische Zwischenschicht (z. B. BARC-Schicht) 9 und eine strukturierte Photolack-Maskenschicht 11 vorgesehen sind. Die strukturierte Photolack-Maskenschicht 11 weist Öffnungen O auf, die einen Öffnungsdurchmesser d1 haben.

Die organische Zwischenschicht 9, z. B. ein organischer BARC von mehr als 40 nm Dicke, zwischen der SiON-Maskenschicht 7 und der Photolack-Maskenschicht 11 musste eingeführt werden, um eine chemische und lithographische Wechselwirkung zwischen der SiON-Maskenschicht 7 und der Photolack-Maskenschicht 11 zu verhindern. Dies hat zum Nachteil geführt, dass es aufgrund der Notwendigkeit der Öffnung der zusätzlichen organischen Zwischenschicht 9 beim Plasma-Ätzen zu einer Erosion der strukturierten Photolack-Maskenschicht 11 kommt. Dies wiederum führt zu einem kleineren Lack-Budget und Budget der kritischen Dimension sowie einer Erhöhung der Linienrand-Rauhigkeit (LER).

Bei dem typischen Prozessverlauf zur Herstellung einer Hartmaske gemäß 2a, 2b wird also zunächst die Struktur der Photolack-Maskenschicht 11 in die organische Zwischenschicht 7 und die SiON-Schicht übertragen, dann die Photolack-Maskenschicht 11 entfernt und dann die Struktur mittels eines weiteren Plasma-Ätzprozesses weiter übertragen in die Kohlenstoff-Hartmaskenschicht 5.

2b zeigt dabei den Prozesszustand nach Entfernen der Si-ON-Maskenschicht 7 und der organischen Zwischenschicht 9. Danach wird das Substrat 1 mit Hilfe der strukturierten Kohlenstoff-Hartmaskenschicht 5 geätzt.

Auffällig ist, dass sich die Öffnungen 0 zu verbreiterten Öffnungen O' mit vergrößertem Öffnungsdurchmesser d2 verändert haben. Mit anderen Worten ist bei diesem üblichen Verfahren keine dimensionsgenaue Übertragung der Struktur in die Kohlenstoff-Hartmaskenschicht 5 möglich.

Daher ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Herstellungsverfahren für Hartmaske auf einer Halbleiterstruktur zu schaffen, das weniger aufwendig und problematisch ist.

Erfindungsgemäß wird dieses Problem durch das in Anspruch 1 angegebene Herstellungsverfahren gelöst.

Die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Idee besteht darin, die SiON-Maskenschicht und die organische Zwischenschicht durch eine einzige entsprechende Schicht mit geeigneten Eigenschaften zu ersetzen. Erfindungsgemäß ist diese einzige Schicht eine siliziumhaltige Spin-On-Maskenschicht, die genau wie eine Photolack-Maskenschicht auf die Struktur aufgeschleudert wird.

Durch die erfindungsgemäße Vorgehensweise lassen sich Abscheidungsprozesse einsparen, nämlich das Aufbringen des SiON sowie das Aufbringen der organischen Zwischenschicht.

Das siliziumhaltige Spin-On-Material ist lithographisch verträglich mit Photolack und Kohlenstoff, und eine Anpassung an die lithographische Funktionstüchtigkeit des Photolacks ist möglich. Es tritt kein Scumming auf, eine gute Adhäsion wird erreicht, und auch Standing-Wave-Probleme lassen sich vermeiden. Die vollständige Einsparung der organischen Zwischenschicht bedeutet Einsparung von Material und Zeitaufwand. Die Trockenätzung kann kürzer gestaltet werden, da die organische Zwischenschicht nicht mehr durchbrochen werden muss, was zu einer geringeren Lackerosion der Photolack-Maskenschicht führt. Damit verbunden sind bessere Kontrolle der kritischen Dimension, die Erzielbarkeit kleinerer Aspektverhältnisse, eine geringere Linienrand-Rauhigkeit und eine geringere Variation der kritischen Dimension.

Durch den Einsatz der siliziumhaltigen Spin-On-Maskenschicht können verschiedene Hartmaskenkonzepte bei geringerer Komplexität, geringerer Lackdicke und besserer Performance realisiert werden, um künftige Shrinks zu verwirklichen.

In den Unteransprüchen finden sich vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des Gegenstandes der Erfindung.

Gemäss einer bevorzugten Weiterbildung wird die strukturierte Photolack-Maskenschicht nach dem Übertragen der Strukturierung auf die siliziumhaltige Spin-On-Maskenschicht entfernt.

Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird die siliziumhaltige Spin-On-Maskenschicht nach dem Übertragen der Strukturierung auf die Hartmaskenschicht entfernt.

Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist die Hartmaskenschicht eine Kohlenstoff-Hartmaskenschicht.

Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist die siliziumhaltige Spin-On-Maskenschicht eine Spin-On-Glasschicht.

Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist die siliziumhaltige Spin-On-Maskenschicht eine siliziumhaltige organische Schicht.

Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die siliziumhaltige organische Schicht einen Siliziumanteil von 5 bis 15% Silizium, vorzugsweise 10% Silizium auf.

Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird die siliziumhaltige Spin-On-Maskenschicht nach dem Aufbringen bei einer Temperatur von höchstens 300°C getempert.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.

1a, b zeigen schematische Darstellungen aufeinanderfolgender Verfahrensstadien eines Herstellungsverfahrens für eine Hartmaske auf einer Halbleiterstruktur als Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und

2 zeigt Probleme, welche bei einem üblichen Herstellungsverfahren für eine Hartmaske auf einer Halbleiterstruktur auftreten.

In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Bestandteile.

In 1a ist wie in 2a eine Kohlenstoff-Hartmaskenschicht 5 auf einem Silizium-Halbleitersubstrat aufgebracht. Im Gegensatz zur 2a befindet sich jedoch unmittelbar oberhalb der Kohlenstoff-Hartmaskenschicht 5 eine siliziumhaltige Spin-On-Maskenschicht 13 in Form einer Spin-On-Glasmaskenschicht. Die Spin-On-Glasmaskenschicht wird wie ein Photolack auf die Struktur aufgeschleudert und anschließend in einem Temperschritt bei Temperaturen von typischerweise weniger als 300°C ausgehärtet, wobei das enthaltene organische Lösungsmittel nahezu vollständig verdampft wird.

Im Anschluss daran wird die Photolack-Maskenschicht 11 aufgetragen und strukturiert.

Um von dem Prozesszustand gemäß 1a zum Prozesszustand gemäß 1b zu gelangen, wird zunächst die Struktur der Photolack-Maskenschicht 11 in die Spin-On-Glasmaskenschicht 13 mittels eines ersten Plasma-Ätzverfahrens übertragen. Danach wird die Photolack-Maskenschicht 11 entfernt. Als nächstes erfolgt ein zweiter Ätzschritt, der bei diesem Beispiel ebenfalls ein Trockenätzschritt ist, um die Struktur weiter in die Kohlenstoff-Hartmaskenschicht 5 zu übertragen. Schließlich wird die Spin-On-Glasmaskenschicht 13 entfernt, was zum Prozesszustand gemäß 1b führt.

Im Gegensatz zum bekannten Beispiel gemäß 2b ist das Verfahren zur Herstellung einer Hartmaskenschicht gemäß dem Ausführungsbeispiel der Erfindung dimensions- bzw. strukturtreu. Mit anderen Worten entsprechen die Öffnungen 0 in der Kohlenstoff-Hartmaskenschicht 5 den Öffnungen 0 in der Photolack-Maskenschicht 11, d. h. sie weisen denselben Öffnungsdurchmesser d1 auf.

Obwohl bei dem beschriebenen Beispiel die siliziumhaltige Spin-On-Maskenschicht eine Spin-On-Glasmaskenschicht war, eignen sich dafür auch siliziumhaltige organische Maskenschichten, welche einen Silizium-Gehalt zwischen typischerweise 5% und 15% aufweisen und bei denen nach dem thermischen Aushärten organische Bestandteile in der Schicht zurückbleiben.

Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Art und Weise modifizierbar.

Insbesondere ist die Erfindung prinzipiell für beliebige Halbleiterstrukturen anwendbar.

1Halbleitersubstrat 5Kohlenstoff-Hartmaskenschicht 7SiON-Maskenschicht 9organische Zwischenschicht 11Photolackmaskenschicht 13siliziumhaltige Spin-On-Maskenschicht O, O'Maskenöffnung d1, d2Öffnungsdurchmesser

Anspruch[de]
  1. Herstellungsverfahren für eine für eine Hartmaske auf Halbleiterstruktur mit den Schritten:

    Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1);

    Aufbringen einer Hartmaskenschicht (5) auf das Halbleitersubstrat (1);

    Aufbringen einer siliziumhaltigen Spin-On-Maskenschicht (13) auf der Hartmaskenschicht (5);

    Aufbringen einer Photolack-Maskenschicht (11) auf der Spin-On-Maskenschicht (13);

    photolithograpisches Strukturieren der Photolack-Maskenschicht (11);

    Übertragen der Strukturierung der Photolack-Maskenschicht (11) auf die siliziumhaltige Spin-On-Maskenschicht (13) mittels eines ersten Ätzverfahrens; und

    Übertragen der Strukturierung der Spin-On-Maskenschicht (13) auf die Hartmaskenschicht (5) mittels eines zweiten Ätzverfahrens.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die strukturierte Photolack-Maskenschicht (11) nach dem Übertragen der Strukturierung auf die siliziumhaltige Spin-On-Maskenschicht (13) entfernt wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die siliziumhaltige Spin-On-Maskenschicht (13) nach dem Übertragen der Strukturierung auf die Hartmaskenschicht (5) entfernt wird.
  4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Hartmaskenschicht (5) eine Kohlenstoff-Hartmaskenschicht ist.
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die siliziumhaltige Spin-On-Maskenschicht (13) eine Spin-On-Glasschicht ist.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die siliziumhaltige Spin-On-Maskenschicht (13) eine siliziumhaltige organische Schicht ist.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die siliziumhaltige organische Schicht einen Siliziumanteil von 5 bis 15% Silizium, vorzugsweise 10% Silizium aufweist.
  8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die siliziumhaltige Spin-On-Maskenschicht (13) nach dem Aufbringen bei einer Temperatur von höchstens 300°C getempert wird.
Es folgen 2 Blatt Zeichnungen






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