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Dokumentenidentifikation DE102004054895A1 24.05.2006
Titel Dünnschicht-BAW-Filter sowie Verfahren zur Herstellung eines Dünnschicht-BAW-Filters
Anmelder Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
Erfinder Fattinger, Gernot, Dipl.-Ing., 81737 München, DE;
Kaitila, Jyrki, Helsinki, FI
Vertreter Schweiger & Partner, 80333 München
DE-Anmeldedatum 12.11.2004
DE-Aktenzeichen 102004054895
Offenlegungstag 24.05.2006
Veröffentlichungstag im Patentblatt 24.05.2006
IPC-Hauptklasse H03H 9/56(2006.01)A, F, I, 20051017, B, H, DE
IPC-Nebenklasse H03H 9/205(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, DE   H03H 3/02(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, DE   
Zusammenfassung Die Erfindung betrifft ein Dünnschicht-BAW-Filter, mit zumindest einem CRF-Abschnitt und zumindest einem Leiter- oder Gitter-Filter-Abschnitt, wobei der CRF-Abschnitt zumindest zwei gekoppelte Resonatoren aufweist, wobei der CRF-Abschnitt und der Leiter- oder Gitter-Filter-Abschnitt auf einem gemeinsamen Substrat integriert sind, zur Herstellung eines Dünnschicht-BAW-Filters. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zum Herstellen eines Dünnschicht-BAW-Filters, mit zumindest einem CRF-Abschnitt und zumindest einem Leiter- oder Gitter-Filter-Abschnitt, wobei der CRF-Abschnitt zumindest zwei gekoppelte Resonatoren aufweist, wobei der CRF-Abschnitt und der Leiter- oder Gitter-Filter-Abschnitt auf einem gemeinsamen Substrat integriert werden.

Beschreibung[de]

Die vorliegende Erfindung betrifft Dünnschicht-BAW-Filter (BAW = Bulk Acoustic Wave = akustische Volumenwelle) sowie ein Verfahren zur Herstellung derartiger Filter.

Dünnschicht-BAW-Filter kommen z. B. in der Mobilfunktechnik der dritten Generation (3G) zum Einsatz, wenn es darum geht, große Bandbreite bei gleichzeitig niedrigen Einfügungsverlust zu erzielen.

Realisiert werden derartige Filter z. B. durch CRF-Bauelemente (CRF = Coupled Resonator Filter = gekoppeltes Resonatorfilter). Im Allgemeinen umfasst ein CRF-Bauelement zwei piezoelektrische Resonatoren, die übereinander gestapelt sind, und einige Kopplungszwischenschichten zum Einstellen der akustischen Kopplung auf die gewünschten Filtereigenschaften.

Mittels CRF-Technik lassen sich für alle Mobilfunkbänder die erforderlichen Bandpasscharakteristiken (d. h. Bandbreite und Einfügungsverluste) erzielen. Die von den Durchlassbereichen weit entfernten Sperrbereiche haben eine sehr hohe Einfügungsdämfung, die zu einem wesentlichen Teil durch parasitäre Effekte sowie durch die endliche Leitfähigkeit des Substrats und die etwaigen unsymmetrischen Kapazitäten zum Substrat bestimmt wird. Allerdings sind die Sperrbandwerte nahe dem Durchlassbereich – die so genannten Übergangsbereiche – nicht optimal. Im Allgemeinen sind die Mobilfunk-Tx- und Rx-Bänder um nur 10 bis 20 MHz breite Übergangsbänder voneinander getrennt, in denen die Filtereigenschaften von typischerweise besser als 4dB-Einfügungsverlust zu besser als 30dB-Sperrbänder wechseln müssen.

Dieser Nachteil bei den Übergangsbändern zwischen –5dB und –30dB ist eine grundsätzliche Eigenschaft des CRF-Bauelements selbst und kann auch durch Bauelement-Design kaum verbessert werden, ohne Verschlechterung der Durchlasseigenschaften in Kauf zu nehmen.

Ein möglicher Ansatz, um Übergangsbänder mit besseren Eigenschaften zu erhalten, wäre, ein CRF-Bauelement mit einem herkömmlichen Abzweigfilter-Bauelement (engl.: Ladder Filter Device) kaskadenartig zu verbinden, wie es in 8 beispielhaft gezeigt ist. Die Transferfunktion eines Abzweigfilter-Bauelements ist in 3 dargestellt. Sie zeigt zwei ausgezeichnete Minima, die der Serienresonanz der Querresonatoren und der Parallelresonanz der Serienresonatoren des Abzweigfilter-Bauelements zugeordnet sind. Es handelt sich im gezeigten Beispiel um einen einzelnen T-Abschnitt. Der Schichtenstapel, der hier verwendet wird, ist der gleiche wie bei der Anordnung gemäß der 1, jedoch modifiziert durch Entfernen der oberen Elektrode des unteren Resonators und Ersetzen derselben durch Siliziumdioxid. Die Breite der Übergangsbänder sind ungefähr 10 MHz für das linke Übergangsband und 5 MHz für das rechte Übergangsband zwischen –5dB und –30dB. Für die Resonatoren wurden Gütewerte (Q-Werte) von 1000 verwendet.

4 zeigt einen typischen Schichtenstapel eines herkömmlichen Resonators, der bei Abzweigfiltern Verwendung findet. Wenn ein einzelnes Abzweigfilter kaskadiert mit dem nicht-symmetrierten Port bzw. Tor des CRF gekoppelt wird, wird eine Transferfunktion gemäß 5 erhalten. Dabei kann der Port als Eingang oder Ausgang betrieben werden. Ein ähnlicher Effekt wird erreicht, wenn zwei Abzweigfilter an den symmetrischen Ausgängen des CRF verwendet werden. Dieses kombinierte CRF-Abzweigfilter zeigt viel bessere Übergangsband-Eigenschaften als ein CRF alleine. Definitionen dieser Begriffe finden sich in den folgenden Veröffentlichungen und in den darin genannten Literaturverweisen:

  • – G. G. Fattinger, R. Aigner, W. Nessler, "Coupled Bulk Acoustic Wave Resonator Filter: Key Technology for single-to-balanced RF Filters." Proceedings IEEE 2004 MTTS Symposium Digest.
  • – G. G. Fattinger, J. Kaitila, W. Nessler, and R. Aigner, "Single-to-Balanced Filters for Mobile Phones using Coupled Resonator BAW Technology", IEEE UFFC Symposium 2004 Proceedings.
  • – K. M. Lakin, "A Review of Thin-Film Technology", IEEE Mirowave Magazinge, Dec. 2003, p. 61.
  • – K. M. Lakin, "Thin Film Resonator Technology", IEEE UFFC 50th Anniversary Issue.
  • – K. M. Lakin, "Coupled Resonator Filters", IEEE 2002 Ultrasonics Symposium Proceedings

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist, ein Filter, welches einen verringerten Platzbedarf, jedoch die für den Mobilfunk nötigen Transfereigenschaften hat, sowie ein einfaches Verfahren zu dessen Herstellung bereitzustellen.

Diese Aufgabe wird durch ein Dünnschicht-BAW-Filter mit den Merkmalen gemäß Anspruch 1 sowie durch ein Verfahren mit den Merkmalen gemäß Anspruch 8 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen definiert.

Erfindungsgemäß bereitgestellt wird demnach ein Dünnschicht-BAW-Filter mit zumindest einem CRF-Abschnitt und zumindest einem Leiter- oder Gitter-Filter-Abschnitt, wobei der CRF-Abschnitt zumindest zwei gekoppelten Resonatoren aufweist, wobei der CRF-Abschnitt und der Leiter- oder Gitter-Filter-Abschnitt auf einem gemeinsamen Substrat integriert sind.

Das erfindungsgemäße Verfahren zum Herstellen eines Dünnschicht-BAW-Filters umfasst in entsprechender Weise das Integrieren des CRF-Abschnitts und des Leiter- oder Gitter-Filter-Abschnitts auf einem gemeinsamen Substrat.

Aufgrund der Integration des CRF und der Abzweigfilter auf einem gemeinsamen Substrat, also als monolithisch Anordnung, werden Größen-, Preis- und auch Leistungsvorteile erzielt.

Vorzugsweise ist zumindest ein Abschnitt der gesamten Struktur als Leiter- oder Gitter-Filter-Abschnitt ausgebildet.

Im Leiter- oder Gitter-Filter-Abschnitts wird mindestens eine Elektrode des unteren Resonators durch eine Planarisierungsschicht ersetzt ist. Ein derartiges Bauelement lässt sich leicht realisieren. Ein solches Design lässt sich besonders ökonomisch realisieren. Mögliche Schwierigkeiten, die bei den anschließenden Metallisierungs- und Passivierungsschritten auftreten können, werden zuverlässig vermieden.

Hierbei kann die obere Elektrode des unteren Resonators durch eine Planarisierungsschicht ersetzt sein oder die untere Elektrode des unteren Resonators durch eine Planarisierungsschicht ersetzt sein. Weiter können auch beide Elektroden des unteren Resonators durch eine Planarisierungsschicht ersetzt sein.

Ein besonderer Vorteil des Designs ist hierbei, dass keine zusätzlichen Masken und/oder Verfahrensschritte notwendig sind.

Vorzugsweise ist die Planarisierungsschicht ein Halbleiteroxid oder ein Halbleiternitrid, z. B. auf Siliziumbasis. Alternativ können auch beliebige Dielektrika verwendet werden.

In einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung ist eine Verstimmungsschicht (Detune-Schicht) im Leiter- oder Gitter-Filter-Abschnitt vorgesehen, um die Frequenz der Quer-Resonatoren zu verringern.

In einer noch weiteren Ausführungsform sind Frequenz-Trimmschritte vorgesehen.

Ein besonderer Vorteil ist darin zu erkennen, dass ein derartiges monolithisches CRF-Abzweigfilter mit lediglich einer einzigen zusätzlichen Ablagerung und mit lediglich zwei bis drei zusätzlichen Masken hergestellt werden kann. Als Herstellungsgrundprozess kann der in EP-A-1219028 beschriebene Prozess verwendet werden.

Im Fall des Abzweigfilters können weitere Schichten verwendet werden. Zum Beispiel kann die untere Kopplungsoxidschicht ersetzt werden am Abzweigabschnitt-Resonator durch Wolfram, um die Eigenschaften des einzelnen Resonators fein abzustimmen.

Nach einem der Erfindung zugrunde liegendem Gedanken werden innerhalb eines bestehenden CRF-Prozesses "normale" Einzelresonatoren realisiert, welche zur Integration eines Leiter- oder Gitterabschnittes verwendet werden können.

Das Weglassen einer Elektrode des unteren Resonators bedeutet, dass diese Elektrode in der Lithographischen-Maske einfach gar nicht gezeichnet wird. Es muss an der Prozessierung an diese Stelle gegenüber dem normalen CRF-Prozess nichts geändert werden. Das Planarisierungs-Dielektrium wird ohnehin aufgebracht.

Bisherige Ansätze zur Integration von Einzelresonatoren beinhalten immer die Annahme, man müsse einen der beiden Resonatoren komplett wegnehmen (durch nachträgliches Ätzen, o. ä.). Das ist hier nicht notwendig.

Die Erfindung wird anhand eines Ausführungsbeispiels in der Zeichnung näher beschrieben. In der Zeichnung zeigt

1 die Transferfunktion eines CRF;

2 den Aufbau eines CRF-Resonator-Stapels;

3 die Transferfunktion eines T-Abschnitts eines Leiterfilters;

4 den Aufbau eines herkömmlichen BAW-Resonators;

5 die Transferfunktion einer Kaskade aus einem T-Abschnitts eines Abzweigfilters und einem zwei-Stufen-CRF;

6 die Impedanz der Resonatoren in einem CRF-Schichten-Stapel sowie eines Stapels nach 7 mit und ohne zusätzlicher Verstimmungsschicht;

7 den Schichten-Stapel bei Entfernung und Planarisierung der oberen Elektrode des unteren Resonators; und

8 ein Schaltbild eines T-Gliedes, das kaskadenartig mit einem CRF-Bauelement verschaltet ist.

1 zeigt die berechnete Transferfunktion für ein aus dem Stand der Technik bekanntes CRF-Bauelement mit zwei Abschnitten für ein GSM-Band, welches bei 1842,5 MHz zentriert ist. Der Auslauf der dort dargestellten Übergangsbänder beträgt etwa 30 MHz zwischen –5 dB und –30 dB.

2 zeigt den Aufbau eines typischen CRF-Resonator-Stapels 1, wie er ebenfalls aus dem Stand der Technik bekannt ist. Der aktive Bereich des Resonatorstapels ist durch die gestrichelten Linien eingegrenzt und ist typischerweise ca. 50 &mgr;m bis ca. 300 &mgr;m breit. Der Schichtenstapel umfasst einen oberen Resonator 2 mit piezoelektrischen Schichten, z. B. aus Aluminiumnitrid (AlN) oder ZnO. Weiterhin umfasst der obere Resonator 2 zwei Elektroden 11, 12, die beispielsweise aus mehreren metallischen und dielektrischen Schichten aufgebaut sein kann. In einem hier nicht gezeigten Ausführungsbeispiel sind nicht zwei Schichten pro Elektrode vorgesehen, sondern nur eine einzige Schicht pro Elektrode.

Zwischen dem oberen Resonator 2 und dem unteren Resonator 4, der im vorliegendem Ausführungsbeispiel, wie der obere Resonator 2 aufgebaut ist, befinden sich Kopplungsschichten 3, welche u. a. beispielsweise eine Schicht mit hoher akustischer Impedanz aufweisen können. Unterhalb des unteren Resonators 4 ist ein akustischer Spiegel 5 angeordnet. Weiterhin kennzeichnet das Bezugszeichen 6 eine Verbindungsstelle des Resonators zu ähnlichen Abschnitten bzw. Bauteilen. Der Schichtenstapel ist auf einem Substrat 7 aufgebracht. in einem hier nicht gezeigtem Ausführungsbeispiel sind die beiden Resonatoren auch unterschiedlich aufgebaut.

3 zeigt die Transferfunktion eines einzelnen T-Abschnitts eines Leiterfilters. Der verwendete Schichtenstapel ist der gleiche wie derjenige der in 1 verwendet wurde, jedoch wurde er modifiziert, indem die obere Elektrode des unteren Resonators entfernt wurde und durch Planarisierungs-Siliziumdioxid ersetzt wurde. Wie bereits in der Beschreibungseinleitung erwähnt, betragen die Ausläufe ungefähr 10 MHz für das linke Übergangsband und 5 MHz für das rechte Übergangsband.

4 zeigt einen weiteren Aufbau eines BAW-Resonators, dessen aktiver Bereich 100 bis 300 &mgr;m beträgt (gekennzeichnet durch die gestrichelten Linien). Der Resonatorstapel 1 weist nur einen Resonator 8 mit Elektrode auf. Darunter ist ein Schichtenstapel des akustischen Spiegels 5 angeordnet, welcher wiederum auf dem Substrat 7 abgelagert ist.

Die Transferfunktion eines kombinierten Filters, dessen Abzweigfilter kaskadiert mit dem nicht-symmetrierten Ausgang des CRF gekoppelt wird, ist in 5 dargestellt. Die Ausläufe betragen ungefähr 10 MHz für beide Übergangsbänder.

6 zeigt u. a. berechnete Charakteristika des oberen Resonators in dem Fall, wo die obere Elektrode des unteren Resonators des CRF-Schichtstapels entfernt worden ist und durch das Planarisierungsoxid ersetzt worden ist. Außerdem wird der hier beschriebene Fall mit einer zusätlichen Verstimmungsschicht gezeigt. Daneben ist die Resonator-Impedenz- Charakteristik des unveränderten CRF-Schichtstapels zu sehen bei Messung des oberen Resonators und offenen Elektroden des unteren Resonators. Ein solcher erfindungsgemäßer Schichtenstapel ist in 7 dargestellt.

In 7 ist der erfindungsgemäße Schichtenstapel des kombinierten monolithischen CRF-Leiter-Resonators 9 nach dem Entfernen und Planarisieren der oberen Elektrode des unteren Resonators 4 gezeigt. Das Bezugszeichen 11 kennzeichnet die Schicht der ehemaligen Elektrode des unteren Resonators 4, welche entfernt wurde. Der Schichtenstapel umfasst einen oberen Resonator 2, die ursprünglichen Kopplungsschichten 3, den ursprünglichen unteren Resonator 4 und den ursprünglichen Spiegel 5 auf einem Substrat 7. Mit Bezugszeichen 10 sind die Schichten gekennzeichnet, die den neuen Spiegel ausmachen, der aus den bestehenden Schichten gebildet wurde.

Das eben beschriebene erfindungsgemäße Dünnschicht-BAW-Filter-Bauelement lässt sich mit einem Herstellungsprozess ausgehend von dem BAW-Prozess der Infineon Technologies AG als Grundprozess fertigen (EP-A-1219028).

Dieser Infineon-BAW-Prozess basiert auf der Planarisierung des Spiegels und des unteren Elektrodenstapels vor der piezoelektrischen Ablagerung. Dies wird u. a. deshalb derartig durchgeführt, um ein zuverlässiges Piezoschichtergebnis mit einem AlN-Film guter Qualität zu erhalten. Dies beeinflusst wiederum direkt den piezoelektrischen Kopplungskoeffizienten (keff), d. h. die Filter-Bandbreite und Q-Werte. Aus den gleichen Gründen werden im erfindungsgemäßen CRF-Verfahren die obere Elektrode des unteren Resonators, die Kopplungsschichten zwischen den zwei Resonatoren und die untere Elektrode des oberen Resonators planarisiert. Die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Resonatoren weisen Kopplungskoeffizienten von ungefähr 6.6% auf.

Um letztlich den Leiter-Abschnitt zu realisieren, muss die Frequenz der Parallelresonatoren hinsichtlich der Serienresonatoren noch verringert werden. Daher wird zusätzlich eine Detune-Schicht benötigt, wie es bei einem herkömmlichen Leiter-Filter-Herstellungsverfahren üblich ist. Außerdem sind Frequenz-Abgleich-Schritte (z. B. beschrieben in EP-A-1390559) notwendig. Im Ergebnis ist es so möglich, das erfindungsgemäße monolitische CRF-Leiter-Filter herzustellen.

Durch das Entfernen entweder einer oder beider Elektroden des unteren Resonators wird die Resonanzfrequenz, die mit diesem Resonator assoziiert ist, weit weg von der Resonanz des oberen Resonators verschoben. Daher wird eine gute Reinheit der Hauptresonanz erreicht und gleichzeitig wird die andere Resonanz wesentlich geschwächt. Das gleiche Verfahren, das oben beschrieben wurde, kann auch zur Herstellung eines kombinierten CRF-Gitter-Filters angewandt werden.

Das vorliegende Verfahren kann darüber hinaus durch Vorsehen weiterer Schichten im Falle des Leiter-Filters weiter verfeinert werden.

8 zeigt eine Möglichkeit zur Hintereinanderschaltung eines T-Gliedes eines Leiterfilters sowie eines CRF-Filters, die mit der Erfindung auf einem einzigen Substrat sehr einfach realisiert wird.

Ein Ein-/Ausgang P1 ist hier "single-ended" ausgeführt, d. h. als eine einzelne Signalleitung mit Massebezug. Ein Port P2 ist in sog. "balanced" Konfiguration ausgeführt, d. h. es handelt sich um zwei Signalleitungen, welche zueinander um 180° phasenverschoben sind. Die Bezugsmasse des Ausgangs P2 muss nicht mit der Bezugsmasse des Einganges 1 in Zusammenhand stehen (Potentialtrennung).

Zusätzlich kann im CRF-Teil auch noch die Referenzimpedanz geändert werden, z. B. kann der CRF-Eingang einen 50 Ohm Abschluss bilden, der CRF-Ausgang hingegen 200 Ohm. Beide Eigenschaften, Impedanz- sowie Modenkonversion kann mit Leiter- oder Gitterfiltern allein nicht bewerkstelligt werden. Auch wäre damit keine so hohe Stopbandunterdrückung weitab des Passbandes zu erreichen.

Ein CRF alleine würde hingegen keine so steilen Filterflanken und keine so gute Stopbandunterdrückung im Bereich nahe des Passbandes ermöglichen.

Diese Anordnung wirkt somit als Symmetrieglied, bei dem ein unsymmetrischer Port P1 zu einem symmetrischen Port P2 transformiert oder umsetzt.

Hier ist besonders, dass einer oder alle der Resonatoren 13, 14 oder 15 entsprechend der Erfindung, beispielsweise wie in 7 gezeigt, ausgebildet sind. Der CRF-Abschnitt ist beispielsweise gemäß 2 ausgebildet. Die prinzipielle Anordnung dieser Komponenten auf einem einzigen Substrat ergibt sich durch Nebeneinanderhalten der beiden Figuren. Die elektrischen Verbindungen ergeben sich aus dem Schaltbild gemäß 8.


Anspruch[de]
  1. Dünnschicht-BRW-Filter, mit:

    zumindest einem CRF-Abschnitt und

    zumindest einem Leiter- oder Gitter-Filter-Abschnitt,

    wobei der CRF-Abschnitt zumindest zwei gekoppelte Resonatoren (2, 4) aufweist,

    dadurch gekennzeichnet, dass

    der CRF-Abschnitt und der Leiter- oder Gitter-Filter-Abschnitt auf einem gemeinsamen Substrat (7) integriert sind.
  2. Filter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein Teil des Filters als Leiter- oder Gitter-Filter-Abschnitt ausgebildet ist und ein anderer Teil als CRF-Abschnitt ausgebildet ist.
  3. Filter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Elektrode des unteren Resonators (4) durch eine Planarisierungsschicht ersetzt ist.
  4. Filter nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die obere Elektrode des unteren Resonators (4) durch eine Planarisierungsschicht ersetzt ist.
  5. Filter nach Anspruch 3 oder Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die untere Elektrode des unteren Resonators (4) durch eine Planarisierungsschicht ersetzt ist.
  6. Filter nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Planarisierungsschicht ein Halbleiteroxid oder ein Halbleiternitrid bzw. ein Dielektrikum aufweist.
  7. Filter nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine oder mehrere Verstimmschichten im Leiter- oder Gitter-Filter-Abschnitt vorgesehen sind.
  8. Verfahren zum Herstellen eines Dünnschicht-BAW-Filter, mit:

    zumindest einem CRF-Abschnitt und

    zumindest einem Leiter- oder Gitter-Filter-Abschnitt,

    wobei der CRF-Abschnitt zumindest zwei gekoppelten Resonatoren (2, 4) aufweist,

    dadurch gekennzeichnet, dass

    der CRF-Abschnitt und der Leiter- oder Gitter-Filter-Abschnitt auf einem gemeinsamen Substrat (7) integriert werden.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein Teil des gesamten Filters als Leiter- oder Gitter-Filter-Abschnitt ausgebildet wird.
  10. Verfahren nach Anspruch 8 oder Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die eine Elektrode des unteren Resonators (4) durch eine Planarisierungsschicht ersetzt wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die obere Elektrode des unteren Resonators (4) eine Planarisierungsschicht ersetzt wird.
  12. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die untere Elektrode des unteren Resonators (4) durch eine Planarisierungsschicht ersetzt wird.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass als Planarisierungsschicht ein Halbleiteroxid oder ein Halbleiternitrid bzw. ein Dielektrikum aufgebracht wird.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass eine Verstimm-Schicht im Leiter- oder Gitter-Filter-Abschnitt aufgebracht wird.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass Frequenz-Trimmschritte vorgesehen werden.
Es folgen 4 Blatt Zeichnungen






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