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Dokumentenidentifikation DE102005053689A1 01.06.2006
Titel ESD-Schutzvorrichtung für ein elektrisches Bauelement
Anmelder Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
Erfinder Kuzmenka, Maksim, 81829 München, DE
Vertreter Schoppe, Zimmermann, Stöckeler & Zinkler, 82049 Pullach
DE-Anmeldedatum 10.11.2005
DE-Aktenzeichen 102005053689
Offenlegungstag 01.06.2006
Veröffentlichungstag im Patentblatt 01.06.2006
IPC-Hauptklasse H01L 23/60(2006.01)A, F, I, 20051110, B, H, DE
IPC-Nebenklasse H01L 23/50(2006.01)A, L, I, 20051110, B, H, DE   H02H 9/04(2006.01)A, L, I, 20051110, B, H, DE   
Zusammenfassung Eine ESD-Schutzvorrichtung für ein elektrisches Bauelement mit einer Schaltungsstruktur, die einen internen Anschluss aufweist, der über eine leitfähige Verbindung mit einem externen Anschluss des elektrischen Bauelements verbunden ist, hat einen Gas-gefüllten Hohlraum, durch den sich die leitfähige Verbindung zumindest teilweise erstreckt, und eine Bezugselektrode in dem Hohlraum, wobei die leitfähige Verbindung derart in dem Hohlraum angeordnet ist, dass bei Anlegen eines Potentials an dem externen Anschluss, welches einen vorbestimmten Schwellwert übersteigt, eine Gasentladung von der leitfähigen Verbindung zu der Bezugselektrode erfolgt.

Beschreibung[de]

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine ESD-Schutzvorrichtung für ein elektrisches Bauelement.

In der Mikroelektronik werden in zunehmendem Maße integrierte Schaltungen mit geringeren Strukturbreiten eingesetzt. Diese geringeren Strukturbreiten ermöglichen höhere Taktraten der integrierten Schaltungen und damit höhere Datenraten der Signale an den Anschlussstiften der integrierten Schaltungen. Um eine möglichst störungsfreie Kommunikation zwischen zwei elektrischen Bauelementen zu erzielen, ist es nötig, die Anstiegs- und Abfallflanken der übertragenen Bits möglichst steil auszuführen. Hierfür ist es erforderlich, die kapazitiven Lasten an den Eingängen und Ausgängen einer integrierten Schaltung möglichst gering zu halten. Diese Kapazitäten führen nämlich zu einem Abflachen der Kurven der Strom- und Spannungsverläufe an den Ein- und Ausgängen der integrierten Schaltung.

Eine Integrität eines Signals in modernen integrierten Schaltungen hängt überwiegend von der Eingangskapazität der Ein- und Ausgangsstufen ab. Diese modernen integrierten Schaltungen arbeiten dabei mit Bitraten im Bereich von mehreren Gigahertz. Maßgeblich wird durch die Eingangskapazität der Ein- und Ausgangsstufen die Eingangssignal-Slew-Rate und eine ISI bzw. Inter-Symbol-Interference des Signals beeinflusst.

Die Kapazitäten der Ein- und Ausgänge setzen sich aus einer Kapazität der externen Treiberelemente, einer Eingangskapazität des Chips, einer Gehäusekapazität und einer Kapazität einer ESD-Schutzstruktur bzw. Electro-Static-Discharge Schutzstruktur zusammen. Der Anteil der Kapazität der ESD bzw. Electro-Static-Discharge Struktur beträgt bis zu 30 der gesamten Kapazität der Ein- und Ausgangsstufen und sogar bis zu 70% der Eingangsstufe bei reinen Eingangsanschlussstiften.

Integrierte Schaltungen müssen eine Verbindung, die mit einer Spannung bis zu 1.000 V beaufschlagt ist, oder mehr als 100pF Kapazität eines menschlichen Körpers oder einer Assembliermaschine überstehen. Dioden, welche für solch einen Schutz eingesetzt werden, müssen relativ groß sein.

Um die Bitrate von Speicherdaten oder Befehlsadressbussen oder anderen Verbindungen zwischen Chips oder Platine-zu-Platine-Datenübertragungssystemen erhöhen zu können, sollte die Kapazität der Dioden, die zum Schutz vor Überspannungen eingesetzt werden, möglichst niedrig gehalten werden. Dies geht typischerweise einher mit einem Verringern der Fläche der Diode, die als ESD-Schutzstruktur eingesetzt ist.

Die auf dem Chip vorhandene ESD-Schutzstruktur und deren Kapazität steht deshalb einer Erhöhung der Datenrate eines Signals auf einem Datenbus, der an einen Anschlussstift bzw. an mehrere Anschlussstifte eines Chips angeschlossen ist, entgegen.

3 erläutert den Aufbau eines beispielhaften BGA- (BGA= ball-grid-array) Gehäuses. Dargestellt sind der Chip 11, ein Gehäusesubstrat 21, Leiterbahnen 31, Lötkugeln 41, Bonddrähte 51 und die Chippads 61.

Der Chip 11 ist dabei auf dem Gehäusesubstrat 21 aufgebracht. Auf der dem Chip 11 gegenüberliegenden Oberfläche auf dem Gehäusesubstrat 21 sind die Leiterbahnen 31 aufgebracht, auf denen wiederum die Lötkugeln 41 angeordnet sind. Auf dem Chip 11 sind die Chippads 61 angebracht, die über die Bonddrähte 51 mit den Leiterbahnen 31 elektrisch verbunden sind.

Durch die in 3 gezeigte Anordnung entsteht eine elektrisch leitende Verbindung zwischen den Lötkugeln 41 und den Chippads 61. Die Lötkugeln 41 sind dabei mit der Leiterbahn 31 elektrisch leitend verbunden, die wiederum über die Bonddrähte 51 mit den Chippads 61 elektrisch leitend verbunden ist. Über die in 3 gezeigte Anordnung werden elektrische Signale, die von einer hier nicht gezeigten Schaltungsplatine stammen und von dieser an die Lötkugel 41 übertragen werden, von dort weiter an die Chippads 61 übertragen. Die Verbindung zwischen dem Chippad 61 und der Lötkugel 41 ist somit ein Teil eines Signalpfads, den beispielsweise ein Signal zwischen dem Chip 11 und einem hier nicht gezeigten benachbarten Chip durchläuft.

Üblicherweise ist eine ESD-Schutzdiode oder eine Mehrzahl von ESD-Schutzdioden zwischen die Chip-I/O-Anschlussfläche 61 und interne Chipversorgungsdrähte, wie z. B. GND und VDD, geschaltet, um den Chip 11 vor elektrischen Überlasten zu schützen. Diese Kapazität der ESD-Schutzdiode, die hier nicht gezeigt ist, führt zu einer Abflachung der vorzugsweise kurzen Anstiegs-/Abfallsflanken des Binärsignals, das an den Chippad 61 angelegt wird. Diese Abflachung wird umso größer, je größer die Kapazität der ESD-Schutzdiode ist. Das gleiche ist auch auf jede beliebige Art analoger Hochfrequenzsignale anwendbar. Eine Kapazität wirkt als ein Tiefpassfilter für Hochfrequenz-Harmonische des Signals. Die Kapazität der ESD-Schutzdiode steht so einem Erhöhen der Datenrate eines Signals an dem Chippad 61 entgegen.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine ESD-Schutzvorrichtung für ein elektrisches Bauelement mit einer geringeren Kapazität und ein elektrisches Bauelement zu schaffen, das die erfindungsgemäße ESD-Schutzvorrichtung einsetzt.

Diese Aufgabe wird durch eine ESD-Schutzvorrichtung gemäß Anspruch 1 oder ein elektrisches Bauelement gemäß Anspruch 12 gelöst.

Gemäß einem ersten Aspekt schafft die vorliegende Erfindung eine ESD-Schutzvorrichtung für ein elektrisches Bauelement mit einer Schaltungsstruktur, die einen internen Anschluss aufweist, der über eine leitfähige Verbindung mit einem externen Anschluss des elektrischen Bauelements verbunden ist, mit einem Gas-gefüllten Hohlraum, durch den sich die leitfähige Verbindung zumindest teilweise erstreckt, und einer Bezugselektrode in dem Hohlraum, wobei die leitfähige Verbindung derart in dem Hohlraum angeordnet ist, dass bei Anliegen eines Potentials an dem externen Anschluss, welches einen vorbestimmten Schwellwert übersteigt, eine Gasentladung von der leitfähigen Verbindung zu der Bezugselektrode erfolgt.

Gemäß einem zweiten Aspekt schafft die vorliegende Erfindung ein elektrisches Bauelement mit einer Schaltungsstruktur, die einen internen Anschluss aufweist, der über eine leitfähige Verbindung mit einem externen Anschluss des elektrischen Bauelements verbunden ist, eine ESD-Schutzvorrichtung, und eine ESD-Schutzdiode, die an der Schaltungsstruktur angeschlossen ist, wobei die ESD-Schutzvorrichtung einen Gasgefüllten Hohlraum, durch den sich die leitfähige Verbindung zumindest teilweise erstreckt, und eine Bezugselektrode in dem Hohlraum umfasst, wobei die leitfähige Verbindung derart in dem Hohlraum angeordnet ist, dass bei Anliegen eines Potentials an dem externen Anschluss, welches einen vorbestimmten Schwellwert übersteigt, eine Gasentladung von der leitfähigen Verbindung zu der Bezugselektrode erfolgt.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, dass durch eine Gasentladung ein Teil der Spannung abgeleitet werden kann, so daß eine ESD Schutzdiode kleiner ausgeführt werden kann.

Eine ESD-Schutzvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung weist eine niedrigere Kapazität als eine reine ESD-Schutzdiode auf. Dies ermöglicht, eine an einem Chippad anliegende Eingangs- bzw. Ausgangskapazität zu verringern, wodurch Datenraten höherer Frequenz über den betroffenen Chippad übertragen werden können.

Darüber hinaus ermöglicht die ESD-Schutzvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung in einem an ihr angeschlossenen Chip, die ESD-Schutzdiode für eine niedrigere Überlastspannung auszuführen. Dies geht einher mit einer Flächenreduzierung des Chips. Hierdurch lässt sich der Chip kostengünstiger fertigen, wobei gleichzeitig bei sinkender Chipfläche die Ausbeute in der Fertigung steigt.

In einem Bauelement gemäß der vorliegenden Erfindung, das eine ESD-Schutzvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung einsetzt, und bei dem zusätzlich eine ESD-Schutzdiode an dem internen Anschluss an der Schaltungsstruktur angebracht ist, kann die ESD-Schutzdiode mit einer deutlich reduzierten Fläche gegenüber dem Stand der Technik ausgeführt sein. Ein Anteil einer auftretenden Überspannung kann dabei an der ESD-Schutzvorrichtung abgefangen werden, während nur ein noch verbleibender niedriger Anteil durch die ESD-Schutzdiode, deren Fläche damit kleiner sein kann, aufgenommen wird. Die Reduzierung der Fläche der ESD-Schutzdiode geht dabei einher mit einer Verringerung der Kapazität der ESD-Schutzdiode.

Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:

1 einen Aufbau eines BGA-Gehäuses mit einer ESD-Schutzvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;

2 eine vergrößerte Darstellung des Ausschnitts A aus 1; und

3 einen Ausschnitt eines Aufbaus eines BGA-Gehäuses gemäß dem Stand der Technik.

In der nachfolgenden Beschreibung werden gleiche oder gleich wirkende Elemente mit dem gleichen Bezugszeichen versehen.

1 zeigt einen Aufbau eines BGA-Gehäuses mit einer ESD-Schutzvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Der Aufbau des BGA-Gehäuses ohne ESD-Schutzvorrichtung entspricht dem anhand der 3 beschriebenen, so dass eine erneute Darstellung weggelassen wird.

Gezeigt sind in 1 gegenüber 3 zusätzlich Bondrahtenden 51a, eine Isolationsschicht 66, und eine Abdeckung 71.

Die ESD-Schutzvorrichtung ist dabei aus den auf der Leiterbahnen 31 angebrachten Bonddrahtenden 51a gebildet. Diese erstrecken sich in Richtung einer auf einer Isolationsschicht 66 aufgebrachten Abdeckung 71. Ein Edelgas 81 ist dabei in dem aus dem Chip 11, dem Gehäusesubstrat 21, den Leiterbahnen 31, den Isolationsschichten 66 und der Abdeckung 71 gebildeten Hohlraum eingefüllt.

Der Hohlraum ist dabei im wesentlichen gasdicht verschlossen, so dass das Edelgas 81 aus diesem nicht entweichen kann. Die Bonddrähte 51 zwischen den Chippads 61 und den Kupferleiterbahnen 31 erstrecken sich durch den mit dem Edelgas 81 gefüllten Hohlraum. Die Bonddrähte 51 sind dabei so ausgeführt, dass sich die Bonddrahtenden 51a von der Leiterbahn 31 in Richtung der Abdeckung 71 erstrecken. Dies führt dazu, dass der Abstand zwischen der Spitze des Bonddrahtendes 51a und der Abdeckung 71 gering ist im Verhältnis zu dem Abstand des Bonddrahts 51 zu der Abdeckung 71. Die Bonddrahtenden 51a sind dabei mit den Chippads 61 und den Lötkugeln 41 elektrisch leitend verbunden.

Die Isolationsschichten 66 isolieren die metallische Abdeckung 71 von den Leiterbahnen 31. Die metallische Abdeckung 71 ist auf Massepotential gelegt. Wird nun ein Signal einer hohen Spannung, das typischerweise höher als eine Zündspannung des Edelgases 81 ist, an der Lötkugel 41 angelegt, wie es beispielsweise bei einem elektrostatischen Entladevorgang auftritt, so kommt es in dem Abschnitt in dem Edelgas 81 zwischen der Spitze des Bonddrahtendes 51a und der Abdeckung 71 zu einem Gasentladungsvorgang. Die Gasentladung erfolgt dabei zwischen der unter hoher Spannung stehenden Spitze des Bonddrahtendes 51a und der auf dem Massepotential liegenden metallischen Abdeckung 71. Dieser Gasentladevorgang geht einher mit einem hohen Strom über die Lötkugel 41 und die Leiterbahn 31 und einem gleichzeitigen Zusammenbrechen der Spannung an diesen und an dem Chippad 61. Der Chippad 61 ist damit gegen Spannungsüberlastungen geschützt.

Da die ESD-Ereignisenergie teilweise dissipiert wird und ein Spannungsspitzenpegel in einem Vorgang einer Gasentladung eingeschränkt ist, werden die Chippads 61 aufgrund der oben gezeigten ESD-Schutzvorrichtung durch einen wesentlich niedrigeren Pegel der Spannungs- und Stromüberlast beeinflusst. Die ESD-Schutzdiode oder ein weiteres Schutzbauelement, wie z. B. eine Thyristor-Fläche an dem Chippad 61, die/das häufig in Schaltungsstrukturen gemäß dem Stands der Technik vorliegt, kann reduziert werden. Dies führt zu einer Reduzierung der an die Chippads 61 angelegten Kapazität.

In dem hier gezeigten Ausführungsbeispiel gemäß der vorliegenden Erfindung nutzt die ESD-Schutzvorrichtung die Eigenschaft einiger Edelgase wie Helium, Neon, Krypton, Xenon, unter niedrigem Druck in einem starken elektrischen Feld ionisiert zu sein. Werden die Spitzen der Bonddrahtenden 51a in der Form scharfer Nadeln ausgeführt, wird die Stärke des elektrischen Felds in der Nähe der Spitze der Nadeln so hoch, dass bereits bei Spannungen im Bereich von mehreren Volts oder zig Volts eine Gasentladung gezündet bzw. ausgelöst wird. Eine Abhängigkeit der Spannung über den Entladungsabschnitt von dem Strom ist daher sehr flach. Selbst bei einer zehnfachen Erhöhung des Stroms ändert sich die Spannung um ca. 30 %. Dieser Effekt wird beispielsweise bei Neonlampen, die als spannungsstabilisierende Elemente fungieren, eingesetzt.

Der Entladungsspalt ist zwischen dem Bonddrahtende 51a und der metallischen Abdeckung 71 ausgeführt, die vorzugsweise mit einem der Versorgungsspannungsanschlussstifte des Chips 11 oder Masse verbunden ist,. Dabei weisen die Bonddrahtenden 51a vorzugsweise scharfe nadelförmige Spitzen 51b auf. Diese nadelförmigen Spitzen können mit dem Bonddraht 51 in einem Teil ausgeführt sein.

Der Abstand zwischen der nadelförmigen Spitze 51b und der Abdeckung 71, die Form bzw. die Schärfe der Nadeln, die Art des Gases und der Druck unter der Abdeckung werden so gewählt, um eine Gasentladung bei Spannungen zwischen Elektroden im Bereich von mehreren Volts oder zig Volts auszulösen bzw. zu zünden.

Eine solche Struktur ist nicht ausreichend geeignet, um die Spannung auf einen Wert zu begrenzen, der nicht höher als die Versorgungsspannung des Chips ist. Jedoch ist sie durchaus in der Lage, die Anforderungen an die auf dem Chip befindlichen ESD-Dioden zu reduzieren. Dadurch können diese mit einer geringeren Chipfläche ausgeführt sein.

Die Anordnung der Nadeln 51b vor dem Bonddraht 51 ergibt einen zusätzlichen Vorteil dadurch, dass die Induktion der Bonddrähte 51 den Strom nach dem Entladungsspalt begrenzt.

Die auf Masse gelegte Abdeckung 71 weist den Vorteil einer zusätzlichen EMV-Abschirmung zwischen dem Chip und Leiterbahnen auf dem Printed Circuit Board, auf dem der Chip aufgelötet ist, auf.

Die zusätzliche Kapazität, die durch die ESD-Schutzstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung erzeugt wird, ist vernachlässigbar gering bzw. gering im Verhältnis zu einer ESD-Schutzvorrichtung, bei der nur Schutzdioden an den Chippads 61 eingesetzt werden, da die Fläche der Nadelspitzen sehr gering ist. Somit ist die Fläche der Elektroden des Kondensators der ESD-Schutzvorrichtung sehr niedrig.

In 2 ist ein Ausschnitt A aus dem in 1 gezeigten Aufbau eines BGA-Gehäuses mit der ESD-Schutzvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung gezeigt. Neben den bereits aus 1 bekannten Elementen ist hier eine Nadelspitze 51b besonders hervorgehoben.

Beim Anlegen eines Potentials, das einen bestimmten Schwellwert überschreitet, an den Lötkugeln 41, tritt eine Zündung des Edelgases 81 in dem Bereich zwischen der Nadelspitze 51b und der metallischen Abdeckung 71 auf. Diese führt zu einem Zusammenbrechen der Spannung an dem Bonddraht 51, wodurch der Chippad 61 gegen Überspannung geschützt ist. Durch die Form der Nadelspitze 51b und den Abstand der Nadelspitze 51b von der metallischen Abdeckung 71 lässt sich der Schwellwert, bei dem die Gasentladung auftritt, bzw. die Zündspannung einstellen.

In obigen Ausführungsbeispielen ist der Aufbau eines BGA-Gehäuses mit einer ESD-Schutzvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung gezeigt. Alternativen sind jedoch auch andere Gehäuse wie beispielsweise MQFP- oder TQFP-Gehäuse, die durch eine derart ausgeführte ESD-Schutzvorrichtung gegen Überlast geschützt sein können. Alternativen sind sogar Anschlüsse von elektrischen Bauteilen, die sich durch einen mit dem Edelgas 81 gefüllten Hohlraum hindurch erstrecken.

In obigen Ausführungsbeispielen ist der Hohlraum vorzugsweise mit dem Edelgas 81 gefüllt. Alternativen hierzu sind jedoch auch Gase anderer Art. Auch der Chip 11 in obigen Ausführungsbeispielen könnte alternativ als beliebiges elektrisches Bauelement ausgeführt sein, das über den internen Anschluss 61 mit dem externen Anschluss 31 verbunden ist.

Auch der Bonddraht 51 könnte alternativ als beliebige elektrische Leiterbahn, wie auch beispielsweise eine auf einem Gehäusesubstrat 21 aufgebrachte elektrisch leitende Schicht, ausgeführt sein.

In obigen Ausführungsbeispielen ist die Abdeckung 71 aus einem metallischen Material ausgeführt. Eine Alternative wäre jedoch auch eine Abdeckung aus einem leitenden nichtmetallischen Material, wie beispielsweise eine hochdotierte Halbleiterschicht oder eine auf der Abdeckung 71, die in diesem Fall aus einem isolierenden Material ausgeführt ist, aufgebrachte Elektrode, die vorzugsweise in der Nähe der Nadelspitze 51b angeordnet ist.

In obigen Ausführungsbeispielen ist der Schutz des Chips 11 über die ESD-Schutzvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung realisiert, wobei an dem Chippad 61 eine ESD-Schutzdiode, die auf dem Chip 11 aufgebracht ist, angeschlossen ist. Alternativ kann jedoch die ESD-Schutzvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung auch zusammen mit einer an dem Chippad 61 extern angeschlossenen Diode realisiert sein.

Während diese Erfindung in Bezug auf mehrere bevorzugte Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, gibt es Abänderungen, Permutationen und Äquivalente, die in den Schutzbereich dieser Erfindung fallen. Es sollte ebenso angemerkt werden, dass es viele alternative Weisen zum Implementieren der Verfahren und Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung gibt. Es ist deshalb beabsichtigt, dass die folgenden beigefügten Ansprüche interpretiert werden sollen, um alle derartigen Abänderungen, Permutationen und Äquivalenten als in die wahre Wesensart und den Schutzbereich der vorliegenden Erfindung fallend zu umfassen.

11Chip 21Gehäusesubstrat 31Kupferleiterbahn 41Lötkugel 51aBonddrahtende 51bNadelspitze 61Chippad 71Abdeckung 81Edelgas

Anspruch[de]
  1. ESD-Schutzvorrichtung für ein elektrisches Bauelement mit einer Schaltungsstruktur, die einen internen Anschluss aufweist, der über eine leitfähige Verbindung mit einem externen Anschluss des elektrischen Bauelements verbunden ist, mit:

    einem Gas-gefüllten Hohlraum, durch den sich die leitfähige Verbindung zumindest teilweise erstreckt; und

    einer Bezugselektrode in dem Hohlraum,

    wobei die leitfähige Verbindung derart in dem Hohlraum angeordnet ist, dass bei Anliegen eines Potentials an dem externen Anschluss, welches einen vorbestimmten Schwellwert übersteigt, eine Gasentladung von der leitfähigen Verbindung zu der Bezugselektrode erfolgt.
  2. ESD-Schutzvorrichtung gemäß Anspruch 1, bei der die leitfähige Verbindung einen Bonddraht (51) umfasst.
  3. ESD-Schutzvorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2, bei der sich ein Drahtstück von der leitfähigen Verbindung zu der Bezugselektrode hin erstreckt, so dass die Gasentladung zwischen einem Abschnitt des Drahtstücks und der Bezugselektrode erfolgen kann.
  4. ESD-Schutzvorrichtung gemäß Anspruch 3, bei der der Abschnitt des Drahtstücks, zwischen dem und der Bezugselektrode die Gasentladung erfolgen kann, nadelförmig geformt ist.
  5. ESD-Schutzvorrichtung gemäß Anspruch 3 oder 4, bei der der Abschnitt des Drahtstücks, zwischen dem und der Bezugselektrode die Gasentladung erfolgen kann, an einem Ende des Drahtstücks angeordnet ist.
  6. ESD-Schutzvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, bei der der Hohlraum zwischen einem Gehäusesubstrat (21), auf dem die Schaltungsstruktur aufgebracht ist, und einer Abdeckung (71), die auf dem Gehäusesubstrat angebracht ist, angeordnet ist.
  7. ESD-Schutzvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, bei der der interne Anschluss oder der externe Anschluss auf dem Gehäusesubstrat aufgebracht ist.
  8. ESD-Schutzvorrichtung gemäß Anspruch 6 oder 7, bei der die Bezugselektrode auf der Abdeckung (71) aufgebracht ist.
  9. ESD-Schutzvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 6 bis 8, bei der die Abdeckung aus einem leitfähigen Material gefertigt ist, so dass die Bezugselektrode durch die Abdeckung gebildet ist.
  10. ESD-Schutzvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, bei der die Bezugselektrode mit einem Masseanschluss oder einem Versorgungsspannungsanschluss der Schaltungsstruktur leitend verbunden ist.
  11. ESD-Schutzvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, bei der ein Gas in dem Gas-gefüllten Hohlraum ein Edelgas (81) umfasst.
  12. Elektrisches Bauelement mit,

    einer Schaltungsstruktur, die einen internen Anschluss aufweist, der über eine leitfähige Verbindung mit einem externen Anschluss des elektrischen Bauelements verbunden ist;

    einer ESD-Schutzvorrichtung; und

    einer ESD-Schutzdiode, die an der Schaltungsstruktur angeschlossen ist,

    wobei die ESD-Schutzvorrichtung folgende Merkmale aufweist:

    einen Gas-gefüllten Hohlraum, durch den sich die leitfähige Verbindung zumindest teilweise erstreckt; und

    eine Bezugselektrode in dem Hohlraum,

    wobei die leitfähige Verbindung derart in dem Hohlraum angeordnet ist, dass bei Anliegen eines Potentials an dem externen Anschluss, welches einen vorbestimmten Schwellwert übersteigt, eine Gasentladung von der leitfähigen Verbindung zu der Bezugselektrode erfolgt.
Es folgt ein Blatt Zeichnungen






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