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Dokumentenidentifikation DE69633770T2 27.10.2005
EP-Veröffentlichungsnummer 0000778358
Titel Verfahren und Vorrichtung zur chemischen Gasphasenabscheidung dünner Schichten
Anmelder Applied Materials, Inc., Santa Clara, Calif., US
Erfinder Robles, Stuardo, #10 Sunnyvale, US;
Sivaramakrishnan, Visweswaren, Santa Clara, US;
Galiano, Maria, San Jose, US;
Kithcart, Victoria, Fremont, US
Vertreter v. Füner Ebbinghaus Finck Hano, 81541 München
DE-Aktenzeichen 69633770
Vertragsstaaten DE, GB
Sprache des Dokument EN
EP-Anmeldetag 05.12.1996
EP-Aktenzeichen 963088554
EP-Offenlegungsdatum 11.06.1997
EP date of grant 03.11.2004
Veröffentlichungstag im Patentblatt 27.10.2005
IPC-Hauptklasse C23C 16/40
IPC-Nebenklasse H01L 21/316   

Beschreibung[de]

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf die Reduzierung von Defekten an der Oberfläche eines Siliziumdioxidfilms aus einer chemische Gasphasenabscheidung (CVD), und insbesondere eines Films, der unter Verwendung einer Ozon-TEOS-Chemie gebildet wird, worauf unmittelbar ein Siliziumdioxidfilm aus einer plasmaverstärkten chemischen Gasphasenabscheidung (PECVD) folgt.

Einer der Hauptschritte bei der Herstellung moderner Halbleitervorrichtungen ist die Ausbildung eines Dünnfilms auf dem Halbleitersubstrat durch eine chemische Reaktion von Gasen. Auf einen solchen Abscheidungsprozess wird als chemische Gasphasenabscheidung oder kurz "CVD" Bezug genommen. Bei herkömmlichen thermischen CVD-Prozessen werden reaktive Gase zu der Substratoberfläche transportiert, wo zur Erzeugung eines gewünschten Films wärmeinduzierte chemische Reaktionen erfolgen. Die Temperaturen, bei denen die thermischen CVD-Prozesse arbeiten, können die Vorrichtungsstrukturen beschädigen, die Metallschichten aufweisen. Andererseits begünstigen plasmaverstärkte CVD-Prozesse (auf die häufig als PECVD Bezug genommen wird) eine Dissoziation der Reaktionsteilnehmergase durch Anlegen einer Hochfrequenz-(RF-)Energie an eine Reaktionszone in unmittelbarer Nähe der Substratoberfläche, wodurch ein Plasma mit hochreaktiven Ionenspezies erzeugt wird. Die hohe Reaktivität der freigesetzten Ionenspezies verringert die Energie, die erforderlich ist, dass die chemische Reaktion stattfindet, und senkt so die erforderliche Temperatur für solche CVD-Prozesse ab. Die relativ niedrige Temperatur eines PECVD-Prozesses macht solche Prozesse nützlich, beispielsweise für die Bildung von Isolierschichten über abgelegten Metallschichten.

Häufig wird ein zweischichtiger isolierender oder dielektrischer Film verwendet, der bestimmte Vorteile gegenüber einem Einzelschichtfilm aufweist. Ein Niederdruck- oder subatmosphärischer CVD-Prozess (SACVD) kann einen Film bilden, der Spalte gut ausfüllt, beispielsweise Spalte zwischen Metalllinien oder zwischen Polysilizium- oder anderen Flächen. Ein Beispiel eines SACVD-Prozesses, der von Applied Materials verwendet wird, benutzt Ozon und arbeitet gewöhnlich in einem Temperaturbereich von 350 bis 500°C und bei einem Druck von 2666 bis 82660 Pa (20 bis 620 Torr). Ein SACVD-Prozess hat eine langsame Abscheidungsrate, so dass es erwünscht ist, eine "Sandwich"-Schicht mit einer zweiten PECVD-Schicht zu verwenden, die auf der Oberseite der ersten Schicht abgelegt wird. Die PECVD-Schicht kann viel schneller erzeugt werden, was die Zeit verringert, die erforderlich ist, um eine Schicht mit gewünschter Dicke abzuscheiden. Die zweite Schicht kann dann unter Verwendung eines chemischen-mechanischen Polierens (CMP) planarisiert werden.

Nach der Beendigung eines SACVD-Prozesses ist es möglich, dass sich Defekte auf der Filmoberfläche aufgrund von Reaktionen bilden, die nach der Beendigung des Prozesses auftreten. Diese Reaktionen können die Integrität des Films oder die Trennfläche zu jedem darauf folgenden Film beeinträchtigen.

Insbesondere dort, wo ein PECVD-Prozess zum Abscheiden eines zweiten Siliziumdioxidfilms auf der Oberseite des Films verwendet wird, der durch den SACVD-Prozess gebildet wurde, können Zwischenschichtdefekte problematisch sein. Insbesondere kann bei einem nachfolgenden Ätzen zur Bildung einer Metallverbindung durch die Schicht seitlich in die schwache Trennfläche geätzt werden, was dazu führt, dass Metall dort abgeschieden ist, wo es nicht erwünscht ist, und dass saubere vertikale Leitungen für die Metallverbindung verhindert werden.

Jede Siliziumdioxidschicht kann Dotiermittel enthalten, die eine spezielle Art einer dielektrischen Schicht erzeugen. Die Schichten können undotiertes Siliziumdioxidglas (USG) sein oder Dotiermittel enthalten, wie mit Phosphor dotiertes Siliziumdioxidglas (PSG) oder mit Bor und Phosphor dotiertes Siliziumglas (BPSG). Beispielsweise können die Dualschichten für premetallische dielektrische Schichten (PMD) oder für intermetallische dielektrische Schichten (IMD) oder für eine isolierende oder passivierende Schicht verwendet werden.

Die beiden Schichten können unterschiedliche Kombinationen von PSG, BPSG oder USG sein. Insbesondere kann auf eine SACVD-USG-Schicht eine PECVD-USG-Schicht folgen. Alternativ kann auf eine SACVD-PSG-Schicht eine PECVD-Schicht aus USG oder PSG folgen. Auf eine SACVD-BPSG-Schicht kann eine PECVD-Schicht aus BPSG, PSG oder USG folgen. Eine bevorzugte Siliziumquelle ist TEOS, während TMB oder TEB als Borquelle und TEPO, TEP, TMP oder TMOP als Phosphorquelle verwendet werden können.

Ein Verfahren zur Erzeugung der beiden Schichten besteht darin, die erste Schicht abzuscheiden und dann den Wafer zu einer zweiten Reaktorkammer für das Abscheiden des plasmaverstärkten Films zu bewegen. Der Nachteil dieses Verfahrens ist die Notwendigkeit einer zweiten Reaktorkammer und das Erfordernis, den Wafer zu der anderen Kammer zu bewegen, was zusätzliche Zeit erfordert.

Ein zweites Verfahren verwendet eine Kammer, die sowohl für SACVD-Prozesse bei 2666 bis 82660 Pa (20 bis 620 Torr) als auch für PECVD-Prozesse bei 66,7 bis 2666 Pa (0,5 bis 20 Torr) tauglich ist. Die Kammer wird zuerst für einen SACVD-Prozess zur Abscheidung des ersten Films verwendet, wonach der Wafer aus der Kammer entfernt und die Kammer gereinigt wird. Der Wafer wird dann in die Kammer zurückgebracht für Abscheidung des plasmaverstärkten Films. Dadurch wird die Bildung von Defekten aufgrund von Reaktionen mit Materialien aus dem ersten Prozess während des zweiten Prozesses ausgeschlossen, da die Kammer zwischen den Prozessen gereinigt wurde. Dieser Prozess erfordert nur eine einzige Kammer, erfordert jedoch auch die Zeit zum Entfernen und Wiedereinsetzen des Wafers mit den Zwischenschritten der Kammerreinigung.

Wenn man einfach die beiden Abscheidungen Rücken an Rücken in der gleichen Kammer ohne eine Zwischenreinigung ausführt, zeigt sich, dass eine schwache Trennfläche zwischen den beiden Siliziumdioxidschichten erzeugt wird.

3 zeigt eine Querschnittsansicht eines Doppelschichtfilms mit einer unteren Schicht 54 und einer oberen Schicht 56. Ferner ist ein Kanal 58 gezeigt, der durch die beiden Schichten geätzt und durch Metallisierung gefüllt ist. Man sieht, dass aufgrund einer schlechten Trennfläche 60 die Ätzung in die Seitenwände an den Stellen 62 eindringen kann. Man sieht ferner, dass die Seitenwände somit nicht sauber sind, was die Leistung und Integrität einer auf dem Wafer ausgebildeten Schaltung beeinträchtigen kann.

Defekte können auftreten, die eine schwache Trennfläche verursachen, wenn am Ende des SACVD-Schritts während des Abpumpens Ozon mit verschiedenen Reaktionsteilnehmern in der Kammer reagiert, nachdem die Dotiergase und TEOS abgeschaltet sind. Beim Beginn des PECVD-Prozesses können die Dotiermittel mit Sauerstoff unter Bildung von B2O3 oder P2O5 in der Trennfläche reagieren, was eine schwache Trennfläche ergeben kann. Eine Einmischung von Bor- und Phosphoroxiden in Siliziumoxid ist erwünscht, jedoch nicht, wenn die Bor- und Phosphoroxide gegenüber dem Siliziumoxid vorherrschen.

Trennflächenprobleme zwischen anderen dielektrischen Schichten wurden auf verschiedene Weisen beim Stand der Technik angesprochen. Beispielsweise erörtert das Patent US 5,271,972 die Ausbildung einer PECVD-Schicht zuerst und dann die Abscheidung einer CVD-Schicht. Um die Oberflächenempfindlichkeit an der Trennfläche zu verringern, erörtert das Patent eine schrittweise Reduzierung der Leistung am Ende des PECVD-Prozesses.

In dem Patent US 5,426,076 wird ein weiteres Verfahren zur Ausbildung einer besseren Trennfläche erörtert, wobei zuerst eine PECVD-Schicht und dann eine thermische CVD-Schicht (THCVD) abgeschieden wird. Bei diesem Patent wird ein Reinigungsschritt mit Sauerstoffplasma (O2) ausgeführt, um Abscheidungen von flüssigem TEOS zu entfernen, das bei dem PECVD-Prozess gebildet wird. Dadurch wird verhindert, dass TEOS mit dem Ozon in dem darauf folgenden THCVD-Prozess reagiert.

Die vorliegende Erfindung richtet sich sowohl auf einen SACVD-Schichtprozess als auch auf eine dielektrische Doppelschicht, bei der der PECVD-Prozess als zweiter Schritt, nicht als erster kommt. Es besteht ein Bedürfnis, die Trennfläche zwischen den beiden Schichten zu verbessern, während es möglich sein soll, die beiden Prozesse in situ oder Rücken an Rücken in der gleichen Kammer ohne einen Zwischenreinigungsschritt der Kammer auszuführen.

Gemäß einem ersten Aspekt stellt die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Abscheiden einer Siliziumoxidschicht auf einem Wafer bereit, der in einer Kammer für chemische Gasphasenabscheidung (CVD) angeordnet ist, wobei ein Prozess der chemischen Gasphasenabscheidung bei Unterdruck (SACVD) verwendet wird, auf den ein Prozess einer plasmaverstärkten chemischen Gasphasenabscheidung (PECVD) ohne einen Zwischenreinigungsschritt folgt, und wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist:

  • (a) Strömenlassen eines ersten Silizium enthaltenden Gases, eines Trägergases und von Ozon in die Kammer, um einen ersten Teil der Siliziumoxidschicht auf dem Wafer in einem SACVD-Abscheideprozess abzuscheiden,
  • (b) danach Unterbrechen des Stroms des ersten Silizium enthaltenden Gases und/oder des Trägergases und Verdünnen des Ozonstroms und darauf folgendes Verringern des Drucks in der Kammer, und
  • (c) danach Abscheiden eines zweiten Teils der Siliziumoxidschicht auf dem Wafer in einem PECVD-Abscheidungsprozess.

Bei einem zweiten Aspekt stellt die vorliegende Erfindung eine Vorrichtung für die chemische Gasphasenabscheidung (CVD)

  • – mit einer CVD-Kammer,
  • – mit Halteeinrichtungen zum Halten eines in der Kammer angeordneten Wafers,
  • – mit einem Gasabgabekopf, der in der Kammer angebracht ist,
  • – mit Einrichtungen zum Bewegen der Halteeinrichtungen bezüglich des Gasabgabekopfes,
  • – mit einem Plasmaerzeugungssystem zur Erzeugung eines Plasmas, das eine HF-Quelle aufweist, die zwischen dem Gasabgabekopf und den Halteeinrichtungen eingekoppelt ist,
  • – mit einem Gasverteilungssystem, das mit dem Gasabgabekopf zum selektiven Einführen eines Silizium enthaltenden Gases, eines Trägergases, von Ozon und Sauerstoff in die Kammer verbunden ist,
  • – mit einer Steuereinrichtung zum Steuern des Gasverteilungssystems, der HF-Quelle, der Einrichtungen zum Bewegen der Halteeinrichtungen und des Drucks in der Kammer, sowie
  • – einen Speicher bereit, der mit der Steuereinrichtung gekoppelt ist und ein Rechnerprogramm zum Leiten des Betriebs der Kammer speichert, wobei das Rechnerprogramm einen Satz von Instruktionen aufweist, um
  • (a) ein erstes Silizium enthaltendes Gas, ein Trägergas und Ozon in die Kammer strömen zu lassen, damit im Einsatz ein erster Teil einer Siliziumoxidschicht auf einem Wafer bei einem Prozess einer chemischen Gasphasenabscheidung bei Unterdruck (SACVD) abgeschieden wird,
  • (b) danach den Strom des ersten Silizium enthaltenden Gases und/oder des Trägergases zu unterbrechen und den Ozonstrom zu verdünnen und darauf folgend den Druck in der Kammer zu verringern, und
  • (c) danach einen Prozess einer plasmaverstärkten chemischen Gasphasenabscheidung (PECVD) auszuführen, damit im Einsatz ein zweiter Teil der Siliziumoxidschicht auf dem Wafer abgeschieden wird.

Gemäß einem dritten Aspekt stellt die vorliegende Erfindung ein auf einem von einem Rechner lesbaren Medium gespeichertes Rechenprogramm mit Instruktionen für eine Steuereinrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung in einer Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung (CVD) zur Ausführung der folgenden Vorgängen bereit:

  • (a) Strömenlassen eines ersten Silizium enthaltenden Gases, eines Trägergases und von Ozon in eine CVD-Kammer, um im Einsatz einen ersten Teil einer Siliziumoxidschicht auf einem Wafer bei einem Prozess der chemischen Gasphasenabscheidung bei Unterdruck (SACVD) abzuscheiden,
  • (b) danach Unterbrechen des Stroms des ersten Silizium enthaltenden Gases und/oder des Trägergases und Verdünnen des Ozonstroms und darauf folgendes Verringern des Drucks in der Kammer, und
  • (c) danach Ausführen eines plasmaverstärkten Prozesses der chemischen Gasphasenabscheidung (PECVD), um im Einsatz einen zweiten Teil der Siliziumoxidschicht auf dem Wafer abzuscheiden.

Der Abscheidungsdruck bei dem SACVD-Prozess wird dadurch abgesenkt, dass der Strom des Silizium enthaltenden Gases (vorzugsweise TEOS) und/oder des Trägergases (vorzugsweise Helium) unterbrochen wird, während der Strom des Sauerstoffreaktionsgases verdünnt wird, beispielsweise der Ozonstrom mit Sauerstoff verdünnt wird. Gleichzeitig beginnt eine Absenkung des Drucks. Das Verdünnen des Ozons mit Sauerstoff begrenzt Reaktionen mit unerwünschten Reaktionsteilnehmern am Ende eines Prozesses.

Wenn in dem O3-TEOS-Prozess ein Dotiermittelgas verwendet wird, wird das Dotiermittelgas vorzugsweise für etwa zwei Sekunden abgeschaltet, bevor der TEOS- und der Heliumträgerstrom abgeschaltet werden, um es zu ermöglichen, dass die Dotiergase verbraucht werden. Wenn der Sauerstoff eingeführt wird, um das Ozon zu verdünnen, wird der Wafer vorzugsweise von dem Gasabgabekopf wegbewegt. Der Druck wird vorzugsweise mit einer Rate von etwa 10 Torr pro Sekunde reduziert, bis der Reaktionskammer-Basisdruck von 53,3 bis 267 Pa (0,4 bis 2 Torr) erreicht ist.

Die vorliegende Erfindung verhindert auch die Bildung von Defekten beim Anfahren des PECVD-Prozesses. Dabei werden zuerst Sauerstoff zugeführt und der Druck erhöht. Gleichzeitig oder vorher wird der Suszeptor mit dem Wafer nach oben in die Nähe des Gasabgabekopfes bewegt. Daraufhin wird das Silizium enthaltende Gas (TEOS) eingeführt und das Plasma gezündet. Vorzugsweise wird das Plasma mit Sauerstoff und TEOS für etwa 1 bis 2 Sekunden gestartet, bevor irgendwelche Dotiermittel eingeführt werden, die beim Erzeugen der Siliziumdioxidschicht verwendet werden.

Für ein besseres Verständnis der Ziele und Vorteile der vorliegenden Erfindung wird auf die folgende, ins Einzelne gehende Beschreibung im Zusammenhang mit den beiliegenden Zeichnungen Bezug genommen.

1 ist eine vertikale Schnittansicht eines vereinfachten CVD-Reaktors nach der vorliegenden Erfindung.

2 ist ein geschnittenes Schema eines Zwei-Schicht-Dielektrikums nach der vorliegenden Erfindung.

3 ist eine Schnittansicht eines geätzten Kanals durch einen Dualschichtfilm, wobei die Wirkungen einer fehlerhaften Trennfläche gezeigt werden.

4 ist ein Schema eines Prozesssystems, das die verschiedenen Gasquellen und Mischungen zeigt.

5 ist ein Fließbild, das die SACVD-Rückfahrschritte der vorliegenden Erfindung zeigt.

6 ist ein Ablaufdiagramm, das die PECVD-Anlaufschritte der vorliegenden Erfindung zeigt.

Ein geeignetes CVD-System, mit dem das Verfahren der vorliegenden Erfindung ausgeführt werden kann, ist in 1 gezeigt, die eine vertikale Schnittansicht eines vereinfachten Systems 10 für die chemische Gasphasenabscheidung mit Parallelplatte ist, das eine Vakuumkammer 15 aufweist. Das System 10 enthält einen Gaseinlassverteiler 11 zum Verteilen von Abscheidungsgasen auf einem nicht gezeigten Wafer, der auf einem Suszeptor 12 ruht. Der Suszeptor 12 ist thermisch hochansprechend und wird auf Tragfingern 13 so gehalten, dass er (und der Wafer, der auf der oberen Fläche des Suszeptors 12 gehalten wird) gesteuert zwischen einer unteren Lade-/Entladeposition und einer oberen Behandlungsposition 14 bewegt werden kann, die sich nahe an dem angrenzenden Verteiler 11 befindet.

Wenn sich der Suszeptor 12 und der Wafer in der Behandlungsposition 14 befinden, sind sie von einer Umlenkplatte umgeben, die eine Vielzahl von beabstandeten Löchern 23 hat, die in einen ringförmigen Vakuumverteiler 24 abführen. Während der Behandlung wird das in den Verteiler 11 eingeführte Gas radial gleichförmig über der Fläche des Wafers verteilt, was durch Pfeile 21 angezeigt ist. Das Gas wird dann über die Löcher 23 in den kreisförmigen Vakuumverteiler 24 durch ein Vakuumpumpensystem (nicht gezeigt) abgesaugt. Vor dem Erreichen des Verteilers 11 werden die Abscheidungs- und Trägergase durch Gasleitungen 18 in ein Mischsystem 19 eingeführt, wo sie gemischt und dann zum Verteiler 11 transportiert werden. Dieses CVD-System hat die Fähigkeit, ohne Modifizierung der Hardware, sowohl einen SACVD-Prozess bei 2666 bis 82660 Pa (20 bis 620 Torr) als auch einen PECVD-Prozess bei 66,7 bis 2666 Pa (0,5 bis 20 Torr) auszuführen.

Der im System 10 ausgeführte Abscheidungsprozess kann entweder ein thermischer Prozess oder ein plasmaverstärkter Prozess sein. Der thermische Prozess ist gewöhnlich ein SACVD-Prozess, der Ozon und TEOS in einem Temperaturbereich von 350 bis 500°C und in einem Druckbereich von 2666 bis 82660 Pa (20 bis 620 Torr) verwendet. Bei dem Plasmaprozess wird ein gesteuertes Plasma angrenzend an den Wafer durch HF-Energie gebildet, die an den Einlassverteiler 11 von einer HF-Leistungsversorgung 25 (bei geerdetem Suszeptor 12) angelegt wird. Bei einer Ausgestaltung ist die HF-Leistung durch ein Band an einen Träger für den Einlassverteiler 11 angeschlossen, obwohl auch andere Anschlusspunkte verwendet werden könnten. Der Einlassverteiler 11 ist auch eine HF-Elektrode, während der Suszeptor 12 an Masse liegt. Die HF-Leistungseinspeisung 25 kann eine HF-Leistung in den Verteiler 11 entweder mit einer einzigen Frequenz oder mit einer Mischfrequenz einführen, um die Zersetzung der reaktiven Spezies zu steigern, die in die Kammer 15 eingeführt werden.

Ein äußerer Lampenmodul 26 sorgt für ein kollimiertes ringförmiges Lichtmuster 27 durch ein Quarzfenster 28 auf einen ringförmigen äußeren Umfangsabschnitt des Suszeptors 12. Eine solche Wärmeverteilung gleicht das Muster des natürlichen Wärmeverlustes des Suszeptors aus und führt zu einem schnellen thermischen und gleichförmigen Erhitzen von Suszeptor und Wafer zur Bewirkung der Abscheidung.

Gewöhnlich sind die Kammerauskleidung, die Gaseinlassverteiler-Frontplatte, die Haltefinger 13 und verschiedene andere Hardware des Systems einzeln oder alle aus einem Material, wie eloxiertem Aluminium, hergestellt. Ein Beispiel für eine solche CVD-Vorrichtung ist in dem US-Patent 5,000,113 mit dem Titel "Thermischer CVD/PECVD-Reaktor und Verwendung für die thermische chemische Gasphasenabscheidung von Siliziumdioxid in einem mehrstufigen planarisierten In-situ-Prozess", ausgegeben für Chang et al. und übertragen auf Applied Materials, Inc., dem Zessionar der vorliegenden Erfindung, beschrieben, die hier für alle Zwecke als Referenz eingeschlossen ist.

Ein Motor 32 hebt und senkt den Suszeptor 12 zwischen einer Behandlungsposition 14 und einer unteren Waferladeposition. Der Motor 32, das Gasmischsystem 19 und die HF-Leistungseinspeisung 25 werden von einem Prozessor 34 über eine Steuerleitung 36 gesteuert. Der Prozessor 34 arbeitet unter der Steuerung eines Rechnerprogramms, das in einem Speicher 38 gespeichert ist. Das Rechnerprogramm diktiert die Zeitabstimmung, die Mischung der Gase, die HF-Leistungspegel, die Suszeptorposition und andere Parameter eines speziellen Prozesses.

2 ist eine Schnittansicht eines Teils eines Beispiels eines Wafers, der erfindungsgemäß hergestellt wird. Die Schnittansicht zeigt eine Anzahl von Leitern 40 aus Metall oder Polysilizium, die auf einer unteren Schicht 42 ausgebildet sind. Die untere Schicht 42 enthält gewöhnlich Transistoren oder andere Bauelemente, die die Leiter 40 aus Metall oder Polysilizium verbinden. Um eine zweite Schicht aus Metall abzuscheiden oder um die Metallschicht einfach zu passivieren, ist eine isolierende Zwischenschicht erforderlich. Diese wird bei der vorliegenden Erfindung unter Verwendung von zwei Schichten ausgebildet. Die erste Schicht ist eine SACVD-Schicht 44. Es wird ein SACVD-Prozess verwendet, da er gut zum Füllen von Spalten ist, beispielsweise von dem Spalt 48 zwischen den metallischen Leitern 40. Der SACVD-Prozess kann auch dazu verwendet werden, Spalte zwischen Polysilizium oder anderen Strukturen zu füllen, wie einer Premetallschicht einer anderen Schicht. Zusätzlich kann die dotierte SACVD-Schicht auf Temperaturen im Bereich von 750°C bis 950°C glühbehandelt werden, um eine planarisierte oder teilweise planarisierte Schicht zu bilden. Da die SACVD-Schicht sich nicht sehr schnell abscheidet, wird eine zweite plasmaverstärkte Schicht 46 abgeschieden, die schnell eine dicke Schicht bilden kann. Die obere Fläche 52 kann unter Verwendung von CMP planarisiert werden. Wie vorstehend beim Stand der Technik ausgeführt wurde, werden zur Bildung einer guten Trennfläche 50 gewöhnlich zwei Kammern verwendet, oder der Wafer wird aus der Kammer entfernt und es erfolgt eine Reinigung nach dem Abscheiden der SACVD-Schicht 44 und bevor die plasmaverstärkte Schicht 46 abgeschieden wird. Die vorliegende Erfindung stellt einen Prozess zur Bildung einer guten Trennfläche 50 bereit, ohne den Wafer aus der Kammer zu entfernen und ohne einen Zwischenreinigungsschritt auszuführen. Dies wird durch ein neues Verfahren für das Zurückführen des Drucks eines SACVD-Abscheidungsschrittes, der in 5 gezeigt ist, und den Hochfahnrorgang für einen PECVD-Prozess, wie er in 6 dargestellt ist, erreicht. Der SACVD-Vorgang ist auch zur Vermeidung von Oberflächendefekten für eine Einzelschichtausgestaltung zweckmäßig.

4 zeigt das Gasmischsystem 19, das der Behandlungskammer 10 Gas zuführt. Eine erste Leitung 64 wird dazu verwendet, TEOS aus einer Leitung 66 mit Dotiermitteln zu mischen, die vorgesehen werden können, beispielsweise TEPO über ein Ventil 68 in einer Leitung 70, und TEB über ein Ventil 72 in einer Leitung 74. Eine zweite Leitung 76 fördert gesondert Sauerstoff zu dem Gasabgabeverteiler in der Behandlungskammer 10 über eine Leitung 78, die von einem Ventil 80 gesteuert wird, und/oder Ozon über eine Leitung 82, die von einem Ventil 84 gesteuert wird, und eventuell ein Fluor enthaltendes Gas, wie C2F6 über eine Leitung 86, die von einem Ventil 88 gesteuert wird.

Die aus den flüssigen Quellen (TEOS, TEB, TEPO, usw.) erzeugten Behandlungsgase werden durch eine Vielzahl von Verfahren bereitgestellt. Für ein Beispiel, TEOS in Leitung 66, werden zwei alternative Verfahren gezeigt. Ähnliche Anordnungen können zur Erzeugung eines Gases aus TEPO (oder TEP, TMP oder TMOP) für das Ventil 68 oder ein Gas aus TEB (oder TMB) für das Ventil 72 verwendet werden. Bei den TEOS-Beispielen kann das aus TEOS erzeugte Gas entweder über ein Blasendurchströmsystem 90 oder ein Injektorsystem 92 vorgesehen werden. Diese sind durch gestrichelte Linien gezeigt, da das eine oder das andere verwendet wird. Bei dem Blasendurchströmsystem 90 wird von einem automatischen Durchflusssteuerer (AFC) 94 reguliertes Helium über eine Leitung 96 in einen Behälter 98 geführt, der flüssiges TEOS 100 bei einer Temperatur zwischen 30 bis 50°C enthält. Die Heliumblasen im Behälter transportieren TEOS-Dampf zu der CVD-Kammer über die Leitung 102, die an die Leitung 66 angeschlossen ist.

Alternativ wird flüssiges TEOS aus der TEOS-Quelle 108 über einen Flüssigkeitsdurchsatzmesser (LFM) 106 zu einem Injektorventil 104 geführt. Die TEOS-Quelle 108 kann eine Entgasungseinrichtung aufweisen, um Helium zu entfernen, wenn unter Druck stehendes Helium zum Pumpen des TEOS verwendet wird. Ferner kann eine Entgasungseinrichtung bei der Blasendurchströmausführung verwendet werden. Der Flüssigkeitsdurchsatzmesser steuert den Durchsatz des flüssigen TEOS. Dem Injektorventil 104 wird Helium als Trägergas über eine automatische Durchsatzsteuerung 108 und eine Leitung 110 zugeführt. In dem Injektorventil 104 wird das flüssige TEOS aufgrund einer plötzlichen Druck- oder Volumenänderung verdampft. Das verdampfte TEOS wird zu der Behandlungskammer durch das Heliumträgergas über die Leitungen 112 und 66 transportiert.

Auf der anderen Seite der Kammer ist eine Vakuumpumpe 114 an eine Absaugleitung aus der Kammer über ein variables Ventil oder ein Drosselventil 116 angeschlossen, das von einem Schrittmotor 118 gesteuert wird. Wenn der Schrittmotor das Ventil 116 schließt, nimmt der Druck des Gases, das sich in der Behandlungskammer 10 befindet, in der Kammer zu. Wenn das Ventil offen ist, kann der Druck in der Kammer verringert werden. Während der Behandlung kann der geeignete Druck dadurch aufrechterhalten werden, dass eine Rückkoppelungsschleife und ein Steuerventil 116 unter einer Servosteuerung verwendet werden, um den gewünschten Druck aufrechtzuerhalten.

Zum Messen des Drucks in der Behandlungskammer 10 wird ein Doppelmanometer 11 verwendet. Das Manometer kann Drucke im Bereich von 0 bis 13332 Pa (0 bis 100 Torr) messen (für den PECVD-Prozess) oder in einem Bereich von 0 bis 133322 Pa (0 bis 1000 Torr) – (für den SACVD-Prozess). Der gemessene Druck wird dem Prozessor 34 von 1 für die Rückkoppelungssteuerung zugeführt.

5 ist ein Ablaufdiagramm einer Ausführung einer CVD-Zurückfahrung nach der vorliegenden Erfindung. Wie im Schritt A gezeigt ist, wird zuerst der SACVD-Abscheidungsschritt abgeschlossen. Bei einer Ausführungsform gehört zu diesem Prozess eine Gasmischung aus Ozon (O3) und TEOS, die für die Kammer bereitgestellt werden, die sich auf einem Druck von etwa 26667 Pa (200 Torr) befindet. Der Suszeptor wird auf eine Temperatur von 400 bis 500°C durch Beheizungslampen erhitzt. Zwischen der HF-Leistungszuführung und dem Suszeptor liegt keine Leistung an, da es sich nicht um einen plasmaverstärkten Prozess handelt. Wenn der Prozess einer für ein dotiertes Siliziumglas im Gegensatz zu undotiertem (USG) ist, enthält die Gasmischung auch Gase mit Phosphor oder Phosphor und Bor, wie TEB (Triethylborat) und TEPO (Triethylphosphor). Der Suszeptor befindet sich in einem Abstand von dem Gasabgabeverteiler von 200 bis 300 mils. Es wird ein Ozondurchsatz von 2000 bis 5000 sccm verwendet. Für einen Einspritzsystemprozess umfasst eine Ausführungsform auch 200 bis 600 mgm TEOS, 40 bis 90 mgm TEPO und 100 bis 250 mgm TEB. Bei dem Einspritzsystem beträgt der Strom des Heliumträgers 2000 bis 8000 sccm. In einer Ausgestaltung eines Blasendurchströmsystems liegt der Strom des Heliumträgers in den Behälter für flüssiges TEOS bei 2000 bis 5000 sccm, der Strom des He-Trägers in den TEPO-Behälter bei 2000 bis 6000 sccm und der He-Trägerstrom in den TEB-Behälter bei 200 bis 400 sccm.

Wenn der Prozess eine ausreichend lange Zeit abgelaufen ist, um eine Schicht 44 (wie in 2 gezeigt) mit ausreichender Dicke abzuscheiden, wird zuerst der Strom der Dotiermittelgase, die Bor oder Phosphor und Bor enthalten, unterbrochen (Schritt B in 5). Nach einer Verzögerung von 1 bis 5 s, vorzugsweise von 2 bis 3 s (Schritt C) wird der Strom des Silizium enthaltenden Gases (TEOS) und/oder des Trägergases (Helium) unterbrochen (Schritt D). Dies verhindert, dass Ozon mit den Dotiermittelgasen reagiert, ohne dass ausreichend TEOS vorhanden ist. Die Zeitgröße wurde empirisch auf 1 bis 5 s, vorzugsweise 2 bis 3 s bestimmt.

Ferner ist im Schritt D der Ozonstrom mit Sauerstoff verdünnt. Vorzugsweise wird ein O2-Strom von 3000 sccm für einen Ozondurchsatz von 4000 sccm hinzugefügt, sowie proportionale Mengen für andere Durchsätze. Dies verhindert eine Defektbildung, da sonst, wenn Ozon mit hoher Konzentration während der Druckzurückfahrung vorhanden ist, die Dotiermittel und TEOS in unerwünschter und unkontrollierter Weise reagieren könnten.

Nachdem der Sauerstoffstrom gestartet worden ist, werden der Suszeptor und der Wafer von dem Gasabgabeverteiler (Schritt D) wegbewegt. Diese Bewegung beginnt unmittelbar, nachdem der Sauerstoffstrom beginnt, wobei der Sauerstoffstrom gleichzeitig mit der Unterbrechung des TEOS und des Heliums beginnt. Das Abwärtsbewegen des Suszeptors verringert nicht nur die Wahrscheinlichkeit einer Reaktion, sondern bewegt ihn auch weg von der Vakuumabsaugung, wodurch es weniger wahrscheinlich wird, dass über ihn Defekte gezogen werden.

Wenn sich der Suszeptor aus seinem Behandlungsabstand von annähernd 230 mils von der Gasabgabestirnplatte in eine Position von 600 mils von der Gasabgabestirnplatte wegzubewegen beginnt, wird auch der Druck verringert. Die Abnahme des Drucks erfolgt vorzugsweise mit etwa 1330 Pa (10 Torr) pro Sekunde, bis der Druck auf den Reaktionskammer-Basisdruck von etwa 53,3 bis 267 Pa (0,4 bis 2 Torr) abgefallen ist. Dieser Prozess dauert etwa 10 bis 20 s, abhängig von dem Behandlungsdruck.

Nachdem der Strom von Sauerstoff und Ozon unterbrochen ist, erreicht der Druck den Kammerbasisdruck von 0,05 bis 0,3 Pa (0,4 bis 2 Millitorr) – (Schritt E).

Der Rückfahrprozess der vorliegenden Erfindung durch Abschalten des Dotiermittelstroms vor dem Abschalten des Ozon/TEOS-Stroms führt zu einer Oberflächenschicht, bei der Dotiermittel-Reaktionsteilnehmer nicht vorherrschen. Tatsächlich kann Siliziumdioxid für sich die Oberflächenschicht bilden, was gegenüber einem Überschuss an Dotiermitteln auf der Oberflächenschicht bevorzugt wird. Bei einer alternativen Ausgestaltung kann anstelle der Verwendung von Sauerstoff zur Verdünnung des Ozons Stickstoff eingesetzt werden.

Der PECVD-Prozess kann etwa 2 bis 3 s nach dem Abschluss des SACVD-Prozesses beginnen, indem der Sauerstoff- und Ozonstrom unterbrochen werden. Während dieser Zeit wird die Temperatur derart aufrechterhalten, dass der PECVD-Prozess schnell anläuft. 6 zeigt die Schritte für das Hochfahren eines PECVD-Prozesses, um die Trennflächendefekten zwischen zwei Schichten zu minimieren. Zuerst wird der Suszeptor von 600 mils auf 230 bis 260 mils von dem Gasabgabekopf (Schritt G) bewegt. Dann wird der Druck für das Hochfahren des PECVD (Schritt H) mit einem Sauerstoffstrom von vorzugsweise um 1000 sccm wieder gesteigert. Dies erfolgt mit etwa 133 Pa (1 Torr) pro Sekunde, um den Druck von dem Kammerbasisdruck von 53,3 bis 267 Pa (0,4 bis 2 Torr) auf einen Betriebsdruck zwischen 667 und 2000 Pa (5 und 15 Torr) anzuheben, was gewöhnlich 10 bis 15 s dauert.

Als Nächstes wird TEOS zur Bildung des nächsten Films in die Kammer (Schritt I) vorzugsweise mit etwa 600 bis 700 sccm eingeführt und der Druck auf den Endbehandlungsdruck von vorzugsweise 933 bis 1600 Pa (7 bis 12 Torr) angehoben. Nachdem das TEOS für etwa 14 bis 20 s eingeführt worden ist, wird das Plasma durch Einschalten mit einer Leistung von etwa 550 bis 600 W (Schritt J) gezündet. Nach etwa 2 s werden bei dem so gezündeten Plasma Dotiermittel in die Kammer (Schritt K) eingeführt, wobei der Abscheidungsprozess fortdauert (Schritt L). Bei einer Ausführung kann ein Durchsatz von TEOP von 580 sccm für PSG und von TEB mit 50 sccm mit TEPO von 1100 sccm für BPSG verwendet werden. Alternativ können andere Durchsätze oder ein Blasendurchströmprozess verwendet werden. Durch Ausführen des Anfahrens im Druck und Abstand durch Einführen von TEOS und O2 vor den Dotiermitteln wird die Bildung von Verbindungen aus Bor mit Sauerstoff und von Phosphor mit Sauerstoff, beispielsweise B2O2 und P2O5, an der Trennfläche der beiden Schichten vermieden. Wenn diese Verbindungen gebildet würden, würden sie die Trennfläche zwischen den beiden Schichten schwächen.

Die Stärke der Trennfläche zwischen den beiden Schichten in dem Wafer, der nach der vorliegenden Erfindung ausgebildet wurde, wurde von den Erfindern geprüft. Nachdem die Filme abgeschieden waren, wurde der Wafer bei 316°C (600°F) glühbehandelt. Danach wurde der Wafer in Säure, KOH, gelegt, die das Polysilizium, jedoch nicht Siliziumdioxid ätzt. Nach etwa 20 s der heißen Säureätzung wurde die Stärke der Trennfläche unter einem Abtastelektronenmikroskop untersucht. Das Ätzmuster zeigte das Fehlen jeglicher Defekte, wie sie in 3 gezeigt sind.

Der Suszeptor kann später bei dem PECVD-Hochfahren zu dem Verteiler bewegt werden.


Anspruch[de]
  1. Verfahren zum Abscheiden einer Siliziumoxydschicht auf einem Wafer (40, 42), der in einer Kammer (15) für chemische Gasphasenabscheidung (CVD) angeordnet ist, wobei ein Prozess der chemischen Gasphasenabscheidung bei Unterdruck (SACVD) verwendet wird, worauf ein Prozess einer plasma-verstärkten chemischen Gasphasenabscheidung (PECVD) ohne einen Zwischenreinigungsschritt folgt, und wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist

    (a) Strömenlassen eines ersten Silizium enthaltenden Gases, eines Trägergases und von Ozon in die Kammer (15), um einen ersten Teil (44) der Siliziumoxydschicht auf dem Wafer (40, 42) in einem SACVD-Abscheideprozess abzuscheiden,

    (b) danach Unterbrechen des Stroms des ersten Silizium enthaltenden Gases und/oder des Trägergases und Verdünnen des Ozonstroms und darauffolgendes Verringern des Drucks in der Kammer (15) und

    (c) danach Abscheiden eines zweiten Teils (46) der Siliziumoxydschicht auf dem Wafer (40, 42) in einem PECVD-Abscheidungsprozess.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, bei welchem der PECVD-Abscheidungsprozess im Schritt (c) die folgenden Schritte aufweist:

    (i) Strömenlassen von Sauerstoff in die Kammer (15) und steigern des Drucks in der Kammer (15) und

    (ii) danach Strömenlassen eines zweiten Silizium enthaltenden Gases in die Kammer (15) und Zünden eines Plasmas.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, bei welchem ein einen Dotierstoff enthaltendes Gas in die Kammer (15) während des Abscheidens des ersten Teils (44) im Schritt (a) strömen gelassen wird, wodurch der erste Teil (44) der Siliziumoxydschicht mit einem Dotierstoff dotiert wird, und bei welchem der Strom des den Dotierstoff enthaltenden Gases unterbrochen wird, bevor der Strom des ersten Silizium enthaltenden Gases und/oder des Trägergases im Schritt (b) unterbrochen wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 2 oder Anspruch 3, bei welchem das Plasma im Schritt (ii) des PECVD-Abscheidungsprozesses im Schritt (c) zwischen 15 und 20 Sekunden gezündet wird, nachdem der Strom des zweiten Silizium enthaltenden Gases begonnen hat.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, bei welchem der Druck in der Kammer (15) im Schritt (i) des PECVD-Abscheidungsprozesses im Schritt (c) auf eine Rate zwischen 66,7 Pa (0,5 Torr) und 666,6 Pa (5 Torr) pro Sekunde gesteigert wird.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welchem die Gase in die Kammer (15) von einem Gasabgabekopf (11) strömen gelassen werden und der Schritt des Verdünnens des Ozonstroms im Schritt (b) weiterhin das Wegbewegen des Wafers von dem Gasabgabekopf (11) einschließt.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 6, bei welchem ein einen Dotierstoff enthaltendes Gas in die Kammer (15) nach dem Zünden des Plasmas im Schritt (ii) des PECVD-Abscheidungsprozesses im Schritt (c) strömen gelassen wird, wodurch der zweite Teil (46) der Siliziumoxydschicht mit einem Dotierstoff dotiert wird.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 7, bei welchem der Strom des ersten Silizium enthaltenden Gases und/oder des Trägergases ein bis fünf Sekunden unterbrochen wird, nachdem der Strom des den Dotierstoff enthaltenden Gases unterbrochen ist.
  9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welchem der Druck in der Kammer (15) im Schritt (b) mit einer Rate zwischen 667 Pa (5 Torr) und 6666 Pa (50 Torr) pro Sekunde verringert wird.
  10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welchem der Druck in der Kammer (15) im Schritt (b) auf einen Basisdruck im Bereich von 53,3 Pa (0,4 Torr) bis 266,6 Pa (2 Torr) verringert wird.
  11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welchem der Druck in der Kammer (15) in dem SACVD-Abscheidungsprozess im Schritt (a) zwischen 2666 Pa (20 Torr) und 82660 Pa (620 Torr) liegt.
  12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welchem der Druck in der Kammer (15) in dem PECVD-Abscheidungsprozess im Schritt (c) zwischen 66,7 Pa (0,5 Torr) und 2666 Pa (20 Torr) und vorzugsweise zwischen 933 Pa (7 Torr) und 1600 Pa (12 Torr) liegt.
  13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welchem der Ozonstrom mit Stickstoff oder Sauerstoff verdünnt wird.
  14. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welchem die erste und/oder zweite Silizium enthaltende Quelle Tetraethylorthosilicat (TEOS) sind/ist.
  15. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welchem das Trägergas Helium ist.
  16. Vorrichtung (10) für die chemische Gasphasenabscheidung (CVD)

    – mit einer CVD-Kammer (15),

    – mit Halteeinrichtungen zum Halten eines in der Kammer (15) angeordneten Wafers,

    – mit einem Gasabgabekopf (11), der in der Kammer (15) angebracht ist,

    – mit Einrichtungen zum Bewegen der Halteeinrichtungen bezüglich des Gasabgabekopfs (11),

    – mit einem Plasmaerzeugungssystem zur Erzeugung eines Plasmas, das eine HF-Quelle (25) aufweist, die zwischen dem Gasabgabekopf (11) und den Halteeinrichtungen eingekoppelt ist,

    – mit einem Gasverteilungssystem (18, 19), das mit dem Gasabgabekopf (11) zum selektiven Einführen eines Silizium enthaltenden Gases, eines Trägergases, von Ozon und Sauerstoff in die Kammer (15) verbunden ist,

    – mit einer Steuereinrichtung (34) zum Steuern des Gasverteilungssystems (18, 19), der HF-Quelle (25), der Einrichtungen zum Bewegen der Halteeinrichtungen und des Drucks in der Kammer (15) und

    – mit einem Speicher (38), der mit der Steuereinrichtung (34) gekoppelt ist und ein Rechnerprogramm zum Leiten des Betriebs der Kammer (15) speichert, wobei das Rechnerprogramm einen Satz von Instruktionen aufweist, um

    (a) ein erstes Silizium enthaltendes Gas, ein Trägergas und Ozon in die Kammer (15) strömen zu lassen, damit im Einsatz ein erster Teil (44) einer Siliziumoxydschicht auf einem Wafer (40, 42) bei einem Prozess einer chemischen Gasphasenabscheidung bei Unterdruck (SACVD) abgeschieden wird,

    (b) danach den Strom des ersten Silizium enthaltenden Gases und/oder des Trägergases zu unterbrechen und den Ozonstrom zu verdünnen und darauffolgend den Druck in der Kammer (15) zu verringern, und

    (c) danach einen Prozess einer plasmaverstärkten chemischen Gasphasenabscheidung (PECVD) auszuführen, damit im Einsatz ein zweiter Teil (46) der Siliziumoxydschicht auf dem Wafer (40, 42) abgeschieden wird.
  17. Vorrichtung nach Anspruch 16, bei welcher die Halteeinrichtungen zum Halten eines Wafers einen Suszeptor (12) und die Einrichtungen zum Bewegen des Suszeptors bezüglich des Gasabgabekopfes (11) einen Motor (32) aufweisen.
  18. Vorrichtung nach Anspruch 16 oder Anspruch 17, bei welchem zu den Instruktionen für den PECVD-Abscheidungsprozess

    (i) das Strömenlassen von Sauerstoff in die Kammer (15) und das Steigern des Drucks in der Kammer (15) sowie

    (ii) danach das Strömenlassen eines zweiten Silizium enthaltenden Gases in die Kammer (15) und das Zünden eines Plasmas gehören.
  19. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 16 bis 18, bei welchem zu dem Rechnerprogramm eine Instruktion gehört, den Druck in der Kammer (15) auf zwischen 2666 Pa (20 Torr) und 82660 Pa (620 Torr) während des SACVD-Prozesses einzustellen.
  20. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 16 bis 19, bei welchem zu dem Rechnerprogramm eine Instruktion gehört, den Druck in der Kammer (15) auf einen Druck von 53,3 Pa (0,4 Torr) bis 266,6 Pa (2 Torr) zu verringern, nachdem der Strom des ersten Silizium enthaltenden Gases und/oder des Trägergases unterbrochen und der Ozonstrom verdünnt worden ist.
  21. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 20, bei welchem zu dem Rechnerprogramm eine Instruktion gehört, während des PECVD-Prozesses den Druck in der Kammer (15) auf zwischen 66,7 Pa (0,5 Torr) und 2666 Pa (20 Torr) und vorzugsweise auf zwischen 933 Pa (7 Torr) und 1600 Pa (12 Torr) einzustellen.
  22. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 21, bei welchem zu dem Rechnerprogramm eine Instruktion gehört, das Plasma in dem PECVD-Prozess für 15 bis 20 Sekunden zu zünden, nachdem das zweite Silizium enthaltende Gas in die Kammer (15) strömen gelassen worden ist.
  23. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 22, bei welchem zu dem Rechnerprogramm eine Instruktion gehört, den Druck in der Kammer (15) für eine Rate von zwischen 66,7 Pa (0,5 Torr) und 666,6 Pa (5 Torr) pro Sekunde einzustellen, wenn der Sauerstoff in die Kammer (15) strömen gelassen wird.
  24. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 16 bis 23, bei welcher der Gasabgabekopf (11) so ausgelegt ist, dass Gase in die Kammer (15) in einem radialen Strom über die Halteeinrichtungen strömen, und bei welcher der Gasabgabekopf (11) so ausgelegt ist, dass er als RF-Elektrode des Plasmaerzeugungssystems wirkt, während die Halteeinrichtungen für eine Erdung ausgelegt sind.
  25. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 16 bis 24, bei welchem zu dem Rechnerprogramm eine Instruktion gehört, die Halteeinrichtungen von dem Gasabgabekopf wegzubewegen, nachdem der Ozonstrom verdünnt worden ist.
  26. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 16 bis 25, bei welchem zu dem Rechnerprogramm eine Instruktion, ein einen Dotierstoff enthaltendes Gas in die Kammer (15) mit dem ersten Silizium enthaltenden Gas, dem Trägergas und dem Ozon bei dem SACVD-Prozess strömen zu lassen und eine Instruktion gehören, den Strom des den Dotierstoff enthaltenden Gases zu unterbrechen, bevor der Strom des ersten Silizium enthaltenden Gases und/oder des Trägergases unterbrochen wird.
  27. Vorrichtung nach Anspruch 26, bei welchem die Instruktion, die den Strom des ersten Silizium enthaltenden Gases und/oder des Trägergases unterbricht, dies zwischen 1 und 5 Sekunden veranlasst, nachdem der Strom des den Dotierstoff enthaltenden Gases unterbrochen worden ist.
  28. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 16 bis 27, bei welchem zu dem Rechnerprogramm eine Instruktion gehört, den Druck in der Kammer (15) mit einer Rate zwischen 667 Pa (5 Torr) und 6666 Pa (50 Torr) pro Sekunde zu verringern, nachdem der Strom des ersten Silizium enthaltenden Gases und/oder des Trägergases unterbrochen und der Ozonstrom verdünnt worden ist.
  29. Auf einem rechnerlesbaren Medium gespeichertes Rechenprogramm mit Instruktionen für eine Steuereinrichtung (34) für eine chemische Gasphasenabscheidung in einer Vorrichtung (10) für eine chemische Gasphasenabscheidung (CVD) zur Ausführung der folgenden Vorgänge:

    (a) Strömenlassen eines ersten Silizium enthaltenden Gases, eines Trägergases und von Ozon in eine CVD-Kammer (15), um im Einsatz einen ersten Teil (44) eine Siliziumoxydschicht auf einem Wafer (40, 42) bei einem Prozess der chemischen Gasphasenabscheidung bei Unterdruck (SACVD) abzuscheiden,

    (b) danach Unterbrechen des Stroms des ersten Silizium enthaltenden Gases und/oder des Trägergases und Verdünnen des Ozonstroms und darauffolgendes Verringern des Drucks in der Kammer (15), und

    (c) danach Ausführen eines plasmaverstärkten Prozesses der chemischen Gasphasenabscheidung (PECVD), um im Einsatz einen zweiten Teil (46) der Siliziumoxydschicht auf dem Wafer (40, 42) abzuscheiden.
  30. Rechnerprogramm nach Anspruch 29, bei welchem zu den Instruktionen für den PECVD-Abscheidungsprozess

    (i) das Strömenlassen von Sauerstoff in die Kammer (15) und das Erhöhen des Drucks in der Kammer (15) sowie

    (ii) danach das Strömenlassen eines zweiten Silizium enthaltenden Gases in die Kammer (15) und das Zünden eines Plasmas gehören.
Es folgen 6 Blatt Zeichnungen






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