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Dokumentenidentifikation DE60301608T2 14.06.2006
EP-Veröffentlichungsnummer 0001429414
Titel Nichtreziproke Schaltungsvorrichtung und Kommunikationsvorrichtung
Anmelder Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo, Kyoto, JP
Erfinder Yoneda, Shinichi, Nagaokakyo-shi, Kyoto-fu 617-8555, JP
Vertreter Schoppe, Zimmermann, Stöckeler & Zinkler, 82049 Pullach
DE-Aktenzeichen 60301608
Vertragsstaaten AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LI, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR
Sprache des Dokument EN
EP-Anmeldetag 18.11.2003
EP-Aktenzeichen 030265748
EP-Offenlegungsdatum 16.06.2004
EP date of grant 14.09.2005
Veröffentlichungstag im Patentblatt 14.06.2006
IPC-Hauptklasse H01P 1/387(2006.01)A, F, I, 20051017, B, H, EP
IPC-Nebenklasse H01P 1/36(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, EP   

Beschreibung[de]
Hintergrund der Erfindung 1. Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine nichtreziproke Schaltungsvorrichtung und insbesondere auf eine nichtreziproke Schaltungsvorrichtung, wie z. B. einen Isolator, zur Verwendung in einem Mikrowellenband und eine Kommunikationsvorrichtung, die eine derartige nichtreziproke Schaltungsvorrichtung umfasst.

2. Beschreibung der verwandten Technik

Bei einer Mobilkommunikationsvorrichtung, wie z. B. einem tragbaren Telefon, wird eine nichtreziproke Schaltungsvorrichtung, wie z. B. ein Isolator oder ein Zirkulator, normalerweise verwendet, um ein Signal in nur eine Richtung zu senden, ohne zuzulassen, dass das Signal in die entgegengesetzte Richtung geht.

Allgemein umfasst eine derartige nichtreziproke Schaltungsvorrichtung einen Permanentmagneten, eine Mittelelektrodenanordnung, an die durch den Permanentmagneten ein festes Magnetfeld angelegt wird, und ein Metallgehäuse, in dem der Permanentmagnet und die Mittelelektrodenanordnung angeordnet sind.

Wie es in 12 gezeigt ist, offenbart die japanische ungeprüfte Patentanmeldung Veröffentlichungsnummer 2002-76711 (entspricht der US 2002/079981 A1) eine Mittelelektrodenanordnung 201, die ein blockförmiges Mikrowellenferrit 231, Mittelelektroden 221 bis 223, isolierende Filme 226, Seitenelektroden (Durchgangslochelektroden) 224 und eine Masseelektrode 225 umfasst.

Drei Paare von Mittelelektroden 221 bis 223 sind an einer Oberfläche 231a (eine Poloberfläche) des Ferrits 231 angeordnet, und isolierende Filme 226 sind zwischen jeweiligen benachbarten Paaren von Mittelelektroden angeordnet. Beide Enden von jeder der Mittelelektroden 221 bis 223 sind jedes in Ecken des Ferrits 231 mit Seitenelektroden 224 verbunden, die an Seitenoberflächen 231c des Ferrits 231 bereitgestellt sind. Ein Ende von jeder der Mittelelektroden 221 bis 223 ist elektrisch über eine Seitenelektrode 224 mit einer Masseelektrode 225 verbunden, die über im Wesentlichen die gesamte untere Oberfläche 231b angeordnet ist. Die Seitenelektroden, die mit den anderen Enden der jeweiligen Mittelelektroden 221 bis 223 verbunden sind, definieren Tore P1, P2 und P3. Die Tore P1 bis P3 werden verwendet, um die Mittelelektrodenanordnung 201 mit einer externen Schaltung zu verbinden. Jedes der Tore P1 bis P3 ist von der Masseelektrode 224 durch einen Zwischenraum 228 getrennt.

Die Mittelelektroden 221 bis 223 sind aus einem leitfähigen Material, wie z. B. Silber, durch Siebdrucken oder andere geeignete Verfahren gebildet. Die Seitenelektroden 224 werden wie folgt gebildet. Zuerst werden Löcher durch das Ferrit 231 gebildet, derart, dass sich die Löcher von der oberen Oberfläche zu der unteren Oberfläche des Ferrits 231 erstrecken. Eine leitfähige Paste wird dann in die Durchgangslöcher gefüllt, oder ein plattierter Film wird an der Innenwand jedes Durchgangsloches gebildet. Schließlich wird jedes Durchgangsloch in seiner Mitte durchgeschnitten.

Die isolierenden Filme 226 werden aus Glas oder einem anderen geeigneten Material durch ein Siebdrucken oder andere geeignete Verfahren über fast die gesamte Oberfläche 231a des Ferrits 231 gebildet, mit Ausnahme eines Randbereichs, derart, dass die Mittelelektroden 221 bis 223, die einander kreuzen, voneinander durch die isolierenden Filme 226 getrennt sind. Da die isolierenden Filme 226 nur bereitgestellt sind, um die jeweiligen Schichten der Mittelelektroden 221223 voneinander zu isolieren, ist eine große Ausrichtungstoleranz beim Strukturieren der Mittelelektroden 221223 akzeptabel. Somit ist die Ausrichtungsgenauigkeit, die bei gewöhnlichen Siebdrucktechniken erhalten wird, ausreichend.

Bei der Mittelelektrodenanordnung 201, die in der japanischen ungeprüften Patentanmeldung Veröffentlichungsnummer 2002-76711 offenbart ist, weisen die Mittelelektroden 221 bis 223, die an der Oberfläche 231a des Ferrits 231 bereitgestellt sind, jedoch eine geringe gleichmäßige Dicke auf, und somit sind, wie es in einem Kreis A in 13 gezeigt ist, die Seitenelektroden 224 und die entsprechenden Mittelelektroden 221223 miteinander über einen kleinen Kontaktbereich verbunden. Dies führt zu einer schlechten Verbindungszuverlässigkeit.

Um das im Vorhergehenden beschriebene Problem zu vermeiden, wurde vorgeschlagen, die Dicke über die gesamten Mittelelektroden 221 bis 223 derart zu erhöhen, dass die Mittelelektroden 221 bis 223 mit den entsprechenden Seitenelektroden 224 über einen vergrößerten Kontaktbereich verbunden werden können. Es ist jedoch schwierig, die Dicke der gesamten Mittelelektroden 221 bis 223 durch Siebdrucken zu erhöhen. Außerdem führt die Zunahme der Dicke über die gesamten Mittelelektroden 221 bis 223 zu einer Zunahme der Gesamtdicke der Mittelelektrodenanordnung 201, und somit ist es unmöglich, der Anforderung einer Verringerung der Dicke der Mittelelektrodenanordnung 201 zu genügen.

Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine nichtreziproke Schaltungsvorrichtung zu schaffen, die eine stark verbesserte Verbindungszuverlässigkeit zwischen Mittelelektroden und Seitenelektroden aufweist, ohne die Dicke derselben zu erhöhen, und ein Verfahren zum Herstellen einer derartigen Vorrichtung zu schaffen.

Diese Aufgabe wird durch eine nichtreziproke Schaltungsvorrichtung gemäß Anspruch 1 und ein Verfahren gemäß Anspruch 13 gelöst.

Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung liefert eine nichtreziproke Schaltungsvorrichtung, die eine Mittelelektrodenanordnung umfasst, die ein Ferrit, eine Mehrzahl von Mittelelektroden und eine Mehrzahl von isolierenden Filmen, die in einer Mehrschichtstruktur an einer Oberfläche des Ferrits angeordnet sind, und eine Mehrzahl von Seitenelektroden, die an Seitenoberflächen des Ferrits bereitgestellt sind, umfasst, wobei jeder Endabschnitt von jeder Mittelelektrode, die an der Oberfläche des Ferrits bereitgestellt ist, eine Dicke aufweist, die größer als die Dicke des anderen Abschnitts jeder Mittelelektrode ist, und wobei jeder dicke Endabschnitt jeder Mittelelektrode mit einer entsprechenden Seitenelektrode verbunden ist.

Jeder dicke Endabschnitt jeder Mittelelektrode ist bevorzugt durch ein leitfähiges Material definiert, das in entsprechende Öffnungen (ausgenommene Abschnitte) gefüllt ist, die in Randabschnitten der isolierenden Filme bereitgestellt sind. Insbesondere wird die Dicke jedes Endabschnitts der Mittelelektrode in der untersten Schicht der Mehrschichtstruktur an der Oberfläche des Ferrits bevorzugt durch ein leitfähiges Material erhöht, das in eine entsprechende Öffnung (ausgenommener Abschnitt) gefüllt ist, die in den isolierenden Filmen an der oberen Oberfläche des Endabschnitts bereitgestellt ist. Die Dicke jedes Endabschnitts der Mittelelektrode in der obersten Schicht der Mehrschichtstruktur an der Oberfläche des Ferrits wird bevorzugt durch ein leitfähiges Material erhöht, das in eine entsprechende Öffnung (ausgenommener Abschnitt) gefüllt ist, die in den isolierenden Filmen an der unteren Oberfläche des Endabschnitts bereitgestellt ist. Bevorzugt sind die Mittelelektroden aus einem photoempfindlichen leitfähigen Material gebildet, und die isolierenden Filme sind aus einem photoempfindlichen isolierenden Material gebildet.

Bei der Struktur gemäß bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung ist jede Mittelelektrode über einen verdickten Endabschnitt der Mittelelektrode mit einer entsprechende Seitenelektrode verbunden, um den Kontaktbereich zwischen denselben zu vergrößern. Andererseits wird die Dicke der anderen Abschnitte jeder Mittelelektrode, bei denen es sich nicht um die Endabschnitte handelt, nicht erhöht. Da die Dicke der Endabschnitte der Mittelelektroden in der obersten Schicht nach unten erhöht wird, erfolgt keine Zunahme der Gesamtdicke der Mittelelektrodenanordnung.

Ein weiteres bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung liefert eine Kommunikationsvorrichtung, die eine nichtreziproke Schaltungsvorrichtung umfasst, die die im Vorhergehenden beschriebenen Merkmale aufweist, und somit eine verbesserte Verbindungszuverlässigkeit und eine verringerte Dicke aufweist.

Bei bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung werden, wie es im Vorhergehenden beschrieben ist, Verbindungen zwischen Mittelelektroden und den entsprechenden Seitenelektroden über verdickte Endabschnitte der Mittelelektroden derart erreicht, dass die Verbindungen vergrößerte Kontaktbereiche aufweisen. Andererseits wird die Dicke der anderen Abschnitte jeder Mittelelektrode, bei denen es sich nicht um die Endabschnitte handelt, nicht erhöht. Da die Dicke der Endabschnitte der Mittelelektroden in der obersten Schicht nach unten erhöht wird, erfolgt keine Zunahme der Gesamtdicke der Mittelelektrodenanordnung. Somit weisen die nichtreziproke Schaltungsvorrichtung und die Kommunikationsvorrichtung gemäß bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung eine stark verbesserte Verbindungszuverlässigkeit auf, ohne die Gesamtdicke derselben zu erhöhen.

Die genannten und andere Elemente, Charakteristika, Merkmale, Schritte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele zusammen mit den beiliegenden Zeichnungen ersichtlich.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

1 ist eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht einer nichtreziproken Schaltungsvorrichtung gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;

2 ist eine Grundrissansicht, die ein Beispiel eines Prozesses zum Erzeugen der Mittelelektroden, die in 1 gezeigt sind, zeigt;

3 ist eine Grundrissansicht, die einen Prozess zeigt, der demjenigen folgt, der in 2 gezeigt ist;

4 ist eine Grundrissansicht, die einen Prozess zeigt, der demjenigen folgt, der in 3 gezeigt ist;

5 ist eine Grundrissansicht, die einen Prozess zeigt, der demjenigen folgt, der in 4 gezeigt ist;

6 ist eine Grundrissansicht, die einen Prozess zeigt, der demjenigen folgt, der in 5 gezeigt ist;

7 ist eine Grundrissansicht, die einen Prozess zeigt, der demjenigen folgt, der in 6 gezeigt ist;

8A, 8B und 8C sind vertikale Querschnittsansichten, die Verbin dungen zwischen einem Endabschnitt einer Mittel elektrode und einer Seitenelektrode zeigen;

9 ist eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht eines Mehrschichtsubstrats, das in 1 gezeigt ist;

10 ist ein Schaltbild, das eine elektrische Ersatzschaltung der nichtreziproken Schaltungsvorrichtung zeigt, die in 1 gezeigt ist;

11 ist ein Blockdiagramm, das eine Kommunikationsvorrichtung gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;

12 ist eine perspektivische Ansicht, die das äußere Erscheinungsbild einer Mittelelektrodenanordnung gemäß einer herkömmlichen Technik zeigt; und

13 ist eine vertikale Querschnittsansicht, die eine Verbindung zwischen einem Endabschnitt einer Mittelelektrode und einer Seitenelektrode gemäß einer herkömmlichen Technik zeigt.

Detaillierte Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele

Die vorliegende Erfindung wird im Folgenden unter Bezugnahme auf bevorzugte Ausführungsbeispiele einer nichtreziproken Schaltungsvorrichtung und einer Kommunikationsvorrichtung zusammen mit den beiliegenden Zeichnungen näher beschrieben.

Erstes bevorzugtes Ausführungsbeispiel (1 bis 10)

1 ist eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht einer nichtreziproken Schaltungsvorrichtung gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Bei diesem spezifischen bevorzugten Ausführungsbeispiel handelt es sich bei der nichtreziproken Schaltungsvorrichtung 1 bevorzugt um einen Isolator mit konzentrierten Elementen. Wie es in 1 gezeigt ist, umfasst der Isolator mit konzentrierten Elementen bevorzugt ein Metallgehäuse, das ein oberes Metallgehäuse 4 und ein unteres Metallgehäuse 8 umfasst, eine Mittelelektrodenanordnung 13, die einen Permanentmagneten 9, ein Ferrit 20 und Mittelelektroden 21 bis 23 umfasst, und ein Mehrschichtsubstrat 30.

Das obere Metallgehäuse 4 weist im Wesentlichen eine Kastenform auf, die einen oberen Abschnitt 4a und vier Seitenabschnitte 4b umfasst. Das untere Metallgehäuse 8 umfasst einen unteren Abschnitt 8a und einen rechten und linken Seitenabschnitt 8b. Um eine magnetische Schaltung zu liefern, sind das obere Metallgehäuse 4 und das untere Metallgehäuse 8 bevorzugt aus einem ferromagnetischen Material, wie z. B. Weicheisen, hergestellt, und die Oberflächen derselben sind mit Silber, Kupfer oder einem anderen geeigneten Material plattiert.

Die Mittelelektrodenanordnung 13 umfasst ein Mikrowellenferrit 20, das eine im Wesentlichen rechteckige Blockform aufweist, und drei Sätze von Mittelelektroden 21 bis 23, die an der oberen Oberfläche des Mikrowellenferrits 20 derart bereitgestellt sind, dass die Mittelelektroden 21 bis 23 einander mit etwa 120° über die isolierenden Schichten (in 1 nicht gezeigt) kreuzen. Bei diesem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel umfasst jeder der Mittelelektrodensätze 21 bis 23 zwei Linien von Elektroden.

Zum Beispiel kann die Mittelelektrodenanordnung 13 wie folgt hergestellt werden. Zuerst wird, wie es in 2 gezeigt ist, eine Struktur eines Satzes von Mittelelektroden 22 in jedem Einheitsbereich S der oberen Oberfläche eines Ferritmuttersubstrats 20 mit einer Größe von etwa 10,16 × 10,16 cm (4 × 4 Zoll) durch ein Drucken eines photoempfindlichen Dickfilms gebildet. Es sei darauf hingewiesen, dass das Ferritmuttersubstrat 20 in einzelne Mittelelektrodenanordnungen in Bereichen S (die eine typische Größe von 1 bis 3 mm aufweisen) geteilt wird, indem dasselbe entlang Schnittlinien geschnitten wird, die durch lange und kurze gestrichelte Linien L dargestellt sind, die in 2 gezeigt sind.

Bei dem Drucken des photoempfindlichen Dickfilms wird eine photoempfindliche leitfähige Paste gleichmäßig mit einer bestimmten Dicke über im Wesentlichen die gesamte Oberfläche des Ferritmuttersubstrats 20 durch ein Siebdrucken oder ein anderes geeignetes Verfahren aufgetragen. Der photoempfindliche leitfähige Film wird dann über eine Photomaskenstruktur mit einem ultravioletten Strahl beleuchtet (belichtet). Danach wird der photoempfindliche leitfähige Film durch ein Aufsprühen einer schwachen alkalischen Lösung ausgesetzt, derart, dass nicht ausgesetzte Abschnitte des photoempfindlichen leitfähigen Filmes geätzt (entwickelt) werden, um dadurch Mittelelektroden 22 zu bilden. Die Mittelelektroden 22 werden dann gebacken, um Endmittelelektroden 22 mit einer Dicke von etwa 10 &mgr;m (typischer Wert) zu erhalten.

Danach wird eine photoempfindliche isolierende Paste unter Verwendung von Siebdrucken oder einem anderen geeigneten Verfahren über im Wesentlichen die gesamte Oberfläche des Ferritmuttersubstrats 20 derart aufgetragen, dass die Mittelelektroden 22 mit der photoempfindlichen isolierenden Paste bedeckt sind, und die photoempfindliche isolierende Paste wird getrocknet. Der photoempfindliche isolierende Film wird dann über eine Photomaskenstruktur mit einem ultravioletten Strahl beleuchtet (belichtet). Danach wird der photoempfindliche isolierende Film durch ein Aufsprühen einer schwachen alkalischen Lösung ausgesetzt, so dass nicht ausgesetzte Abschnitte des photoempfindlichen isolierenden Filmes geätzt (entwickelt) werden, wodurch ein isolierender Film 50 gebildet wird, der Öffnungen (ausgenommene Abschnitte) 50a aufweist, wie es in 3 gezeigt ist. Der isolierende Film 50 wird dann gebacken, um einen endgültigen isolierenden Film 50 mit einer Dicke von etwa 20 &mgr;m (typischer Wert) zu erhalten. Jedes Ende von jeder der Mittelelektroden 22 ist in einer der Öffnungen (ausgenommene Abschnitte) 50a freiliegend.

Danach wird eine photoempfindliche leitfähige Paste gleichmäßig mit einer bestimmten Dicke über im Wesentlichen die gesamte Oberfläche des Ferritmuttersubstrats 20 aufgetragen, und die photoempfindliche leitfähige Paste wird getrocknet. Bei diesem Auftragungsprozess wird jede Öffnung (ausgenommener Abschnitt) 50a vollständig mit photoempfindlicher leitfähiger Paste gefüllt. Der photoempfindliche leitfähige Film wird dann über eine Photomaskenstruktur mit einem ultravioletten Strahl beleuchtet (belichtet). Danach wird der photoempfindliche leitfähige Film durch ein Aufsprühen einer schwachen alkalischen Lösung ausgesetzt, derart, dass nicht ausgesetzte Abschnitte des photoempfindlichen leitfähigen Filmes geätzt (entwickelt) werden, um dadurch gleichzeitig Mittelelektroden 21 und eingefüllte Elektroden 24a und 24b zu bilden. Bei diesem Prozess werden die eingefüllten Elektroden 24a in den jeweiligen Öffnungen (ausgenommenen Abschnitten) 50a gebildet, wo Endabschnitte der Mittelelektroden 22 angeordnet sind, und die eingefüllten Elektroden 24b werden auf dem isolierenden Film 50 an Orten gebildet, wo Endabschnitte der Mittelelektroden 23 angeordnet sind.

Die Mittelelektroden 21 und die eingefüllten Elektroden 24a und 24b werden gebacken, wodurch Endformen der Mittelelektroden 21 und der eingefüllten Elektroden 24b, die beide eine Dicke von etwa 10 &mgr;m (typischer Wert) aufweisen, und der eingefüllten Elektroden 24a erhalten werden, die eine Dicke von etwa 30 &mgr;m aufweisen. Die Mittelelektroden 21 und die eingefüllten Elektroden 24b werden auf der Oberfläche des isolierenden Films 50 gebildet, und die eingefüllten Elektroden 24a werden auf den jeweiligen Mittelelektroden 22 gebildet, die in den Öffnungen (ausgenommenen Abschnitten) 50a freiliegen. Es sei darauf hingewiesen, dass die Mittelelektroden 21 und die eingefüllten Elektroden 24a und 24b derart gebildet werden, dass sich obere Oberflächen derselben in einer im Wesentlichen gleichen Höhe befinden.

Danach wird unter Verwendung eines Siebdruckens oder eines anderen geeigneten Prozesses eine photoempfindliche isolierende Paste über die im Wesentlichen gesamte Oberfläche des Ferritmuttersubstrats 20 derart aufgetragen, dass die Mittelelektroden 21 und die eingefüllten Elektroden 24a und 24b mit der photoempfindlichen isolierenden Paste bedeckt sind, und die photoempfindliche isolierende Paste wird getrocknet. Der photoempfindliche isolierende Film wird dann über eine Photomaskenstruktur mit einem ultravioletten Strahl beleuchtet (belichtet). Danach wird der photoempfindliche isolierende Film durch ein Aufsprühen einer schwachen alkalischen Lösung ausgesetzt, so dass nicht ausgesetzte Abschnitte des photoempfindlichen isolierenden Filmes geätzt (entwickelt) werden, wodurch ein isolierender Film 51 gebildet wird, der Öffnungen (ausgenommene Abschnitte) 51a, 51b und 51c aufweist, wie es in 5 gezeigt ist. Der isolierende Film 51 wird dann gebacken. Dabei liegt ein Ende jeder Mittelelektrode 21 in einem Linkshälftenabschnitt von einer der Öffnungen (ausgenommene Abschnitte) 51a frei, und eine der eingefüllten Elektroden 24a liegt in dem Rechtshälftenabschnitt dieser Öffnung (ausgenommene Abschnitte) 51a frei. Und eine der eingefüllten Elektroden 24a liegt in einem Linkshälftenabschnitt jeder Öffnung (ausgenommener Abschnitt) 51b frei, und das andere Ende jeder Mittelelektrode 21 liegt in dem Rechtshälftenabschnitt dieser Öffnung (ausgenommener Abschnitt) 51b frei. Eine eingefüllte Elektrode 24b liegt in jeder Öffnung (ausgenommener Abschnitt) 51c frei.

Danach wird eine photoempfindliche leitfähige Paste gleichmäßig mit einer bestimmten Dicke über im Wesentlichen die gesamte Oberfläche des Ferritmuttersubstrats 20 aufgetragen, und die photoempfindliche leitfähige Paste wird getrocknet. Bei diesem Auftragungsprozess werden die Öffnungen (ausgenommenen Abschnitte) 51a, 51b und 51c vollständig mit photoempfindlicher leitfähiger Paste gefüllt. Der photoempfindliche leitfähige Film wird dann über eine Photomaskenstruktur mit einem ultravioletten Strahl beleuchtet (belichtet). Danach wird der photoempfindliche leitfähige Film durch ein Aufsprühen einer schwachen alkalischen Lösung ausgesetzt, so dass nicht ausgesetzte Abschnitte des photoempfindlichen leitfähigen Filmes geätzt (entwickelt) werden, um dadurch gleichzeitig Mittelelektroden 23 und eingefüllte Elektroden 25a, 25b und 25c zu bilden. Bei dem im Vorhergehenden beschriebenen Prozess umfasst jede eingefüllte Elektrode 25a einen Rechtshälftenabschnitt einer Öffnung (ausgenommener Abschnitt) 51a und in einem Linkshälftenabschnitt einer Öffnung (ausgenommener Abschnitt) 51b. Das heißt, die eingefüllten Elektroden 25a werden an Orten gebildet, an denen beide Enden der Mittelelektroden 22 angeordnet sind. Andererseits umfasst jede eingefüllte Elektrode 25b einen Linkshälftenabschnitt einer Öffnung (ausgenommener Abschnitt) 51a und in einem Rechtshälftenabschnitt einer Öffnung (ausgenommener Abschnitt) 51b. Das heißt, die eingefüllten Elektroden 25b werden an Orten gebildet, an denen beide Enden der Mittelelektroden 21 angeordnet sind. Jede eingefüllte Elektrode 25c wird in einer der Öffnungen (ausgenommene Abschnitte) 51c gebildet, wo beide Enden der Mittelelektroden 23 angeordnet sind.

Die Mittelelektroden 23 und die eingefüllten Elektroden 25a, 25b und 25c werden gebacken, um die Endmittelelektroden 23, die eine Dicke von etwa 20 &mgr;m (typischer Wert) aufweisen, die eingefüllten Elektroden 25a und 25c, die eine Dicke von etwa 30 &mgr;m (typischer Wert) aufweisen, und die eingefüllten Elektroden 25b, die eine Dicke von etwa 20 &mgr;m aufweisen, zu erhalten. Die Mittelelektroden 23 werden an der Oberfläche des isolierenden Films 51 gebildet, und die eingefüllten Elektroden 25a werden auf den jeweiligen eingefüllten Elektroden 24a gebildet, die in den rechten Hälften der Öffnungen (ausgenommene Abschnitte) 51a oder in den linken Hälften der Öffnungen (ausgenommene Abschnitte) 51b freiliegen. Die eingefüllten Elektroden 25b werden auf den jeweiligen Mittelelektroden 21 gebildet, die in den linken Hälften der Öffnungen (ausgenommene Abschnitte) 51a oder in den rechten Hälften der Öffnungen (ausgenommene Abschnitte) 51b freiliegen, und die eingefüllten Elektroden 25c werden auf den jeweiligen eingefüllten Elektroden 24b gebildet, die in den Öffnungen (ausgenommene Abschnitte) 51c freiliegen. Es sei darauf hingewiesen, dass die Mittelelektroden 23 und die eingefüllten Elektroden 25a bis 25c derart gebildet werden, dass obere Oberflächen derselben auf ungefähr der gleichen Höhe liegen.

Bei der im Vorhergehenden beschriebenen Verarbeitung werden die Mittelelektroden 21 bis 23, die eingefüllten Elektroden 24a, 24b, 25a, 25b und 25c und die isolierende Filme 50 aufeinander folgend aufeinander gebildet. Gefaltete Elektroden 26 (1) werden dann an der unteren Oberfläche des Ferritmuttersubstrats 20 durch Siebdrucken, Sputtern, Aufdampfung, Bonden, Plattieren oder eine andere geeignete Technik gebildet.

Dann wird dass Ferritmuttersubstrat 20 entlang Schnittlinien, die durch lange und kurze gestrichelte Linien dargestellt sind, geschnitten, wodurch das Ferritmuttersubstrat 20 in einzelne Mittelelektrodenanordnungen geteilt wird. Das Schneiden kann z. B. unter Verwendung eines Lasers oder durch Vereinzelung erfolgen. Nach dem Abschluss des Schneidens werden, wie es in 7 gezeigt ist, Seitenelektroden 27 auf den vier Seitenoberflächen jedes Ferritblocks 20 gebildet, der über den Schneideprozess erhalten wird. Somit liefert die vorliegende Erfindung, wie im Vorhergehenden beschrieben, ein hervorragendes Massenproduktionsverfahren für die Mittelelektrodenanordnung 13.

Bei der Mittelelektrodenanordnung 13 werden die isolierenden Filme 50 und 51 über im Wesentlichen die gesamte Oberfläche des Ferrits 20 derart gebildet, dass die Mittelelektroden 21 bis 23 elektrisch voneinander isoliert sind. In einem Randabschnitt der isolierenden Filme 50 und 51 werden Öffnungen (ausgenommene Abschnitte) 50a, 51b und 51c an Orten gebildet, an denen Enden der jeweiligen Mittelelektroden 21 bis 23 angeordnet sind. In den Öffnungen (ausgenommenen Abschnitten) 50a, 51a, 51b und 51c werden eingefüllte Elektroden 24a, 24b, 25a oder 25c gebildet. Unter Verwendung dieser eingefüllten Elektroden 24a, 24b, 25a, 25b und 25c werden die Dicken beider Enden von jeder der Mittelelektroden 21 bis 23, die mit den entsprechenden Seitenelektroden 27 verbunden sind, relativ zu den Dicken der anderen Abschnitte der Mittelelektroden 21 bis 23 erhöht.

Im Einzelnen werden beide Endabschnitte (z. B. in Bereichen, die in 7 durch Kreise A dargestellt sind) der Mittelelektroden 22 in der untersten Schicht der Mehrschichtstruktur an der oberen Oberfläche des Ferrits 20 durch ein Bilden der eingefüllten Elektroden 24a und 25a in den Öffnungen (ausgenommenen Abschnitten) 50a und 51a in den jeweiligen isolierenden Filmen 50 und 51 an der oberen Oberfläche der Endabschnitte der Mittelelektroden 22 in der untersten Schicht verdickt, wie es in 8A gezeigt ist. Das heißt, an beiden Enden der Mittelelektroden 22 wird die Dicke nach oben auf etwa 70 &mgr;m (typischer Wert) erhöht, was mehr ist als die Dicke von etwa 10 &mgr;m (typischer Wert) der anderen Abschnitte der Mittelelektroden 22. Infolgedessen sind die Mittelelektroden 22 mit den entsprechenden Seitenelektroden 27 elektrisch über einen Kontaktbereich verbunden, der zumindest dreimal größer ist als derjenige gemäß der herkömmlichen Technik.

Auf ähnliche Weise werden die beiden Endabschnitte (in Bereichen, die in 7 durch Kreise B dargestellt sind) der Mittelelektroden 21 in der zweiten Schicht durch ein Bilden der eingefüllten Elektroden 25b in den Öffnungen (ausgenommenen Abschnitten) 51b in dem isolierenden Film 51 an der oberen Oberfläche der Endabschnitte der Mittelelektroden 21 in der zweiten Schicht verdickt, wie es in 8B gezeigt ist. Das heißt, an beiden Enden der Mittelelektroden 21 wird die Dicke nach oben auf etwa 40 &mgr;m (typischer Wert) erhöht, was mehr ist als die Dicke von etwa 10 &mgr;m (typischer Wert) der anderen Abschnitte der Mittelelektroden 21. Infolgedessen sind die Mittelelektroden 21 mit den entsprechenden Seitenelektroden 27 elektrisch über einen Kontaktbereich verbunden, der zumindest zweimal größer ist als derjenige gemäß der herkömmlichen Technik.

Ferner werden beide Enden (z. B. in Bereichen, die in 7 durch Kreise C dargestellt sind) der Mittelelektroden 23 in der obersten Schicht (dritte Schicht) an der oberen Oberfläche des Ferrits 20 durch die eingefüllten Elektroden 24b und 25c verdickt, die in den Öffnungen (ausgenommenen Abschnitten) 51c in dem isolierenden Film 51 an der unteren Oberfläche der Mittelelektroden 23 in der obersten Schicht gebildet sind, wie es in 8C gezeigt ist. Das heißt, an beiden Enden der Mittelelektroden 23 wird die Dicke nach unten auf etwa 40 &mgr;m (typischer Wert) erhöht, was mehr ist als die Dicke von etwa 10 &mgr;m (typischer Wert) der anderen Abschnitte der Mittelelektroden 23. Infolgedessen sind die Mittelelektroden 23 mit den entsprechenden Seitenelektroden 27 elektrisch über einen Kontaktbereich verbunden, der zumindest etwa zweimal größer ist als derjenige gemäß der herkömmlichen Technik.

Es sei darauf hingewiesen, dass außer bei Endabschnitten die Dicke von jeder der Mittelelektroden 21 bis 23 ähnlich oder gleich derjenigen der herkömmlichen Technik ist. Da außerdem die Dicke von jedem Ende der Mittelelektroden 23 in der obersten Schicht nach unten erhöht wird, erhöht die erhöhte Dicke von Endabschnitten nicht die Gesamtdicke der Mittelelektrodenanordnung 13.

Bei der Mittelelektrodenanordnung 13 können die Mittelelektroden 21 bis 23 und die isolierenden Filme 50 und 51, die komplizierte Strukturen auf dem Ferrit 20 aufweisen, unter Verwendung des Photoempfindlicher-Dickfilm-Druckverfahrens gebildet werden, das eine hervorragende Ausrichtungsgenauigkeit der unterschiedlichen Schichten untereinander liefert. Da eine Schicht-zu-Schicht-Ausrichtung für das Muttersubstrat durchgeführt wird, wird eine hervorragende Ausrichtungsgenauigkeit unabhängig von der Größe der Mittelelektrodenanordnung erreicht. Somit wird bei dem Verfahren gemäß bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung im Gegensatz zu dem herkömmlichen Verfahren, bei dem die Mittelelektrodenanordnung durch ein Wickeln einer Metallfolie um ein Ferrit erzeugt wird, die Mittelelektrodenanordnung einfach hergestellt, selbst wenn die Größe von einzelnen Mittelelektrodenanordnungen verringert ist.

Somit wird eine Mittelelektrodenanordnung 13 hergestellt, die eine stark verbesserte Verbindungszuverlässigkeit zwischen den Mittelelektroden 21 bis 23 und den entsprechenden Seitenelektroden 27 aufweist und eine verringerte Gesamtdicke aufweist.

Es sei darauf hingewiesen, dass bei diesem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel, da die isolierenden Filme 50 und 51 in etwa die gleiche Größe wie diejenige des Ferrits 20 aufweisen, der Druckprozess des photoempfindlichen Dickfilms ohne weiteres durchgeführt wird. Da außerdem die Seitenelektroden 27 an den Kanten des Ferrits nicht gebogen sind, wird keine mechanische Belastung auf die Seitenelektroden 27 an den Kanten des Ferrits ausgeübt. Dies verbessert die Zuverlässigkeit des Isolators 1 weiter. Die isolierenden Filme 50 und 51 müssen jedoch nicht die gleiche Größe wie das Ferrit 20 aufweisen.

Das Mehrschichtsubstrat 30 umfasst, wie es in 9 gezeigt ist, eine dielektrische Schicht 41, die Mittelelektrodenverbindungselektroden P1 bis P3, eine Masseverbindungselektrode 31, ein Durchgangsloch 18 umfasst, und eine dielektrische Schicht 42, die heißseitige Kondensatorelektroden 71a bis 73a, eine Schaltungselektrode 17 und einen Abschlusswiderstand R umfasst, die alle an einer Oberfläche der dielektrischen Schicht 42 bereitgestellt sind, eine dielektrische Schicht 44, die heißseitige Kondensatorelektroden 71b bis 73b umfasst, dielektrische Schichten 43 und 45, die jede eine Masseelektrode 74 umfassen, eine Eingangsanschlusselektrode 14, eine Ausgangsanschlusselektrode 15 und eine Masseanschlusselektrode 16.

Zum Beispiel kann das Mehrschichtsubstrat 30 wie folgt erzeugt werden. Die dielektrischen Schichten 41 bis 45 werden aus einem niedertemperaturgesinterten dielektrischen Material hergestellt, das als eine Hauptkomponente Al2O3 und als eine Nebenkomponente eines oder mehr von SiO2, SrO, CaO, PbO, Na2O, K2O, MgO, BaO, CeO2 und B2O3 umfasst.

Eine Schrumpfungsverhinderungsschicht 46 zum Verhindern einer longitudinalen Schrumpfung (in X-Y-Richtungen) des Mehrschichtsubstrats 30 während eines Sinterns des Mehrschichtsubstrats 30 ist unter Verwendung eines Materials bereitgestellt, das bei einer Temperatur (unter etwa 1.000°C), bei dem das Mehrschichtsubstrats 30 gesintert wird, nicht sintert. Ein Beispiel für das Material für die Schrumpfungsverhinderungsschicht 46 ist eine Mischung aus Aluminiumoxidpulver und einem Pulver von stabilisiertem Zirkoniumoxid. Die Dicken der Schichten 41 bis 46 liegen in dem Bereich von z. B. etwa 10 &mgr;m bis etwa 200 &mgr;m.

Die Elektroden P1 bis P3, 14 bis 17, 31, 71a bis 73a, 71b bis 73b und 74 werden auf den Schichten 41 bis 46 durch Siebdrucken oder ein anderes geeignetes Verfahren gebildet. Beispiele für Materialien der Elektroden P1 bis P3 usw. sind Ag, Cu und Ag-Pd, von denen jedes zur gleichen Zeit wie die dielektrischen Schichten 41 bis 45 gesintert werden kann.

Der Abschlusswiderstand R wird an der Oberfläche der dielektrischen Schicht 42 durch Siebdrucken oder ein anderes geeignetes Verfahren gebildet. Beispiele für Materialien für den Widerstand R sind Cermet, Kohlenstoff und Ruthenium.

Die Durchgangslöcher 18 zur Signalübertragung werden durch zunächst ein Bilden von Löchern in den dielektrischen Schichten 41 bis 45 durch eine maschinelle Laserstrahlfertigung oder ein Stanzen und dann ein Füllen von leitfähiger Paste in die Löcher gebildet. Allgemein wird das gleiche Material (Ag, Cu, Ag-Pd oder dergleichen) für die leitfähige Paste verwendet wie dasjenige, das für die Elektroden P1 bis P3 verwendet wird.

Anpassungskondensatoren C1, C2 und C3 werden zwischen der Masseelektrode 74 und den Kondensatorelektroden 71a, 71b, 72a, 72b, 73a und 73b gebildet, wobei jeder Anpassungskondensator dielektrische Schichten 42 bis 44 umfasst, die zwischen der Masseelektrode 74 und den jeweiligen Kondensatorelektroden angeordnet sind. Eine elektrische Schaltung wird in dem Mehrschichtsubstrat 30 unter Verwendung der Anpassungskondensatoren C1 bis C3, des Abschlusswiderstands R, der Elektroden P1 bis P3, 17 und 31 und der Signaldurchgangslöcher 18 gebildet.

Die dielektrischen Schichten 41 bis 45 werden aufeinander angeordnet, um eine Mehrschichtstruktur zu bilden, und Schrumpfungsverhinderungsschichten 46 werden an dem oberen Ende und dem unteren Ende der sich ergebenden Mehrschichtstruktur angeordnet (die Schrumpfungsverhinderungsschicht an dem oberen Ende ist in 9 nicht gezeigt). Danach wird die Mehrschichtstruktur gesintert. Nach dem Sintern wird das nicht gesinterte Schrumpfungsverhinderungsmaterial durch ein Ultraschallreinigen oder ein Nasshonen entfernt, um dadurch ein Endmehrschichtsubstrat 30 zu erhalten, wie es in 1 gezeigt ist.

Bei dem Mehrschichtsubstrat 30 sind die Eingangsanschlusselektrode 14, die Ausgangsanschlusselektrode 15 und die Masseanschlusselektrode 16 an der unteren Oberfläche des Mehrschichtsubstrats 30 bereitgestellt. Die Eingangsanschlusselektrode 14 ist über ein Signaldurchgangsloch 18 elektrisch mit den Kondensatorelektroden 71a und 71b verbunden, und die Ausgangsanschlusselektrode 15 ist über ein weiteres Signaldurchgangsloch 18 elektrisch mit den Kondensatorelektroden 72a und 72b verbunden. Die Masseanschlusselektroden 16 sind elektrisch mit der Schaltungselektrode 17 und der Masseelektrode 74 verbunden. Dickfilmelektroden in der Form von Bumps werden an dem jeweiligen Eingangs- und Ausgangsanschluss 14 und 15 durch ein Auftragen einer leitfähigen Paste aus Ag, Ag-Pd oder Cu und ein Backen derselben gebildet.

Die Komponenten, die auf die im Vorhergehenden beschriebenen Weisen erzeugt wurden, werden wie folgt assembliert. Wie es in 1 gezeigt ist, wird der Permanentmagnet 9 über ein Haftmittel mit der Decke des oberen Metallgehäuses 4 verbunden. Die Mittelelektrodenanordnung 13 wird an dem Mehrschichtsubstrat 30 befestigt und gelötet, derart, dass ein Ende von jeder der Mittelelektroden 21 bis 23 mit der Mittelelektrodenverbindungselektrode P1, P2 oder P3 verbunden ist, und das andere Ende von jeder der Mittelelektroden 21 bis 23 mit der Masseverbindungselektrode 31 verbunden ist. Ein Löten, um die Mittelelektroden 21 bis 23 mit den Verbindungselektroden P1, P2, P3 und 31 zu verbinden, wird auf eine effiziente Weise an dem Muttersubstrat, das die Mehrschichtsubstrate 30 umfasst, durchgeführt.

Das Mehrschichtsubstrat 30 wird an dem unteren Abschnitt 8a des unteren Metallgehäuses 8 angeordnet, und die Masseanschlusselektrode 16, die an einer rückwärtigen Oberfläche der Schicht 45 bereitgestellt ist, wird an den unteren Abschnitt 8a gelötet, um dadurch das Mehrschichtsubstrat 30 an dem unteren Metallgehäuse 8 zu befestigen, und wobei die Masseanschlusselektrode 16 mit dem unteren Metallgehäuse 8 elektrisch verbunden wird. Dies erreicht eine gute Masseverbindung und somit hervorragende elektrische Charakteristika des Isolators 1.

Danach werden die Seitenabschnitte 8b des unteren Metallgehäuses 8 und die Seitenabschnitte 4b des oberen Metallgehäuses 4 durch Löten miteinander verbunden, um ein fertiggestelltes Metallgehäuse zu erhalten, das als ein Masseanschluss, ein Joch und eine elektromagnetische Abschirmung fungiert. Das heißt, das Metallgehäuse bildet einen magnetischen Weg, der den Permanentmagneten 9, die Mittelelektrodeanordnung 13 und das Mehrschichtsubstrat 30 umgibt. Ein konstantes Magnetfeld wird von dem Permanentmagneten 9 an das Ferrit 20 angelegt. 10 ist eine elektrische Ersatzschaltung des Isolators 1.

Zweites bevorzugtes Ausführungsbeispiel (11)

Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel einer Kommunikationsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung ist im Folgenden beschrieben. Bei diesem spezifischen bevorzugten Ausführungsbeispiel handelt es sich bei der Kommunikationsvorrichtung beispielsweise um ein tragbares Telefon.

11 ist ein Schaltungsblockdiagramm eines HF-Abschnitts eines tragbaren Telefons 120. Wie es in 11 gezeigt ist, umfasst der HF-Abschnitt des tragbaren Telefons 120 eine Antenne 122, einen Duplexer 123, einen Sendeisolator 131, einen Sendeleistungsverstärker 132, ein Sendezwischenstufenbandpassfilter 133, einen Sendemischer 134, einen Empfangsleistungsverstärker 135, ein Empfangszwischenstufenbandpassfilter 136, einen Empfangsmischer 137, einen spannungsgesteuerten Oszillator (VCO) 138 und ein Lokalbandpassfilter 139.

Bei diesem tragbaren Telefon 120 ist der Isolator 1 mit konzentrierten Elementen gemäß dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel, das im Vorhergehenden beschrieben ist, als der Sendeisolator 131 bereitgestellt. Eine Verwendung des Isolators 1 erzeugt ein tragbares Telefon 120, das eine stark verbesserte Zuverlässigkeit aufweist.

Andere bevorzugte Ausführungsbeispiele

Zum Beispiel ist die nichtreziproke Schaltungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung nicht auf den Isolator beschränkt, sondern die Erfindung kann auch bei anderen Typen von nichtreziproke Schaltungsvorrichtungen, wie z. B. einem Zirkulator oder einem Kopplungselement, angewandt werden.

Außerdem ist die Struktur nicht auf diejenige beschränkt, die in 8B oder 8C gezeigt ist, sondern Öffnungen (ausgenommene Abschnitte) können vielmehr in der isolierenden Schicht 50 an Orten gebildet sein, an denen Endabschnitte der Mittelelektroden 21 oder 23 angeordnet sind. In diesem Fall kann die Dicke von Endabschnitten der Mittelelektroden 21 und 23 gleich der Dicke von Endabschnitten der Mittelelektroden 22, die in 8A gezeigt sind, sein.

Außerdem kann die Erfindung nicht nur bei einer nichtreziproken 3-Tor-Schaltungsvorrichtung, sondern auch bei einer nichtreziproken 2-Tor-Schaltungsvorrichtung angewandt werden. In dem Fall einer nichtreziproken 2-Tor-Schaltungsvorrichtung werden die Mittelelektroden in der zweiten Schicht der Mehrschichtstruktur bei dem im Vorhergehenden beschriebenen Beispiel zu den Mittelelektroden in der obersten Schicht. Somit werden in diesem Fall die Endabschnitte der Mittelelektroden in der zweiten Schicht durch ein Bilden von eingefüllten Elektroden in Öffnungen (ausgenommenen Abschnitten) in den isolierenden Filmen an der unteren Oberfläche der Endabschnitte der Mittelelektroden in der zweiten Schicht verdickt.


Anspruch[de]
  1. Eine nichtreziproke Schaltungsvorrichtung, die folgende Merkmale aufweist:

    eine Mittelelektrodenanordnung, die ein Ferrit (20), eine Mehrzahl von Mittelelektroden (21, 22, 23) und eine Mehrzahl von isolierenden Filmen (50, 51), die eine Mehrschichtstruktur definieren, die an einer Oberfläche des Ferrits (20) bereitgestellt ist, bei der die Mehrzahl von Mittelelektroden (21, 22, 23) voneinander durch die isolierenden Filme isoliert sind, und eine Mehrzahl von Seitenelektroden, die an Seitenoberflächen des Ferrits bereitgestellt sind, umfasst; wobei

    jeder Endabschnitt (24a, 24b, 25a, 25b, 25c) von jeder der Mehrzahl von Mittelelektroden (21, 22, 23), die an der Oberfläche des Ferrits (20) bereitgestellt sind, eine Dicke aufweist, die größer als die Dicke der anderen Abschnitte von jeder der Mehrzahl von Mittelelektroden (21, 22, 23) ist, und wobei jeder dickere Endabschnitt von jeder der Mehrzahl von Mittelelektroden direkt mit einer entsprechenden Seitenelektrode (27) verbunden ist.
  2. Die nichtreziproke Schaltungsvorrichtung gemäß Anspruch 1, bei der jeder dickere Endabschnitt, (24a, 24b, 25a, 25b, 25c) von jeder der Mehrzahl von Mittelelektroden (21, 22, 23) aus einem leitfähigen Material hergestellt ist, das in eine entsprechende einer Mehrzahl von Öffnungen (50a, 51a bis 51c) gefüllt ist, die in Randabschnitten der isolierenden Filme (50, 51) bereitgestellt sind.
  3. Die nichtreziproke Schaltungsvorrichtung gemäß Anspruch 2, bei der die Dicke jedes Endabschnitts (24a, 25a) der Mittelelektrode (22) in einer untersten Schicht der Mehrschichtstruktur an der Oberfläche des Ferrits (20) durch ein leitfähiges Material erhöht wird, das in eine entsprechende der Mehrzahl von Öffnungen (50a, 51a) gefüllt ist, die in den isolierenden Filmen (50, 51) an einer oberen Oberfläche des Endabschnitts gebildet sind.
  4. Die nichtreziproke Schaltungsvorrichtung gemäß Anspruch 3, bei der die Dicke jedes Endabschnitts (24b, 25c) der Mehrzahl von Mittelelektroden (23) in einer obersten Schicht der Mehrschichtstruktur an der Oberfläche des Ferrits (20) durch ein leitfähiges Material erhöht wird, das in eine entsprechende der Mehrzahl von Öffnungen (51c) gefüllt ist, die in den isolierenden Filmen (51) an einer unteren Oberfläche des Endabschnitts gebildet sind.
  5. Die nichtreziproke Schaltungsvorrichtung gemäß Anspruch 1, bei der die Mittelelektroden (21, 22, 23) aus einem photoempfindlichen leitfähigen Material hergestellt sind.
  6. Die nichtreziproke Schaltungsvorrichtung gemäß Anspruch 1, bei der die isolierenden Filme (50, 51) aus einem photoempfindlichen isolierenden Material hergestellt sind.
  7. Die nichtreziproke Schaltungsvorrichtung gemäß Anspruch 1, die ferner ein Metallgehäuse aufweist, das ein unteres Metallgehäuse (8) und ein oberes Metallgehäuse (4) umfasst, wobei das untere Metallgehäuse (8) einen unteren Abschnitt (8a) und einen rechten und einen linken Seitenabschnitt (8b) aufweist, und wobei das obere Gehäuse (4) einen oberen Abschnitt (4a) und vier Seitenabschnitte (4b) aufweist.
  8. Die nichtreziproke Schaltungsvorrichtung gemäß Anspruch 1, bei der jeder der dickeren Endabschnitte (24a, 24b, 25a, 25b, 25c) eine Dicke von etwa 40 &mgr;m aufweist.
  9. Die nichtreziproke Schaltungsvorrichtung gemäß Anspruch 1, bei der die Mehrschichtstruktur ferner zumindest eine Schrumpfungsverhinderungsschicht aufweist, die an zumindest einer von einer oberen Oberfläche und einer unteren Oberfläche der Mehrschichtstruktur bereitgestellt ist.
  10. Die nichtreziproke Schaltungsvorrichtung gemäß Anspruch 1, bei der jede der Mehrzahl von Mittelelektroden (21, 22, 23) aus einem Material hergestellt ist, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die Ag, Cu und Ag-Pd umfasst.
  11. Die nichtreziproke Schaltungsvorrichtung gemäß Anspruch 1, bei der das Ferrit (20) ein Mikrowellenferrit ist.
  12. Eine Kommunikationsvorrichtung, die eine nichtreziproke Schaltungsvorrichtung gemäß Anspruch 1 umfasst.
  13. Ein Verfahren zum Herstellen einer Mittelelektrodenanordnung von nichtreziproken Schaltungsvorrichtungen, das folgende Schritte aufweist:

    abwechselndes Bilden einer Mittelelektrode (21, 22, 23) und eines isolierenden Films (50, 51) an einer Oberfläche eines Ferritmuttersubstrats, um eine Mehrschichtstruktur zu bilden, bei der eine Mehrzahl der Mittelelektroden (21, 22, 23) voneinander durch einen jeweiligen einer Mehrzahl der isolierenden Filme (50, 51) isoliert sind;

    Bilden einer Öffnung (50a, 51a51c) in jedem der Mehrzahl von isolierenden Filmen (50, 51), wo Endabschnitte von jeweiligen der Mehrzahl von Mittelelektroden (21, 22, 23) angeordnet sind;

    Füllen jeder der Öffnungen (50a, 51a51c) mit einem Elektrodenmaterial, um eingefüllte Elektroden zu bilden, die mit einer jeweiligen der Mehrzahl von Mittelelektroden (21, 22, 23) elektrisch zu verbinden sind;

    Schneiden des Ferritmuttersubstrats in einzelne Ferritblöcke (20), wobei auf jedem derselben eine Mittelelektrodenanordnung gebildet ist, wobei

    jeder Endabschnitt (24a, 24b, 25a, 25b, 25c) von jeder der Mehrzahl von Mittelelektroden (21, 22, 23), die an der Oberfläche des Ferritmuttersubstrats bereitgestellt sind, eine Dicke aufweist, die größer ist als die Dicke der anderen Abschnitte von jeder der Mehrzahl von Mittelelektroden, und wobei jeder dickere Endabschnitt von jeder der Mehrzahl von Mittelelektroden mit einer entsprechenden eingefüllten Elektrode verbunden ist; und

    Bilden von Seitenelektroden an den Seitenoberflächen jedes Ferritblocks (20), derart, dass jeder dickere Endabschnitt (24a, 24b, 25a, 25b, 25c) von jeder der Mehrzahl von Mittelelektroden (21, 22, 23) direkt mit einer entsprechenden Seitenelektrode verbunden ist.
  14. Ein Verfahren gemäß Anspruch 13, bei dem die Mehrzahl von Mittelelektroden (21, 22, 23) durch ein Drucken eines photoempfindlichen Dickfilms, ein Belichten des photoempfindlichen Dickfilms mit einem ultravioletten Strahl über eine Photomaskenstruktur und ein Aufsprühen einer alkalischen Lösung, derart, dass nicht ausgesetzte Abschnitte des photoempfindlichen Dickfilms geätzt werden, um dadurch die Mehrzahl von Mittelelektroden zu bilden, gebildet werden.
  15. Das Verfahren gemäß Anspruch 13, bei dem der Schritt des Schneidens den Schritt eines Schneidens des Ferritmuttersubstrats an einem Ort der Mitte der eingefüllten Elektroden umfasst, um Seitenelektroden an zumindest einer Seitenoberfläche von jeder der einzelnen Mittelelektrodenanordnungen zu bilden.
  16. Das Verfahren gemäß Anspruch 13, bei dem jeder der dicken Endabschnitte (24a, 24b, 25a, 25b, 25c) eine Dicke von etwa 40 &mgr;m aufweist.
  17. Das Verfahren gemäß Anspruch 13, das ferner den Schritt eines Bildens einer Schrumpfungsverhinderungsschicht an dem Ferritmuttersubstrat aufweist.
Es folgen 13 Blatt Zeichnungen






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