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Dokumentenidentifikation DE102004055674A1 24.05.2006
Titel Vorrichtung und Verfahren zum Beschreiben und/oder Lesen einer Speicherzelle eines Halbleiterspeicher
Anmelder Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
Erfinder Schnabel, Florian, Dr., 85635 Höhenkirchen-Siegertsbrunn, DE;
Polney, Jens, 81539 München, DE
Vertreter Wilhelm & Beck, 80636 München
DE-Anmeldedatum 18.11.2004
DE-Aktenzeichen 102004055674
Offenlegungstag 24.05.2006
Veröffentlichungstag im Patentblatt 24.05.2006
IPC-Hauptklasse G11C 7/14(2006.01)A, F, I, 20051017, B, H, DE
Zusammenfassung Es wird eine Vorrichtung zum Beschreiben und/oder Lesen einer Speicherzelle eines Halbleiterspeichers mit einem Auswahltransistor und einem Speicherkondensator vorgeschlagen, wobei die Vorrichtung eine Einrichtung aufweist, mit der eine Schwellspannung des Auswahltransistors entgegen dem Einfluss einer Umgebungstemperatur beeinflusst wird. Ferner wird ein Verfahren zum Beschreiben und/oder Lesen einer Speicherzelle eines Halbleiterspeichers mit einem Auswahltransistor und einem Speicherkondensator vorgeschlagen, wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte umfasst:
a) Ermitteln einer Umgebungstemperatur der Speicherzelle
und
b) Anlegen einer elektrischen Spannung an eine Substratwanne des Auswahltransistors abhängig von der ermittelten Umgebungstemperatur, derart, dass eine Schwellspannung des Auswahltransistors entgegen dem Einfluss einer Umgebungstemperatur beeinflusst wird.

Beschreibung[de]

Vorrichtung und Verfahren zum Beschreiben und/oder Lesen einer Speicherzelle eines Halbleiterspeichers

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Beschreiben und/oder Lesen einer Speicherzelle eines Halbleiterspeichers.

In dynamischen Speicherzellen von Halbleiterspeichern wie beispielsweise DRAMS erfolgt eine Speicherung von Information über eine Ladungsspeicherung in einem Speicherkondensator, der durch einen Auswahltransistor über eine Wortleitung selektiert und durchgeschaltet wird. Ein Ladungsfluss beim Schreiben der Information erfolgt dabei von einem Treiber-Transistor, der auch als Leseverstärker (Sense Amplifier) dient, über eine Anschlussleitung (Bitleitung) und den Auswahltransistor in den Speicherkondensator.

Ein kritischer Kennwert einer Spezifikation des Halbleiterspeichers umfasst eine Zeitdauer tWR, die eine Zeitdauer zwischen einem Schreibvorgang (WRITE) und einem Deaktivieren der Wortleitung definiert. Ein Ausmaß der Zeitdauer tWR wird in der Speicherzelle unter anderem dadurch festgelegt, dass ein bestimmtes Minimum an elektrischer Ladung in den Speicherkondensator hineingeschrieben werden muss, bevor die Wortleitung, die den Auswahltransistor ansteuert, deaktiviert wird. Durch das Deaktivieren der Wortleitung wird der Schreibvorgang beendet. Das Minimum an elektrischer Ladung ist unter anderem durch eine Empfindlichkeit des Leseverstärkers beim Lesevorgang (READ) vorgegeben. Mit entscheidend für eine Zeit, mit der eine bestimmte Ladungsmenge in den Speicherkondensator geschrieben wird, ist eine RC-Konstante des oben beschriebenen Signalpfades.

Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vorrichtung zum verbesserten Beschreiben einer Speicherzelle eines Halbleiterspeichers bereit zu stellen. Die Aufgabe wird gelöst mit Vorrichtungen gemäß Patentanspruch 1 und 4 sowie mit Verfahren gemäß den Patentansprüchen 5 und 6. Bevorzugte Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Vorrichtung sind in abhängigen Ansprüchen angegeben.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung ist zum Beschreiben und/oder Lesen einer Speicherzelle eines Halbleiterspeichers mit einem Auswahltransistor und einem Speicherkondensator vorgesehen, wobei die Vorrichtung eine Einrichtung aufweist, mit der eine Schwellspannung Vt des Auswahltransistors entgegen dem Einfluss einer Umgebungstemperatur beeinflusst wird.

Dadurch wird vorteilhafterweise ein Temperaturgang der Schwellspannung Vt mittels der erfindungsgemäßen Einrichtung kompensiert, wodurch eine Zeitkonstante eines Signalpfades, über den elektrische Ladung in den Speicherkondensator der Speicherzelle geschrieben wird, von der Temperatur im Wesentlichen unabhängig ist. Dadurch ist beispielsweise ein Spezifikationsparameter tWR des dynamischen Halbleiterspeichers günstigerweise für hohe und tiefe Temperaturen minimiert und gleichermaßen unkritisch einzuhalten.

Eine bevorzugte Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung sieht vor, dass die Einrichtung einen elektrischen Spannungsgenerator umfasst, wobei eine vom Spannungsgenerator erzeugte elektrische Spannung an eine Substratwanne des Auswahltransistors angelegt wird. Die vom Spannungsgenerator erzeugte elektrische Spannung repräsentiert eine Offset-Spannung, die über die Substratwanne des Auswahltransistors in vorteilhafter Weise in einem direkten Wirkmechanismus die Schwellspannung Vt entgegen dem Einfluss einer Umgebungstemperatur beeinflusst.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand von zwei Figuren näher beschrieben. Dabei zeigt:

1 eine schematische Darstellung einer dynamischen Speicherzelle mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung, und

2 prinzipielle Verläufe der Schwellspannung Vt über der Umgebungstemperatur.

1 zeigt schematisch eine dynamische Speicherzelle 1 mit einem Auswahltransistor 2 und einem Speicherkondensator 3. Bei einem Schreibvorgang in die dynamische Speicherzelle 1 wird mittels einer Wortleitung WL der Auswahltransistor 2 durchgeschaltet und elektrische Ladung von einer Bitleitung BL über den Auswahltransistor 2 in den Speicherkondensator 3 geschrieben.

Eine wesentliche Einflussgröße dabei ist ein Durchgangswiderstand Ron des Auswahltransistors 2 im leitenden Zustand. Dieser wird durch die Schwellspannung Vt bestimmt, wobei die Schwellspannung Vt proportional zum Durchgangswiderstand Ron ist. Eine höhere Schwellspannung Vt bedeutet einen höheren Durchgangswiderstand Ron und umgekehrt. Die Schwellspannung Vt steigt ebenso wie der Durchgangswiderstand Ron mit sinkender Temperatur. Dies erhöht die RC-Konstante des oben beschriebenen Signalpfades, sodass eine spezifizierte Zeit tWR, die angibt, in welcher Zeit ausreichend elektrische Ladung in den Speicherkondensator 3 zu schreiben ist, bei tiefen Temperaturen kritischer einzuhalten ist als bei hohen Temperaturen.

Die geschilderte Problematik wird noch dadurch verschärft, dass durch die heute üblichen geringen Strukturgrößen von Halbleiterspeichern ein Anschlusswiderstand zwischen dem Auswahltransistor 2 und dem Speicherkondensator 3 sehr hoch sein kann. Dieser Anschlusswiderstand ist ebenfalls Teil des Signalpfades zum Beschreiben/Lesen der dynamischen Speicherzelle 1, sodass die gesamte RC-Konstante des Signalpfades herkömmlicherweise nachteilig sehr hoch sein kann. Ein Zeitbedarf eines Schreib- bzw. Lesevorganges in die dynamische Speicherzelle 1 kann dadurch bei tiefen Temperaturen nachteilig sehr erhöht sein.

Zur Kompensation einer Temperaturabhängigkeit des Durchgangswiderstands Ron des Auswahltransistors 2 wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, dass die Schwellspannung Vt des Auswahltransistors 2 beeinflusst wird. Dies wird dadurch erreicht, dass ein elektrischer Spannungsgenerator 5 mit einem Ausgang an eine Substratwanne 4 des Auswahltransistors 2 angeschlossen ist, wobei der Ausgang eine Offset-Spannung Voff an die Substratwanne 4 abgibt. Mit Hilfe eines Temperatursensors 6 wird eine Umgebungstemperatur T der dynamischen Speicherzelle 1 ermittelt und der elektrische Spannungsgenerator 5 in Abhängigkeit von der ermittelten Umgebungstemperatur geregelt. Der Temperatursensor 6 kann beispielsweise innerhalb einer Speichereinrichtung (nicht dargestellt) mit vielen dynamischen Speicherzellen 1 angeordnet sein. Die Schwellspannung Vt wird auf diese Weise durch den Spannungsgenerator 5 entgegen dem Einfluss der Umgebungstemperatur beeinflusst. Derart lässt sich ein Temperaturgang der Schwellspannung Vt des Auswahltransistors 2 kompensieren.

Aufgrund der Tatsache, dass die Schwellspannung Vt proportional zum Durchgangswiderstand Ron des Auswahltransistors 2 ist, wird auf diese Weise auch eine Temperaturabhängigkeit des Durchgangswiderstands Ron des Auswahltransistors 2 kompensiert. Dadurch ist ein Schreibvorgang in die dynamische Speicherzelle 1 für tiefe und für hohe Temperaturen insofern vergleichmässigt, als eine RC-Konstante eines Signalpfades, über den die Ladung in den Speicherkondensator 3 eingeschrieben wird, im Wesentlichen temperaturunabhängig ist.

Durch die Temperaturunabhängigkeit des Signalpfades ist neben dem Schreibvorgang auch ein Lesevorgang aus dem Speicherkondensator 3 der dynamischen Speicherzelle 1 verbessert durchführbar. Dies lässt sich damit begründen, dass ein zeitlicher Spezifikationsparameter des Auswahltransistors 2 für den Lesevorgang für den im Wesentlichen temperaturunabhängigen und damit konstanten Durchgangswiderstand Ron des Auswahltransistors 2 leichter einzuhalten ist.

Mit Hilfe der erfindungsgemäßen Einrichtung mit dem Spannungsgenerator 5 und dem Temperatursensor 6 ist es also in vorteilhafter Weise möglich, zeitliche Spezifikationsparameter der dynamischen Speicherzelle 1 des Halbleiterspeichers verbessert auszunützen bzw. zu dimensionieren. Günstigerweise ist das Schreib-/Leseverhalten der dynamischen Speicherzelle 1 dadurch von der Umgebungstemperatur im Wesentlichen unabhängig. Speichereinrichtungen mit einer Vielzahl an Halbleiterspeichern mit den erfindungsgemäßen Speicherzellen 1 ermöglichen somit beschleunigte Timing-Eigenschaften und lassen sich dadurch verbessert auslegen.

Mittels geeigneter Halbleiterimplantationen und Dotierungen in die Substratwanne 4 des Auswahltransistors 2 ist es möglich, die Schwellspannung Vt in einem Herstellungsprozess des Auswahltransistors 2 auszugestalten. Dies geschieht durch eine geeignete Auswahl von Implantationsfolgen bzw. Implantationswinkel und -tiefen in die Substratwanne 4. Außerdem kann die Schwellspannung Vt durch eine zusätzliche Dotierung eines Bereichs zwischen Source und Drain („Kanalimplantation") des Auswahltransistors 2 beeinflusst werden. Durch die Kanalimplantation wird die Dotierung des Substrates verstärkt oder kompensiert.

Auf die geschilderten Weisen lässt sich ein Absolutwert der Schwellspannung Vt und damit des Durchgangswiderstands Ron des Auswahltransistors 2 vorteilhaft absenken bzw. anheben. Mit Hilfe der Halbleiterimplantationen ist es also möglich, den absoluten Wert der Schwellspannung Vt so gering wie nötig und möglich einzustellen, sodass der Auswahltransistor 2 sowohl bei tiefen als auch bei hohen Umgebungstemperaturen T gut definierte Schalteigenschaften aufweist.

Die erfindungsgemäße Kompensation des Temperaturgangs der Schwellspannung Vt resultiert durch die Halbleiterimplantationen in einer reduzierten Schwellspannung Vt und damit in einem weiter verbesserten zeitlichen Schreib-/Leseverhalten des Auswahltransistors 2 der dynamischen Speicherzelle 1.

2 zeigt anhand von drei Verläufen der Schwellspannung Vt über der Umgebungstemperatur T qualitativ die prinzipielle Wirkungsweise der erfindungsgemäßen Vorrichtung.

Ein Verlauf 2A zeigt prinzipiell einen herkömmlichen, von der Umgebungstemperatur T abhängigen Verlauf der Schwellspannung Vt. Es ist zu erkennen, dass die Schwellspannung Vt mit steigender Umgebungstemperatur T sinkt, so dass der Durchgangswiderstand Ron des Auswahltransistors 2 bei tiefen Umgebungstemperaturen T erhöht ist und sich daraus eine nachteilig erhöhte RC-Konstante des Schreib-/Lese-Signalpfades der dynamischen Speicherzelle 1 ergibt. Mit Hilfe der erfindungsgemäßen Einrichtung mit dem elektrischen Spannungsgenerator 5 und dem Temperatursensor 6, erzielt man einen Verlauf 2B der Schwellspannung Vt.

In der 2 ist beispielsweise bei einer Umgebungstemperatur T1 dargestellt, dass vom elektrischen Spannungsgenerator 5 eine negative Offset-Spannung Voff1 an die Substratwanne 4 des Auswahltransistors 2 angelegt ist. Man erkennt, dass der Betrag der angelegten Offset-Spannung Voff mit steigender Umgebungstemperatur T höher wird. In vorteilhafter Weise resultiert daraus ein von der Umgebungstemperatur T im Wesentlichen unabhängiger Verlauf 2B der Schwellspannung Vt. Ein Verlauf 2C der Schwellspannung Vt zeigt eine temperaturkompensierte Schwellspannung Vt, die daher resultiert, dass die erfindungsgemäße Temperaturkompensation bei einem hinsichtlich der Schwellspannung Vt optimiert halbleiterimplantierten bzw. dotierten Auswahltransistor 2 durchgeführt ist. Man erkennt, dass die erfindungsgemäße Temperaturkompensation der Schwellspannung Vt in einem absoluten Betrag der Schwellspannung Vt resultiert, der geringer ist als der Betrag der Schwellspannung Vt im Verlauf 2B. Dadurch ist die RC-Konstante des Signalpfades zum Beschreiben/Lesen des Auswahltransistors 2 weiter verringert, wodurch ein Schreib-/Leseverhalten des Auswahltransistors 2 weiter verbessert ist.

Obwohl die Erfindung beispielhaft anhand eines n-FETs beschrieben ist, versteht es sich von selbst, dass die Erfindung auch auf p-FETs anwendbar ist. In diesem Fall ist zur erfindungsgemäßen Beeinflussung der Schwellspannung Vt eine Polarität der Offset-Spannung Voff des elektrischen Spannungsgenerators 5 entsprechend zu wählen. Weiterhin wird als vorteilhaft angesehen, dass die Erfindung auch mit statischen Speicherzellen durchgeführt werden kann.

Mit Hilfe der erfindungsgemäßen Vorrichtung lassen sich in vorteilhafter Weise also Schreib- und Lesevorgänge bei dynamischen Speicherzellen von Halbleiterspeichern dadurch beschleunigen bzw. vergleichmäßigen, dass ein Widerstandsanteil in Form des Durchgangswiderstands Ron des Signalpfades zum Beschreiben/Lesen des Auswahltransistors 2 minimiert ist.

Die in der Beschreibung, den Ansprüchen und den Zeichnungen offenbarten Aspekte der Erfindung können für die Erfindung sowohl einzeln als auch in Kombination wesentlich sein.

1dynamische Speicherzelle 2Auswahltransistor 3Speicherkondensator 4Substratwanne 5elektrischer Spannungsgenerator 6Temperatursensor

Anspruch[de]
  1. Vorrichtung zum Beschreiben und/oder Lesen einer Speicherzelle (1) eines Halbleiterspeichers mit einem Auswahltransistor (2) und einem Speicherkondensator (3), wobei die Vorrichtung eine Einrichtung (5, 6) aufweist, mit der eine Schwellspannung (Vt) des Auswahltransistors (2) entgegen dem Einfluss einer Umgebungstemperatur beeinflusst wird.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Einrichtung (5, 6) einen elektrischen Spannungsgenerator (5) umfasst, wobei eine vom Spannungsgenerator (5) erzeugte elektrische Spannung an eine Substratwanne (4) des Auswahltransistors (2) angelegt wird.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei die Umgebungstemperatur von einem Temperatursensor (6) ermittelt wird und wobei der Spannungsgenerator (5) in Abhängigkeit von der ermittelten Umgebungstemperatur geregelt wird.
  4. Vorrichtung zum Beschreiben und/oder Lesen einer Speicherzelle (1) eines Halbleiterspeichers mit einem Auswahltransistor (2) und einem Speicherkondensator (3), wobei die Vorrichtung eine Einrichtung (5, 6) aufweist, die eine Drift der Schwellspannung (Vt) abhängig von der Temperatur ausgleicht.
  5. Verfahren zum Beschreiben und/oder Lesen einer Speicherzelle (1) eines Halbleiterspeichers mit einem Auswahltransistor (2) und einem Speicherkondensator (3), mit folgenden Verfahrensschritten:

    a) Ermitteln einer Umgebungstemperatur der Speicherzelle (1); und

    b) Anlegen einer elektrischen Spannung an eine Substratwanne (4) des Auswahltransistors (2) abhängig von der ermittelten Umgebungstemperatur derart, dass eine Schwellspannung (Vt) des Auswahltransistors (2) entgegen dem Einfluss einer Umgebungstemperatur beeinflusst wird.
  6. Verfahren zum Beschreiben und/oder Lesen einer Speicherzelle (1) eines Halbleiterspeichers mit einem Auswahltransistor (2) und einem Speicherkondensator (3), mit folgenden Verfahrensschritten:

    a) Ermitteln einer Umgebungstemperatur der Speicherzelle (1); und

    b) Anlegen einer elektrischen Spannung an eine Substratwanne (4) des Auswahltransistors (2) abhängig von der ermittelten Umgebungstemperatur derart, dass eine Drift einer Schwellspannung (Vt) des Auswahltransistors (2) ausgeglichen wird.
Es folgen 2 Blatt Zeichnungen






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