Die Erfindung betrifft einen Modulator zur Datenübertragung zwischen
einem Transponder und einer Basisstation, die ein empfangenes elektromagnetisches
Trägersignal in Abhängigkeit von zu sendenden Daten Amplitudenmoduliert und/oder
Phasen-moduliert. Die Erfindung betrifft ferner einen Transponder mit einem solchen
Modulator sowie ein Modulationsverfahren zum Betreiben eines solchen Modulators.
Die Erfindung liegt auf dem Gebiet der Transpondertechnologie und
insbesondere im Bereich der kontaktlosen Kommunikation zum Zwecke der Identifikation.
Wenngleich prinzipiell auf beliebige Kommunikationssysteme und damit beliebige Modulationsvorrichtungen
anwendbar, werden die vorliegende Erfindung sowie die ihr zugrunde liegende Problematik
nachfolgend in Bezug auf so genannte RFID-Kommunikationssysteme und insbesondere
RFID-Modulationsvorrichtungen und deren Anwendungen erläutert. RFID steht dabei
für "Radio Frequency Identification". Bei RFID-Systemen werden zwischen einer oder
auch mehreren Basisstationen (bzw. Schreib/Lesegeräten) und einem oder mehreren
Transpondern drahtlos Daten übertragen. Zum allgemeinen Hintergrund dieser RFID-Technologie
wird auf das „RFID-Handbuch" von Klaus Finkenzeller, Hanser Verlag, dritte
aktualisierte Auflage, 2002 verwiesen.
Passive Transponder verfügen über keine eigenständige Energieversorgung,
semipassive Transponder verfügen zwar über eine eigene Energieversorgung, jedoch
weisen weder aktive noch semipassive Transponder über einen aktiven Sender für die
Datenübertragung zur Basisstation auf. Bei derartigen passiven und semipassiven
RFID-Systemen wird zur Datenübertragung – insbesondere bei Entfernungen von
deutlich mehr als einem Meter – in Verbindung mit UHF oder Mikrowelle in der
Regel die so genannte Backscattertechnik (oder auch Rückstreukopplung) verwendet.
Bei der Backscattertechnik wird der Rückstreuquerschnitt der Antenne für die Datenrückübertragung
vom Transponder zu der Basisstation verwendet. Hierzu werden von der Basisstation
modulierte elektromagnetische Trägersignale ausgesendet, die durch eine Sende- und
Empfangseinrichtung des Transponders aufgenommen und demoduliert werden. Ferner
werden von dem Transponder die elektromagnetischen Trägersignale entsprechend der
an die Basisstation zu übertragenden Daten mit einem gängigen Modulationsverfahren
moduliert und reflektiert. Dies geschieht im Allgemeinen durch eine Änderung der
Eingangsimpedanz der Sende- und Empfangseinrichtung des Transponders, die eine Veränderung
der Reflexionseigenschaften einer daran angeschlossenen Antenne bewirkt. Zur Modulation
wird neben der Amplitudenmodulation (ASK) bei modernen Kommunikationssystemen zunehmend
auch die Phasenmodulation (PSK) und die Frequenzmodulation (FSK) in Verbindung mit
einer Pulsweitenmodulation (PWM) eingesetzt. Hierfür sind unterschiedliche Verfahren
bekannt.
Bei einem ersten Modulationsverfahrenstyp, das beispielsweise in der
Europäischen Patentanmeldung EP 1 211 635
A2 beschrieben ist, wird der Realteil der Eingangsimpedanz durch Zuschalten
und Abschalten einer im Wesentlichen ohmschen, also resistiven Last verändert, wodurch
hauptsächlich eine Amplitudenänderung oder Amplitudenmodulation der reflektierten
Wellen bewirkt wird. Dieses Modulationsverfahren wird als Amplitudentastung (ASK)
bezeichnet. Die ohmsche Last belastet hier als zusätzlicher Verbraucher die Spannungsversorgung
des Transponders, wodurch die maximal überbrückbare Entfernung zwischen Transponder
und Basisstation, insbesondere bei passiven Transpondern ohne eigene Energieversorgung,
erheblich verringert wird. ASK-Modulation eignet sich daher insbesondere für geringe
Entfernungen zwischen Basisstation und Transponder, ist jedoch bei größer werdenden
Entfernungen nur noch bedingt einsatzfähig.
Bei einem zweiten Modulationsverfahrenstyp wird der Imaginärteil der
Eingangsimpedanz durch Veränderung der Kapazität eines Kondenstors im Eingangsteil
der Sende- und Empfangseinrichtung beeinflusst, wodurch hauptsächlich eine Phasenänderung
oder Phasenmodulation der reflektierten Wellen bewirkt wird. Dieses Modulationsverfahren
wird als Phasenumtastung (PSK) bezeichnet. Ein derartiges Verfahren ist beispielsweise
in der älteren Deutschen Patentanmeldung DE
101 58 442 A1 der Anmelderin dargestellt. Im Vergleich zur ASK-Modulation
beeinflusst die PSK-Modulation die Betriebsspannung praktisch nicht, wodurch ein
hoher Wirkungsgrad des Transponders erzielbar ist und die maximal überbrückbare
Entfernung zwischen Transponder und Basisstation zunimmt. Allerdings nimmt die vom
Transponder reflektierte Leistung etwas ab, wenn der Abstand zwischen Transponder
und Basisstation kleiner wird. Bei sehr kleinen Entfernungen kann der Fall auftreten,
dass die Basisstation das vom Transponder reflektierte, phasenmodulierte Signal
nicht mehr detektieren kann. Bei sehr geringen Entfernungen zwischen Basisstation
und Transponder ist daher die PSK-Modulation nicht optimal.
Es besteht also der Bedarf, ein RFID-System sowohl im Nahbereich,
also bei relativ geringen Entfernungen zwischen Transponder und Basisstation, wie
auch im Fernbereich, also bei relativ großen Entfernungen zwischen Transponder und
Basisstation betreiben zu können. Hinsichtlich der Definition von Nahbereich und
Fernbereich wird auf das eingangs genannte RFID-Handbuch von Klaus Finkenzeller
verwiesen.
Bei bisher bekannten Modulatoren in RFID-Komunikationssystemen wird
von einer Schalteinheit entweder vor (im Falle einer ASK- und PSK-Modulation) oder
auch nach (im Falle der ASK-Modulation als Lastmodulation) dem Gleichrichter eingegriffen.
In der bislang noch nicht veröffentlichten deutschen Patentanmeldung der Anmelderin
mit dem Aktenzeichen DE 103 01 451 wird
ein Verfahren beschrieben, bei dem eine mehrstufige Gleichrichteranordnung vorgesehen
ist und der Modulator in einen gemeinsamen Knoten, der zwischen benachbarten Stufen
des Gleichrichters angeordnet ist, eingreift. Hierbei wird durch die Anordnung eine
Amplitudenmodulation bewirkt, indem die Modulation, der an die Basisstation zurückgesandten
Trägerwelle, mittels eines mit dem Gleichrichter verbundenen Schaltmittels, bewirkt
wird. Hierzu wird dem Schaltmittel ein Modulationssteuersignal zugeführt. Diese
Lösung belastet die Schalteinheit dieses DC-Knoten erheblich und ist insbesondere
bei passiven insbesondere rückstreubasierten Tranpondersystemen nur durchführbar,
sofern im Nahfeld, d.h. bei sehr geringen Abständen, eine hohe Energieabsorption
durch den Transponder aus dem elektromagnetischen Feld möglich ist.
Der vorliegenden Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, bei der
drahtlosen Datenübertragung eine effiziente und möglichst zuverlässige Modulation
bereitzustellen, bei der eine Modulation der zurückgesandten Trägerwelle mittels
eines Gleichrichters bewirkt wird.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch einen Modulator mit den Merkmalen
des Patentanspruchs 1, durch einen Transponder mit den Merkmalen des Patentanspruchs
16 sowie durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruchs 17 gelöst.
Demgemäß ist vorgesehen:
- • Ein Modulator zur Datenübertragung zwischen einem Transponder und einer
Basisstation, der in einem Transponder ein empfangenes elektromagnetisches Trägersignal
in Abhängigkeit von zu sendenden Daten Phasen moduliert und/oder Amplituden moduliert,
anzugeben, der aus einer Gleichrichterschaltung zur Gleichrichtung des empfangenen
elektromagnetischen Trägersignals, die zumindest eine Gleichrichterstufe mit wenigstens
einem Schaltungsknoten aufweist, besteht, und bei dem der Schaltungsknoten mittels
einer kapazitiven Kopplung mit einem Eingang der Gleichrichterschaltung verbunden
ist, und einer Schalteinrichtung, die ausgangsseitig innerhalb wenigstens einer
Gleichrichterstufe der Gleichrichterschaltung eingreift, indem wenigstens ein Schaltungsknoten,
dieser Gleichrichterstufe mit der Schalteinrichtung verbunden ist, und einer Modulationssteuereinrichtung,
die ein Modulationssteuersignal für einen Steuereingang der Schalteinrichtung bereitstellt.
(Patentanspruch 1)
– Ein Transponder zur drahtlosen Datenkommunikation mit einer Basisstation,
mit einer Sende- und Empfangseinrichtung zum Empfangen von empfangenen elektromagnetischen
Trägersignalen und zum Senden von modulierten Daten, mit zumindest einem erfindungsgemäßen
Modulator, der die sendenden Daten innerhalb des Gleichrichterschaltung Phasen moduliert
und/oder Amplituden moduliert. (Patentanspruch 16)
- • Ein Verfahren zur Datenübertragung zwischen einem Transponder und einer
Basisstation, bei der in einem Transponder ein empfangenes elektromagnetisches Trägersignal
in Abhängigkeit von zu sendenden Daten Phasen moduliert zurückgesendet wird und
mittels einer Modulationssteuereinrichtung ein Modulationssteuersignal erzeugt wird,
wobei das Modulationssteuersignal einem Gleichrichter zugeführt wird, und die Modulation
ausschließlich durch den Gleichrichter bewirkt wird. (Patentanspruch 17)
Die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Idee besteht darin,
zumindest einen AC-Knoten zumindest einer Gleichrichterstufe mit einem steuerbaren
Schalteinrichtung zu verbinden. Der AC-Knoten weist eine kapazitive Kopplung mit
dem Antenneneingang des Transponders auf, d.h. im Fall des HF Trägersignals ist
der AC-Knoten unmittelbar mit dem Eingang des Transponders verbunden. Die steuerbaren
Schalteinrichtung, die von einem Ansteuersignal angesteuert wird, ist dazu ausgelegt,
eben diesen AC-Knoten mit einem Potenzial, beispielsweise einem Bezugspotenzial
zu verbinden, und hierdurch die Eingangsimpedanz des Gleichrichters bzw. des Transponders
zu verändern. Dies ermöglicht eine effiziente Phasenmodulation, bei der sich die
parasitären Eigenschaften der Bauelemente der Modulationseinrichtung im Hochfrequenzbereich
wie auch im niederfrequenten Bereich eingangsseitig nicht auswirken. Gleichzeitig
wird ein gegebenenfalls zur Glättung der Ausgangsspannung der Gleichrichterschaltung
verwendeter Kondensator nur unwesentlich durch Schaltvorgänge im Zusammenhang mit
der Modulation belastet. Zusätzlich oder alternativ kann auch vorgesehen sein, dass
die steuerbare Schalteinrichtung auch auf zumindest einen DC-Knoten innerhalb der
Gleichrichterschaltung und/oder auf einen Ausgangsknoten der Gleichrichterschaltung
zur Lastmodulation eingreift. Dies ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn im Nahfeld
bei den passiven Transpondern sehr viel Energie aus dem elektromagentischen Feld
der Basisstation absorbiert wird und die Modulation ausschließlich nur mittels des
Gleichrichter bewirkt werden soll. Alternativ lässt sich jedoch auch die Amplitudenmodulation
nicht im Gleichrichter, sondern in einer weiteren Schalteinheit die separat mit
dem Antenneneingang des Transponders verbunden ist, durchführen.
Der Vorteil durch das Eingreifen in den AC-Knoten und den DC-Knoten,
besteht darin, dass eine Entladung des Stützkondensators am Ausgang der Gleichrichterschaltung
durch den erfindungsgemäß modifizierten Modulator automatisch unterbunden wird,
indem durch eine nachgeschaltete Diode in Sperrichtung gepolt wird, sofern das Potenzial
in der durch die Modulation angesprochenen Gleichrichterstufe geringer wird. Außerdem
haben Untersuchungen der Anmelderin gezeigt, dass die Effizienz bei einem Eingriff
der steuerbaren Schalteinrichtung in einen AC-Knoten sogar höher ist, als wenn diese
in einen DC-Knoten der Gleichrichterschaltung eingreift. Die erfindungsgemäße Modulation
eignet sich daher besonders vorteilhaft für die PSK-Modulation insbesondere dann,
wenn im Fernfeld nur geringe Mengen Energie mittels der Gleichrichters für den Transponder
zur Verfügung steht.
Die erfindungsgemäße Modulation bietet darüber hinaus auch eine sehr
zuverlässige, in Kombination mit der ASK-Modulation auch eine sehr flexible Modulation,
da hier eine effiziente Modulation sowohl für die ASK-Modulation als auch für die
PSK-Modulation bereit gestellt wird.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind
den Unteransprüchen sowie der Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnung entnehmbar.
In einer vorteilhaften Ausgestaltung ist ein Spannungssensor mit einem
Ausgang des Gleichrichters und mit einem Eingang der steuerbaren Schalteinrichtung
verbunden. Hierdurch lässt sich in Abhängigkeit der Höhe der Ausgangsspannung des
Gleichrichters mittels einer Bewertungseinheit, beispielsweise eines UND-Gatters,
eine Verknüpfung zwischen der Höhe der anliegenden Ausgangsspannung des Gleichrichters
und dem Modulatonssteuersignals durchführen. Hierdurch lässt sich anhand der Schaltschwelle
des Gatters eine erste Spannungsschwelle vorsehen, um eine Modulation innerhalb
des Gleichrichters wirksam zu unterdrücken, sofern nicht eine Mindestspannung durch
den Spannungssensor oder durch das Modulationssteuersignals gegeben ist.
In einer besonders vorteilhaften Ausgestaltung ist zwischen dem Spannungssensor
und der Bewertungseinheit ein Komparator vorgesehen, der vorzugsweise als Schmitt-Trigger
ausgebildet ist. Hierbei lässt sich an einem Eingang des Komparators eine Referenzspannung
anlegen, mittels der eine Spannungsschelle vorgegeben wird. Durch die Spannungsschwelle
kann der Gleichrichter mit einer Amplitudenmodulation zusätzlich oder alternativ
zu einer Phasenmodulation beaufschlagt werden. Je nach Ausbildung der Bewertungseinheit,
beispielsweise als ODER- Verknüpfung, lässt sich eine Kaskadierung der Modulationsart
erreichen, indem vorzugsweise eine Phasenmodulation oberhalb einer ersten Spannungsschwelle
und eine Amplitudenmodulation zusätzlich oberhalb einer höheren zweiten Spannungsschwelle
eingeschaltet wird.
In einer anderen Weiterbildung lässt sich mittels des Spannungssensors
auch der Modulationsindex in Abhängigkeit der Ausgangsspannung des Gleichrichters
ändern. Hierbei wird insbesondere bei einer Amplitudenmodulation der Grad der Modulation
erhöht bis auf Maximal 100%, sofern eine genügend hohe Ausgangsspannung des Gleichrichters
gegeben ist.
In einer anderen vorteilhaften Ausgestaltung weist zumindest eine
Gleichrichterstufe einen ersten Knoten mit einem hohen HF-Potenzial und einen dem
ersten Knoten nachgeschalteten zweiten Knoten mit einem zweiten, gegenüber dem ersten
Knoten geringeren HF-Potenzial auf.
In einer Weiterbildung ist die steuerbare Schalteinrichtung ausgangsseitig
mit zumindest einem ersten Knoten der Gleichrichterschaltung verbunden. Zusätzlich
oder alternativ kann in einer zweiten Weiterbildung die steuerbare Schalteinrichtung
ausgangsseitig auch mit zumindest einem zweiten Knoten der Gleichrichterschaltung
verbunden sein.
In einer minimalen Ausführungsform ist die Gleichrichterschaltung
als einstufiger Gleichrichter ausgebildet. In diesem Falle ist die steuerbare Schalteinrichtung
ausgangsseitig mit dem ersten Knoten der einzigen Gleichrichterstufe des einstufigen
Gleichrichters verbunden.
In einer alternativen Ausgestaltung ist die Gleichrichterschaltung
als mehrstufiger Gleichrichter ausgebildet. Die steuerbare Schalteinrichtung greift
dabei vorzugsweise, jedoch nicht notwendigerweise in zumindest zwei der Gleichrichterstufen
ein.
In einer vorteilhaften Ausgestaltung weist die steuerbare Schalteinrichtung
zumindest einen steuerbaren Schalter auf, dessen Steueranschluss über ein Steuersignal
ansteuerbar ist und dessen gesteuerte Strecke somit über das Steuersignal auf- und
zusteuerbar ist. Vorzugsweise ist dabei der steuerbare Schalter als Transistor,
insbesondere als MOSFET und dabei insbesondere als CMOS-MOSFET, ausgebildet ist.
Alternativ kann hier auch ein als Bipolartransistor, JFET, Thyristor, IGBT, etc.
ausgebildeter Transistor vorgesehen sein.
Zusätzlich oder alternativ kann der steuerbare Schalter aber auch
als Varaktor, insbesondere als MOS-Varaktor, ausgebildet sein.
In einer besonders vorteilhaften Ausgestaltung ist
in Reihe zur gesteuerten Strecke des steuerbaren Schalters zumindest ein kapazitives
Element, insbesondere ein Kondensator, angeordnet ist. Als kapazitives Element kann
auch ein geeignet verschalteter Transistor verwendet werden. Das kapazitive Element
kann dabei sowohl bezugspotenzialseitig wie auch zusätzlich oder alternativ ausgangsseitig
in Richtung der Gleichrichterschaltung angeordnet sein. Vorzugsweise ist der Ausgang
des steuerbaren Schalter über das kapazitive Element mit dem ersten Knoten gekoppelt.
In einer ebenfalls besonders vorteilhaften Ausgestaltung ist parallel
und/oder in Reihe zur gesteuerten Strecke des steuerbaren Schalters zumindest ein
resistives Element, insbesondere ein Widerstand, angeordnet. Als resistives Element
kann auch ein Transistor verwendet werden. Das resistive Element kann dabei sowohl
bezugspotenzialseitig als auch zusätzlich oder alternativ ausgangsseitig in Richtung
der Gleichrichterschaltung angeordnet sein. Vorzugsweise ist der Ausgang des steuerbaren
Schalter über das resistive Element mit dem zweiten Knoten gekoppelt.
In einer ersten Ausgestaltung ist der Modulator als Phasen-Modulator
zur Beeinflussung der elektrischen Eigenschaften einer Sende- und Empfangseinrichtung
ausgebildet. Zusätzlich oder alternativ kann der Modulator auch als Amplituden-Modulator
zur Amplitudentastung und/oder zur Beeinflussung einer Last der Sende- und Empfangseinrichtung
so ausgebildet sein, dass das elektromagnetische Trägersignal mit einem Datensignal
modulierbar ist.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand der in den schematischen Figuren
der Zeichnung angegebenen Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigen dabei:
1 anhand eines Blockschaltbildes eine
erste, allgemeine Anordnung mit erfindungsgemäßem Modulator;
2 anhand eines Blockschaltbildes eine
zweite detailliertere Anordnung mit erfindungsgemäßem Modulator;
3 ein erstes Ausführungsbeispiel des
erfindungsgemäßen Modulators;
4 ein zweites Ausführungsbeispiel des
erfindungsgemäßen Modulators;
5 erste Ausgestaltungen der steuerbaren
Schalteinrichtung als Transistor mit Widerständen;
6 zweite Ausgestaltungen der steuerbaren
Schalteinrichtung als Transistor mit Kondensatoren;
7 dritte Ausgestaltungen der steuerbaren
Schalteinrichtung als Varaktor mit Kondensatoren.
In den Figuren der Zeichnung sind gleiche bzw. funktionsgleiche Elemente
und Signale – sofern nichts anderes angegeben ist – mit denselben Bezugszeichen
versehen worden.
1 zeigt anhand eines Blockschaltbildes
eine erste allgemeine Anordnung mit erfindungsgemäßem Modulator, bei der eine mit
Bezugszeichen 1 bezeichnete Sende- und Empfangseinrichtung für einen passiven
oder semipassiven Transponder dargestellt ist, der der bidirektionalen Kommunikation
mit einer in 1 nicht dargestellten Basisstation dient.
Die Sende- und Empfangseinrichtung 1 weist einen Eingang
2 und einen Ausgang 3 auf. Der Eingang 2 weist einen
ersten und einen zweiten Eingangsanschluss 4, 5 auf, wobei an
dem ersten Eingangsanschluss 4 ein Eingangspotenzial VIN anliegt und an
dem zweiten Eingangsanschluss 5 ein Bezugspotenzial, beispielsweise das
Potential der Bezugsmasse GND, anliegt. Das Eingangspotenzial VIN ist zum Beispiel
das von einer Basisstation gesendete und das vom Transponder empfangene, elektromagnetische
Trägersignal oder ein davon abgeleitetes Signal. Am Ausgang 3 ist ein Ausgangsanschluss
6 vorgesehen, an dem ein Ausgangssignal VOUT abgreifbar ist.
Zwischen dem Eingang 2 und dem Ausgang 3 ist ein
erfindungsgemäßer Modulator M vorgesehen. Der Modulator M weist einen Gleichrichter
GL auf, der einstufig oder auch mehrstufig ausgebildet sein kann. Der Modulator
M weist ferner eine steuerbare Schalteinrichtung SE auf, die mit dem Gleichrichter
GL verbunden ist und die einen Knoten innerhalb der Gleichrichters GL, wie nachfolgend
noch ausführlich beschrieben wird, mit einem Steuerpotenzial V1 beaufschlagt. Die
steuerbare Schalteinrichtung SE weist des weiteren einen Steueranschluss
7 auf, in den ein Modulationssteuersignal MCS einkoppelbar ist. Das Modulationssteuersignal
MCS wird erfindungsgemäß von einer Steuerschaltung SS erzeugt. Steuerbare Schalteinrichtung
SE und Gleichrichter GL sind jeweils mit einem Bezugspotenzial GND verbunden.
Eine Parallelschaltung aus einer kapazitiven Last CL und einer ohmschen
Last RL, die zwischen dem Ausgang 8 des Gleichrichters GL und dem Ausgang
3 angeordnet sind, repräsentieren die jeweiligen Lastkomponenten von nachfolgenden,
hier nicht näher interessierenden und daher nicht detailliert gezeigten Schaltungsteilen
des Transponders, wobei die kapazitive Last CL im Wesentlichen der Glättung der
Ausgangsspannung des Gleichrichters GL dient.
Die Basisstation emittiert elektromagnetische Wellen, beispielsweise
im UHF-Bereich, die von der Antenne empfangen werden. Ein Teil der Leistung der
elektromagnetischen Wellen dient der elektrischen Versorgung des Transponders, der
andere Teil wird in Abhängigkeit von zur Basisstation zu übertragenden Daten moduliert
und reflektiert. Das am Eingang 2 zwischen den Eingangsanschlüssen
4, 5 anliegende Wechselspannungssignal, das mittels Absorption
aus dem Trägerfeld der Basisstation entnommen wird, wird mit Hilfe des Gleichrichters
GL gleichgerichtet.
Hinsichtlich des unterschiedlichen Aufbaus und der Funktionsweise
eines Modulators zur Phasenumtastung und zur Amplitudentastung im Allgemeinen wird
auf die eingangs genannte, noch nicht veröffentliche deutsche Patentanmeldung der
Anmelderin mit dem Aktenzeichen DE 103 01 451
verwiesen, die hinsichtlich dieses Gegenstandes hiermit vollinhaltlich in die vorliegende
Patentanmeldung mit einbezogen wird.
2 zeigt eine Sende- und Empfangseinrichtung
1, bei der eine Diodenstrecke zur Erzeugung einer Referenzspannung benutzt
wird, die zur Freigabe der Phasenumtastung und/oder Amplitudentastung dient. Der
Modulator M umfasst einen Spannungssensor SP, der als in Reihe angeordnete Dioden
D7–D10 ausgebildet ist. Die Dioden D7–D10 sind zwischen dem Ausgang
8 des Gleichrichters GL und dem Bezugspotenzial GND in Durchlassrichtung
angeordnet. Der Ausgang des Spannungssensor SP der innerhalb des Spannungssensors
mit dem Knoten N der Diodenstrecke verbunden ist, ist mit einem Eingang eines Komparators
KO verbunden. Ferner weist der Komparator KO, der als Schmitt-Trigger ausgebildet
ist, einen weiteren Eingang auf, an dem eine Referenzspannung Vref anliegt. Der
Ausgang des Komparators ist innerhalb der Steuereinrichtung SE mit einer Bewertungseinheit
BE verbunden, die als UND-Gatter eine Verknüpfung mit dem ebenfalls an der Steuereinrichtung
anliegenden Modulationssteuersignal MCS durchführt. Ferner enthält die steuerbare
Schalteinrichtung SE einen MOS-Transistor T, der mit einem Anschluss seines Drain-Source-Kanals
(gesteuerte Strecke) mit der Versorgungsspannung verbunden ist und mit dem anderen
Anschluss seines Drain-Source-Kanals mit dem Bezugspotenzial GND verbunden ist.
Ferner ist der Steuereingang G des MOS-Transistors T mit dem Ausgang der Bewertungseinheit
verbunden.
Das am Knoten N anliegende Referenzpotenzial Vref dient als Freigabesignal
für die Phasenumtastung und/oder Amplitudenumtastung in Verbindung mit der Spannungsschwelle
Vref des Komparatos KO und der Verknüpfung durch die Bewertungseinheit G1. Wenn
das Ausgangspotenzial V2 am Ausgang 8 des Gleichrichters GL nicht ausreicht,
um die Diodenstrecke D7–D10 leitend zu machen, liegt an dem mit dem Knoten
N verbundenen Eingang des Komparators KO eine sehr geringe Spannung die dem Bezugspotential
GND bzw. einer logischen Null entspricht an. Der Ausgang des Komparators KO liegt
daher ebenfalls auf "0", und verbleibt in diesem Zustand bis die am Knoten anliegende
Spannung größer als die Referenzspannung Vref wird, das heißt der Transistor T ist
im gesperrten, das heißt im ausgeschalteten Zustand. Die Modulationseinrichtung
M bleibt trotz Ansteuerung durch das Modulationssteuersignal MCS also inaktiv, sofern
ein UND Verknüpfung in der Bewertungseinheit gegeben ist. Eine Freigabe, das heißt
eine Aktivierung der Modulationseinrichtung M erfolgt in diesem Fall erst ab einem
ausreichenden Spannungspegel V2 am Ausgang 8 des Gleichrichters GL, der
erst bei entsprechend hoher Feldstärke vorhanden ist. Wenn ein ausreichender Spannungspegel
zur Aktivierung vorhanden ist, entspricht das Ausgangssignal der Bewertungseinheit
BE dem Modulationssteuersignal MCS, wodurch der Transistor T synchron zum Modulationssteuersignal
MCS ein- und ausschaltet.
3 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel
des erfindungsgemäßen Modulators M. 3 zeigt ein Schaltbild
einen Gleichrichter GL mit Modulationseingriff, der als Spannungsvervielfacherschaltung
ausgebildet ist. Die Spannungsvervielfacherschaltung GL ist hier lediglich exemplarisch
aus drei Stufen S1–S3 aufgebaut, wobei die einzelnen Gleichrichterstufen S1–S3
in Serie zwischen einem Eingang 10 und einem Ausgang 11 der Spannungsvervielfacherschaltung
GL angeordnet sind. Es versteht sich, dass die Spannungsvervielfacherschaltung GL
auch mehr oder weniger als drei Stufen Sx aufweisen kann, wobei die Anzahl der Stufen
Sx abhängig von der gewünschten Ausgangsspannung gewählt wird. Die Eingangsspannung
UE der Spannungsvervielfacherschaltung GL wird zwischen einem Eingangsanschluss
A1 und dem Bezugspotenzial GND angelegt. Die Ausgangsspannung UA kann an einem Ausgangsanschluss
A2 abgegriffen werden. Ein Ausgang oder Ausgangsknoten einer vorhergehenden Stufe
Sx der Spannungsvervielfacherschaltung GL ist – wie nachfolgend noch erläutert
wird – jeweils mit einem Eingang oder Eingangsknoten der nachfolgenden Stufe
Sx gekoppelt.
Die erste Stufe S1 umfasst zwei Kondensatoren C21, C22 und zwei Dioden
D21, D22. Ein Anschluss des Kondensators C21 ist mit dem Eingangsanschluss A1, der
andere über einen ersten Knoten H1 mit der Kathode der Diode D21 und mit der Anode
der Diode D22 verbunden. Dieser erste Knoten H1 bildet einen hochfrequenten, so
genannten AC-Knoten H1. Die Anode der Diode D21 und ein Anschluss des Kondensators
C22 sind mit dem Bezugspotential GND verbunden. Der andere Anschluss
des Kondensators C22 und die Kathode der Diode D22 sind miteinander über einen zweiten
Knoten N1 verbunden und bilden zusammen mit dem Bezugspotential GND den Ausgang
der ersten Stufe S1. Der Ausgang der ersten Stufe S1 bildet einen gegenüber dem
ersten Knoten H1 niederfrequenten, so genannten DC-Knoten N1. Der zweite Knoten
N1 bildet gleichsam den Eingangsknoten der nachfolgenden Stufe S2.
Die zweite Stufe S2 umfasst zwei Kondensatoren C23, C24 sowie zwei
Dioden D23, D24. Die Anode der Diode D23 ist mit einem Ausgangsanschluss N1 der
ersten Stufe S1 verbunden. Die Dioden D23, D24 sind in Serie zwischen dem Eingangsknoten
N1 und dem als Ausgangsknoten fungierenden zweiten Knoten N2 der zweiten Stufe S2
in Durchlassrichtung geschaltet. Zwischen den Ausgangsknoten N2 und dem Bezugspotential
GND ist ein Kondensator C24 geschaltet. Die erste Stufe S1 ist mit der zweiten Stufe
S2 zusätzlich über den Kondensator C23 gekoppelt, der mit seinem einen Anschluss
mit dem Eingangsanschluss A1 und mit seinem anderen Anschluss mit einem Abgriff
zwischen der Diodenreihenschaltung aus den Dioden D23, D24 und damit mit dem ersten
Knoten H2 der zweiten Stufe S2 verbunden ist.
Die dritte Stufe S3 umfasst zwei Kondensatoren C25, C26 sowie zwei
Dioden D25, D26. Diese sind in gleicher Weise wie in der zweiten Stufe S2 verschaltet.
Der zweite Knoten N3 der dritten Stufe S3 bildet gleichsam den Ausgangsanschluss
A2 der Spannungsvervielfacherschaltung GL.
Im Beispiel in 3 ist der erste Knoten
H2 der zweiten Stufe S2 zur Phasenumtastung mit einer steuerbare Schalteinrichtung
SE, beispielsweise mit einem Ausgang des Transistors T aus 2,
verbunden. Die steuerbare Schalteinrichtung SE verbindet gesteuert durch ein Ansteuersignal,
beispielsweise dem Modulationssteuersignal MCS, diesen Knoten H2 synchron mit einem
mit dem Bezugspotential GND. Dies bewirkt eine Phasenumtastung der reflektierten
Wellen. Der Vorteil eines derartigen Eingriffs liegt auf der Hand. Durch das Eingreifen
der steuerbaren Schalteinrichtung SE innerhalb einer Stufe S2 eines mehrstufigen
Gleichrichters GL im Vergleich zu einer geschalteten Last nach oder auch vor dem
Gleichrichter GL besteht darin, dass die nachgeschaltete kapazitive Last CL und
resistive Last RL durch den Schaltvorgang nicht zusätzlich belastet werden.
4 zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel
des erfindungsgemäßen Modulators. Im Unterschied zu 3
greift hier die steuerbare Schalteinrichtung SE ausgangsseitig zusätzlich auch in
den Ausgangs der zweiten Stufe S2, also in den zweiten Knoten N2 der zweiten Stufe
S2 ein. Im Beispiel in 4 wird damit zusätzlich zu der
Phasenumtastung auch eine Amplitudentastung vorgenommen, indem der zweite Knoten
N2 der zweiten Stufe S2 über die steuerbare Schalteinrichtung SE mit dem Bezugspotenzial
GND beaufschlagt wird. Dabei verbindet die steuerbare Schalteinrichtung SE, gesteuert
durch das Modulationssteuersignal MCS, diesen Knoten N2 synchron mit dem Bezugspotential
GND, was zusätzlich oder alternativ eine Amplitudentastung der reflektierten Wellen
bewirkt.
Die beiden Betriebsmodi, das heißt die Amplitudentastung und die Phasenumtastung
können dabei gleichzeitig oder auch je nach Applikation auch getrennt voneinander
vorgenommen werden. Denkbar wäre ferner, wenn die steuerbare Schalteinrichtung SE
nicht als eine Einrichtung ausgebildet ist, sondern mehrere dieser Einrichtung jeweils
für einen Betriebsmodus (ASK, PSK) oder für jeweils einen Eingriff in die Gleichrichterschaltung
GL vorgesehen ist.
Anstatt der gezeigten Stufen S1–S3 können auch Stufen in einer
Delon/Greinacher-Schaltung, einer Stufen in Villard-Schaltung oder dergleichen verwendet
werden, bei denen zumindest ein hochfrequenter HF-Knoten Hx und vorzugsweise auch
noch ein niederfrequenter NF-Knoten Nx innerhalb einer Stufe Sx gesteuert über eine
steuerbare Schalteinrichtung SE mit einem Referenzpotenzial GND verbunden wird.
Wie aus der obigen Beschreibung einiger exemplarischer Ausführungsformen
deutlich wird, stellt die Erfindung ein Verfahren und zugehörige Schaltungsanordnungen
zur Verfügung, die eine zuverlässige Datenübertragung zwischen einer Basisstation
und einem passiven Transponder über einen weiten Entfernungsbereich, beginnend bei
relativ kleinen Abständen bis hin zu relativ großen Abständen, ermöglichen. Die
Schaltungsanordnungen sind auf sehr einfache Weise in die verschiedenen Transponder-Designs
zu integrieren.
Die 5 und 6
zeigen erste und zweite Ausgestaltungen der steuerbaren Schalteinrichtung SE mit
Widerständen bzw. Kondensatoren. In den 5 und
6 enthalten die steuerbaren Schalteinrichtungen
SE jeweils einen Transistor T1. Der Transistor T1 kann dabei der Transistor T aus
2 sein oder auch ein davon verschiedenes Schaltmittel.
Der Transistor T1 weist einen Steueranschluss G auf, dem zum Beispiel das Modulationssteuersignal
MCS oder ein davon abgeleitetes Signal einkoppelbar ist. Über den Steueranschluss
G wird die gesteuerte Strecke des Transistors T1, die im Falle eines MOSFET-Transistors
durch dessen Gate-Source-Strecke bzw. dessen Gate-Source-Kanal gebildet wird, mit
einem Steuersignal VG auf- und zugesteuert. Das Steuersignal VG kann dabei ein von
dem Modulationssteuersignal MCD abgeleitetes Signal sein.
In 5 ist die steuerbare Schalteinrichtung
SE für eine zeitkontinuierliche DC-Anwendung ausgelegt. In 5(a)
ist die gesteuerte Strecke des Transistors T1 direkt zwischen dem Bezugspotenzial
GND und einem der zweiten NF-Knoten Nx angeordnet. In 5(b) ist
ein erster Widerstand R1 zwischen dem Ausgangsanschluss D des Transistors T1 und
dem NF-Knoten Nx angeordnet. In 5(c) ist zusätzlich ein weiterer
Widerstand R2 parallel zu der gesteuerten Strecke des Transistors T1 angeordnet.
Eine solche steuerbare Schalteinrichtung SE sorgt im eingeschalteten Zustand des
Transistors T1 für einen zusätzlichen DC-Stromverbrauch im Gleichrichter GL und
dadurch für eine veränderte Impedanz, wobei dadurch im Wesentlichen der Realteil
der Transponder-Impedanz geändert wird.
In 6 ist die steuerbare Schalteinrichtung
SE für eine zeitdiskrete AC-Anwendung ausgelegt. In 6(a) ist ein
erster Kondensator C1 zwischen dem Ausgangsanschluss D des Transistors T1 und dem
HF-Knoten Hx angeordnet. 6(a) zeigt also eine geschaltete Kapazität,
die im zeitdiskreten Bereich die Funktion eines Widerstandes aufweist. In
6(b) ist zusätzlich ein weiterer Kondensator C2 zwischen dem bezugspotenzialseitigen
Anschluss S des Transistors T1 und dem Bezugspotenzial GND angeordnet. In
6(c) ist zusätzlich ein Widerstand R3 parallel zu dem weiteren
Kondensator C2, dass heißt zwischen dem bezugspotenzialseitigen Anschluss S des
Transistors T1 und dem Bezugspotenzial GND angeordnet. Eine solche steuerbare Schalteinrichtung
SE sorgt im eingeschalteten Zustand des Transistors T1, da der Phasenwinkel zwischen
Strom und Spannung größer wird, für einen zusätzlichen AC-Leistungsverbrauch im
Gleichrichter GL und dadurch für eine veränderte Impedanz. Bei der Veränderung der
Impedanz verändert sich der Realteil und der Imaginärteil der Impedanz. Man kann
hier auch von einer zusätzlichen Dämpfung sprechen oder alternativ auch von einem
Zuschalten einer Kapazität mit einem sehr kleinen – und damit schlechten,
da sehr hohem, verlustbehafteten Serienwiderstand – Q-Wert. Es wird hier im
Wesentlichen der Imaginärteil der Transponder-Impedanz verändert.
In 7 enthält die steuerbare Schalteinrichtung
SE einen Varaktor C3. Ein Varaktor C3 ist ein spannungsgesteuerter Kondensator,
der also Steueranschlüsse aufweist, über die die Kapazität des Varaktor C3 gesteuert
und damit eingestellt werden kann. Zu diesem Zweck sind die Kondensatoranschlüsse
A, K des Varaktor C3 jeweils mit einem Ausgang einer nicht dargestellten Steuereinrichtung
verbunden, die zum Beispiel abhängig von dem Modulationssteuersignal die Kapazität
des Varaktors C3 gezielt einstellt.
In 7(a) ist der Varaktor C3 direkt zwischen dem Bezugspotenzial
GND und dem NF-Knoten Hx angeordnet. In 7(b) ist ein erster Kondensator
C4 zwischen dem Ausgangsanschluss A des Varaktors C3 und dem HF-Knoten Hx angeordnet.
In 7(c) ist zusätzlich ein weiterer Kondensator C5 zwischen dem
bezugspotenzialseitigen Anschluss K des Varaktors C3 und dem Bezugspotenzial GND
angeordnet. Eine derart ausgebildete steuerbare Schalteinrichtung SE verändert ebenfalls
im Wesentlichen den Imaginärteil der Transponder-Impedanz.
Obgleich die vorliegende Erfindung vorstehend anhand eines bevorzugten
Ausführungsbeispiels beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern
auf vielfältige Art und Weise modifizierbar.
So sei insbesondere die Gleichrichterschaltung, wie oben bereits erwähnt,
nicht auf den schaltungstechnischen Aufbau der 3 und
4 beschränkt, sondern kann beliebig anders,
beispielsweise einstufig oder mehrstufig ausgebildet sein.
Auch die Ausgestaltung der steuerbare Schalteinrichtung SE sei lediglich
beispielhaft zu verstehen. Selbstverständlich ließen sich hier beliebig andere und
erweiterte Ausgestaltungen und Weiterbildungen finden, beispielsweise durch Bereistellen
zusätzlicher Widerstände und/oder Kondensatoren, die ausgangsseitig und/oder bezugspotenzialseitig
der gesteuerten Strecke des Schalters oder Varaktors parallel und/oder in Serie
zugeschaltet sind. Denkbar wäre insbesondere auch eine Kombination der beschriebenen
Anordnungen.
Die Erfindung sei insbesondere auch nicht ausschließlich auf RFID-Systeme
beschränkt, sondern lässt sich selbstverständlich auch erweitern, beispielsweise
auf die Einzelteilerkennung (engl.: item identification). Häufig müssen einzelne
Teile nicht eindeutig erkannt werden. Hier reicht es meist aus, dass ein Vorhandensein
beispielsweise eines fehlerhaften Teils ausgeschlossen werden kann. Dies wird meist
auch als nicht eindeutige Identifikation bezeichnet. Beim Betrieb des Transponders
in diesem Zusammenhang weist dieser die Funktion eines fernsteuerbaren Sensors (engl.:
remote sensor) auf. Die Erfindung betrifft also auch ausdrücklich solche Sensoren,
bei denen eine Kommunikation zum Auslesen und Beschreiben von Daten eines Datenträgers
bzw. Sensors vorgenommen wird. Als Beispiel für eine solche so genannte ferngesteuerte
Sensoranwendung sei auf einen Temperatursensor, einen Drucksensor oder dergleichen
verwiesen.
1- Sende- und Empfangseinrichtung
2- Eingang
3- Ausgang
4- erster Eingangsanschluss
5- zweiter Eingangsanschluss
6- Ausgangsanschluss
7- Steueranschluss
8- Ausgang des Gleichrichters
10- Eingang
11- Ausgang
A- Anschluss des Varaktors, Anode
A1- Eingangsanschluss
A2- Ausgangsanschluss
C1, C2- Kondensatoren
C21, C22- Kondensatoren der ersten Gleichrichterstufe
C23, C24- Kondensatoren der zweiten Gleichrichterstufe
C25, C26- Kondensatoren der dritten Gleichrichterstufe
C3- Varaktor
C4, C5- Kondensatoren
CL- kapazitive Last
D- Ausgangsanschluss des Transistors
D21, D22- Dioden der ersten Gleichrichterstufe
D23, D24- Dioden der zweiten Gleichrichterstufe
D25, D26- Dioden der dritten Gleichrichterstufe
D7–D10- Dioden
G- Steueranschluss des Transistors
G1- Bewertungseinheit
GL- Gleichrichter, Spannungsvervielfacherschaltung
GND- Bezugspotenzial, Potenzial der Bezugsmasse
H1–H3, Hx- hochfrequenter erster Knoten, AC-Knoten
K- Anschluss des Varaktors, Katode
KO- Komparator
M- Modulator
MCS- Modulationssteuersignal
N- Abgriff
N1–N3, Nx- niederfrequenter zweiter Knoten, DC-Knoten
R1–R3- Widerstände
RL- ohmsche Last
S- bezugspotenzialseitiger Anschluss des Transistors
S1–S3- Gleichrichterstufen
SE- steuerbare Schalteinrichtung
SP- Spannungssensor
SS- Steuerschaltung
T- MOS-Transistor
T1- Transistor
UA- Ausgangsspannung
UE- Eingangsspannung
V1- Steuerpotenzial
VIN- Eingangspotenzial
VOUT- Ausgangssignal
VRef- Referenzpotenzial