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Dokumentenidentifikation DE10393219T5 13.10.2005
Titel Überspannungsschutzmodul und Stromrichtervorrichtung
Anmelder Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki, Kitakyushu, Fukuoka, JP
Erfinder Yamamoto, Eiji, Kitakyushu, Fukuoka, JP;
Hara, Hidenori, Kitakyushu, Fukuoka, JP
Vertreter Grünecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhäusser, 80538 München
DE-Aktenzeichen 10393219
Vertragsstaaten CN, DE, GB, KR, US, EP
WO-Anmeldetag 25.08.2003
PCT-Aktenzeichen PCT/JP2003/010709
WO-Veröffentlichungsnummer 2004027966
WO-Veröffentlichungsdatum 01.04.2004
Date of publication of WO application in German translation 13.10.2005
Veröffentlichungstag im Patentblatt 13.10.2005
IPC-Hauptklasse H02M 1/00

Beschreibung[de]
Technisches Gebiet

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Stromrichtervorrichtung, die ein Halbleiterschaltermodul umfasst, das doppelt gerichtet eine Leistung zwischen drei Anschlüssen zuführen kann, sowie insbesondere auf eine Stromrichtervorrichtung, in der eine Überspannungsschutzschaltung konfiguriert ist, die eine Stoßspannung in dem Halbleiterschaltermodul unterdrückt.

Stand der Technik

Herkömmlich ist als eine Stromrichtervorrichtung, die durch ein Halbleiterschaltermodul konfiguriert ist, das doppelt gerichtet eine Leistung zuführen kann, und als eine Überspannungsschutzschaltung zur Unterdrückung einer Stoßspannung eine Schaltungskonfiguration wie etwa in 3 gezeigt bekannt. (Siehe z. B. Patentliteraturhinweis 1 oder japanische Patentanmeldung Nr. 2002-137871.)

Die Überspannungsschutzschaltung ist durch: Überspannungsschutzdioden D1 bis D12; einen Überspannungsschutzkondensator 40; und eine Überspannungsschutz-Entladeschaltung 30 konfiguriert, wobei sie eine Stoßspannung unterdrückt, die beim Schalten einer Halbleiterschaltvorrichtung erzeugt wird, wodurch verhindert wird, dass die Halbleiterschaltvorrichtung ausfällt. Das Halbleiterschaltermodul 20 ist durch achtzehn IGBTs (Bipolartransistoren mit isoliertem Gate) 501 bis 5018 mit hoher Durchbruchspannung konfiguriert, die Halbleiterschaltvorrichtungen mit einer Selbst-Lichtbogenlöschfähigkeit und einer Durchbruchspannungsfestigkeit sind, so dass zwischen den Eingangsanschlüssen 201 und den Ausgangsanschlüssen 202 doppelt gerichtet eine Leistung zugeführt werden kann.

In dem Halbleiterschaltermodul 20 sind zwei der achtzehn IGBTs 501 bis 5018 mit hoher Durchbruchspannung antiparallel geschaltet, so dass sie einen doppelt gerichteten Schalter bilden, wodurch neun doppelt gerichtete Schalter gebildet sind. Drei doppelt gerichtete Schaltergruppen, die jeweils durch drei doppelt gerichtete Schalter konfiguriert sind, sind mit den drei Eingangsanschlüssen 201 bzw. mit einem der drei Ausgangsanschlüsse 202 verbunden.

In der Überspannungsschutzschaltung ist an den Eingangsanschlüssen 201 und an den Ausgangsanschlüssen 202 (R, S, T, U, V, W) des Halbleiterschaltermoduls 20 durch die Überspannungsschutzdioden D1 bis D12, die Hochgeschwindigkeitsdioden mit einer ausgezeichneten Durchbruchspannungscharakteristik sind, eine geklemmte Überspannungsschutzschaltung ausgebildet, wobei beide Enden der geklemmten Überspannungsschutzschaltung mit dem Überspannungsschutzkondensator 40 verbunden sind, der eine absorbierte Stoßspannung speichert. Gelegentlich ist weiter die Überspannungsschutz-Entladeschaltung 30 zum Entladen, wenn die Spannung des Überspannungsschutzkondensators 40 angehoben wird, angeordnet.

4 zeigt das Aussehen des in 3 gezeigten Halbleiterschaltermoduls 20. In dem in 4 gezeigten Halbleiterschaltermodul 20 sind die achtzehn IGBTs 501 bis 5018 mit hoher Durchbruchspannung in eine Harzform 200 eingeschlossen. In dem Halbleiterschaltermodul 20 sind die Eingangsanschlüsse 201, die Ausgangsanschlüsse 202, die Befestigungsbohrungen 203 und die Halbleiterschalter-Gate-Ansteueranschlüsse 204 so konfiguriert, dass sie von der Harzform 200 nach außen frei liegen. Die Halbleiterschalter-Gate-Ansteueranschlüsse 204 sind jeweils mit den Gate-Anschlüssen der IGBTs 501 bis 5018 mit hoher Durchbruchspannung verbunden, wobei mit den Halbleiterschalter-Gate-Ansteueranschlüssen 204 ein Steuersignal verbunden ist, um die Schaltoperationen der IGBTs 501 bis 5018 mit hoher Durchbruchspannung zu steuern.

Die Überspannungsschutzdiode D1 besitzt z. B. eine wie in 5 gezeigte Form, wobei ein Anodenanschluss A1 und ein Katodenanschluss K1 eine Spiralwindungsform besitzen. Eine Überspannungsschutzschaltung, die diese diskreten Überspannungsschutzdioden verwendet, ist wie in 6 gezeigt konfiguriert. Genauer sind die Anodenanschlüsse A1 und die Katodenanschlüsse K1 der Überspannungsschutzdioden mit der in 5 gezeigten Konfiguration miteinander verbunden, so dass sie Reihendioden bilden, wobei von den Verbindungen der Anodenanschlüsse A1 und der Katodenanschlüsse K1 in den Reihendioden Zuleitungsdrähte herausgeführt sind, die mit den Eingangs- und Ausgangsanschlüssen 201, 202 des Halbleiterschaltermoduls 20 verbunden sind. Unter den Enden der Reihendioden sind die Katodenanschlüsse K1 mit den Sammelschienen 1, 2 auf der P-Seite verbunden, während die anderen Anschlüsse oder die Anodenanschlüsse A1 mit den Sammelschienen 3, 4 auf der N-Seite verbunden sind. Die Sammelschienen 1, 2 auf der P-Seite und die Sammelschienen 3, 4 auf der N-Seite sind über die Zuleitungsdrähte 103 auf der P-Seite und über die Zuleitungsdrähte 104 auf der N-Seite mit dem Überspannungsschutzkondensator 40 verbunden.

  • Patentliteraturhinweis 1 JP-A-11-146649
Offenbarung der Erfindung

In der oben beschriebenen herkömmlichen Stromrichtervorrichtung ist die Überspannungsschutzschaltung durch diskrete Bauelemente konfiguriert, so dass die Schaltung schwer zu miniaturisieren ist. Außerdem sind die Verdrahtungen lang, so dass die Induktivität der Verdrahtungen erhöht und die Wirkung der Überspannungsschutzschaltung, dass eine Stoßspannung unterdrückt wird, verringert wird.

Da die Überspannungsschutzdioden frei liegen, besteht ein weiteres Problem darin, dass Maßnahmen zur Isolation erforderlich sind.

Es ist eine Aufgabe der Erfindung, ein Überspannungsschutzmodul und eine Stromrichtervorrichtung zu schaffen, in denen eine Überspannungsschutzschaltung leicht miniaturisiert werden kann, die Verdrahtungen gekürzt werden können und Maßnahmen zur Isolation erleichtert werden.

Zur Lösung der Aufgabe ist die Überspannungsschutzvorrichtung der Erfindung mit einem Überspannungsschutzmodul einer Überspannungsschutzschaltung zum Unterdrücken einer Stoßspannung, das zwölf Überspannungsschutzdioden und einen Überspannungsschutzkondensator sowie eine Harzform, in der die Überspannungsschutzdioden und der Überspannungsschutzkondensator eingeschlossen sind, umfasst, konfiguriert, wobei von der Harzform zwei Kondensatoraußenanschlüsse, die jeweils mit zwei Anschlüssen des Überspannungsschutzkondensators verbunden sind, sowie sechs Diodenaußenanschlüsse, von denen jeder mit einem Verbindungsabschnitt von jeweils zwei der zwölf Überspannungsschutzdioden verbunden ist, frei liegen.

Gemäß der Erfindung sind die Überspannungsschutzdioden und der Überspannungsschutzkondensator, die eine Überspannungsschutzschaltung bilden, in der Harzform eingeschlossen, so dass ein Überspannungsschutzmodul realisiert werden kann, das eine kleinere Größe besitzt als in dem Fall, in dem eine Überspannungsschutzschaltung durch Verdrahten diskreter Bauelemente konfiguriert ist. Außerdem können die Verdrahtungen im Vergleich zu dem Fall, in dem diskrete Überspannungsschutzschaltungen durch Verdrahtungen miteinander verbunden sind, verkürzt werden, so dass die Verdrahtungsinduktivität verringert werden kann. Bauelemente, die von dem Überspannungsschutzmodul frei liegen, sind lediglich auf die sechs Außenanschlüsse der Dioden und auf die Außenanschlüsse des Kondensators beschränkt, während keine weiteren Verdrahtungen frei liegen. Somit werden Maßnahmen zur Isolation erleichtert.

In dem Überspannungsschutzmodul der Erfindung kann die Überspannungsschutzschaltung durch:

wenigstens sechs Sätze von Reihendioden, von denen jeder durch zwei Überspannungsschutzdioden konfiguriert ist, wobei ein Anodenanschluss einer der Überspannungsschutzdioden mit einem Katodenanschluss einer anderen der Überspannungsschutzdioden verbunden ist und wobei der Verbindungsabschnitt ein Verbindungsabschnitt des Anoden- und des Katodenanschlusses ist; und einen Überspannungsschutzkondensator, in dem ein Anschluss auf einer Seite, die nicht mit den sechs Dioden-Außenanschlüssen verbunden ist, gemeinsam mit den Anodenanschlüssen der Reihendioden verbunden ist, während ein anderer Anschluss auf einer Seite, die nicht mit den sechs Dioden-Außenanschlüssen verbunden ist, gemeinsam mit den Katodenanschlüssen der Reihendioden verbunden ist, konfiguriert sein.

In dem Überspannungsschutzmodul der Erfindung können die sechs Dioden-Außenanschlüsse so konfiguriert sein, dass sie die gleichen Abstände wie die Eingangs- und Ausgangsanschlüsse eines Halbleiterschaltermoduls haben, das doppelt gerichtet eine Leistung zwischen drei Anschlüssen zuführen kann.

Gemäß der Erfindung sind die Außenanschlüsse der sechs Dioden des Überspannungsschutzmoduls in der Weise konfiguriert, dass sie die gleichen Abstände wie die Eingangs- und die Ausgangsanschlüsse des Halbleiterschaltermoduls haben. Somit können das Überspannungsschutzmodul und das Halbleiterschaltermodul mit Verbindungsschrauben miteinander verbunden werden, so dass die Befestigung an dem und das Lösen von dem Halbleiterschaltermodul erleichtert werden.

Zur Lösung der Aufgabe ist die Stromrichtervorrichtung der Erfindung durch: ein Halbleiterschaltermodul, das durch achtzehn Halbleiterschaltvorrichtungen mit einer Selbst-Lichtbogenlöschfähigkeit und einer Sperrfestigkeitscharakteristik konfiguriert ist und in dem zwei der achtzehn Halbleiterschaltvorrichtungen antiparallel zueinander geschaltet sind, um einen doppelt gerichteten Schalter zu bilden, wodurch neun doppelt gerichtete Schalter gebildet sind, wobei drei doppelt gerichtete Schaltergruppen, die jeweils durch drei doppelt gerichtete Schalter konfiguriert sind, mit drei Eingangsanschlüssen bzw. mit einem Ausgangsanschluss verbunden sind; und

ein Überspannungsschutzmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 3, in dem die sechs Diodenendanschlüsse mit den Eingangs- bzw. Ausgangsanschlüssen des Halbleiterschaltermoduls verbunden sind, konfiguriert.

Gemäß der Erfindung ist die Stromrichtervorrichtung unter Verwendung eines Überspannungsschutzmoduls konfiguriert, in dem die Überspannungsschutzschaltung in der Harzform eingeschlossen ist. Somit kann die Stromrichtervorrichtung im Vergleich zu dem Fall, in dem eine Überspannungsschutzschaltung durch diskrete Bauelemente konfiguriert ist, miniaturisiert werden.

Kurzbeschreibung der Zeichnung

1 ist eine Außenansicht, die die Konstruktion eines Überspannungsschutzmoduls 10 einer Ausführungsform der Erfindung zeigt.

2 ist eine Ansicht einer Kombination des Überspannungsschutzmoduls 10 einer Ausführungsform der Erfindung und eines Halbleiterschaltermoduls 20.

3 ist ein Stromlaufplan des Halbleiterschaltermoduls und einer Überspannungsschutzschaltung zur Unterdrückung eines Stoßes.

4 ist eine Außenansicht, die die Konstruktion des in 3 gezeigten Halbleiterschaltermoduls 20 zeigt.

5 ist eine Außenansicht einer diskreten Überspannungsschutzdiode D1.

6 ist eine Ansicht einer Konfiguration einer herkömmlichen Stromrichtervorrichtung, in der in einem Halbleiterschaltermodul 20 eine Überspannungsschutzschaltung angeordnet ist.

In den Figuren bezeichnen die Bezugszeichen wie folgt die Bauelemente:

1, 2Sammelschiene auf der P-Seite 3, 4Sammelschiene auf der N-Seite 10Überspannungsschutzmodul 20Halbleiterschaltermodul 30Überspannungsschutz-Entladeschaltung 40Überspannungsschutzkondensator 501 bis 5018IGBT mit hoher Durchbruchspannung 101Harzform 102Zuleitungsanschluss 103Zuleitungsdraht auf der P-Seite 104Zuleitungsdraht auf der N-Seite 200Harzform 201Eingangsanschluss 202Ausgangsanschluss 203Befestigungsbohrung 204Halbleiterschalter-Gate-Ansteueranschluss 300Verbindungsschraube D1 bis D12Überspannungsschutzdiode A1Anodenanschluss K1Katodenanschluss Beste Ausführungsart der Erfindung

Nachfolgend wird anhand der Zeichnung ausführlich eine Ausführungsform der Erfindung beschrieben.

1 ist eine Außenansicht, die die Konstruktion eines Überspannungsschutzmoduls 10 einer Ausführungsform der Erfindung zeigt. In 1 sind diejenigen Bauelemente, die gleich denen in der in den 3 und 4 gezeigten Konfiguration der herkömmlichen Stromrichtervorrichtung sind, so weit wie möglich mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet, wobei eine wiederholte Beschreibung weggelassen wird.

Das Überspannungsschutzmodul 10 der Ausführungsform ist durch Einschluss der Überspannungsschutzdioden D1 bis D12 und des Überspannungsschutzkondensators 40, die in 3 gezeigt sind, in einer Harzform 101 ausgebildet. Das Überspannungsschutzmodul 10 besitzt eine Konfiguration, in der die Zuleitungsanschlüsse 102, ein Zuleitungsdraht 103 auf der P-Seite und ein Zuleitungsdraht 104 auf der N-Seite nach außerhalb der Harzform 101 frei liegen.

Die sechs Zuleitungsanschlüsse 102 sind Diodenaußenanschlüsse, die über Zuleitungsleiter mit ausgezeichneter elektrischer Leitfähigkeit mit Verbindungsabschnitten verbunden sind, mit denen die Anoden- und Katodenanschlüsse der Reihendioden verbunden sind. Der Zuleitungsdraht 103 auf der P-Seite und der Zuleitungsdraht 104 auf der N-Seite sind Kondensatoraußenanschlüsse, die über Zuleitungsleiter mit ausgezeichneter elektrischer Leitfähigkeit mit dem in der Harzform 101 eingeschlossenen Überspannungsschutzkondensator 40 verbunden sind. In der Ausführungsform ist beschrieben, dass der Zuleitungsdraht 103 auf der P-Seite und der Zuleitungsdraht 104 auf der N-Seite durch Verdrahtungen konfiguriert sind. Alternativ können die Zuleitungsdrähte in einer Anschlussform konfiguriert sein.

2 ist eine Ansicht, die eine Konstruktion zeigt, in der das Überspannungsschutzmodul 10 der Ausführungsform an dem Halbleiterschaltermodul 20 befestigt ist. Das Überspannungsschutzmodul 10 und das Halbleiterschaltermodul 20 sind so konfiguriert, dass sie die gleichen Anschlussabstände haben und somit durch Verbindungsschrauben 300 befestigt werden können. Die Halbleiterschalter-Gate-Ansteueranschlüsse 204 sind an einem Rand angeordnet, der verschieden von dem Rand ist, an dem die Eingangsanschlüsse 201 und die Ausgangsanschlüsse 202 angeordnet sind. Somit kann die Verdrahtung an den Halbleiterschalter-Gate-Ansteueranschlüssen 204 in einem Zustand, in dem das Überspannungsschutzmodul 10 durch Schrauben an dem Halbleiterschaltermodul 20 befestigt ist, leicht durchgeführt werden.

Wie oben beschrieben wurde, sind die Überspannungsschutzdioden D1 bis D12 und der Überspannungsschutzkondensator 40, die eine Überspannungsschutzschaltung bilden, in dem Überspannungsschutzmodul 10 der Ausführungsform in der Harzform 101 eingeschlossen. Somit kann die Stromrichtervorrichtung im Vergleich zu dem Fall, in dem eine Überspannungsschutzschaltung durch Verdrahten diskreter Bauelemente konfiguriert ist, miniaturisiert werden, wobei es möglich ist, das Überspannungsschutzmodul 10 mit einer kleinen Größe zu realisieren. Darüber hinaus können im Vergleich zu dem Fall, in dem diskrete Überspannungsschutzschaltungen durch Verdrahtungen miteinander verbunden sind, die Verdrahtungen verkürzt werden, so dass die Verdrahtungsinduktivität verringert werden kann. Folglich kann die Stoßspannungsunterdrückungswirkung wegen der Überspannungsschutzschaltung verbessert werden. Die Bauelemente, die von dem Überspannungsschutzmodul 10 frei liegen, sind lediglich auf die Zuleitungsanschlüsse 102, auf den Zuleitungsdraht 103 auf der P-Seite und auf den Zuleitungsdraht 104 auf der N-Seite beschränkt, während die anderen Verdrahtungen nicht frei liegen. Somit werden Maßnahmen zur Isolation erleichtert. Außerdem wird die Verbindung mit dem Überspannungsschutzmodul 20 durch die Verbindungsschrauben 300 durchgeführt, so dass die Befestigung an dem und das Lösen von dem Halbleiterschaltermodul 20 erleichtert werden. Da die Harzform 101 vorgesehen ist, wird außerdem der Transport erleichtert.

Die Ausführungsform ist unter Verwendung des Falls beschrieben worden, in dem die in der Harzform 101 eingeschlossenen Überspannungsschutzdioden die wie in 5 gezeigte Form besitzen. Allerdings ist die Erfindung nicht darauf beschränkt. Die Erfindung kann ähnlich auf einen Fall angewendet werden, in dem Dioden mit einer Form wie einer TO-3P-Packung einzuschließen sind. Anstelle des Einschließens der diskreten Dioden in die Harzform 101 kann das Einschließen von Diodenchips in die Harzform 101 verwendet werden. Wenn auf diese Weise Diodenchips direkt in die Harzform 101 eingeschlossen werden, kann im Vergleich zu dem Fall, in dem diskrete Dioden eingeschlossen werden, eine weitere Miniaturisierung ermöglicht werden.

Obgleich die Erfindung mit Bezug auf eine spezifische Ausführungsform ausführlich beschrieben worden ist, ist für den Fachmann auf dem Gebiet offensichtlich, dass verschiedene Änderungen und Abwandlungen vorgenommen werden können, ohne von dem Erfindungsgedanken und Umfang der Erfindung abzuweichen.

Die vorliegende Anmeldung beruht auf der japanischen Patentanmeldung (Nr. 2002-258794), eingereicht am 4. September 2002, deren Inhalt hier durch Literaturhinweis eingefügt ist.

Industrielle Anwendbarkeit

Wie oben beschrieben wurde, ist gemäß der Erfindung eine Überspannungsschutzschaltung in einer Harzform eingeschlossen. Somit kann ein kleines Überspannungsschutzmodul realisiert werden, so dass eine Stromrichtervorrichtung miniaturisiert werden kann, wobei außerdem die Wirkungen erreicht werden können, dass eine Verdrahtungsinduktivität verringert werden kann und Maßnahmen zur Isolierung erleichtert werden können.

Zusammenfassung

Es ist eine Aufgabe der Erfindung, ein Überspannungsschutzmodul zu realisieren, das eine kleine Größe besitzt und leicht transportiert werden kann, wodurch eine Stromrichtervorrichtung miniaturisiert wird.

In der Erfindung ist ein Überspannungsschutzmodul so konfiguriert, dass zwölf Überspannungsschutzdioden und ein Überspannungsschutzkondensator, die eine Überspannungsschutzschaltung zum Unterdrücken einer Stoßspannung bilden, in einer Harzform eingeschlossen sind, wobei ein Zuleitungsdraht auf der P-Seite und ein Zuleitungsdraht auf der N-Seite, die zwei Kondensatoraußenanschlüsse sind, die jeweils mit zwei Anschlüssen des Überspannungsschutzkondensators verbunden sind, und sechs Diodenaußenanschlüsse, die jeweils mit Verbindungsanschlüssen verbunden sind, wobei jeweils zwei der zwölf Überspannungsschutzdioden miteinander verbunden sind, aus der Harzform frei liegen.


Anspruch[de]
  1. Überspannungsschutzmodul einer Überspannungsschutzschaltung zum Unterdrücken einer Stoßspannung, das zwölf Überspannungsschutzdioden und einen Überspannungsschutzkondensator sowie eine Harzform, in der die Überspannungsschutzdioden und der Überspannungsschutzkondensator eingeschlossen sind, umfasst, wobei von der Harzform zwei Kondensatoraußenanschlüsse, die jeweils mit zwei Anschlüssen des Überspannungsschutzkondensators verbunden sind, sowie sechs Diodenaußenanschlüsse, von denen jeder mit einem Verbindungsabschnitt von jeweils zwei der zwölf Überspannungsschutzdioden verbunden ist, frei liegen.
  2. Überspannungsschutzmodul nach Anspruch 1, bei dem die Überspannungsschutzschaltung konfiguriert ist durch:

    wenigstens sechs Sätze von Reihendioden, von denen jeder durch zwei Überspannungsschutzdioden konfiguriert ist, wobei ein Anodenanschluss einer der Überspannungsschutzdioden mit einem Katodenanschluss einer anderen der Überspannungsschutzdioden verbunden ist und wobei der Verbindungsabschnitt ein Verbindungsabschnitt des Anoden- und des Katodenanschlusses ist; und

    einen Überspannungsschutzkondensator, in dem ein Anschluss auf einer Seite, die nicht mit den sechs Dioden-Außenanschlüssen verbunden ist, gemeinsam mit den Anodenanschlüssen der Reihendioden verbunden ist, während ein anderer Anschluss auf einer Seite, die nicht mit den sechs Dioden-Außenanschlüssen verbunden ist, gemeinsam mit den Katodenanschlüssen der Reihendioden verbunden ist.
  3. Überspannungsschutzmodul nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die sechs Dioden-Außenanschlüsse so konfiguriert sind, dass sie die gleichen Abstände wie die Eingangs- und Ausgangsanschlüsse eines Halbleiterschaltermoduls haben, das doppelt gerichtet eine Leistung zwischen drei Anschlüssen zuführen kann.
  4. Stromrichtervorrichtung, bei der die Vorrichtung konfiguriert ist durch: ein Halbleiterschaltermodul, das durch achtzehn Halbleiterschaltvorrichtungen mit einer Selbst-Lichtbogenlöschfähigkeit und einer Sperrfestigkeitscharakteristik konfiguriert ist und in dem zwei der achtzehn Halbleiterschaltvorrichtungen antiparallel zueinander geschaltet sind, um einen doppelt gerichteten Schalter zu bilden, wodurch neun doppelt gerichtete Schalter gebildet sind, wobei drei doppelt gerichtete Schaltergruppen, die jeweils durch drei doppelt gerichtete Schalter konfiguriert sind, mit drei Eingangsanschlüssen bzw. mit einem Ausgangsanschluss verbunden sind und

    ein Überspannungsschutzmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 3, in dem die sechs Diodenendanschlüsse mit den Eingangs- bzw. Ausgangsanschlüssen des Halbleiterschaltermoduls verbunden sind.
Es folgen 5 Blatt Zeichnungen






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