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PRÜFSYSTEME MIT ZWEIDIMENSIONALER BILDGEBUNG MIT LICHTSTRICHEN - Dokument DE60018916T2
 
PatentDe  


Dokumentenidentifikation DE60018916T2 16.03.2006
EP-Veröffentlichungsnummer 0001177428
Titel PRÜFSYSTEME MIT ZWEIDIMENSIONALER BILDGEBUNG MIT LICHTSTRICHEN
Anmelder Applied Materials, Inc., Santa Clara, Calif., US
Erfinder REINHRON, Silviu, Mevaseret-Zion 90805, IL;
ALMOGY, Gilad, Givatayim 53257, IL
Vertreter v. Füner Ebbinghaus Finck Hano, 81541 München
DE-Aktenzeichen 60018916
Vertragsstaaten DE, FR, GB, IT, NL
Sprache des Dokument EN
EP-Anmeldetag 11.05.2000
EP-Aktenzeichen 009375395
WO-Anmeldetag 11.05.2000
PCT-Aktenzeichen PCT/US00/13042
WO-Veröffentlichungsnummer 0000068673
WO-Veröffentlichungsdatum 16.11.2000
EP-Offenlegungsdatum 06.02.2002
EP date of grant 23.03.2005
Veröffentlichungstag im Patentblatt 16.03.2006
IPC-Hauptklasse G01N 21/88(2006.01)A, F, I, 20051017, B, H, EP
IPC-Nebenklasse H01L 21/66(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, EP   

Beschreibung[de]

Die Erfindung bezieht sich auf Systeme zur Überprüfung von Substraten, insbesondere von Halbleiterwafern und Objektplatten. Insbesondere betrifft die Erfindung ein neuartiges System, welches Pixellinien auf dem Substrat ausleuchtet und von den Linien reflektiertes und/oder gestreutes Licht abbildet.

Zur Überprüfung von Wafern und Objektplatten sind im Stand der Technik mehrere Systeme bekannt. Zwei Beispiele für solche Systeme sind in 1 und 2 gezeigt. Bei dem Beispiel des Systems von 1 wird der Wafer 100 mit einem Lichtstrahl ausgeleuchtet, der von einer Lichtquelle 110 ausgeht und den Wafer unter einem Winkel von 90° erreicht (worauf insgesamt als normale Ausleuchtung Bezug genommen wird). Vorzugsweise liefert die Lichtquelle kohärentes Licht, d. h. die Lichtquelle kann eine Laserquelle sein. Der Lichtstrahl überstreicht den Laser mittels einer Überstreicheinrichtung 120, gewöhnlich einer Akusto-Optischen-Überstreicheinrichtung (AOD) oder ein rotierender Spiegel, in die Richtung, die durch den Pfeil mit Doppelkopf markiert ist. Der Wafer 100 wird in die senkrechte Richtung bewegt, indem der Träger bewegt wird, auf dem der Wafer liegt. Somit kann eine zweidimensionale Fläche des Wafers von dem Lichtstrahl überstrichen werden.

Da der Wafer prinzipiell eine spiegelartige obere Fläche hat, reflektiert der Lichtstrahl nach dem Snell'schen-Gesetz mit 180° spiegelnd zurück. Dieses spiegelnd reflektierte Licht wird von einem Lichtsensor 140 gesammelt und sein Signal wird dazu verwendet, ein "Hellfeld"-Bild zu erhalten, d. h. ein Bild, das von spiegelnd reflektiertem Licht erzeugt wird. Immer dann, wenn der Lichtstrahl eine Unregelmäßigkeit auf dem Wafer trifft, beispielsweise ein Teilchen oder ein geätztes Muster, streut jedoch das Licht in verschiedene Richtungen. Etwas von dem gebeugten/gestreuten Licht wird dann von den Lichtsensoren 130 gesammelt und ihr Signal dazu verwendet, ein "Dunkelfeld"-Bild zu erhalten, d. h. ein Bild, das von gebeugtem/gestreutem Licht erzeugt wird. Wenn somit der Wafer kein Muster auf sich trägt (beispielsweise ein blanker Wafer ist), erscheinen die Unregelmäßigkeiten in dem Dunkelfeld-Bild als Sterne in einem dunklen Himmel. Wenn der Wafer ein Muster auf sich trägt, verursachen die Unregelmäßigkeiten ein Streulicht, das von der normalen durch das Muster verursachten Beugung abweicht.

Bei dem als Beispiel in 2 gezeigten System wird der Wafer 200 von einem Lichtstrahl beleuchtet, der von einer Lichtquelle 210 ausgeht, den Wafer jedoch unter einem flachen Winkel erreicht, worauf insgesamt als streifende Ausleuchtung Bezug genommen wird. Der Lichtstrahl überstreicht den Wafer mittels seiner Überstreicheinrichtung 220, gewöhnlich eine Akusto-Optische-Überstreicheinrichtung oder ein drehender Spiegel, in die Richtung, die durch den Pfeil mit dem Doppelkopf markiert ist. Der Wafer 200 wird in der senkrechten Richtung bewegt, indem der Träger bewegt wird, auf dem der Wafer liegt. Somit kann eine zweidimensionale Fläche des Wafers von dem Lichtstrahl überstrichen werden.

Da das Licht den Wafer mit einem streifenden Winkel &thgr; erreicht, erfolgt die Spiegelreflexion mit einem entsprechenden Winkel &thgr; nach dem Snell'schen Gesetz. Dieses Licht kann von einem Sensor 240 gesammelt werden und sein Signal wird dazu verwendet, das Hellfeld-Bild zu erzeugen. Alles gebeugte/gestreute Licht wird von Sensoren 230 gesammelt, deren Signal dazu verwendet wird, Dunkelfeld-Bilder zu erzeugen. Alles gebeugte/gestreute Licht wird von Sensoren 230 gesammelt, deren Signal dazu verwendet wird, Dunkelfeld-Bilder zu erzeugen.

Bei den vorstehenden beispielsweisen Systemen werden die Bilddaten bezogen auf jeden Sensor seriell erfasst. D. h., dass jedes zweidimensionale Bild, ob Hell- oder Dunkelfeld, dadurch aufgebaut wird, dass Signale Pixel für Pixel pro überstreichendem Lichtstrahl erfasst werden. Dies ist ein zeitraubender serieller Vorgang, der die Leistung solcher Systeme direkt beeinflusst. Darüber hinaus ist die Überstreichgeschwindigkeit solcher Systeme durch die Geschwindigkeit der Überstreicheinrichtung (d. h. durch die Bandbreite für eine Akusto-Optische-Überstreicheinrichtung) und durch die Elektronik beschränkt, die die Detektoren trägt, beispielsweise den SEV (Sekundär-Elektronen-Vervielfacher). Es besteht somit ein Bedürfnis, ein System zu entwickeln, das keinen überstrichenen Lichtstrahl verwendet.

Da die Auslegungskriterien schrumpfen, wird vorwärts blickend die Bedeutung der Erfassung von zunehmend kleinen Unregelmäßigkeiten äußerst wichtig. Bei Auslegungskriterien, wie 0,18 und 0,15 &mgr;m können sehr kleine Unregelmäßigkeiten, wie Teilchen mit Submikrongröße, tödliche Defekte sein und die Fehlfunktion der Vorrichtung herbeiführen. Um solche kleinen Unregelmäßigkeiten zu erfassen, muss man jedoch eine Lichtquelle mit sehr kleiner Wellenlänge verwenden, beispielsweise eine Ultraviolett-(UV)- oder eine Tiefultraviolette-(TUV)-Lichtquelle. Dies wird zu wenigstens zwei entscheidenden Problemen: erstens sind es optische Bauelemente, die in TUV-Bereichen arbeiten, und zweitens bedeutet eine kleine kurze Welle eine kleine Leckgröße des Lichtstrahls, deshalb müssen die Überstreichgeschwindigkeit und die Datensammlungsgeschwindigkeit erhöht werden.

Z. Zt. haben im Handel erhältliche AODs, die ein Überstreichen für einen TUV-Strahl unterstützen können, eine äußerst begrenzte Leistung. Auch wenn ein solcher AOD entwickelt werden kann, ist es außerdem z. Zt. unklar, ob er die Energiepegel aushalten kann, die zum Erzielen eines Hochauflösungsbildes unter Verwendung eines TUV-Lichtstrahls erforderlich sind. Somit kann eine Reduzierung des Leistungspegels auch die Verwendung einer langsameren Überstreich-AOD bestimmen. Deshalb können zukünftige Systeme auch Ausrüstungen erfordern, die nicht auf Strahlüberstreichen beruhen.

Ein linearer Fleck ist in 1 der WO-A/99-06823 gezeigt. Eine Anordnung mit zwei Ausleuchtungssystemen ist in 7 der US-A-5,274,434 gezeigt.

Die Erfindung wird durch das System von Anspruch 9 und durch das Verfahren von Anspruch 1 angegeben.

Die vorliegende Erfindung wird dadurch vorteilhaft, dass sie eine viel schnellere Datenerfassungsgeschwindigkeit ermöglicht. Ferner kann sie mit kurzen Wellenlängen arbeiten, beispielsweise mit UV- oder tiefer UV-Ausleuchtung. Insbesondere benötigt das erfindungsgemäße System keinen Überstreichmechanismus. Andere Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der weiteren Beschreibung.

In den Zeichnungen:

1 ist eine schematische Darstellung eines zum Stand der Technik gehörenden Waferüberprüfsystems, das eine normale Ausleuchtung verwendet.

2 ist eine schematische Darstellung eines weiteren zum Stand der Technik gehörenden Waferüberprüfsystems, das eine Ausleuchtung mit streifendem Winkel benutzt.

3 ist eine schematische Darstellung eines Systems mit linearem Fleck.

4 ist eine Draufsicht auf die Elemente des in 3 gezeigten Systems, die für das Verständnis der Dunkelfeld-Abbildung relevant sind.

5 ist eine Seitenansicht der Elemente des in 3 gezeigten Systems, die für das Verständnis der Hellfeld-Abbildung relevant sind.

6 ist eine schematische Darstellung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, die vier Dunkelfeld-Detektoren verwendet.

7 ist eine schematische Darstellung der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, die Dunkel- und Hellfeld-Detektoren verwendet.

8 zeigt als Beispiel ein optisches System zum Umwandeln des Lichtstrahls in einen linearen Strahl.

9 zeigt eine Art einer zweidimensionalen Abbildung eines Wafers.

10 und 11 zeigen zwei Anordnungen einer Scheimpflug-Abbildung.

Ehe mit der Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen fortgefahren wird, ist zu vermerken, dass alle Ausführungsformen für die Überprüfung von kein Muster aufweisenden Wafern geeignet sind. Mehrere beträchtliche Vorteile der Erfindung sind jedoch insbesondere zweckmäßig für die kompliziertere Aufgabe der Überprüfung von Muster aufweisenden Wafern. Deshalb bezieht sich ein Großteil der hier angegebenen Erörterung auf mit Muster versehene Wafer.

3 zeigt eine vereinfachte Version eines Systems mit linearem Fleck. Der Wafer 300 wird durch einen linearen Fleck 305 ausgeleuchtet, der in Normalrichtung bezüglich des Wafers auftrifft und von einem Lichtstrahl 300 und einer geeigneten Optik 320 erzeugt wird. Bei der bevorzugten Ausgestaltung wird der lineare Fleck stationär gehalten, während der Wafer durch Bewegen des Trägers in der y-Richtung überstrichen wird. Somit wird ein zweidimensionaler Streifen über dem Wafer überstrichen, ohne dass es erforderlich ist, dass der Fleck in der x-Richtung überstreicht. Die Abmessungen des überstrichenen Streifens werden von der effektiven Größe des linearen Flecks bestimmt.

Dann wird gespiegelt reflektiertes Licht von dem linearen Fleck auf einer Sensoranordnung 340 und gebeugtes Licht auf Sensoranordnungen 330 abgebildet. Somit können mit hoher Geschwindigkeit Hell- und Dunkelfeld-Bilder erhalten werden, da die Bilder zur gleichen Zeit als eine Linie anstatt als Pixel zur gleichen Zeit genommen werden. D. h., dass jede Aufnahme einer Sensoranordnung Pixeldaten für eine gesamte Linie, nämlich die Breite des überstrichenen Streifens bereitstellt. Da Sensoranordnungen mit 1024, 2048 und 4096 Pixel allgemein im Laden erhältlich sind, kann die Geschwindigkeit der Bilderfassung durch Verwendung der Erfindung dramatisch gesteigert werden. Verwendet man beispielsweise eine Sensoranordnung, die 2048 Pixel bei 16 Kanälen hat, kann man eine Erfassungsgeschwindigkeit von 400 Mb/s erreichen.

Bekanntlich besteht eine Schwierigkeit bei der Überprüfung von mit Mustern versehenen Wafern darin, dass auf dem Wafer aufgebaute Elemente, wie Metallleiter, auch Licht beugen. Dies führt zu wenigstens zwei Problemen. Soweit es ein Hellfeld-Bild betrifft, verdicken starke Reflexionen von einem Metallleiter den Lichtsensor, so dass Unregelmäßigkeiten, die nahe an dem Leiter liegen, unentdeckt bleiben können. Was das Dunkelfeld angeht, so kann die Beugung von den Metallleitern von dem System fälschlich für Unregelmäßigkeiten gehalten werden. Um diese Probleme zu vermeiden, wird bei der bevorzugten, in 3 gezeigten Ausführung der lineare Fleck mit einem 45°-Winkel auf die Strassen und Alleen (in gestrichelten Linien gezeigt) des mit Muster versehenen Wafers projiziert. Demzufolge werden bezogen auf das Hellfeld-Bild Momentanreflexionen von den Metallleitern minimiert und bezogen auf die Dunkelfeld-Bilder wird eine Beugung von den Metallleitern in der Richtung der Sensoren vermieden.

Das obige Merkmal ist als Beispiel in 4 im Einzelnen gezeigt, die eine Draufsicht auf das Erfindungssystem nach 3 ist. Insbesondere ist der lineare Fleck 305 mit einem 45°-Winkel zur x-y-Achse (d. h. den Straßen- und Alleerichtungen des Wafers) gezeigt. Auf jeder Seite des linearen Flecks werden Objektive 315 verwendet, um den Fleck auf die Liniensensoren 330 abzubilden. Solange keine Unregelmäßigkeit vorhanden ist, d. h. kein Licht gebeugt wird, ist natürlich das von den Objektiven 315 projizierte Bild größtenteils dunkel. Wenn jedoch eine Unregelmäßigkeit vorhanden ist, wird das diese treffende Licht gestreut und auf den Sensoranordnungen 330 abgebildet. Abhängig von der Größe der Unregelmäßigkeit kann das helle Bild nur an einem einzigen oder an mehreren Elementen der Sensoranordnung erscheinen. Die erfasste Pixelgröße wird mit zwei Hauptfaktoren bestimmt: Ausleuchtungslinienbreite und die Sammeloptikauflösung. Die Ausleuchtungslinienbreite wird durch die numerische Apertur der Zylinderlinse bestimmt. Die erfasste Pixelgröße in der Längsrichtung wird jedoch durch die numerische Apertur der Sammeloptik und der Linien-CCD-Kamerapixelgröße bestimmt.

Die Aufnahme des Hellfeld-Bildes ist beispielsweise in 5 gezeigt, wo die Elemente, die zur Dunkelfeld-Abbildung gehören, zur Klarheit weggelassen sind. Insbesondere geht das Ausleuchtungslicht durch einen Strahlenteiler 565 und ein Objektiv 545 hindurch. Wenn das Licht reflektiert wird, geht es wieder durch das Objektiv 545 hindurch, wird jedoch dieses Mal von dem Spiegel 565 in die Linse 575 reflektiert. Die Linse 575 bildet den linearen Fleck auf der Sensoranordnung 540 ab.

Obwohl das insoweit beschriebene System eine weit erhöhte Leistung hat, weist es in seiner bevorzugten Ausgestaltung zwei lineare Flecke auf, die auf vier Dunkelfeld-Sensoranordnungen abgebildet werden. Dies ist als Beispiel in 6 verwirklicht, die zeigt, wie das System nach dem Stand der Technik von 2 modifiziert werden kann, um das System der Erfindung aufzugreifen. Natürlich können jedoch alle hier beschriebenen Ausführungsformen in gleicher Weise bei jedem System nach dem Stand der Technik eingesetzt werden, einschließlich bei den in 1 und 2 gezeigten.

In 6 wird der von der Lichtquelle 610 erzeugte Strahl durch den Strahlenteiler 615 geteilt. Ein Teil des Lichts darf sich fortsetzen und einen ersten linearen Fleck ausleuchten, während das restliche Licht von einem Spiegel 625 reflektiert wird, um einen zweiten linearen Fleck auszuleuchten. Die linearen Flecke sind mit 45° bezügliche der x-y-Achse des Wafers, jedoch mit 90° zueinander ausgerichtet. Zwei Paare von Sensoranordnungen bilden eine lineare Anordnung ab, während ein weiteres Paar die andere abbildet. Diese Ausgestaltung zeigt eine Abbildung eines jeden Pixels aus vier unterschiedlichen Dunkelfeld-Perspektiven.

Um jedoch die verschiedenen Perspektiven zu korrelieren, müssen die verschiedenen Abbildungsstellen der vier Sensoren 630 gezählt werden. D. h., dass es beim Überprüfungssystem bekannt ist, einen Vergleich Einzelbild-für-Einzelbild oder Zelle-für-Zelle eines jeden Pixels durchzuführen, um Fehler zu erfassen. Somit werden für jede spezielle Pixelstelle, die auf dem Wafer gebildet wird, die verschiedenen Perspektivebilder mit ähnlichen Bildern einer entsprechenden Stelle in den benachbarten, vorhergehenden oder fortsetzenden Stücken oder Zellen verglichen. Für jeden Vergleichsvorgang müssen somit die Bilder der spezifischen Pixelstelle korreliert werden. Dieser Vorgang ist schematisch in 6 dargestellt, in dem jeder Sensor 630 verbunden mit einem Verzögerungsleiter 635 gezeigt ist. Natürlich kann die Verzögerung unter Verwendung eines Algorithmus anstatt einer tatsächlichen elektronischen Verzögerung ausgeführt werden. Da die gesammelten Daten in einem Speicher gespeichert werden, heißt dies für jede Pixelstelle, dass der Algorithmus die geeigneten Daten aus den geeigneten Stellen in dem Speicher holen kann.

Natürlich müssen zwei lineare Flecke im Raum nicht getrennt werden und können stattdessen gekreuzt sein. Eine solche Anordnung ist jedoch nicht besonders erwünscht, da sie ein höheres durch Streulicht verursachtes Rauschen hat. D. h., dass, während ein Lichtfeld richtig auf der Sensoranordnung abgebildet wird, zusätzliches Licht von dem anderen Lichtfeld auch in das Abbildungssystem eintritt und das Verhältnis von Signal zu Rauschen verringern kann. Deshalb wird die Ausführung, wie sie gezeigt ist, bevorzugt. Zusätzlich kann eine Hellfeld-Sensoranordnung zugefügt werden, obwohl sie zur Klarheit in 6 weggelassen ist. Natürlich ist das System nach der Erfindung leicht an Überprüfungssysteme anpassbar, die kohärentes UV- oder TUV-Licht verwenden, da es keine Begrenzung auf die Überstreichfähigkeit und -geschwindigkeit gibt.

Für die bevorzugte Ausführungsform ist es möglich, handelsübliche CCD-Elemente zu verwenden. Solche CCD-Elemente sind gegenwärtig fähig zu Erfassungsgeschwindigkeiten von 400 Mb/s, vorgesehen in 16 parallelen Kanälen, d. h. 25 Mb/s/Kanal. Obwohl solche Datengeschwindigkeiten das Mehrfache der gegenwärtigen Datenerfassungsgeschwindigkeiten betragen, können die Linien-CCD-Elemente kundengerecht ausgelegt werden, um Datengeschwindigkeiten in der Größenordnung von 1 Gb/s zu erreichen und sogar die Erfassungsgeschwindigkeit weiter zu steigern. Da die Daten von dem Linien-CCD-Element in 16 parallelen Kanälen bereitgestellt werden, wird darüber hinaus die Belastung an der Sammelelektronik verringert, da jeder Leiter mit seiner eigenen Elektronik versehen werden kann, so dass jedes Elektronikpaket ein Sechzehntel der Gesamtdatenrate handzuhaben hätte. Natürlich können die kundengerechten CCD-Elemente mit einer größeren Anzahl von Kanälen ausgelegt werden, die für das spezielle Bewegungssystem geeignet sind.

Die bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist in 7 gezeigt. Insbesondere zeigt 7 eine Weise der Modifizierung des Systems von 1, um die Merkmale der vorliegenden Erfindung einzuschließen. Das System von 7 hat eine normale Ausleuchtung von einer Lichtquelle 710. Das Licht aus der Lichtquelle 710 wird durch eine Optik 720 in einen linearen Strahl gebracht. Die Optik 720 kann insgesamt Elemente, wie einen Strahl-aufweiter, eine Zylinderlinse, und eine Zylinderlinse in Kombination mit einer Spaltöffnung aufweisen. Eine beispielsweise Optik 720 ist in 8 gezeigt. Insbesondere wird Licht aus einer kohärenten Ausleuchtquelle in einen expandierten Strahl 800 durch einen Strahlaufweiter 815 gebracht. Der aufgeweitete Strahl 800 wird durch eine Spaltöffnung 810 und dann durch eine Zylinderlinse 820 geführt. Dadurch wird ein räumlich linearer Strahl erhalten. Der Strahl wird dann in zwei Strahlen aufgeteilt, jeweils einen für die Ausleuchtung eines linearen Flecks. Natürlich kann der Strahl zuerst geteilt und dann durch zwei optische Systeme geführt werden, um jeden Strahl zu einem linearen Strahl zu formen.

Wie in 7 gezeigt ist, werden vier Dunkelfeld-Lichtsensoranordnungen verwendet, um vier Dunkelfeld-Perspektiven zu erhalten. Wie in 6 sind die Sensoranordnungen mit Verzögerungsleitern 735 gekoppelt, die in einer Software, Hardware oder einer Kombination davon ausgeführt sind. Zusätzlich sind in 7 zwei Hellfeld-Sensoranordnungen gezeigt, um zwei Hellfeld-Bilder zu erhalten. Es ist jedoch vorstellbar, dass eine einzige Hellfeld-Sensoranordnung ausreichend ist.

In 7 wird ein zweidimensionales Bild dadurch erfasst, dass der Wafer in der x-Richtung bewegt wird. Insbesondere wenn ein mit Muster versehener Wafer unter Verwendung eines Einzelbild-für-Einzelbild-Verfahrens geprüft wird, bevorzugt man, zweidimensionale "Streifenbilder" zu erhalten. Dies ist in 9 verwirklicht. Ein mit Muster versehener Wafer 900 hat eine Vielzahl von Einzelbildern 910. Jedes Einzelbild wird dadurch abgebildet, dass zweidimensionale Streifen 920 abgebildet werden. Diese Streifen werden durch eine Zweilinienfleckausleuchtung und Bewegungen des Wafers in einer Richtung abgebildet. Dadurch entspricht die Breite des Streifens der Sensorreihengröße, d. h. die Anzahl der breitenmäßig abgebildeten Anzahl von Pixeln entspricht der Anzahl von Sensoren in der Sensoranordnung. Die Länge des Streifens kann entsprechend der Verwendung eingestellt werden. In einem Einzelbild-für-Einzelbild-Vergleich kann die Länge des Streifens so eingestellt werden, dass sie beispielsweise drei Einzelbilder abdeckt.

Eine weitere mögliche Ausgestaltung zur Abbildung von gestreutem Licht aus einer ausgeleuchteten Linie auf einem Linien-CCD-Element ist schematisch in 10 und 11 gezeigt. Bei dieser Ausgestaltung wird die Ausleuchtungslinie 10 parallel zu einer der Einzelbildseiten ausgerichtet. Das gestreute Licht wird noch mit einem Winkel von 45° bezogen auf die Straßen und Alleen des Einzelbildes aufgrund des vorher erörterten Verhältnisses von Signal zu Rauschen gesammelt. Dies könnte durch Verwenden einer Scheimpflug-Abbildungs-ausgestaltung erreicht werden (Bezug: Rudolf Kingslake, "Optical System Design", Seite 58, 270), d. h. die Sammelabbildungslinse 11 sollte in einer Position im Raum so angeordnet werden, dass eine Mittelebene 12 senkrecht zu dem in die gewünschte Richtung (45 Grad) gestreuten Licht ist. Das Linien-CCD-Element 13 ist so ausgerichtet, dass die Fortsetzung des Linien-CCD-Elements und die Ausleuchtungslinie einander auf der Mittelebene kreuzen. Bei einer solchen Ausgestaltung können vier Linien-CCD-Elemente gleichzeitig das gestreute Licht sammeln und es besteht keine Notwendigkeit für zwei Ausleuchtungslinien.


Anspruch[de]
  1. Verfahren zum Ausleuchten einer zweidimensionalen Fläche auf einem Substrat (600), bei welchem

    – ein Hauptlinienstrahl zur Ausleuchtung eines Linienflecks auf dem Substrat gebildet wird und

    – reflektiertes Licht bei einem ersten Winkel bezogen auf eine Senkrechte zum Substrat gesammelt wird,

    dadurch gekennzeichnet, dass bei dem Verfahren weiterhin

    – der Hauptlinienstrahl in einen ersten und in einen zweiten Linienstrahl aufgeteilt wird und

    – das Substrat mit einem ersten und einem zweiten Linienfleck ausgeleuchtet wird,

    – wobei der zweite Linienfleck mit 90° bezogen auf den ersten Linienfleck ausgerichtet ist.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Überstreichens das Bewegen des Substrats in eine vorgegebene Richtung, während es ausgeleuchtet wird, aufweist.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Überstreichens das Bewegen des Linienflecks über das Substrat in der y-Richtung aufweist.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet dass der Linienfleck mit 45° bezogen auf eine Senkrechte zum Substrat ausgerichtet ist.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, welches weiterhin das Abbilden von von dem Linienfleck reflektiertem Licht auf wenigstens einer Sensorreihe aufweist.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, welches weiterhin das Abbilden von von dem Linienfleck gestreutem Licht auf wenigstens einer Sensorreihe aufweist.
  7. Verfahren nach Anspruch 1, welches weiterhin das Abbilden von Licht auf wenigstens einer Sensorreihe aufweist, das von wenigstens einem der Linienflecke, des ersten Linienflecks und des zweiten Linienflecks, reflektiert wird.
  8. Verfahren nach Anspruch 1, welches weiterhin das Abbilden von Licht, das von dem ersten Linienfleck auf wenigstens eine Sensorreihe gestreut wird, und das Abbilden von Licht, das von dem zweiten Linienfleck auf wenigstens eine weitere Sensorreihe gebeugt wird, aufweist.
  9. System für ein zweidimensionales Überstreichen eines Substrats

    – mit einer Lichtquelle (710), die einen Lichtstrahl liefert,

    – mit einem Umwandlungssystem (720), welches den Lichtstrahl in einen Hauptlinienstrahl umwandelt,

    – mit einem optischen System (730), welches den Linienstrahl auf das Substrat zur Ausleuchtung des Substrats mit einem Linienfleck projiziert oder mit einem Überstreichsystem zum Bewegen des Linienflecks über das Substrat, und

    – mit einer Sensoranordnung (730), in die von dem Strich gestreutes Licht abgebildet wird, dadurch gekennzeichnet,

    – dass ein Strahlenteiler zum Teilen des Hauptlinienstrahls in einen ersten und einen zweiten Linienstrahl vorgesehen ist,

    – dass ein erstes optisches System den ersten Linienstrahl auf das Substrat projiziert, um das Substrat mit einem ersten Linienfleck auszuleuchten,

    – dass ein zweites optisches System den zweiten Linienstrahl auf das Substrat projiziert, um das Substrat mit einem zweiten Linienfleck auszuleuchten,

    – dass das Überstreichsystem eine Relativverschiebung zwischen dem ersten und zweiten Linienstrahl und dem Substrat herbeiführt,

    – dass dem ersten Linienfleck eine erste Sensorreihe (730) zugeordnet ist und

    – dass dem zweiten Linienfleck eine zweite Sensorreiche (730) zugeordnet ist.
  10. System nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Umwandlungssystem eine Zylinderlinse aufweist.
  11. System nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Umwandlungssystem eine Spaltöffnung aufweist.
  12. System nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Linienfleck mit 90° zu dem ersten Linienfleck ausgerichtet ist.
  13. System nach Anspruch 9, bei welchem die erste und die zweite Sensorreihe Linien-CCDs aufweisen.
  14. System nach Anspruch 9 für eine zweidimensionale Abbildung eines Substrats mit zwei darauf definierten senkrechten Achsen, dadurch gekennzeichnet, dass das erste optische System den ersten Linienstrahl auf das Substrat projiziert, um das Substrat mit einem ersten Linienfleck auszuleuchten, der mit 45° zu der Achse positioniert ist, und dass das zweite optische System den zweiten Linienstrahl auf das Substrat projiziert, um das Substrat mit einem zweiten Linienfleck auszuleuchten, der unter 90° zum ersten Linienfleck positioniert ist.
Es folgen 5 Blatt Zeichnungen






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