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Dokumentenidentifikation DE60017968T2 13.04.2006
EP-Veröffentlichungsnummer 0001046613
Titel Verfahren zur Herstellung von Kohlenstoff-Nanoröhren
Anmelder Jin, Jang, Seoul/Soul, KR;
cDream Corp., San Jose, Calif., US
Erfinder Jang, Jin, Seoul, KR;
Chung, Suk-Jae, Dongdaemoon-Gu, Seoul, KR
Vertreter Patent- und Rechtsanwälte Kraus & Weisert, 80539 München
DE-Aktenzeichen 60017968
Vertragsstaaten AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LI, LU, MC, NL, PT, SE
Sprache des Dokument EN
EP-Anmeldetag 25.04.2000
EP-Aktenzeichen 003034691
EP-Offenlegungsdatum 25.10.2000
EP date of grant 09.02.2005
Veröffentlichungstag im Patentblatt 13.04.2006
IPC-Hauptklasse C01B 31/00(2006.01)A, F, I, 20051017, B, H, EP
IPC-Nebenklasse C01B 31/02(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, EP   

Beschreibung[de]

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Kohlenstoff-Nanoröhren und insbesondere die Züchtung und Reinigung von Kohlenstoff-Nanoröhren unter Verwendung von Plasma.

Kohlenstoff, das wichtigste konstituierende Element sämtlicher Organismen einschließlich des menschlichen Körpers, das sich mit Sauerstoff, Wasserstoff, Stickstoff und dergleichen verbindet, weist vier besondere bzw. einzigartige kristalline Strukturen unter Einschluss von Diamant, Graphit, Fulleren und Kohlenstoff-Nanoröhren auf. Insbesondere beziehen sich Kohlenstoff-Nanoröhren auf eine helikale röhrenförmige Struktur, die mit einer Einzel- oder Mehrfachwand gezüchtet wird, die durch Aufrollen einer aus einer Vielzahl von Sechsecken gebildeten Ebene erhalten werden kann, wobei die Ebene durch Kombination jedes ihrer Kohlenstoffatome mit drei benachbarten Kohlenstoffatomen gebildet wird. Die Kohlenstoff-Nanoröhren haben einen Durchmesser in der Größenordnung von einigen Nanometern bis zu einigen hundert Nanometern. Kohlenstoff-Nanoröhren können entweder als Leiter wie Metalle oder als Halbleiter entsprechend der gerollten Form und dem Durchmesser der helikalen Röhren fungieren. Des Weiteren sorgt seine Hohlstruktur mit einer vorbestimmten Länge für gute mechanische, elektrische und chemische Eigenschaften, so dass Kohlenstoff-Nanoröhren bekanntermaßen als Material für Feldemissionsvorrichtungen, Wasserstoffbehälter und Elektroden wiederaufladbarer Batterien verwendet werden.

Ursprünglich waren Kohlenstoff-Nanoröhren, die durch eine Bogenentladung zwischen zwei Graphitstäben hergestellt wurden, von Sumio Iijima entdeckt und in einem Artikel mit dem Titel „Helical Microtubules of Graphitic Carbon" (Nature, Bd. 354, 7. November 1991, S. 56–58) beschrieben worden. Diese Technik wird üblicherweise verwendet, um Kohlenstoff-Nanoröhren herzustellen, jedoch beträgt die Ausbeute an reinen Kohlenstoff-Nanoröhren in Bezug auf das Endprodukt nur etwa 15%. Somit muss ein kompliziertes Reinigungsverfahren für spezielle Anwendungen durchgeführt werden.

Ein weiterer konventioneller Ansatz Kohlenstoff-Nanoröhren herzustellen, der in einem Artikel mit dem Titel „Epitaxial Carbon Nanotube Film Self-organized by Sublimation Decomposition of Silicon Carbide" (Appl. Phys. Lett. Bd. 71, S. 2620, 1977) von Michiko Kusunoki beschrieben wurde, ist die Herstellung von Kohlenstoff-Nanoröhren bei hohen Temperaturen durch Bestrahlung von Graphit oder Siliziumcarbid mit einem Laser. In diesem Fall werden die Kohlenstoff-Nanoröhren aus Graphit bei etwa 1200°C oder darüber und aus Siliziumcarbid bei etwa 1600 bis 1700°C gebildet. Jedoch erfordert auch diese Methode eine mehrstufige Reinigung und erhöht die Kosten. Außerdem weist diese Methode bei Anwendungen auf bzw. für größere Vorrichtungen Schwierigkeiten auf.

Ein Verfahren zur Herstellung von Kohlenstoff-Nanoröhren durch eine thermische Zersetzung von Gasen der Kohlenwasserstoffreihe durch chemische Dampfzersetzung (CVD) wurde von W. Z. Li et al. in einer Veröffentlichung mit dem Titel „Large-Scale Synthesis of Aligned Carbon Nanotubes" (Science, Bd. 274, 6. Dezember 1996, S. 1701–1703) beschrieben. Diese Technik ist lediglich mit einem Gas anwendbar, das instabil ist, wie Acetylen oder Benzol. Zum Beispiel kann Methangas (CH4) nicht verwendet werden, um Kohlenstoff-Nanoröhren durch diese Technik herzustellen.

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zur Herstellung von Kohlenstoff-Nanoröhren bereitzustellen, bei dem Kohlenstoff-Nanoröhren mit einer hohen Dichte unter Verwendung eines Plasmas hoher Dichte gezüchtet werden.

Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung von Kohlenstoff-Nanoröhren bereitzustellen, bei dem die Kohlenstoff-Nanoröhren durch Entfernung von Graphit- oder Kohlenstoffteilchen unter Verwendung eines Plasmas hoher Dichte gereinigt werden, so dass Kohlenstoff-Nanoröhren in einfacher Weise mit hoher Dichte gezüchtet werden können.

Um die erste erfindungsgemäße Aufgabe zu lösen wird ein Verfahren zur Herstellung von Kohlenstoff-Nanoröhren bereitgestellt, bei dem eine Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht auf einem Substrat unter Verwendung einer Plasma-CVD-Methode bei einer hohen Dichte von 1011 cm–3 oder darüber gezüchtet wird. Vorzugsweise ist das Substrat ein amorphes Silizium- oder Polysiliziumsubstrat, auf dem eine katalytische Metallschicht gebildet wird. Bei der Züchtung der Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht kann ein Gas der Kohlenwasserstoffreihe als Plasmaquellgas verwendet werden, wobei die Temperatur des Substrats im Bereich von 600 bis 900°C und der Druck im Bereich von 10 bis 1000 mTorr liegen kann.

Um die zweite erfindungsgemäße Aufgabe zu lösen wird ein Verfahren zur Herstellung von Kohlenstoff-Nanoröhren bereitgestellt, das das Züchten bzw. das Erzeugen einer Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht auf einem Substrat mit einer vorbestimmten Dicke durch Plasmaabscheidung umfasst. Anschließend wird die Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht durch Plasmaätzen gereinigt. Anschließend werden die Züchtung und die Reinigung der Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht wiederholt.

Vorzugsweise wird die Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht durch ein Plasma-CVD-Verfahren bei einer hohen Plasmadichte von 1011 cm–3 oder darüber gezüchtet. Beim Reinigen der Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht können ein halogenhaltiges Gas oder ein sauerstoffhaltiges Gas als Plasmaquellgas für das Ätzen verwendet werden.

Gemäß der vorliegenden Erfindung können Kohlenstoff-Nanoröhren hoher Dichte durch Zersetzung eines stabilen CH4-Gases mit hochdichtem Plasma gezüchtet werden. Ebenso können hochreine Kohlenstoff-Nanoröhren in einfacher Weise durch Wiederholen des Züchtens und der Reinigung von Kohlenstoff-Nanoröhren hergestellt werden.

Die vorgenannten Aufgaben und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden durch detaillierte Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen davon unter Bezugnahme auf die beigefügten Figuren deutlicher:

Die 1 ist ein Querschnitt, der ein Substrat zur Verwendung bei der Herstellung von Kohlenstoff-Nanoröhren gemäß einer bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführungsform zeigt;

Die 2 bis 6 sind Querschnitte, die die Stufen der Herstellung der Kohlenstoff-Nanoröhren gemäß der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung illustrieren;

7 ist eine SEM (Scanning Electron Microscope)-Aufnahme der Ebene der Kohlenstoff-Nanoröhren, die gemäß der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gebildet worden ist;

8 ist eine SEM-Aufnahme eines vertikalen Schnitts der Kohlenstoff-Nanoröhren, der bzw. die in der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gebildet worden ist bzw. sind;

9 ist eine TEM (Transmission Electron Microscope)-Aufnahme der gemäß der bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführungsform gebildeten Kohlenstoff-Nanoröhren;

10 ist eine vergrößerte TEM-Aufnahme der in der bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführungsform gebildeten Kohlenstoff-Nanoröhren und

11 ist eine graphische Darstellung, welche die Feldemissionseigenschaften zwischen gemäß der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hergestellten und der durch ein konventionelles Verfahren hergestellten Kohlenstoff-Nanoröhren vergleichsweise zeigt.

Die vorliegende Erfindung wird nun vollständiger unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben, worin die bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung gezeigt sind. Die Erfindung kann jedoch verschiedenartig ausgestaltet sein und sollte nicht so ausgelegt werden, als sei sie auf die hier beschriebenen Ausführungsformen beschränkt. Vielmehr werden diese Ausführungsformen zum Zwecke der sorgfältigen und vollständigen Offenbarung angeführt und vermitteln dem Fachmann das Konzept der Erfindung vollständig.

In 1 ist ein Substrat zur Verwendung bei der Herstellung der Kohlenstoff-Nanoröhren gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gezeigt. Ein dünner Siliziumfilm 12 und eine katalytische Metallschicht 13 werden aufeinander folgend auf einem vorbestimmten Substrat 11 gebildet. Das Substrat 11 ist ein starres isolierendes Substrat, das einem nachfolgenden Plasmaverfahren standhält. In der vorliegenden Ausführungsform wird ein Glassubstrat, das eine einfache Abscheidung des dünnen Siliziumfilms 12 darauf gestattet, verwendet. Der dünne Siliziumfilm 12 kann aus amorphem Silizium oder Polysilizium hergestellt werden. Die katalytische Metallschicht 13 kann aus einem Übergangsmetall wie Nickel, Kobalt und Eisen oder einer Legierung daraus hergestellt werden.

In der erfindungsgemäßen Ausführungsform wird amorphes Silizium auf dem Substrat 11 bis zu einer Dicke von einigen hundert bis einigen tausend Ångström abgeschieden und anschließend wird Nickel darauf bis zu einer Dicke von einigen Zehnereinheiten bis zu hunderten Ångström abgeschieden. Wenn der Siliziumdünnfilm 12 aus amorphem Silizium gebildet wird und eine daran anschließende Plasmaabscheidung wie in 2 illustriert bei einer Temperatur von 600°C oder darüber durchgeführt wird, diffundiert das darauf abgeschiedene Nickel in den amorphen Siliziumdünnfilm 12, was zu einem in 2 gezeigten kristallisierten Metallinduktionspolysiliziumdünnfilm 14 führt. Die Kristallisation des amorphen Siliziumdünnfilms wird durch Diffusion des Metalls in den amorphen Siliziumdünnfilm erleichtert und tritt während der Bildung der Kohlenstoff-Nanoröhren auf, ohne dass weitere Schritte erforderlich sind. Des Weiteren wirkt eine beträchtliche Menge an Nickel, die auf der Oberfläche des Polysiliziumdünnfilms vorliegt, die von der Metallinduktionskristallisation übrig bleibt, als katalytisches Metall zur Züchtung von Kohlenstoff-Nanoröhren in einem anschließenden Verfahren.

Danach wird eine Schicht von Kohlenstoff-Nanoröhren auf der katalytischen Metallschicht 13 gezüchtet. Die 2 bis 6 sind Querschnitte, die die Stufen der Bildung von Kohlenstoff-Nanoröhren gemäß der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung illustrieren.

Als erstes wird, wie in 2 gezeigt, das Substrat 11 zusammen mit der katalytischen Metallschicht 13 in eine Vorrichtung zur Plasma-CVD-Abscheidung eingebracht, um eine Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht 15 zu züchten. In der vorliegenden Ausführungsform wurde eine ICP (Inductively Coupled Plasma)-Vorrichtung verwendet, die durch Einwirkung von Radiofrequenz-(RF)-Leistung ein Plasma hoher Dichte erzeugt. Das Quellgas des Abscheidungsplasmas 18 für die Züchtung der Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht 15 kann ein Gas aus der Kohlenwasserstoffreihe sein, das Kohlenstoffatome enthält wie Acetylen oder Benzol. In der vorliegenden Ausführungsform wurde Methan (CH4) verwendet und mit einer Geschwindigkeit von 10 sccm strömen gelassen. Dazu wurde Helium (He) mit 10 sccm eingespeist. Für die Züchtung der Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht 15 wurde die RF-Leistung bei 1 kW aufrechterhalten, die Temperatur des Substrats 11 bei 600 bis 900°C und der Innendruck des Apparates wurde bei 10 bis 1000 mTorr gehalten. Um die Reaktionen für das Wachstum der Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht 15 zu erleichtern, wurde ein Stickstoff-(N2)-Gas oder Wasserstoff-(H2)-Gas zugesetzt.

Gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird das Abscheidungsplasma bei einer hohen Dichte von 1011 cm–3 oder darüber gehalten und die Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht 15 wird bis zu einer gewünschten Dicke im Bereich von 3 bis 300 nm gezüchtet. Die Dicke der Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht 15 nimmt mit zunehmender Abscheidungszeit zu und die Abscheidungszeit kann innerhalb eines Bereichs von einigen Sekunden bis einigen hundert Sekunden variieren. Bei einer Plasmaabscheidung werden auch eine Graphitphase oder amorphe Kohlenstoffteilchen auch am Ende oder den Seitenwänden der Kohlenstoff-Nanoröhren während des Wachstums der Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht 15 gebildet, so dass die Dichte von reinen Kohlenstoff-Nanoröhren, die gezüchtet werden, sehr niedrig ist.

Wie bereits beschrieben, werden der amorphe Siliziumdünnfilm 12 und die katalytische Metallschicht 13 auf dem Substrat 11 gebildet und das katalytische Metall diffundiert in die amorphe Siliziumschicht 12 während des Wachstums der Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht, was zu einer kristallisierten Metallinduktionspolysiliziumschicht 14 führt, auf der eine vorbestimmte Menge des katalytischen Metalls verbleibt.

In 3 wird dargestellt, wie nach Änderung der Betriebsparameter des Apparats zur chemischen Dampfplasmaabscheidung von der Plasmaabscheidung zum Plasmaätzen die Graphitphase oder die amorphen Kohlenstoffteilchen, die während des Wachstums der Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht 15 gebildet werden, zur Reinigung der Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht 15 weggeätzt werden, was zu einer gereinigten Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht 17(1) führt. Vor dem Umschalten in den Plasmaätzbetrieb wird der Apparat zur chemischen Dampfplasmaabscheidung vollständig mit einem Stickstoffgas oder einem Inertgas gespült. Die Betriebsbedingungen für das Plasmaätzen werden mit Ausnahme der Art des verwendeten Plasmaquellgases im Wesentlichen so wie für die in 2 gezeigte Plasmaabscheidung eingestellt.

Das Plasmaquellgas für die Verwendung bei der Plasmaätzung kann ein Gas sein, welches ein Halogenelement wie F, Cl oder Br oder ein sauerstoffhaltiges Gas enthält. Gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird ein fluorhaltiges Gas, z.B. ein Tetrafluorkohlenstoff(CF4)-Gas, verwendet. Von dem Tetrafluorkohlenstoffgas abgeschiedene Fluorionen ergeben ein hochflüchtiges Gas aus der Fluorkohlenstoffreihe (CFn) durch Reaktion mit Kohlenstoffionen. Das ionisierte Fluor unterliegt der Reaktion mit Kohlenstoffionen, die durch Zersetzung der Graphitphase oder amorpher Kohlenstoffteilchen, die weniger Bindungskraft als die Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht 15 aufweisen, entstehen, so dass die Graphitphase oder die amorphen Kohlenstoffteilchen mit einer hohen Ätzselektivität von den Kohlenstoff-Nanoröhren entfernt werden können.

In 4 wird das in 3 dargestellte Plasmaätzen in eine Plasmaabscheidung geändert. In diesem Fall wird der Apparat zur chemischen Plasmadampfabscheidung gespült, um Fluorionen vollständig aus dem Apparat zu entfernen. Die Plasmaabscheidung wird unter den gleichen Bedingungen, wie sie vorher unter Bezugnahme auf 3 illustriert wurden, durchgeführt, was zu einer anderen Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht 15 auf der gereinigten Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht 17(1) führt.

In 5 ist die Plasmaabscheidung von 4 in das Plasmaätzen geändert. In diesem Fall wird der Apparat zur chemischen Plasmadampfabscheidung vollständig gespült. Das Plasmaätzen wird unter denselben Bedingungen wie für 3 illustriert durchgeführt, was zu einer weiteren gereinigten Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht 17(2) führt.

Gemäß 6 wird die Plasmaabscheidung und das Plasmaätzen in der wie vorher beschriebenen Form n-Mal wiederholt. Die Anzahl der Wiederholungen bemisst sich in etwa nach der Dicke der herzustellenden Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht.

7 ist eine SEM (Scanning Electron Microscope)-Aufnahme von der Ebene der Kohlenstoff-Nanoröhren, die gemäß der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gebildet worden ist bzw. sind. Die 8 ist eine SEM-Aufnahme eines vertikalen Schnitts bei verschiedener Vergrößerung der Kohlenstoff-Nanoröhren, die gemäß der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gebildet worden sind. Wie in 8 gezeigt, sind die Kohlenstoff-Nanoröhren gut über ein Substrat angeordnet.

Die 9 ist eine TEM (Transmissionselektronenmikroskop)-Aufnahme der gemäß der bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführungsform hergestellten Kohlenstoff-Nanoröhren. In 9 sind hoch miteinander verwobene Filamente gezeigt. 10 ist eine vergrößerte TEM-Aufnahme der gemäß der bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführungsform hergestellten Kohlenstoff-Nanoröhren. In 10 sind Kohlenstoff-Nanoröhren mit einfacher Wand in Bündeln mit hoher Dichte miteinander verwoben.

11 ist eine graphische Darstellung, welche die Feldemissionseigenschaften von Kohlenstoff-Nanoröhren, die gemäß der bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführungsform hergestellt worden sind, und durch eine konventionelle Methode hergestellten Kohlenstoff-Nanoröhren im Vergleich zeigt. Die konventionelle Methode bezieht sich auf eine Technik, eine Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht kontinuierlich zu züchten ohne alternierend eine Plasmaabscheidung und ein Plasmaätzen anzuwenden – im Gegensatz zur vorliegenden Erfindung. Die Feldemissionseigenschaften wurden für eine Feldemissionselektrode mit einer Einheitsfläche von 1 cm2 gemessen. Aus 11 kann geschlossen werden, dass die Reinigung der Kohlenstoff-Nanoröhren durch Entfernen der Granitphase oder der amorphen Kohlenstoffteilchen von den spitzen oder den Seitenwänden der Kohlenstoff-Nanoröhren eine hohe Stromemission bei einem niedrigen elektrischen Feld ermöglicht.

Die Methoden zur Herstellung von Kohlenstoff-Nanoröhren gemäß der vorliegenden Erfindung ergeben in einfacher Weise Kohlenstoff-Nanoröhren mit einer hohen Dichte unter Verwendung von beispielsweise einem Methangas als Quellgas bei hoher Plasmadichte. Überdies können die Graphitphase oder amorphen Kohlenstoffteilchen, die während des Wachstums der Kohlenstoff-Nanoröhren gebildet werden, in einfacher Weise durch Wiederholen der Plasmaabscheidung und des Plasmaätzens entfernt werden, was zu Kohlenstoff-Nanoröhren führt, die gute Feldemissionseigenschaften aufweisen.

Während diese Erfindung insbesondere unter Bezugnahme auf ihre bevorzugten Ausführungsformen erläutert und beschrieben worden ist, versteht es sich für den Fachmann, dass zahlreiche Änderungen in ihrer Form und ihren Einzelheiten vorgenommen werden können, ohne von dem Wesen und dem Umfang der Erfindung abzuweichen, wie er durch die beigefügten Patentansprüche definiert wird.


Anspruch[de]
  1. Verfahren zur Herstellung von Kohlenstoff-Nanoröhren, umfassend:

    das Erzeugen einer Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht auf einem Substrat mit einer vorbestimmten Dicke durch Plasmaabscheidung,

    das Reinigen der Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht durch Plasmaätzen und

    das Wiederholen der Erzeugung und der Reinigung der Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, worin das Erzeugen der Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht durch ein chemisches Plasma-Dampfauftragsverfahren bei einer hohen Plasmadichte von 1011 cm–3 oder mehr durchgeführt wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, worin das Substrat ein amorphes Silizium oder Polysiliziumsubstrat ist, auf dem eine katalytische Metallschicht gebildet wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, worin bei der Erzeugung der Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht ein Gas aus der Kohlenwasserstoffreihe als Gas für die Plasmaquelle verwendet wird, die Temperatur des Substrats im Bereich von 600 bis 900°C liegt und der Druck 10 bis 1000 mTorr beträgt.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, worin bei der Reinigung der Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht ein halogenhaltiges Gas als Gas für die Plasmaquelle für das Ätzen verwendet wird.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, worin bei der Reinigung der Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht ein fluorhaltiges Gas als Gas für die Plasmaquelle für das Ätzen verwendet wird.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, worin bei der Reinigung der Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht ein Tetrafluorkohlenstoffgas (CF4) als Gas für die Plasmaquelle für das Ätzen verwendet wird.
  8. Verfahren nach Anspruch 1, worin bei der Reinigung der Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht ein sauerstoffhaltiges Gas als Gas für die Plasmaquelle für das Ätzen verwendet wird.
  9. Verfahren nach Anspruch 1, worin bei der Erzeugung der Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht die Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht bis zu einer Dicke von 3 bis 300 nm bei einem Durchgang erzeugt wird.
  10. Verfahren nach Anspruch 3, worin die Kohlenstoff-Nanoröhrenschicht auf einer durch Metallinduktion kristallisierten Polysiliziumschicht erzeugt wird, die durch Diffusion eines auf einem amorphen Siliziumsubstrat abgeschiedenen katalytischen Metalls aus dem amorphen Siliziumsubstrat umgewandelt worden ist.
Es folgen 7 Blatt Zeichnungen






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