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Dokumentenidentifikation DE60108856T2 12.01.2006
EP-Veröffentlichungsnummer 0001280097
Titel Berührungsempfindliche Tafel
Anmelder Fujitsu Ltd., Kawasaki, Kanagawa, JP
Erfinder Katsuki, Takashi, Kawasaki-shi, Kanagawa 211-8588, JP;
Nakazawa, Fumihiko, Kawasaki-shi, Kanagawa 211-8588, JP;
Sano, Satoshi, Kawasaki-shi, Kanagawa 211-8588, JP;
Takahashi, Yuji, Kawasaki-shi, Kanagawa 211-8588, JP
Vertreter W. Seeger und Kollegen, 81369 München
DE-Aktenzeichen 60108856
Vertragsstaaten DE, FR, GB
Sprache des Dokument EN
EP-Anmeldetag 09.11.2001
EP-Aktenzeichen 013095047
EP-Offenlegungsdatum 29.01.2003
EP date of grant 09.02.2005
Veröffentlichungstag im Patentblatt 12.01.2006
IPC-Hauptklasse G06K 11/14(2000.01)A, F, I, ,  ,  ,   
IPC-Nebenklasse G06F 3/033(2006.01)A, L, I, ,  ,  ,      

Beschreibung[de]
HINTERGRUND DER ERFINDUNG 1. Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Berührungsfeldvorrichtung, die als eine Eingabevorrichtung für ein Gerät wie z.B. einen Personal Computer genutzt werden kann. Konkreter bezieht sich die vorliegende Erfindung auf eine Berührungsfeldvorrichtung mit mehreren Paaren von Sendeelementen und Empfangselementen für akustische Oberflächenwellen, von denen jedes eine Kammelektrode und einen piezoelektrischen Dünnfilm umfaßt, um eine berührte Position zu detektieren.

2. Beschreibung des Stands der Technik

Eine derartige Berührungsfeldvorrichtung kann eine benutzerfreundliche Eingabeschnittstelle schaffen, die mit einer Anzeigevorrichtung wie z.B. einer CRT oder einer LCD kombiniert ist. Beispielsweise kann eine Befehlseingabe oder -auswahl einfach durchgeführt werden, indem eine Taste oder ein Piktogramm oder Icon berührt wird, die oder das auf einem Schirm der Anzeigevorrichtung angezeigt wird.

9 zeigt eine vereinfachte Struktur einer herkömmlichen Berührungsfeldvorrichtung wie z.B. die in EP0397539 gezeigte, die eine akustische Oberflächenwelle (auch bezeichnet als "SAW") nutzt. Auf dem Mittelabschnitt eines Substrats 51 wie z.B. einer Glasplatte ist eine rechtwinkelige Fläche 52 als Berührungsfläche vorgesehen, um welche parallele Paare (in 9 zehn Paare) Kammelektroden 53 und 54 angeordnet sind. Die Kammelektroden 53, die die SAW-Sendeelemente bilden, sind entlang der oberen Seite und der linken Seite der rechtwinkeligen Fläche 52 angeordnet, während die Kammelektroden 54, die die SAW-Empfangselemente bilden, entlang der unteren Seite und der rechten Seite der rechtwinkeligen Seite der rechtwinkeligen Fläche 52 angeordnet sind.

Ein piezoelektrischer Dünnfilm 55 ist im Bereich der Kammelektroden 53 und 54 um die rechtwinkelige Fläche 52 ausgebildet. Der piezoelektrische Dünnfilm 55, der ein Dünnfilm aus beispielweise Zinkoxid ist, ist so ausgebildet, dass er das Substrat 51 und die Kammelektroden 53 und 54 bedeckt, die auf dem Substrat 51 gebildet sind. Alternativ dazu ist der piezoelektrische Dünnfilm 55 auf dem Substrat 51 ausgebildet, und die Kammelektroden 53 und 54 sind auf dem piezoelektrischen Dünnfilm 55 ausgebildet.

Wenn eine vorbestimmte Amplitude einer Anregungsspannung über die Elektroden der Sende-Kammelektroden 53 angelegt wird, wird ein Signal einer akustischen Oberflächenwelle erzeugt. Dieses Signal einer akustischen Oberflächenwelle pflanzt sich auf dem piezoelektrischen Dünnfilm 55 und dem Substrat 51 in Richtung auf das entsprechende Empfangselement fort, das die Kammelektrode 54 und den piezoelektrischen Dünnfilm 55 umfasst, wie durch eine Linie mit einem Pfeil dargestellt ist. Das Empfangsspannungssignal wird dann von der Kammelektrode 54 des Empfangselements abgegeben.

Falls ein Finger eine bestimmte Position auf der Oberfläche des Substrats 51 in der rechtwinkeligen Fläche 52 berührt, wo sich Signale akustischer Oberflächenwellen wie durch die Linie mit Pfeilen dargestellt fortpflanzen, wird die Fortpflanzung des Signals der akustischen Oberflächenwelle unterbrochen. Folglich wird die Amplitude des Empfangsspannungssignals, das von der Kammelektrode 54 des Empfangselements erhalten wird, erheblich gedämpft. In der in 9 gezeigten herkömmlichen Vorrichtung kann somit ein Berührungszustand oder Nicht-Berührungszustand (d.h. eine berührte Position) auf der Oberfläche des Substrats 51 für 25 Positionen detektiert werden, welche Schnittstellen von fünf vertikalen Fortpflanzungspfaden und fünf horizontalen Fortpflanzungspfaden sind, wie durch Linien mit Pfeilen dargestellt ist.

10 zeigt eine vereinfachte Struktur einer früher vorgeschlagenen Berührungsfeldvorrichtung ähnlich derjenigen, die in der gleichzeitig anhängigen europäischen Patentanmeldung EP1280097 des Anmelders offenbart ist, in der ein Paar aus der Sende-Kammelektrode 53 und der Empfangs-Kammelektrode 54 auf den angrenzenden (benachbarten) Seiten der rechtwinkeligen Fläche 52 anstelle der gegenüberliegenden Seiten platziert sind. Daher pflanzen sich die Signale akustischer Oberflächenwellen von der Sende-Kammelektrode 53 zur Empfangs-Kammelektrode 54 in einer schrägen Richtung (in der diagonalen Richtung der rechtwinkeligen Fläche 52) fort. Aus diesem Grund sind die einander gegenüberliegenden Kammelektroden 53 und 54 bezüglich vier Seiten der rechtwinkeligen Fläche in einer schrägen Richtung angeordnet.

Auf diese Weise kann die Distanz zwischen den benachbarten Kammelektroden verkürzt werden, um unter Ausnutzung der gleichen Größe der Kammelektroden 53 und 54 eine Auflösung des Berührungsfelds verglichen der mit in 9 gezeigten Struktur zu erhöhen. Da die Kammelektrodenpaare 53 und 54 verschiedene Längen der Fortpflanzungswege (d.h. verschiedene Fortpflanzungszeiten) aufweisen, empfangen außerdem die Empfangs-Kammelektroden 54 das Signal einer akustischen Oberflächenwelle zu verschiedenen Zeitlagen, selbst wenn die mehreren Sende-Kammelektroden 53 gleichzeitig angeregt werden. Folglich kann die Differenz der Fortpflanzungszeit unter den Fortpflanzungspfaden zum Detektieren einer berührten Position genutzt werden.

Die in 10 gezeigte Struktur weist jedoch einen Nachteil auf. Eine Kontur des piezoelektrischen Dünnfilms 55, der im Bereich der Kammelektroden 53 und 54 um die rechtwinkelige Fläche 52 ausgebildet ist, wird kompliziert. Bei der in 9 gezeigten Struktur kann der Innenrand des piezoelektrischen Dünnfilms 55 entlang den vier Seiten der rechtwinkeligen Fläche 52 linear sein. In der in 10 gezeigten Struktur sollte jedoch der Innenrand des piezoelektrischen Dünnfilms 55 entlang der Kontur der Kammelektroden 53 und 54, die einer schrägen Richtung bezüglich der vier Seiten der rechtwinkeligen Fläche 52 platziert sind, zickzackförmig (stufenförmig) geformt sein.

In jedem Fall muss der Rand des piezoelektrischen Dünnfilms 55 zum Fortpflanzungspfad zwischen dem Paar Kammelektroden 53 und 54 senkrecht sein. Andernfalls wird aufgrund der Differenz einer Fortpflanzungsgeschwindigkeit der akustischen Oberflächenwelle an der Grenze zwischen der Fläche mit dem piezoelektrischen Dünnfilm 55 und der Fläche ohne den piezoelektrischen Dünnfilm 55 (d.h. der Fläche des Substrats 51) eine Beugung erzeugt, so dass das Signal einer akustischen Oberflächenwelle sich nicht effizient von der Sende-Kammelektrode 53 zur gegenüberliegenden Empfangs-Kammelektrode 54 fortpflanzen kann.

Um die Auflösung der Berührungsfeldvorrichtung zu verbessern, sollte eine Distanz zwischen den benachbarten Fortpflanzungspfaden (ein Anordnungsabstand der Kammelektroden) verkürzt werden. Die Zickzackform des Rands des piezoelektrischen Dünnfilms 55 wird dann feiner, und eine höhere Genauigkeit im Prozess ist erforderlich. Eine höhere Genauigkeit ist auch erforderlich bei der Ausrichtung der Zickzackform des Rands des piezoelektrischen Dünnfilms 55 mit den Positionen der Kammelektroden 53 und 54. Folglich kann die Ausbeute abnehmen, und die Herstellungskosten können steigen.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist, eine Berührungsfeldvorrichtung zu schaffen, die eine berührte Position mit ausreichender Auflösung und Genauigkeit detektieren kann, ohne eine hohe Genauigkeit im Prozess zum Herstellen des piezoelektrischen Dünnfilms zu erfordern.

Gemäß einem ersten Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung wird eine Berührungsfeldvorrichtung geschaffen, mit: einem nicht-piezoelektrischen Substrat; einer im wesentlichen rechtwinkeligen Berührungsfläche, die sich in einem mittleren Abschnitt des nicht-piezoelektrischen Substrats befindet; einem piezoelektrischen Dünnfilm, der um die Berührungsfläche angeordnet ist; und mehreren Elementpaaren für akustische Oberflächenwellen, die um die Berührungsfläche innerhalb der durch den piezoelektrischen Dünnfilm bedeckten Fläche liegen; dadurch gekennzeichnet, dass jedes Paar von Elementen eine entlang einer der Seiten der Berührungsfläche gelegene Emissions-Kammelektrode und eine Empfangs-Kammelektrode aufweist, die entlang einer besagten einen Seite der Berührungsfläche benachbarten Seite der Berührungsfläche liegt, so dass Signale akustischer Oberflächenwellen sich von den Emissions-Kammelektroden in einer schrägen Richtung bezüglich der vier Seiten der Berührungsfläche zu den Empfangs-Kammelektroden fortpflanzen; welcher piezoelektrische Dünnfilm einen zu den vier Seiten der Berührungsfläche im wesentlichen parallelen linearen Innenrand aufweist; und wobei ein Elektrodenfinger der Emissions-Kammelektrode und ein Elektrodenfinger der Empfangs-Kammelektrode sich gemäß einem Brechungswinkel der akustischen Oberflächenwelle an einer Grenze zwischen dem piezoelektrischen Dünnfilm und der Berührungsfläche jeweils in nicht parallelen Richtungen erstrecken, so dass akustische Oberflächenwellen senkrecht in die Empfangs-Kammelektrode eindringen.

Gemäß einem zweiten Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung wird eine Berührungsfeldvorrichtung geschaffen, mit: einem nicht-piezoelektrischen Substrat; einer im wesentlichen rechtwinkeligen Berührungsfläche, die sich in einem mittleren Abschnitt des nicht-piezoelektrischen Substrats befindet; Elementen zur Emission und Elementen zum Empfang akustischer Oberflächenwellen, die um die Berührungsfläche angeordnet sind, wobei jedes der Elemente eine ununterbrochene Kammelektrode mit einem Paar parallele Elektroden und Kammelektrodenfinger, die von einer der parallelen Elektroden in Richtung auf die andere in einer schrägen Richtung in einem konstanten Abstand alternierend verlaufen, und einen piezoelektrischen Dünnfilm umfasst, welche Emissions- und Empfangselemente innerhalb der vom piezoelektrischen Dünnfilm bedeckten Fläche liegen; dadurch gekennzeichnet, dass die ununterbrochene Kammelektrode eines Emissionselements, die im wesentlichen parallel zu einer der Seiten der Berührungsfläche liegt, und die ununterbrochene Kammelektrode eines Empfangselements, die im wesentlichen parallel zu einer der besagten einen Seite der Berührungsfläche benachbarten Seite der Berührungsfläche liegt, ein Paar bilden, so dass Signale akustischer Oberflächenwellen sich von der ununterbrochenen Kammelektrode des Emissionselements in einer schrägen Richtung bezüglich der vier Seiten der Berührungsfläche zur ununterbrochenen Kammelektrode des Empfangselements fortpflanzen; welcher piezoelektrische Dünnfilm einen zu den vier Seiten der Berührungsfläche im wesentlichen parallelen linearen Innenrand aufweist; und wobei ein Kammelektrodenfinger des Emissionselements und ein Kammelektrodenfinger des Empfangselements gemäß einem Brechungswinkel der akustischen Oberflächenwelle an einer Grenze zwischen dem piezoelektrischen Dünnfilm und der Berührungsfläche jeweils in nicht parallelen Richtungen verlaufen, so dass akustische Oberflächenwellen in das Empfangselement senkrecht eindringen.

Gemäß jeder Struktur der vorliegenden Erfindung wird aufgrund einer Differenz der Fortpflanzungsgeschwindigkeit der akustischen Oberflächenwelle zwischen der Fläche mit dem piezoelektrischen Dünnfilm und der Fläche ohne den piezoelektrischen Dünnfilm (d.h. der Berührungsfläche) die von der Kammelektrode des Sendeelements emittierte akustische Oberflächenwelle zuerst in einer bestimmten Richtung an der Grenze des piezoelektrischen Dünnfilms und der Berührungsfläche gebrochen und wird wieder gebrochen, wenn sie von der Berührungsfläche aus in den piezoelektrischen Dünnfilm der Seite mit dem Empfangselement eindringt, um in die Kammelektrode des Empfangselements senkrecht einzudringen. Die akustische Oberflächenwelle kann folglich vom Sendeelement zum Empfangselement effizient fortpflanzen.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

1 zeigt eine vereinfachte Struktur einer Berührungsfeldvorrichtung, die eine Berührungsfläche und deren Peripherie oder Umfang einschließt, gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

2 ist ein vergrößertes Diagramm einer Kammelektrode, die an der linken Seite der Berührungsfläche liegt, und deren Umfangs, dargestellt in 1.

3A ist eine graphische Darstellung, die die Beziehung zwischen der Phasengeschwindigkeit der akustischen Oberflächenwelle und der normierten Filmdicke des aus Zinnoxid hergestellten piezoelektrischen Dünnfilms zeigt.

3B ist eine graphische Darstellung, die die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten und der normierten Filmdicke zeigt.

4 ist eine vereinfachte Struktur einer Berührungsfeldvorrichtung, die eine Berührungsfläche und deren Umfang einschließt, gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

5 ist ein vergrößertes Diagramm eines Teils der ununterbrochenen Kammelektrode des Sendeelements, das sich an der linken Seite der Berührungsfläche in 1 befindet.

6 zeigt eine vereinfachte Struktur einer Berührungsfeldvorrichtung, die eine Berührungsfläche und deren Umfang einschließt, gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

7 ist ein vergrößertes Diagramm einer Kammelektrode, die an der linken Seite der Berührungsfläche liegt, und deren Umfangs, dargestellt in 6.

8 ist ein Blockdiagramm einer Detektionsschaltung, die für die Berührungsfeldvorrichtung genutzt wird.

9 zeigt eine vereinfachte Struktur einer herkömmlichen Berührungsfeldvorrichtung, die eine akustische Oberflächenwelle nutzt.

10 zeigt eine vereinfachte Struktur einer früher vorgeschlagenen Berührungsfeldvorrichtung, die eine akustische Oberflächenwelle nutzt.

BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN

Im folgenden wird unter Bezugnahme auf Ausführungsformen und Zeichnungen die vorliegende Erfindung ausführlicher erläutert.

1 zeigt eine vereinfachte Struktur einer Berührungsfeldvorrichtung, die eine Berührungsfläche und deren Umfang einschließt, gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Auf dem mittleren Abschnitt eines Glassubstrats 11 ist eine rechtwinkelige Berührungsfläche 12 vorgesehen, und mehrere Paare Kammelektroden 13 und 14 sind um die Berührungsfläche 12 angeordnet. Die Kammelektrode 13 bildet ein SAW-Übertragungs- oder Sende-(Emissions)-Element, während die Kammelektrode 14 ein SAW-Empfangselement bildet.

Signale akustischer Oberflächenwellen pflanzen sich in schräger Richtung von den entlang einer Seite der Berührungsfläche 12 angeordneten Emissions-Kammelektroden 13 zu den entlang der benachbarten Seite angeordneten Empfangs-Kammelektroden 14 fort, wie durch Linien mit Pfeilen dargestellt ist. Um die Erläuterung zu vereinfachen, wird angenommen, dass die Berührungsfläche 12 quadratisch ist und die Fortpflanzungspfade (Linien mit Pfeilen) PA der Signale akustischer Oberflächenwellen bezüglich vier Seiten der Berührungsfläche 12 in der Richtung von 45 Grad eingerichtet sind.

Ein piezoelektrischer Dünnfilm 15 ist in der Fläche der Kammelektroden 13 und 14 um die Berührungsfläche 12 ausgebildet. Der piezoelektrische Dünnfilm 15 ist ein Dünnfilm aus Zinkoxid (ZnO), der das Glassubstrat (nicht-piezoelektrisches Substrat) 11 und die Kammelektroden 13 und 14 bedeckt, die auf dem Glassubstrat gebildet sind. Alternativ dazu ist ein piezoelektrischer Dünnfilm 15 auf dem Glassubstrat 11 ausgebildet, und die Kammelektroden 13 und 14 sind auf dem piezoelektrischen Dünnfilm 15 ausgebildet.

Wenn eine vorbestimmte Amplitude einer Anregungsspannung über die Elektroden der Emissions-Kammelektrode 13 angelegt wird, wird ein Signal einer akustischen Oberflächenwelle erzeugt. Dieses Signal einer akustischen Oberflächenwelle pflanzt sich auf der Oberfläche der Berührungsfläche 12 in dem mittleren Abschnitt des Substrats 11 von dem piezoelektrischen Dünnfilm 15 entlang dem durch die Linie mit dem Pfeil dargestellten Fortpflanzungspfad PA in schräger Richtung fort. Das Empfangselement, das die der Kammelektrode 13 gegenüberliegende Kammelektrode 14 und den piezoelektrischen Dünnfilm 15 einschließt, empfängt das Signal der akustischen Oberflächenwelle, und die Kammelektrode 14 gibt ein Empfangsspannungssignal ab. In dem in 1 gezeigten Beispiel sind 16 Paare aus Kammelektroden 13 und 14 um die Berührungsfläche 12 angeordnet, und 16 (8 × 2) Fortpflanzungspfade PA kreuzen gitterartig die Berührungsfläche 12.

Falls ein Finger eine bestimmte Position auf der Oberfläche des Berührungsfeldes 12 berührt, wo sich die Fortpflanzungspfade PA der Signale akustischer Oberflächenwellen kreuzen, wird die Fortpflanzung des Signals einer akustischen Oberflächenwelle unterbrochen. Als Folge wird die Amplitude des von der Kammelektrode 14 des Empfangselements erhaltenen Empfangsspannungssignal wesentlich gedämpft. In dem in 1 gezeigten Beispiel kann eine berührte Position für 40 Positionen detektiert werden, welche Schnittpunkte von acht Fortpflanzungspfaden von den oberen linken Seiten zu den unteren rechten Seiten und acht Fortpflanzungspfaden von den unteren linken Seiten zu den oberen rechten Seiten innerhalb der Berührungsfläche 12 sind. Eine Detektionsschaltung wird später erläutert.

Wie in 1 gezeigt ist, hat die Berührungsfeldvorrichtung dieser Ausführungsform entlang den vier Seiten der Berührungsfläche 12 statt eines zickzackförmigen Randes in der in 10 dargestellten früher vorgeschlagenen Berührungsfeldvorrichtung einen linearen Innenrand des piezoelektrischen Dünnfilms 15. Außerdem sind die gegenüberliegenden Kammelektroden 13 und 14 nicht parallel angeordnet. Mit anderen Worten sind eine Linie L1 entlang dem Elektrodenfinger der Sende-Kammelektroden 13 und eine Linie L2 entlang dem Elektrodenfinger der Empfangs-Kammelektroden 14 zueinander nicht parallel, so dass sie sich an der Seite der Berührungsfläche 12 öffnen. Durch diese Struktur wird die akustische Oberflächenwelle, die von der Kammelektrode 13 des Sendeelements emittiert wird, an der Grenze zwischen dem Rand des piezoelektrischen Dünnfilms 15 und der Berührungsfläche 12 (die Fläche mit allein dem Glassubstrat 11) gebrochen und wird wieder gebrochen, wenn sie von der Berührungsfläche 12 aus in den piezoelektrischen Dünnfilm 15 der Empfangselementseite eindringt, um so senkrecht in die Kammelektrode 14 des Empfangselements einzudringen. Folglich wird der Wirkungsgrad des Empfangs des Signals einer akustischen Oberflächenwelle durch den piezoelektrischen Dünnfilm 15 der Empfangselementseite nicht gemindert.

In dieser Ausführungsform ist der piezoelektrische Dünnfilm 15 aus Zinkoxid (ZnO) hergestellt. In diesem Fall ist die Fortpflanzungsgeschwindigkeit der akustischen Oberflächenwelle in der Fläche mit dem piezoelektrischen Dünnfilm 15 schneller als in der Fläche ohne den piezoelektrischen Dünnfilm 15 (die Berührungsfläche 12 mit nur dem Glassubstrat). Daher wird an der Grenze zwischen der Fläche mit dem piezoelektrischen Dünnfilm 15 und der Fläche ohne den piezoelektrischen Dünnfilm 15 (Berührungsfläche 12) eine Brechung der akustischen Oberflächenwelle erzeugt, und die Richtung der Brechung ist gleich dem Fortpflanzungspfad PA, der durch die Linie mit dem Pfeil in 1 dargestellt ist.

Die Kammelektroden 13 und 14 sind deshalb so angeordnet, dass die Linie L1 entlang dem Elektrodenfinger der Sende-Kammelektroden 13 und eine Linie L2 entlang dem Elektrodenfinger der Empfangs-Kammelektroden 14 zueinander nicht parallel sind, so dass sie sich an der Seite der Berührungsfläche 12 öffnen. Folglich wird das vom Sendeelement (Kammelektrode 13) emittierte Signal einer akustischen Oberflächenwelle trotz der Erzeugung der oben erwähnten Brechung von dem Empfangselement (Kammelektrode 14) effizient mit geringem Verlust empfangen.

Als nächstes wird ein geeigneter Winkel zwischen der Linie L1 entlang dem Elektrodenfinger der Sende-Kammelektrode 13 und der Linie L2 entlang dem Elektrodenfinger der Empfangs-Kammelektrode 14 erläutert. Um die Erläuterung zu vereinfachen, wird angenommen, dass die Kammelektroden 13 und die entsprechenden Kammelektroden 14 und dem gleichen Winkel &agr; aus der Parallelität in der einander entgegengesetzten Richtung geneigt sind, so dass der Winkel zwischen der Linie L1 entlang dem Elektrodenfinger der Sende-Kammelektrode 13 und der Linie L2 entlang dem Elektrodenfinger der Empfangs-Kammelektrode 14 2&agr; beträgt

2 ist ein vergrößertes Diagramm einer Kammelektrode 13, die an der linken Seite der Berührungsfläche 12 liegt, und deren Umfangs (die durch die gestrichelte Linie eingekreiste Fläche), dargestellt in 1. 2 zeigt den Zustand, in dem der Fortpflanzungspfad PA der von der Kammelektrode 13 emittierten akustischen Oberflächenwelle an der Grenze 21 zwischen der Fläche mit dem piezoelektrischen Dünnfilm 15 und der Fläche ohne den piezoelektrischen Dünnfilm 15 (in der linken Seite der Berührungsfläche 12) gebrochen wird. Der Austrittswinkel nach der Brechung beträgt 45 Grad, und die Fortpflanzungsgeschwindigkeit der akustischen Oberflächenwellen ist auf dem aus Zinkoxid hergestellten piezoelektrischen Dünnfilm 15 geringer als in der Fläche mit nur dem Glassubstrat (d.h. der Berührungsfläche 12). Daher ist der Einfallswinkel &thgr; kleiner als 45 Grad.

3A ist eine graphische Darstellung, die die Beziehung zwischen der Phasengeschwindigkeit (m/s) der akustischen Oberflächenwelle und der normierten Filmdicke des aus Zinkoxid (ZnO) hergestellten piezoelektrischen Dünnfilms 15 zeigt. Die normierte Filmdicke ist der Quotient (H/&lgr;) der Filmdicke H, geteilt durch die Wellenlänge &lgr;. 3B ist eine graphische Darstellung, die die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten ks und einer normierten Filmdicke H/&lgr; zeigt. Wie in 3B gezeigt ist, hat der elektromechanische Kopplungskoeffizient ks den maximalen Wert, wenn die normierte Filmdicke H/&lgr; 0,4–0,5 beträgt, was die effizienteste Übertragung und den effizientesten Empfang der akustischen Oberflächenwelle meint. In diesem Fall ist die Phasengeschwindigkeit (Fortpflanzungsgeschwindigkeit) der akustischen Oberflächenwelle in der Fläche mit dem piezoelektrischen Dünnfilm 15 ungefähr 2700 m/s, wie in 3A gezeigt ist, während sie in der Fläche mit nur dem Glassubstrat 11 ohne piezoelektrischen Dünnfilm 15 (Berührungsfläche 12) ungefähr 3200 m/s beträgt.

Aus der Differenz zwischen den oben erwähnten beiden Fortpflanzungsgeschwindigkeiten wird der Einfallswinkel &thgr; dahingehend abgeleitet, dass er ungefähr 36,6 Grad in 2 beträgt. Daher sollte die Kammelektrode 13 (d.h. die Linie L1 dem Elektrodenfinger der Kammelektrode 13) ungefähr 7,4 Grad bezüglich 45 Grad geneigt sein. Der oben erwähnte Winkel &agr; wird nämlich auf 7,4 Grad eingestellt, so dass der Winkel 2&agr; zwischen der Linie L1 entlang dem Elektrodenfinger der Kammelektrode 13 und der Linie L2 entlang dem Elektrodenfinger der Kammelektrode 14 auf ungefähr 14,8 Grad eingestellt ist. In diesem Zustand ist die Übertragung der akustischen Oberflächenwelle von der Kammelektrode 13 des Sendeelements zur Kammelektrode 14 des Empfangselements am effizientesten.

Falls die Berührungsfläche 12 länglich ist, werden die Fortpflanzungswege PA in Richtung entlang der Diagonalen gelegt, so dass die Winkel zwischen dem Fortpflanzungspfad PA und den vier Seiten der Berührungsfläche 12 nicht 45 Grad sind. Falls die Kammelektroden 13 und die entsprechenden Kammelektroden 14 unter dem gleichen Winkel &agr; in der entgegengesetzten Richtung zueinander aus der Parallelität geneigt sind, werden jedoch auch in diesem Fall die Wirkungsgrade der Übertragung und des Empfangs der akustischen Oberflächenwelle maximal.

4 zeigt eine vereinfachte Struktur einer Berührungsfeldvorrichtung, die eine Berührungsfläche und deren Umfang einschließt, gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In diesem Fall werden im Gegensatz zu der in 1 gezeigten ersten Ausführungsform sogenannte ununterbrochene Kammelektroden 23 und 24 verwendet. Außerhalb der Berührungsfläche 12 sind entlang jeder der vier Seiten der Berührungsfläche 12 eine ununterbrochene Kammelektrode 23 des Sendeelements und eine ununterbrochene Kammelektrode 24 des Empfangselements platziert.

Jede der ununterbrochenen Kammelektroden 23 und 24 hat ein Paar parallele Elektroden und Elektrodenfinger, die von einer der parallelen Elektroden in Richtung auf die andere in einer schrägen Richtung in einem konstanten Abstand alternierend ausgehen. 5 ist ein vergrößertes Diagramm eines Teils der ununterbrochenen Kammelektrode 23 (ein durch die gestrichelte Linie eingekreister Teil) des Sendeelements, das entlang der linken Seite der Berührungsfläche 12 in 4 liegt. Wie in 5 gezeigt ist, bezeichnen 23A und 23B ein Paar parallele Elektroden, während 23a und 23b Elektrodenfinger bezeichnen, die von einer der parallelen Elektroden in einer schrägen Richtung ausgehen.

In dem Fall, in dem die einzelnen Kammelektroden 13 und 14, die in 1 dargestellt sind, verwendet werden, können die Sende-Kammelektroden 13 separat angeregt werden und kann das Empfangsspannungssignal separat von jeder der entsprechenden Empfangs-Kammelektroden 14 erhalten werden. Im Gegensatz dazu emittiert im Fall der ununterbrochenen Kammelektroden 23 und 24, die in 4 dargestellt sind, jeder Elektrodenfinger das Signal einer akustischen Oberflächenwelle gleichzeitig und senkrecht, wenn über die gemeinsamen parallelen Elektroden der ununterbrochenen Kammelektrode 23 des Sendeelements eine Anregungsspannung angelegt wird. Jeder Teil der ununterbrochenen Kammelektrode 24 des Empfangselements kann dann das Signal einer akustischen Oberflächenwelle empfangen und erzeugt ein Empfangsspannungssignal zwischen den gemeinsamen parallelen Elektroden. Wie oben erwähnt wurde, kann jedoch die Differenz der Fortpflanzungszeit zwischen den Fortpflanzungspfaden PA, die die Berührungsfläche 12 in der schrägen Richtung (in der diagonalen Richtung) kreuzen, genutzt werden, um die berührte Position zu detektieren. Eine Detektionsschaltung wird später erläutert.

In 4 wird ein piezoelektrischer Dünnfilm 15 in der Fläche mit den ununterbrochenen Kammelektroden 23 und 24 gebildet. Der piezoelektrische Dünnfilm 15 ist ein Dünnfilm aus Zinkoxid (ZnO). Der piezoelektrische Dünnfilm 15 bedeckt das Glassubstrat (nicht-piezoelektrisches Substrat) 11 und die ununterbrochenen Kammelektroden 23 und 24, die auf dem Glassubstrat 11 ausgebildet sind. Alternativ dazu ist der piezoelektrische Dünnfilm 15 auf dem Glassubstrat 11 ausgebildet, und die ununterbrochenen Kammelektroden 23 und 24 sind auf dem piezoelektrischen Dünnfilm 15 ausgebildet.

Auch in dieser Ausführungsform sind Elektrodenfinger der gegenüberliegenden ununterbrochenen Kammelektroden 23 und 24 (z.B. die ununterbrochene Kammelektrode 23 des Sendeelements, das entlang der linken Seite liegt, und die ununterbrochene Kammelektrode 24 des Empfangselements, die auf der oberen Seite liegt) nicht parallel. Mit anderen Worten ist jeder der Elektrodenfinger aus dem Winkel von 45 Grad bezüglich der vier Seiten der Berührungsfläche 12 geneigt. In der gleichen Weise wie in der ersten Ausführungsform erläutert sind die Linie L1 entlang dem Elektrodenfinger der ununterbrochenen Kammelektrode 23 des Sendeelements und die Linie L2 entlang dem Elektrodenfinger der ununterbrochenen Kammelektrode 24 des Empfangselements zueinander nicht parallel, so dass sie sich an der Seite der Berührungsfläche 12 öffnen, entsprechend dem Brechungswinkel an der Grenze zwischen der Fläche mit dem aus Zinkoxid hergestellten piezoelektrischen Dünnfilm 15 und der Fläche mit nur dem Glassubstrat 11 infolge der Differenz der Fortpflanzungsgeschwindigkeiten.

Wie im vergrößerten Diagramm von 5 gezeigt ist, ist außerdem an der Grenze 21 zwischen der Fläche mit dem piezoelektrischen Dünnfilm 15 und der Fläche ohne den piezoelektrischen Dünnfilm 15 (in der linken Seite der Berührungsfläche 12) der Einfallswinkel &thgr; des Fortpflanzungspfads PA kleiner als 45 Grad, wenn der Austrittswinkel nach der Brechung 45 Grad beträgt. Der entsprechende Wert des Einfallswinkels &thgr; ist in der gleichen Weise wie in der ersten Ausführungsform ungefähr 36,6 Grad. In diesem Fall ist die Linie L1 entlang dem Elektrodenfinger 23a der ununterbrochenen Kammelektrode 23 des Sendeelements unter &agr; = 7,4 Grad aus 45 Grad bezüglich der linken Seite 21 der Berührungsfläche 12 geneigt. Die Linie L2 entlang dem Kammelektrodenfinger der gegenüberliegenden ununterbrochenen Kammelektrode 24 des Empfangselements ist in der entgegengesetzten Richtung unter dem gleichen Winkel &agr; geneigt, so dass der Winkel 2&agr; zwischen den Linien L1 und L2 entlang den Kammelektrodenfingern der ununterbrochenen Kammelektroden 23 und 24 14,8 Grad wird. In der gleichen Weise wie in der ersten Ausführungsform werden somit die Wirkungsgrade der Übertragung und des Empfangs der akustischen Oberflächenwelle maximal.

6 zeigt eine vereinfachte Struktur eine Berührungsfeldvorrichtung, die eine Berührungsfläche und deren Umfang einschließt, gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In dieser Ausführungsform ist ein piezoelektrischer Dünnfilm 25 aus Aluminiumnitrid (AlN) hergestellt. Im Gegensatz zum aus Zinkoxid hergestellten piezoelektrischen Dünnfilm 15 in der ersten Ausführungsform ist die Fortpflanzungsgeschwindigkeit der akustischen Oberflächenwelle auf dem aus Aluminiumnitrid hergestellten piezoelektrischen Dünnfilm 25 schneller als auf der Oberfläche des Glassubstrats 11. Folglich wird die Brechungsrichtung des Fortpflanzungspfads PA' an der Grenze zwischen der Fläche mit dem piezoelektrischen Dünnfilm 25 und der Fläche ohne den piezoelektrischen Dünnfilm 25 (z.B. in der linken Seite 21 der Berührungsfläche 12) in 6 zu derjenigen in 1 entgegengesetzt.

Daher sind in der in 6 gezeigten Struktur die Kammelektroden 13 und 14 so angeordnet, dass die Linie L1 entlang dem Elektrodenfinger der Sende-Kammelektrode 13 und die Linie L2 entlang dem Elektrodenfinger der Empfangs-Kammelektrode 14 nicht parallel sind und an der Seite der Berührungsfläche 12 einander schneiden. Folglich wird das Signal einer akustischen Oberflächenwelle effizient vom Sendeelement (Kammelektrode 13) zum Empfangselement (Kammelektrode 14) übertragen.

7 ist ein vergrößertes Diagramm einer Kammelektrode 13, die an der linken Seite der Berührungsfläche 12 liegt, und deren Umfangs (die durch die gestrichelte Linie eingekreiste Fläche), dargestellt in 6. 7 zeigt den Zustand, in dem der Fortpflanzungspfad PA' der von der Kammelektrode 13 emittierten akustischen Oberflächenwelle an der Grenze 21 zwischen der Fläche mit dem piezoelektrischen Dünnfilm 25 und der Fläche ohne den piezoelektrischen Dünnfilm 25 (in der linken Seite der Berührungsfläche 12) gebrochen wird. Der Austrittswinkel nach einer Brechung beträgt 45 Grad, und die Fortpflanzungsgeschwindigkeit der akustischen Oberflächenwelle ist auf dem aus Aluminiumnitrid hergestellten piezoelektrischen Dünnfilm 25 schneller als in der Fläche mit nur dem Glassubstrat (d.h. der Berührungsfläche 12). Daher ist der Einfallswinkel 0 größer als 45 Grad.

Nimmt man an, das die Fortpflanzungsgeschwindigkeit der akustischen Oberflächenwelle auf dem aus Aluminiumnitrid hergestellten piezoelektrischen Dünnfilm 25 4400 m/s beträgt und die Fortpflanzungsgeschwindigkeit in der Fläche mit nur dem Glassubstrat 11 (d.h. der Berührungsfläche 12) z.B. 3200 m/s beträgt, ist der Einfallswinkel &thgr; ungefähr 76,5 Grad. Daher sollte die Linie L1 entlang dem Elektrodenfinger der Kammelektrode 13 unter ungefähr 31,5 Grad aus 45 Grad geneigt sein. Die Linie L2 entlang dem Elektrodenfinger der Empfangs-Kammelektrode 14 sollte unter dem gleichen Winkel in der entgegengesetzten Richtung geneigt sein. Folglich sollte der Winkel zwischen der Linie L1 und der Linie L2 auf 63 Grad eingestellt sein. Unter dieser Bedingung wird der Wirkungsgrad der Übertragung der akustischen Oberflächenwelle von der Kammelektrode 13 des Sendeelements zur Kammelektrode 14 des Empfangselements maximal.

Als vierte Ausführungsform kann überdies in der Struktur, wie sie in der zweiten Ausführungsform (4) beschrieben wurde, die die ununterbrochenen Kammelektroden 23 und 24 nutzt, der aus Aluminiumnitrid hergestellte piezoelektrische Dünnfilm in der gleichen Weise wie die dritte Ausführungsform genutzt werden. In diesem Fall sind die ununterbrochenen Kammelektroden 23 und 24 so ausgebildet, dass die Linie L1 entlang dem Elektrodenfinger der ununterbrochenen Kammelektrode 23 des Sendeelements und die Linie L2 entlang dem Elektrodenfinger der ununterbrochenen Kammelektrode 24 des Empfangselements nicht parallel sind und einander in der Seite der Berührungsfläche 12 schneiden. Folglich wird das Signal der akustischen Oberflächenwelle vom Sendeelement effizient zum Empfangselement übertragen.

8 ist ein Blockdiagramm einer Detektionsschaltung, die für die Berührungsfeldvorrichtung in jeder der oben erwähnten Ausführungsformen verwendet wird. Die Detektionsschaltung 40 enthält eine Ansteuerschaltung zum Anlegen eines Anregungsspannungssignals an das Sendeelement 48, das die Kammelektrode 13 (oder die ununterbrochene Kammelektrode 23) enthält, und eine Signalprozessschaltung zum Verarbeiten des Empfangsspannungssignals, das vom Empfangselement 49 abgegeben wird, das die Kammelektrode 14 (oder die ununterbrochene Kammelektrode 24) enthält.

Die Detektionsschaltung 40 enthält einen Mikroprozessor (MPU) 41, einen Frequenz-Controller 42, einen Oszillator 43, einen Zähler 44, einen A/D-Wandler 45, eine Schwellenspeicherteil 46 und einen Komparator 47. Der Frequenz-Controller 42, der Oszillator 43 und der Zähler 44 bilden die Ansteuerschaltung, und der Oszillator 43 ist mit dem Sendeelement 48 verbunden. Außerdem bilden der A/D-Wandler 45, der Schwellenspeicherteil 46 und der Komparator 47 die Signalprozessschaltung, und der A/D-Wandler 45 ist mit dem Empfangselement 49 verbunden. Die MPU 41 steuert die gesamte Detektionsschaltung 40 und enthält einen Zeitgeber 41a.

Der Frequenz-Controller 42 steuert die Anregungsfrequenz antwortend auf eine Anweisung von der MPU 41. Der Oszillator 43 oszilliert als Antwort auf die Spannung, die vom Frequenz-Controller 42 geliefert wird, bei der Frequenz und die erzeugte Burstspannung (die Anregungsspannung) wird an das Sendeelement 48 angelegt. Folglich emittiert das Sendeelement 48 die akustische Oberflächenwelle. Der Zähler 44 zählt die Anzahl von Oszillationszeiten im Oszillator 43, d.h. die Anzahl von Wellen der Burstspannung, was zur MPU 41 rückgekoppelt wird.

Wenn die vom Sendeelement 48 emittierte akustische Oberflächenwelle vom Empfangselement 49 empfangen wird, wird das Empfangsspannungssignal vom Empfangselement 49 abgegeben und durch den A/D-Wandler 45 abgetastet. Der abgetastete Wert wird an den Komparator 47 geliefert, der den abgetasteten Wert mit dem im Schwellenspeicherteil 46 gespeicherten Schwellenwert vergleicht. Das Vergleichsergebnis wird an die MPU 41 geliefert.

Die MPU 41 entscheidet, ob die Berührungsfläche 12 berührt wird oder nicht, und spezifiziert die berührte Position gemäß dem Vergleichsergebnis, das vom Komparator 47 geliefert wird. In den Fällen, in denen die einzelnen Kammelektroden 13 und 14, die in 1 und 6 dargestellt sind, für das Sendeelement 48 und das Empfangselement 49 verwendet werden, kann das vom Komparator 47 gelieferte Vergleichsergebnis für jede der mehreren Kammelektroden 14 der Empfangselemente 49 erkannt werden. Daher ist es einfach zu entscheiden, welcher Fortpflanzungspfad PA (oder PA') berührt wird. In Fällen, in denen die ununterbrochenen Kammelektroden 23 und 24, die in 4 gezeigt sind, für das Sendeelement 48 und das Empfangselement 49 verwendet werden, wird der eingebaute Zeitgeber 41a zum Messen der Zeit von einer Übertragung (Anregung) bis zum Empfang verwendet, um gemäß der Differenz der Fortpflanzungszeit zwischen den Fortpflanzungspfaden PA zu entscheiden, welcher Fortpflanzungspfad PA berührt wird.

Obgleich einige Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung in der obigen Beschreibung erläutert wurden, können diese Ausführungsformen nötigenfalls modifiziert werden. Obgleich die Berührungsfläche 12 in den oben beschriebenen Ausführungsformen quadratisch ist, kann z.B. die vorliegende Erfindung für den Fall verwendet werden, in dem die Berührungsfläche 12 länglich ist. In diesem Fall können, wie oben erwähnt wurde, die Fortpflanzungspfade PA in der Richtung entlang der Diagonalen des Rechtecks angeordnet sein.

Obgleich die gegenwärtig bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung dargestellt und beschrieben wurden, versteht es sich, dass die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt ist und verschiedene Änderungen und Modifikationen vom Fachmann vorgenommen werden können, ohne vom Umfang der Erfindung abzuweichen, wie sie in den beigefügten Ansprüchen dargelegt ist.


Anspruch[de]
  1. Berührungsfeldvorrichtung, mit:

    einem nicht-piezoelektrischen Substrat (11);

    einer im wesentlichen rechtwinkligen Berührungsfläche (12), die sich im mittleren Abschnitt des nicht-piezoelektrischen Substrats (11) befindet;

    einem piezoelektrischen Dünnfilm (15), der um die Berührungsfläche (12) angeordnet ist; und

    mehreren Elementpaaren (13, 14) für akustische Oberflächenwellen, die um die Berührungsfläche (12) innerhalb der durch den piezoelektrischen Dünnfilm (15) bedeckten Fläche liegen;

    dadurch gekennzeichnet, daß jedes Paar (13, 14) von Elementen eine entlang einer der Seiten der Berührungsfläche (12) gelegene Emissions-Kammelektrode (13) und eine Empfangs-Kammelektrode (14) aufweist, die entlang einer der besagten einen Seite der Berührungsfläche (12) benachbarten Seite der Berührungsfläche (12) liegt, so daß Signale akustischer Oberflächenwellen sich von den Emissions-Kammelektroden (13) in einer schrägen Richtung bezüglich der vier Seiten der Berührungsfläche (12) zu den Empfangs-Kammelektroden (14) ausbreiten;

    welcher piezoelektrische Dünnfilm (15) einen zu den vier Seiten der Berührungsfläche im wesentlichen parallelen linearen Innenrand aufweist; und

    wobei ein Elektrodenfinger der Emissions-Kammelektrode (13) und ein Elektrodenfinger der Empfangs-Kammelektrode (14) jeweils in nicht parallelen Richtungen gemäß einem Brechungswinkel der akustischen Oberflächenwelle an einer Grenze (21) zwischen dem piezoelektrischen Dünnfilm (15) und der Berührungsfläche (12) verlaufen, so daß akustische Oberflächenwellen rechtwinklig in die Empfangs-Elektrode (14) eindringen.
  2. Berührungsfeldvorrichtung nach Anspruch 1, worin der piezoelektrische Dünnfilm (15) aus Zinkoxid hergestellt ist und jede der Kammelektroden (13, 14) so angeordnet ist, daß der Elektrodenfinger der Emissions-Kammelektrode (13) und der Elektrodenfinger der Empfangs-Kammelektrode (14) sich jeweils in nicht parallelen Richtungen erstrecken, so daß sie in Richtung auf die Berührungsfläche (12) divergieren.
  3. Berührungsfeldvorrichtung nach Anspruch 1, worin der piezoelektrische Dünnfilm (15) aus Aluminiumnitrid hergestellt ist und jede der Kammelektroden (13, 14) so angeordnet ist, daß der Elektrodenfinger der Emissions-Kammelektrode (13) und der Elektrodenfinger der Empfangs-Kammelektrode (14) sich jeweils in nicht parallelen Richtungen erstrecken, so daß sie in Richtung auf die Berührungsfläche (12) konvergieren.
  4. Berührungsfeldvorrichtung, mit:

    einem nicht-piezoelektrischen Substrat (11);

    einer im wesentlichen rechtwinkligen Berührungsfläche (12), die sich im mittleren Abschnitt des nicht-piezoelektrischen Substrats (11) befindet;

    Elementen (13) zur Emission und Elementen (14) zum Empfang akustischer Oberflächenwellen, die um die Berührungsfläche (12) angeordnet sind, wobei jedes der Elemente (13, 14) eine ununterbrochene Kammelektrode mit einem Paar parallele Elektroden und Kammelektrodenfingern, die von einer der parallelen Elektroden in Richtung auf die andere in einer schrägen Richtung unter einem konstanten Abstand alternierend verlaufen, und einen piezoelektrischen Dünnfilm (15) umfasst, welche Emissions- und Empfangselemente (13, 14) innerhalb der vom piezoelektrischen Dünnfilm (15) bedeckten Fläche liegen;

    dadurch gekennzeichnet, daß die ununterbrochene Kammelektrode eines Emissionselements (13), die im wesentlichen parallel zu einer der Seiten der Berührungsfläche (12) liegt, und die ununterbrochene Kammelektrode eines Empfangselements (14), die im wesentlichen parallel zu einer der besagten einen Seite der Berührungsfläche (12) benachbarten Seite der Berührungsfläche (12) liegt, ein Paar bilden, so daß Signale akustischer Oberflächenwellen sich von der ununterbrochenen Kammelektrode des Emissionselements (13) in einer schrägen Richtung bezüglich der vier Seiten der Berührungsfläche (12) zur ununterbrochenen Kammelektrode des Empfangselements (14) ausbreiten;

    welcher piezoelektrische Dünnfilm (15) einen zu den vier Seiten der Berührungsfläche (12) im wesentlichen parallelen linearen Innenrand aufweist; und

    wobei ein Kammelektrodenfinger des Emissionselements (13) und ein Kammelektrodenfinger des Empfangselements (14) jeweils in nicht parallelen Richtungen gemäß einem Brechungswinkel der akustischen Oberflächenwelle an einer Grenze (21) zwischen dem piezoelektrischen Dünnfilm (15) und der Berührungsfläche (12) verlaufen, so daß akustische Oberflächenwellen rechtwinklig in das Empfangselement (14) eindringen.
  5. Berührungsfeldvorrichtung nach Anspruch 4, worin der piezoelektrische Dünnfilm (15) aus Zinkoxid hergestellt ist und jede der ununterbrochenen Kammelektroden so geschaffen ist, daß der Kammelektrodenfinger des Emissionselements (13) und der Kammelektrodenfinger des Empfangselements (14) sich jeweils in nicht parallelen Richtungen erstrecken, so daß sie in Richtung auf die Berührungsfläche (12) divergieren.
  6. Berührungsfeldvorrichtung nach Anspruch 4, worin der piezoelektrische Dünnfilm (15) aus Aluminiumnitrid hergestellt ist und jede der ununterbrochenen Kammelektroden so geschaffen ist, daß der Kammelektrodenfinger des Emissionselements (13) und der Kammelektrodenfinger des Empfangselements (14) sich jeweils in nicht parallelen Richtungen erstrecken, so daß sie in Richtung auf die Berührungsfläche (12) konvergieren.
Es folgen 10 Blatt Zeichnungen






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