Die vorliegende Erfindung betrifft eine Modulationsschaltung, wie sie in Transponder-Schaltkreisen in Chipkarten vorkommt.

In Transponder-Schaltkreisen (Tags) wird ein von einer Station gesendetes Signal moduliert. Die für die Modulationsschaltung erforderliche Energie wird hierbei aus dem elektrischen Feld bezogen. Daher benötigen solche Transponder keine Batterie. In einer Feststation wird das von dem Transponder-Schaltkreis modulierte Signal detektiert und ausgewertet. Praktische Anwendung finden solche Systeme beispielsweise in der Warenflußsteuerung, der Personenidentifizierung und der Zugangskontrolle.

Normalerweise haben Transponder-Schaltkreise eine Spule, welche der Kopplung des Transponders mit dem elektromagnetischen Feld dient. An diese Spule ist eine Gleichrichterschaltung zur Bereitstellung der Gleichspannungsversorgung der Transponderschaltung angeschlossen. Außerdem ist eine Schaltung zur Spannungsregelung vorgesehen, welche die in die Spule induzierte Spannung begrenzt. Ein vom Transponder generiertes Modulationssignal wird den beiden Spulenanschlüssen üblicherweise über lineare Bauelemente, beispielsweise Widerstände, zugeführt. Die Rückantwort des Transponders wird also über Serienwiderstände nach einer linearen Kennlinie abhängig von der Feldenergie erzeugt.

In der Praxis besteht das Problem, daß bei bestimmten, räumlichen Positionen des Transponders bezüglich der Station "Funklöcher" entstehen, das heißt, daß das vom Transponder generierte Signal zu schwach ist, um von der Station erfaßt zu werden. Außerdem ist die Reichweite, das heißt der maximale Abstand von Station und Transponder, begrenzt. Ein weiteres Problem ist dadurch gegeben, daß die Betriebsspannungen von Halbleiter-Schaltungen ständig kleiner werden.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Modulationsschaltung anzugeben, welche bezüglich ihrer Reichweite verbessert ist.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe gelöst von einer Modulationsschaltung

• mit einer Spule mit zwei Anschlüssen,
• mit einem Schalt-Transistor, dessen erster Lastanschluß über je ein nichtlineares Bauelement an je einen Spulenanschluß angeschlossen ist, dessen zweiter Lastanschluß mit einem Bezugspotential verbunden ist, und dessen Steueranschluß ein Modulationssignal zuführbar ist, und
• mit einem Spannungsregler, aufweisend einen langsamen Regler mit einem Shunt-Transistor, dessen Steueranschluß ein langsames Regelsignal zuführbar ist, und dessen erster Lastanschluß mit dem Bezugspotential, und dessen zweiter Lastanschluß mit einem Knoten verbunden ist, wobei der Knoten über je eine Diode mit je einem Spulenanschluß verbunden ist, und aufweisend einen schnellen Spannungsregler, mit einem Hilfs-Transistor, dessen Steueranschluß ein schnelles Reglersignal zuführbar ist und dessen erster Lastanschluß mit dem Knoten, und dessen zweiter Lastanschluß mit dem Steueranschluß des Shunt-Transistors verbunden ist.

Der Modulationsschaltung liegt also das Prinzip zugrunde, das im Transponder generierte Modulationssignal mittels elektronischer Bauelemente, welche eine nichtlineare Kennlinie aufweisen, an die Spule zu führen. Hierfür ist eine Schaltung vorgesehen, bei der ein Modulationssignal einen Schalt-Transistor ansteuert, in dessen Lastkreis je ein nichtlineares Bauelement an je einen Spulenanschluß geführt ist. An die Spulenanschlüsse ist außerdem je eine Diode angeschlossen, wobei die anderen Diodenanschlüsse in einem Knoten verbunden sind, an den ein Shunt-Transistor angeschlossen ist, welcher in erster Linie der Spannungsbegrenzung dient. Da dieser Shunt-Transistor verhältnismäßig langsam ist, ist zwischen dem Knoten und dem Steueranschluß des Shunt-Transistors ein weiterer Transistor angeordnet, welcher der Abregelung schneller Spannungsspitzen dient. Die Verwendung nichtlinearer Bauelemente führt dazu, daß die Reichweite des Transponders signifikant vergrößert werden kann, und außerdem das Auftreten von Funklöchern reduziert wird.

In einer vorteilhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind die Dioden des Spannungsreglers, welche mit den Spulenanschlüssen verbunden sind, zugleich als nichtlineare Bauelemente verwendet, über die das Modulationssignal an die Spulenanschlüsse geführt wird. Diese Modifikation erfordert gegenüber den üblicherweise verwendeten Widerständen keine zusätzliche Silizium- beziehungsweise Chipfläche und ist deshalb vorteilhaft.

Die Einsparung zweier Hochvolt-Transistoren verringert den benötigten Platz der Schaltung gegenüber der in Figur 1 dargestellten Variante.

In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung wird das bekannte Modulationssignal dem Spannungsregler zugeführt, so daß während eines Modulationsvorgangs der schnelle Regleranteil des Spannungsreglers deaktiviert wird. Dies ist deshalb unproblematisch, weil durch Aufmodulieren des Modulationssignals die Spannung an den Spulenanschlüssen ohnehin reduziert ist und deshalb keine gefährlichen Spannungsspitzen zu erwarten sind. Diese Schaltung weist einen geringen Flächenbedarf auf, da die Dioden des Spannungsreglers zugleich als nichtlineare Bauelemente für die Rückmodulation verwendet werden, außerdem weist diese Schaltung keinerlei nachteilhafte gegenseitige Beeinflussung von Modulationsschaltung und Spannungsregler auf, welche zu instabilem Verhalten des Spannungsreglers führen kann, und schließlich führt die Verwendung nichtlinearer Bauelemente bei der Rückmodulation zu einer deutlich verbesserten Reichweite.

Weitere Einzelheiten und Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.

Die Erfindung wird nachfolgend an drei Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnungen näher erläutert.

Es zeigen:

Figur 1

eine erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit Trennung von Modulation und Regelung in einer prinzipiellen Anordnung,

Figur 2

ein zweites Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung unter Verwendung der Spannungsregler-Dioden als nichtlineare Bauelemente für die Modulation in einer prinzipiellen Anordnung, und

Figur 3

ein drittes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung gemäß Figur 2, wobei zusätzlich Modulation und Spannungsregler gegenseitig verriegelt sind, in einer prinzipiellen Anordnung.

In Figur 1 ist eine Spule L mit Anschlüssen LA, LB eingezeichnet, welche eine drahtlose Kopplung des Transponders mit einer Station ermöglicht. An den beiden Spulenanschlüssen LA, LB ist ein Gleichrichter RECT angeschlossen, welcher an seinen Ausgängen VDD, VSS die Spannungsversorgung des Transpondas bereitstellt. Als Dioden geschaltete Transistoren M3, M4 sind mit jeweils einem ihrer Lastanschlüsse an einen der Spulenanschlüsse LA, LB angeschlossen, und mit ihren zweiten Lastanschlüssen in einem Knoten K verbunden. Dieser Knoten K ist ein Lastanschluß eines Shunt-Transistors M1, dessen zweiter Lastanschluß an das Bezugspotential VSS angeschlossen ist. Mit diesem Zweig M1, M3, M4 ist eine langsame Spannungsregelung des Transponders mit einem Parallel- beziehungsweise Shuntregler realisiert. Dem Steuereingang des Shunt-Transistors M1 ist ein langsames Reglersignal SLOW zuführbar, welches in einem nicht vollständig dargestellten Teil der Schaltung aufbereitet ist. Falls an den Spulenanschlüssen LA, LB eine zu hohe Spannung anliegt, so wird der Shunt-Transistor M1 geöffnet. Für schnelle Spannungsspitzen ist ein zusätzlicher Transistor M2 vorgesehen, welcher mit einem ersten Lastanschluß an den Knoten K, und mit einem zweiten Lastanschluß an den Steuereingang des Shunt-Transistors M1 angeschlossen ist. Dem Steuereingang des Hilfs-Transistors M2 ist ein in einer nicht dargestellten Teilschaltung generiertes schnelles Regelsignal FAST zuführbar. Der Hilfs-Transistor M2 hat die Aufgabe, bei schnellen Spannungsspitzen den Knoten K mit dem Steuereingang des Transistors M1 zu verbinden und so das Öffnen des Shunt-Transistors M1 durch schnelles Aufladen des Gates des beispielhaft verwendeten NMOS-FETS zu beschleunigen. Das schnelle Reglersignal FAST ist außerdem noch dem Steueranschluß eines Transistors M8 zuführbar, dessen einer Lastanschluß mit dem Bezugspotential VSS, und dessen anderer Lastanschluß über zwei als Dioden geschaltete Transistoren M9, M10 an das zweite Bezugspotential VDD angeschlossen ist. Der zwischen dem Knoten K und dem Bezugspotential VSS parallel zum Shunttransistor M1 angeordnete Kondensator C hat lediglich eine Stützfunktion. Er kann in Abwandlungen der Schaltung entfallen. Das in einem nicht dargestellten Teil der Schaltung generierte Modulationssignal MOD ist über einen Inverter IN1 dem Steuereingang eines Transistors M5 zuführbar. Der Schaltertransistor M5 weist zwei Lastanschlüsse auf, von denen einer mit dem Bezugspotential VSS verbunden ist, und der andere Lastanschluß mittels jeweils eines nichtlinearen Bauelements M6, M7 an je einen Spulenanschluß LA, LB angeschlossen ist. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel sind als nichtlineare Bauelemente Transistoren verwendet, welche als Dioden verschaltet sind. Bei den im ersten Ausführungsbeispiel verwendeten, selbstsperrenden FET-Transistoren wird eine Diodenschaltung durch Verbinden von Gate und Drain des Transistors realisiert. Bei den so verschalteten Transistoren M6, M7, welche eine quadratische Strom-Spannungs-Kennlinie aufweisen, ergibt sich das gewünschte, nichtlineare Modulationsverhalten. Dies hat den Vorteil einer deutlich verbesserten Reichweite des Transponders.

In einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gemäß Figur 2 wird Chipfläche dadurch eingespart, daß die Transistoren M3, M4 des Spannungsreglers zugleich als nichtlineare Bauelemente für die Modulationsschaltung verwendet werden. Hierfür ist der Lastanschluß des Transistors M5 über einen Widerstand R an den Knoten K angeschlossen. Diese Abwandlung der Schaltung weist den Vorteil auf, die gewünschte größere Reichweite mit einem geringen Bedarf an Chipfläche zu kombinieren. Bei eingeschaltetem Schalter-Transistor M5 wird nunmehr der Knoten K fast auf Bezugspotential VSS gezogen. Außerdem nehmen bei Modulation auch die Spannungen an den Anschlüssen LA und LB ab. Der langsame Regler kompensiert dies dadurch, daß er den Strom durch M1 reduziert. Dadurch steigt die Spannung an LA langsam an. Als Folge davon beschleunigt der schnelle Regler den langsamen Regler durch Einschalten des Transistors M2. Statt diesen Effekt zu begrenzen, verstärkt der schnelle Regler diesen. Das Gate des NMOS-Transistors M1 wird nunmehr entladen statt aufgeladen. Wenn der Schaltertransistor M5 abgeschaltet wird, schwingt die Spannung an LA zunächst über, bevor einige 100 ns später der schnelle Regler mit dem Hilfstransistor M2 den Effekt korrigiert. Folglich kann die in Figur 2 dargestellte Kopplung von Spannungsregler und Modulation zu Instabilitäten der Schaltung führen.

In einer Abwandlung der Schaltung gemäß Figur 2 kann der Widerstand R auch 0 Ohm betragen.

Zur Beseitigung des Nachteils der potentiellen Instabilität, der dadurch entsteht, daß Spannungsregler und Modulation gekoppelt sind, zeigt das Ausführungsbeispiel gemäß Figur 3 eine Abhilfe. Das in einem Inverter IN1 invertierte Modulationssignal, welches dem Schalter-Transistor M5 zuführbar ist, wird in einer gegenüber Figur 2 zusätzlichen Torschaltung zwei Transistoren M71, M72 zugeführt. Der Hilfs-Transistor M2 des schnellen Spannungsreglers ist an diese Torschaltung, beziehungsweise an je einen Lastanschluß der Transistoren M71, M72 angeschlossen. Dem Torschaltungs-Transistor M71 ist das Modulationssignal MOD, dem Torschaltungs-Transistor M72 das in einem Inverter IN70 invertierte Modulationssignal MOD am Steuereingang zuführbar. Einem Lastanschluß des Transistors M71 ist das schnelle Regelsignal FAST zuführbar, der andere ist mit dem Steuereingang des Hilfs-Transistors M2 verbunden. Ein Lastanschluß des Transistors M72 ist ebenfalls mit dem Steuereingang des Hilfs-Transistors M2, der andere mit dem Bezugspotential VSS verbunden. Diese Schaltung hat die Eigenschaft, daß während einer Modulation, das heißt bei geöffnetem Schaltertransistor M5, der schnelle Spannungsregler deaktiviert wird, indem das Gate des Hilfstransistors M2 auf Bezugspotential gezogen wird, während der Schalter-Transistor M5 eingeschaltet ist. Hierdurch ist keine nachteilige gegenseitige Beeinflussung von Modulation und Spannungsregler möglich. Trotzdem können die flächenintensiven Hochvolt-Transistoren M6, M7 entfallen. Die Schaltung gemäß Figur 3 ist also bezüglich Reichweite des Transponders, Flächenbedarf der Schaltung und Regelverhalten des Spannungsreglers während Modulationsvorgängen vorteilhaft.

In Abwandlungen der beschriebenen Ausführungsbeispiele kann die Schaltung auch in PMOS- anstelle von NMOS-Technologie realisiert sein. Außerdem kann der Kondensator C entfallen.