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Dokumentenidentifikation DE102005059773A1 22.06.2006
Titel Mikrostruktur-Herstellungsverfahren
Anmelder Denso Corp., Kariya, Aichi, JP
Erfinder Sugiura, Kazuhiko, Kariya, Aichi, JP
Vertreter WINTER, BRANDL, FÜRNISS, HÜBNER, RÖSS, KAISER, POLTE, Partnerschaft, 85354 Freising
DE-Anmeldedatum 14.12.2005
DE-Aktenzeichen 102005059773
Offenlegungstag 22.06.2006
Veröffentlichungstag im Patentblatt 22.06.2006
IPC-Hauptklasse B81C 1/00(2006.01)A, F, I, 20051214, B, H, DE
Zusammenfassung Ein Verfahren eines Herstellens einer Mikrostruktur beinhaltet ein Trockenätzen einer Opferschicht, die an einem Siliziumsubstrat vorgesehen ist, um Strukturen auszubilden, wobei die Opferschicht mit einem Ätzgas reagiert, um Reaktionsprodukte zu erzeugen, die H2O beinhalten, wobei das Trockenätzen ein Ätzen der Opferschicht und ein Entfernen von H2O als eines der Reaktionsprodukte aufweist, die durch den Ätzschritt der Opferschicht erzeugt werden, wobei das Ätzen und das Entfernen von H2O wiederholt durchgeführt werden.

Beschreibung[de]

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Mikrostruktur-Herstellungsverfahren eines Herstellens einer Struktur durch Trockenätzen einer Opferschicht, die an einem Siliziumsubstrat vorgesehen ist, und insbesondere ein Mikrostruktur-Herstellungsverfahren, bei welchem ein Reaktionsprodukt, dass H2O enthält, durch die Reaktion zwischen der Opferschicht und Ätzgas erzeugt wird. Ein Verfahren, dass Ätzgas, wie zum Beispiel HF- bzw. Fluorwasserstoff-Gas oder dergleichen, verwendet, ist als ein Mikrostruktur-Herstellungsverfahren zum Ausbilden einer Struktur durch Trockenätzen einer Opferschicht vorgeschlagen worden, dass an einem Siliziumsubstrat vorgesehen ist (wie zum Beispiel JP-A-5-275401 oder JP-A-7-99326).

Die in den zuvor beschriebenen Druckschriften beschriebenen Verfahren beziehen sich auf ein allgemeines Trockenätzverfahren für eine Opferschicht und verwenden ein Gasgemisch aus HF-Gas und H2O bzw. Wasser als Ätzgas. Wenn H2O in einem derartigen Ätzgas enthalten ist, ist es bisher bekannt gewesen, dass das H2O einen nachteiligen Effekt bezüglich eines Ätzens aufweist.

Deshalb ist als das Trockenätzverfahren für die Opferschicht ein Verfahren eines Verwendens eines Gasgemischs aus wasserfreiem HF-Gas und Methanol- bzw. MeOH- oder CH3OH-Gas als Ätzgas ohne Enthalten von H2O vorgeschlagen worden (japanisches Patent Nr. 2951922).

Bezüglich einer Opferschicht-Ätzbehandlung unter Verwendung eines Gasgemischs aus wasserfreiem HF-Gas und Methanol-Gas als Ätzgas wird das Ätzen in Übereinstimmung mit den Reaktionen ausgeführt, die durch die folgenden chemischen Formeln 1 bis 4 dargestellt sind. Hierbei ist die Opferschicht SiO2 bzw. Siliziumoxid.

(Chemische Formel 1)
  • wasserfreies HF (Gas) ←→ HF (adsorbiert)
(Chemische Formel 2)
  • M (Gas) ←→ M (adsorbiert)
(Chemische Formel 3)
  • 2HF + M → HF2 + MH+
(Chemische Formel 4)
  • SiO2 + 2HF2 + 2MH+ → SiF4↑ + 2H2O↑ + 2M↑

Hierbei stellt in den chemischen Formeln 1 bis 4 M Methanol dar, stellen HF (Gas) und HF (adsorbiert) HF unter Gas bzw. HF dar, das von dem Siliziumsubstrat adsorbiert wird, und stellen M (Gas) und M (adsorbiert) Methanol unter Gas bzw. Methanol dar, das von dem Siliziumsubstrat adsorbiert wird.

Wie es in diesen chemischen Formeln 1 bis 4 gezeigt ist, werden in der Opferschicht-Ätzbehandlung unter Verwendung des Gasgemischs aus einem wasserfreien HF-Gas und Methanolgas HF und Methanol an dem Siliziumsubstrat adsorbiert (siehe chemischen Formeln 1 und 2), und NF und Methanol, die an dem Substrat adsorbiert werden, induzieren die chemischen Reaktionen, die in den chemischen Formeln 3 und 4 gezeigt sind, wodurch SiO2 als die Opferschicht geätzt wird.

Jedoch tritt in der chemischen Formel 4 H2O als ein Reaktionsprodukt auf. H2O wird erneut an dem Siliziumsubstrat adsorbiert und reagiert mit HF-Gas, um SiO2 als die Opferschicht zu ätzen.

Wie es zuvor beschrieben worden ist, wird eine Ätzausbreitung in der Siliziumsubstrat-Ebene durch H2O als das Reaktionsprodukt induziert, das durch das Ätzen der Opferschicht erzeugt wird, so dass es schwierig ist, die Ätzqualität und die Ätzgeschwindigkeit hand zu haben.

Um das Problem der Ätzausbreitung zu lösen, die durch das Reaktionsprodukt verursacht wird, hat das japanische Patent Nr. 2951922 ein Verfahren eines Verhinderns eines Auftretens von Reststoffen durch Verbessern der oberen und unteren Filmstrukturen der Opferschicht vorgeschlagen. Gemäß diesem Verfahren wird eine Ätzstopschicht auch dann, wenn die Ätzverbreitung auftritt, ausgebildet, um den Ätzbereich zu regeln. Jedoch erfordert das in der vorhergehenden Druckschrift offenbarte Verfahren eine komplizierte Struktur und erhöht daher die Kosten.

Im Hinblick auf das vorhergehende Problem ist es eine Aufgabe, den Effekt von H2O als ein Reaktionsprodukt bezüglich eines Ätzens zu verringern, ohne irgendeine komplizierte Struktur in einem Mikrostruktur-Herstellungsverfahren zu erfordern, bei welchem ein Trockenätzen bezüglich einer Opferschicht ausgeführt wird, die an einem Siliziumsubstrat vorgesehen ist, um eine Struktur auszubilden, und Reaktionsprodukte, die H2O enthalten werden erzeugt.

Diese Aufgabe wird mit den in Anspruch 1 angegebenen Maßnahmen gelöst.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.

Um die vorhergehende Aufgabe zu lösen, weißt ein Mikrostruktur-Herstellungsverfahren eines Herstellens einer Mikrostruktur ein Trockenätzen einer Opferschicht auf, die an dem Siliziumsubstrat vorgesehen ist, um Strukturen auszubilden, wobei die Opferschicht mit Ätzgas reagiert, um Reaktionsprodukte zu erzeugen, die H2O enthalten, wobei das Trockenätzen ein Ätzen der Opferschicht und ein Entfernen des H2O als eines der Reaktionsprodukte beinhaltet, die durch das Ätzen der Opferschicht erzeugt werden, wobei das Ätzen und das Entfernen wiederholt ausgefüllt werden.

Gemäß dem vorhergehenden Verfahren kann das Ätzen der Opferschicht fortschreiten, während die Reaktionsprodukte und Reststoffe entfernt werden und kann daher eine Ätzausbreitung, die durch H2O als das Reaktionsprodukt verursacht wird, unterdrückt werden.

Demgemäß kann bei dem Mikrostruktur-Herstellungsverfahren, in welchem die Opferschicht des Siliziumsubstrats einem Trockenätzen ausgesetzt wird, um die Struktur auszubilden, und die Reaktionsprodukte, die H2O enthalten, erzeugt werden, der Effekt H2O als ein Reaktionsprodukt bezüglich des Ätzens ohne ein Erfordern irgendeiner komplizierten Struktur verringert werden.

Ein Gasgemisch aus wasserfreiem HF-Gas und Methanolgas kann typischerweise als das Ätzgas verwendet werden.

Das Entfernen des H2O als das Reaktionsprodukt kann ein Entfernen von H2O durch Evakuieren beinhalten.

Die Umgebung um das Siliziumsubstrat wird durch das Evakuieren zu einer Atmosphäre mit verringertem Druck versetzt, so dass H2O als das Reaktionsprodukt abgesaugt und ebenso zweckmäßig entfernt werden kann.

Das Evakuieren wird vorzugsweise ausgeführt, während eine Druckänderung ausgeübt wird.

Der Effekt eines Verringern von H2O als das Reaktionsprodukt wird durch Ausführen eines Evakuierens bezüglich des Siliziumsubtrats verbessert, während eine Druckänderung ausgeübt wird, und daher ist dieses Verfahren bevorzugt.

Das Entfernen von H2O als das Reaktionsprodukt führt ein Reinigen unter Verwendung von trockenem Edelgas bezüglich des Siliziumsubstrats aus.

Gemäß dem vorhergehenden Verfahren kann durch Ausführen des Reinigens unter Verwendung des trockenen Edelgasverfahrens H2O als das Reaktionsprodukt, welches an dem Siliziumsubstrat haftet oder in der Nähe des Siliziumsubstrats vorhanden ist, zusammen mit dem Edelgas als das Reinigungsgas zweckmäßig entfernt werden.

Das Reinigen unter Verwendung des trockenen Edelgases kann durchgeführt werden, während eine Druckänderung ausgeübt wird.

Der Effekt eines Entfernens von H2O als das Reaktionsprodukt kann durch Durchführen des Reinigens unter Verwendung des Edelgases bezüglich des Siliziumsubstrats erhöht werden, während der Druck, der auf das Siliziumsubstrat ausgeübt wird, geändert wird, und daher ist dieses Verfahren bevorzugt.

Das Edelgas, das bei dem Reinigen verwendet wird, kann an der gleichen Position wie das Ätzgas in das Siliziumsubstrat eingebracht werden.

Das Edelgas, das bei dem Reinigen verwendet wird, wird an einer unterschiedlichen Position zu der Einbringposition des Ätzgases eingebracht.

Durch Einbringen des Edelgases, das bei dem Reinigen verwendet wird, an der gleichen Position wie das Ätzgas oder an einer unterschiedlichen Position zu der Einbringposition des Ätzgases, kann die Zufuhrverteilung des Edelgases bezüglich des Siliziumsubstrats gleichmäßig gemacht werden.

Das Edelgas, das bei dem Reinigen verwendet wird, wird in das Siliziumsubstrat eingebracht, während eine Ebene des Siliziumsubstrats an der Strukturseite in die Schwerkraftrichtung ausgerichtet ist.

Gemäß diesem Verfahren wird H2O als das Reaktionsprodukt, das bei dem Ätzen der Opferschicht erzeugt wird, durch die Schwerkraft von dem Siliziumsubstrat gelöst. Das Reinigen unter Verwendung dieser Schwerkraft kann wirkungsvoll ausgeführt werden und daher kann der Effekt eines Entfernens von H2O als das Reaktionsprodukt verbessert werden. Deshalb ist dies bevorzugt.

Das Edelgas, das bei dem Reinigen verwendet wird, kann in eine Richtung entlang Rillen, die die Struktur in dem Siliziumsubstrat definieren, in das Siliziumsubstrat eingebracht werden.

Gemäß diesem Verfahren kann durchgeführt werden, dass das Edelgas, das bei dem Reinigen verwendet wird, gleichmäßig entlang den Rillen fließt, die die Struktur in dem Siliziumsubstrat definieren.

Das Ätzen der Opferschicht führt ein Gasgemisch aus Ätzgas und Trägergas zu und das Entfernen von H2O als das Reaktionsprodukt führt ein Trägergas unter Ausschluss des Ätzgases zu.

Gemäß dem vorhergehenden Verfahren kann, wenn H2O entfernt wird, das Ätzgas entfernt wird und das Trägergas zugeführt wird, H2O als das Reaktionsprodukt, das an dem Siliziumsubstrat haftet oder in der Nähe des Siliziumsubstrats vorhanden ist, zusammen mit dem Trägergas zweckmäßig entfernt werden.

Ein trockenes Edelgas kann als das Trägergas verwendet werden.

Wenn das Ätzgas ausgeschlossen ist und das Trägergas zugeführt wird, kann Methanolgas zusätzlich zu dem Trägergas zugeführt werden, wenn H2O als das Reaktionsprodukt entfernt wird.

Gemäß dem vorhergehenden Verfahren weiß Methanol eine starke Wasseradsorptionseigenschaft auf und daher weißt es einen großen Effekt eines Entfernens von H2O als das Reaktionsprodukt auf. Deshalb dieses Verfahren bevorzugt. Das Entfernen von H2O als das Reaktionsprodukt kann ein Durchführen einer Wärmebehandlung bezüglich des Siliziumsubstrats beinhalten, um H2O als das Reaktionsprodukt verdampfen zu lassen.

Das Entfernen von H2O als das Reaktionsprodukt kann ein Bestrahlen mit Licht oder elektromagnetischen Wellen beinhalten, um H2O zu entfernen.

Gemäß dem vorhergehenden Verfahren wird H2O als das Reaktionsprodukt durch Bestrahlen mit Licht oder elektromagnetischen Wellen zersetzt oder verdampft, so dass H2O zweckmäßig entfernt werden kann.

Die vorliegende Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnung näher erläutert.

Es zeigt:

1A bis 1D schematische Querschnittsansichten eines Verfahrens eines Herstellens eines kapazitiven Beschleunigungssensors gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; und

2A und 2B schematische Querschnittsansichten eines Opferschicht-Ätzverfahrens des Herstellungsverfahrens dieses Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.

Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung erläutert. In den folgenden Figuren sind die gleichen oder äquivalente Elemente mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet, um die Beschreibung zu vereinfachen.

Die 1A bis 1D zeigen Querschnittansichten eines Verfahrens eines Herstellens eines kapazitiven Beschleunigungssensors 100 als eine Mikrostruktur gemäß eines Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Das Herstellungsverfahren dieses Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung stellt den Sensor 100, der in 1D gezeigt ist, als ein Endprodukt dar und der Aufbau des Sensors wird kurz unter Bezugnahme auf 1D beschrieben.

Der Beschleunigungssensor 100 dieses Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung ist mit einem SOI- bzw. Silizium-auf-Isolator-Substrat 10 als das Siliziumsubstrat ausgestattet. Das SOI-Substrat 10 wird durch Schichten einer ersten Siliziumschicht 11 und einer zweiten Siliziumschicht 12 über einen eingebetteten Oxidfilm 13 als eine Opferschicht erzielt. Die erste Siliziumschicht 11 ist als ein Trägerabschnitt (Trägersubstrat) 11 aufgebaut.

Ein Hohlraum 14 ist in dem Mittenabschnitt des SOI-Substrats 10 durch Entfernen des eingebetteten Oxidfilms 13 ausgebildet. Weiterhin sind Rillen 15 in der zweiten Siliziumschicht 12 ausgebildet, die dem Hohlraum 14 entsprechen, um von der oberen Oberfläche der zweiten Siliziumschicht durch diese in der Dickenrichtung zu dem Hohlraum 14 zu dringen.

Die zweite Siliziumschicht 12 ist durch die Rillen 15 in eine bewegliche Elektrode 16 und eine feste Elektrode 17 geteilt. In diesem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung sind die bewegliche Elektrode 16 und die feste Elektrode 17 abwechselnd angeordnet und sie sind durch jede Rille zueinander benachbart.

Die bewegliche Elektrode 16 wird durch den Hohlraum 14 von dem Trägerabschnitt 11 des SOI-Substrats 10 gelöst gehalten und ist bezüglich dem SOI-Substrats 10 beweglich. Das heißt die bewegliche Elektrode 16 ist als ein beweglicher Abschnitt aufgebaut und die feste Elektrode 17 ist als ein fester Abschnitt aufgebaut. Sowohl die bewegliche Elektrode 16 als auch die feste Elektrode 17 sind als Strukturen aufgebaut.

Obgleich es nicht gezeigt ist, ist die feste Elektrode 17 über den eingebetteten Oxidfilm 13 fest auf die erste Siliziumschicht montiert und ist die bewegliche Elektrode 16 über einen Träger oder dergleichen elastisch gestützt, um bezüglich der ersten Siliziumschicht 11 beweglich zu sein.

Die beweglichen und festen Elektroden 16 und 17 können als bekannte kammförmige Trägerstrukturen aufgebaut sein. In dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, das in den 1A bis 1D gezeigt ist, sind die kammförmige bewegliche Elektrode 16 und die kammförmige feste Elektrode 17 derart angeordnet, dass sie durch die Rillen 15, die sich in der vertikalen Richtung auf dem Zeichenblatt in 1 ausdehnen, voneinander beabstandet sind.

In diesem Fall wird die bewegliche Elektrode 16 durch ein Ausüben einer Beschleunigung versetzt, so dass der Abstand zwischen der beweglichen Elektrode 16 und der festen Elektrode 17 (das heißt die Breite der Rillen 15) geändert wird. Die ausgeübte Beschleunigung kann durch Erfassen der Kapazitätsänderung zwischen beiden der Elektroden 16 und 17 auf zu einem Beispiel der Grundlage der Abstandsänderung erfasst werden.

Weiterhin ist ein Elektrodenabschnitt 18 ein Drahtabschnitt, der durch Al bzw. Aluminium oder dergleichen an dem Umfangsabschnitt der oberen Oberfläche der zweiten Siliziumschicht 12 ausgebildet ist. Der Elektrodenabschnitt 18 ist für eine externe Verbindung in dem Sensor 100 aus verschiedenen Arten von Drähten oder Anschlussflächen aufgebaut.

Die Kapazitätsänderung zwischen den beweglichen und festen Elektroden 16 und 17 kann über den Elektrodenabschnitt 18 als ein elektrisches Signal ausgegeben werden. Wie es zuvor beschrieben worden ist, kann gemäß diesem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung der kapazitive Beschleunigungssensor 100 als die Mikrostruktur, die die Strukturen 16 und 17 aufweist, aufgebaut werden.

Als nächstes wird ein Verfahren zum Herstellen der Mikrostruktur 100, das heißt des Beschleunigungssensors 100, gemäß dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die 1A bis 1D beschrieben.

Wie es in den 1A und 1B gezeigt ist, wird zuerst das SOI-Substrat 10 als das Siliziumsubstrat vorbereitet und wird der Elektrodenabschnitt 18 als der Drahtabschnitt auf dem SOI-Substrat 10 ausgebildet (Drahtabschnitt-Ausbildungsschritt).

Wenn der Elektrodenabschnitt 18 ausgebildet ist, kann ein Drahtmaterial, das in einem normalen Halbleiterverfahren verwendet wird, als das Material des Elektrodenabschnitts 18 verwendet werden. Zum Beispiel wird der Elektrodenabschnitt 18 aus Al bzw. Aluminium oder dergleichen durch Zerstäuben oder Dampfabscheidung ausgebildet.

Die Elektrode 18 kann durch ein Zeichen- oder Drucksystem ausgebildet werden. Als das Zeichensystem eines Ausbildens eines Elektrodenabschnitts 18 kann ein Tintenstrahlverfahren, das ein feines Pulver eines Drahtabschnitt-Ausbildungsmaterials verwendet, ein Dampfabscheidungsverfahren, dass eine Düse oder dergleichen verwendet, verwendet werden und als das Drucksystem kann ein normales Siebverfahren oder dergleichen verwendet werden.

Als nächstes werden die Rillen 15, die zuvor beschrieben worden sind, als Gräben zum Teilen und Ausbilden der beweglichen Elektrode 16 und der festen Elektrode 17 das heißt der Strukturen auf der oberen Oberflächenseite des SOI-Substrats 10 (die Oberfläche ist die obere Oberfläche der zweiten Siliziumschicht 12) ausgebildet (Grabenausbildungsschritt).

Der Grabenausbildungsschritt kann durch einen normalen Photoätzschritt ausgeführt werden. Genauer gesagt wird ein Trockenätzen unter Verwendung eines Musters, das durch Photoresist und dergleichen ausgebildet ist, ausgeführt, um die Strukturen 16 und 17 auszubilden.

Das Trockenätzen kann unter Verwendung eines Ätzgases, wie zum Beispiel eines SF6-Gases oder dergleichen, ausgeführt werden. Der Restabschnitt, der durch den Ätzschritt verbleibt, wird als die Strukturen 16 und 17 festgelegt. Danach wird das Photoresist durch ein normales Verfahren entfernt. Hierbei wird in diesem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, das das SOI-Substrat 10 verwendet, das Ätzen durch den eingebetteten Oxidfilm 13 gestoppt und daher ist die Steuerbarkeit des Ätzens hervorragend.

Nachfolgend wird, wie es in 1D gezeigt ist, der eingebettete Oxidfilm als die Opferschicht an der Stelle, welche als der Hohlraum 14 dient, durch ein Trockenätzen entfernt, um die bewegliche Elektrode 16 zu lösen, um dadurch die bewegliche Elektrode 16 beweglich zu machen (Opferschicht-Ätzschritt).

Das heißt ein Lösungsätzen unter Verwendung des eingebetteten Oxidfilms 13 als die Opferschicht wird ausgeführt, um die bewegliche Elektrode 16 auszubilden, welche von dem SOI-Substrat 10 gelöst gehalten wird. Bei dem Trockenätzen, das an der Opferschicht 13 ausgeübt wird, werden Reaktionsprodukte, die H2O enthalten, durch die Reaktion zwischen der Opferschicht 13 und dem Ätzgas erzeugt.

Genauer gesagt wird bei dem Ätzen des eingebetteten Oxidfilms 13 der eingebettete Oxidfilm 13 selektiv durch das Trockenätzen unter Verwendung des Gasgemischs aus einem wasserfreien HF-Gas und einem Methanolgas als das Ätzgas entfernt.

Im Stand der Technik kann der Schritt eines Entfernens des eingebetteten Oxidfilms 13 durch ein Nachätzen unter Verwendung einer Fluorwasserstoffsäurelösung als die Ätzlösung ausgeführt werden. Jedoch tritt in dem Schritt eines Entfernens eines Oxidfilms 13, wenn das Nassverfahren verwendet wird, ein Haften auf, da die bewegliche Elektrode 16 nach dem Ätzen beweglich gehalten wird.

Deshalb ist es bevorzugt, dass Trockenätzen, das heißt das Trockenätzverfahren, wie zuvor beschrieben worden ist, zu verwenden. Nachdem die bewegliche Elektrode 16 als der bewegliche Abschnitt in den beweglichen Zustand versetzt worden ist, würde ein Haften auftreten, wenn ein Reinigungsarbeit auf der Grundlage eines Nassverfahrens ausgeführt wird. Deshalb ist es unmöglich, die Reinigungsarbeit auf der Grundlage des Nassverfahrens danach auszuführen. Hierbei wird das Trockenätzen des eingebetteten Oxidfilms 13, welches das Gemisch aus wasserfreiem HF-Gas und Methanolgas als das Ätzgas verwendet, spezifisch auf der Grundlage der Reaktionen ausgeführt, die durch die chemischen Formeln 1 bis 4 dargestellt sind.

Das Opferschichtätzen kann unter Verwendung einer normalen Trokkenätzvorrichtung ausgeführt werden, die eine Ätzkammer aufweist, deren Innendruck gesteuert werden kann. Zum Beispiel ist die Ätzkammer derart aufgebaut, dass das Ätzgas, das dem Gasgemisch eines wasserfreien HF-Gases und eines Methanolgases entspricht, von dem Einbringteil in die Kammer eingebracht werden kann, während das Gemischverhältnis von wasserfreiem HF-Gas und Methanol gesteuert wird.

Das Ätzen des eingebetteten Oxidfilms 13 wird unter dem Innendruck der Ätzkammer ausgeführt, welcher zum Beispiel auf mehrere Torr bis mehrere hundert Torr eingestellt wird.

Weiterhin werden bei dem Ätzverfahren des eingebetteten Oxidfilms 13 als die Opferschicht die Reaktionsprodukte, die H2O enthalten, durch die Reaktion zwischen der Opferschicht 13 und dem Ätzgas, wie sie durch die chemischen Formeln 1 bis 4 dargestellt ist, erzeugt.

Deshalb werden bei dem Opferschicht-Ätzschritt dieses Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung als ein einzigartiges Verfahren der Schritt eines Ätzens des eingebetteten Oxidfilms 13 als die Opferschicht und der Schritt eines Entfernens von H2O als das Reaktionsprodukt, das durch das Ätzen des eingebetteten Oxidfilms 13 erzeugt wird, wiederholt ausgeführt. Das Ätzen des eingebetteten Oxidfilms 13 wird durch das zuvor beschriebenen Trockenätzen ausgeführt.

Hierbei werden in diesem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung verschiedene Verfahren, die nachstehend beschrieben werden, in dem Schritt eines Entfernens von H2O als das Reaktionsprodukt angewendet. Die folgenden Verfahren sind einzigartige Verfahren, aber Fachleute würden diese Verfahren leicht unter Verwendung einer allgemeinen Trockenätzvorrichtung und Anwendung einiger Aufbauänderungen an der Vorrichtung realisieren, wenn diese Verfahren gegenwärtig sind.

Erstes Verfahren: Der Schritt eines Entfernens von H2O als das Reaktionsprodukt wird durch Ausführen einer Vakuumzerstäubung durch eine Auslassöffnung der Ätzkammer durch eine Vakuumpumpe ausgeführt. Hierbei sind die 2A und 2B Querschnittsansichten, die das erste Verfahren zeigen.

Wie es in 2A gezeigt ist, wird das Ätzgas (HF/Methanol) in die Ätzkammer eingebracht, um den eingebetteten Oxidfilm 13 für eine feste Zeit zu ätzen, und dann erreicht das Verfahren den Evakuierungsschritt.

Demgemäß wird, wie es in 2B gezeigt ist, die Umgebung des Siliziumsubstrats 10 in eine Atmosphäre mit einem verminderten Druck versetzt, so dass H2O als das Reaktionsprodukt zweckmäßig zusammen mit Abgas entfernt kann. Weiterhin wird das Ätzgas erneut eingebracht und wird das Ätzen des eingebetteten Oxidfilms 13 wiederholt. Dies ist das erste Verfahren.

Hierbei wird in dem ersten Verfahren die Evakuierung auf den Druck zum Ausführen des Ätzens des eingebetteten Oxidfilms 13 eingestellt. Zum Beispiel kann es unter einem Druck durchgeführt werden, der kleiner als der Druck von ungefähr mehreren Torr bis mehreren hundert Torr ist.

Das Evakuieren erhöht/verringert den Druck in dem Bereich des betroffenen Evakuierens. Das heißt es ist bevorzugt, das Evakuieren auszuführen, während eine Druckänderung eines festen Bereichs oder mehr ausgeübt wird. Wie es zuvor beschrieben worden ist, wird der Effekt eines Entfernens von H2O als das Reaktionsprodukt durch Ausführen eines Evakuierens auf dem Siliziumsubstrat verbessert, während eine Druckänderung ausgeübt wird. Deshalb ist dieses Verfahren bevorzugt.

Zweites Verfahren: Bei dem Schritt eines Entfernens von H2O als das Reaktionsprodukt wird ein Reinigen unter Verwendung eines trockenen Edelgases auf dem Siliziumsubstrat 10 ausgeübt.

Genauer gesagt wird, wie es in 2A gezeigt ist, das Ätzgas (HF/Methanol) in die Ätzkammer eingebracht, um den eingebetteten Oxidfilm 13 für eine feste Zeit zu Ätzen, und dann wird der Reinigungsschritt ausgeführt.

Demgemäß kann, wie es in 2B gezeigt ist, H2O als das Reaktionsprodukt, das an dem Siliziumsubstrat haftet oder in der Nachbarschaft des Siliziumsubstrats vorhanden ist, zweckmäßig zusammen mit dem Edelgas als ein Reinigungsgas entfernt werden. Weiterhin wird das Ätzgas erneut eingebracht und wird das Ätzen des eingebetteten Oxidfilms 13 wiederholt. Dieses ist das zweite Verfahren.

In diesem Fall ist Stickstoff- bzw. H2-Gas, Ar, He oder dergleichen als das Edelgas verwendbar, das für den Reinigungsschritt verwendet wird. Bei diesem zweiten Verfahren ist es bevorzugt, den Reinigungsschritt während eines Ausübens einer Druckänderung auszuführen.

Der Effekt eines Entfernens von H2O als das Reaktionsprodukt kann durch Ausführen des Reinigungsschritts bezüglich des Siliziumsubstrats 10 verbessert werden, während eine Druckänderung ausgeübt wird, wie es zuvor beschrieben worden ist, und daher ist dieses Verfahren bevorzugt.

In dem zweiten Verfahren kann auf der Grundlage des Reinigungsschritts, der das trockene Edelgas verwendet, der Effekt eines Entfernens von H2O als das Reinigungsprodukt durch Verwenden einer zweckmäßigen Edelgas-Fließweise weiter verbessert werden.

Genauer gesagt wird das Edelgas, das für den Reinigungsschritt verwendet wird, an der gleichen Position wie das Ätzgas in das Siliziumsubstrat 10 eingebracht. Das heißt das Edelgas wird an der gleichen Einlassöffnung wie das Ätzgas in die Ätzkammer eingebracht.

Weiterhin kann in dem zweiten Verfahren das Edelgas, das für das Reinigen verwendet wird, an einer Position, die sich von der Einlassposition des Ätzgases unterscheidet, in das Siliziumsubstrat 10 eingebracht werden. Weiterhin sind mehrere Einlassöffnungen zum Einlassen eines Edelgases, das für das Reinigen verwendet wird, vorgesehen, und eine der Einlassöffnungen ist als die gleiche Einlassöffnung wie das Ätzgas festgelegt, während die anderen Einlassöffnungen als Einlassöffnungen festgelegt sind, die sich von der des Ätzgases unterscheiden.

Wie es zuvor beschrieben worden ist, wird das Edelgas, das für das Reinigen verwendet wird, an der gleichen Einlassöffnung wie das Ätzgas oder an sowohl der gleichen Einlassöffnung wie das Ätzgas als auch einer Einlassöffnung angebracht, die sich von der des Ätzgases unterscheidet, wodurch die Zufuhrverteilung des Edelgases in dem Siliziumsubstrat 10 gleichmäßig gemacht werden kann.

Weiterhin kann in dem zweiten Verfahren das Edelgas, das für das Reinigen verwendet wird, in das Siliziumsubstrat 10 eingebracht werden, während eine Oberfläche des Siliziumsubstrats 10, an welcher sich die Strukturen 16 und 17 befinden, in der Schwerkraftrichtung ausgerichtet sind. Dieses wird durch Ausführen sowohl des Ätzschritts des eingebetteten Oxidfilms 13 als auch des Reinigungsschritts realisiert, während das Siliziumsubstrat 10 in 2 umgedreht wird, wenn die Auf-Und-Ab-Richtung von 2 auf die vertikale Richtung bezüglich der Erde festgelegt ist.

Gemäß dem vorhergehenden Verfahren fällt H2O als das Reaktionsprodukt, das durch den Ätzschritt des eingegrabenen Oxidfilms 13 als die Opferschicht erzeugt wird, durch die Schwerkraft von dem Siliziumsubstrat 10. Demgemäß kann das Reinigen unter Verwendung dieser Wirkung der Schwerkraft wirksam ausgeführt werden und daher kann der Effekt eines Entfernens von H2O als das Reaktionsprodukt verbessert werden. Deshalb ist dieses Verfahren bevorzugt.

Weiterhin kann in dem zweiten Verfahren das Edelgas, das für das Reinigen verwendet wird, in der Richtung entlang den Rillen 15, die die Strukturen 16 und 17 auf dem Siliziumsubstrat 10 definieren, in das Siliziumsubstrat 10 eingebracht werden.

Genauer gesagt dehnen sich in den 2A und 2B die Rillen 15, die die Strukturen 16 und 17 des Siliziumsubstrats 10 definieren, in der vertikalen Richtung der Zeichnungsoberfläche aus und diesem Fall wird das Edelgas, das für das Reinigen verwendet wird, in der gleichen Richtung eingebracht.

Gemäß diesem Verfahren kann das Edelgas für das Reinigen gleichmäßig entlang den Rillen 15 fließen, die die Strukturen 16 und 17 des Siliziumsubstrats 10 definieren, und daher kann das Reinigen wirksam durchgeführt werden. Deshalb kann der Effekt eines Entfernens von H2O als das Reaktionsprodukt verbessert werden und ist dieses Verfahren bevorzugt.

Drittes Verfahren: Bei diesem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird, wenn das Gasgemisch des Ätzgases und des Trägergases in dem Schritt eines Ätzens des eingegrabenen Oxidfilms 13 als die Opferschicht eingebracht wird, das Trägergas ausgenommen des Ätzgases in dem Schritt eines Entfernens von H2O als das Reaktionsprodukt eingebracht. Genauer gesagt wird, wie es in 2A gezeigt ist, ein trockenes Edelgas, wie zum Beispiel ein trockenes Stickstoffgas, Ar, He oder dergleichen, als das Trägergas verwendet und wird das Ätzgas (HF/Methanol) zusammen mit dem Trägergas in die Ätzkammer eingebracht, um den eingebetteten Oxidfilm 13 für eine feste Zeit zu ätzen.

Nachfolgend wechselt das Verfahren zu einem Schritt eines Fortsetzens, das Edelgas als das Trägergas zuzuführen und eines Stoppens einer Zufuhr von lediglich HF/Methanol als das Ätzgas, um dadurch H2O als das Reaktionsprodukt zu entfernen.

Demgemäß kann, wie es in 2B gezeigt ist, H2O, das an dem Siliziumsubstrat 10 haftet oder in der Nachbarschaft des Siliziumsubstrats 10 vorhanden ist, zweckmäßig zusammen mit dem Trägergas entfernt werden. Weiterhin wird das Ätzgas erneut eingebracht und wird das Ätzen des eingebetteten Oxidfilms 13 wiederholt. Dies ist das dritte Verfahren.

In diesem Fall können der Ätzschritt des eingebetteten Oxidfilms 13 und der Entfernungsschritt von H2O als das Reaktionsprodukt durchgängig durchgeführt werden. Weiterhin kann das Ätzen ohne Ändern von Ätzparametern, wie zum Beispiel dem Druck und der Temperatur in der Ätzkammer, die als die Reaktionskammer dient, durchgeführt werden und kann die Ätzstabilität verbessert werden.

Weiterhin ist es gemäß dem dritten Verfahren in dem Schritt eines Entfernens von H2O als das Reaktionsprodukt, wenn das Ätzgas ausgeschlossen ist und lediglich das Trägergas zugeführt wird, bevorzugt, Methanolgas zusätzlich zu dem Trägergas zuzuführen.

Gemäß diesem Verfahren weißt Methanol eine hohe Adsorptionseigenschaft bezüglich Wasser auf und daher weißt es eine große Wirkung eines Entfernens von H2O als das Reaktionsprodukt auf. Deshalb ist dieses Verfahren bevorzugt.

Wie es zuvor beschrieben worden ist, kann der Beschleunigungssensor 100 als die Mikrostruktur dieses Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung durch den Drahtabschnitts-Ausbildungsschritt, den Gaben-Ausbildungsschritt und den Opferschicht-Ätzschritt fertiggestellt werden. Als nächstes wird der Effekt usw. dieses Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung in zusammengefasster Form beschrieben.

Gemäß diesem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung werden bei dem Herstellungsverfahren eines Ausbildens der Strukturen 16 und 17 durch ein Trockenätzen der Opferschicht 13 in dem Siliziumsubstrat, das die Opferschicht 13 aufweist, bei welchem die Reaktionsprodukte, die H2O enthalten, durch die Reaktion zwischen der Opferschicht 13 und dem Ätzgas ein Herstellungsverfahren einer Mikrostruktur 100 geschaffen, das dadurch gekennzeichnet ist, dass der Schritt eines Ätzens der Opferschicht 13 und der Schritt eines Entfernens von H2O als das Reaktionsprodukt, das durch das Ätzen der Opferschicht 13 erzeugt wird, wiederholt ausgeführt.

Gemäß dem vorhergehenden Verfahren kann das Ätzen der Opferschicht 13 verbessert werden, während die Reaktionsprodukte und die Reststoffe entfernt werden und kann daher die Ätzausbreitung, die durch H2O als das Reaktionsprodukt verursacht wird, unterdrückt werden.

Demgemäß kann gemäß diesem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung bei dem Verfahren eines Herstellens der Mikrostruktur 100, in welcher die Strukturen 16 und 17 durch Trockenätzen der Opferschicht 13 ausgebildet werden, die an dem Siliziumsubstrat 10 vorgesehen ist, und ebenso die Reaktionsprodukte, die H2O enthalten, erzeugt werden, der Effekt von H2O als das Reaktionsprodukt bezüglich eines Ätzens ohne ein Erfordern einer komplizierten Struktur verringert werden.

Hierbei kann bei dem Herstellungsverfahren dieses Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung der Schritt eines Entfernens von H2O als das Reaktionsprodukt einen Schritt eines Evakuierens des Siliziumsubstrats 10 enthalten. Die Umgebung um das Siliziumsubstrat 10 wird durch Evakuieren in eine Atmosphäre mit verringertem Druck versetzt, sodass H2O als das Reaktionsprodukt ausgepumpt und zweckmäßig entfernt werden kann.

Bei dem Herstellungsverfahren dieses Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung kann das Evakuieren ausgeführt werden, während eine Druckänderung ausgeübt wird. Durch Ausführen des Evakuierens bezüglich des Siliziumsubstrats 10, während eine Druckänderung ausgeübt wird, kann der Effekt eines Entfernens von H2O als das Reaktionsprodukt verbessert werden.

Weiterhin beinhaltet bei dem Herstellungsverfahren dieses Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung der Schritt eines Entfernens von H2O als das Reaktionsprodukt den Schritt eines Ausführens des Reinigens unter Verwendung des trockenen Edelgases bezüglich des Siliziumsubstrats 10. Gemäß diesem Verfahren kann H2O als das Reaktionsprodukt, das an dem Siliziumsubstrat 10 haftet oder in der Nachbarschaft des Siliziumsubstrats 10 vorhanden ist, zusammen mit dem Edelgas als das Reinigungsgas zweckmäßig entfernt werden.

Weiterhin wird bei dem Herstellungsverfahren dieses Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung das Reinigen unter Verwendung des trokkenen Edelgases durchgeführt, während eine Druckänderung ausgeübt wird.

Gemäß diesem Verfahren kann der Effekt eines Entfernens von H2O als das Reaktionsprodukt verbessert werden und daher ist dieses Verfahren bevorzugt.

Weiterhin wird bei dem Herstellungsverfahren dieses Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung das Edelgas, das für das Reinigen verwendet wird, an der gleichen Position wie das Ätzgas eingebracht oder wird das Edelgas, das für das Reinigen verwendet wird, an einer Position eingebracht, die unterschiedlich zu der des Ätzgases ist. Gemäß diesem Verfahren kann die Zufuhrausbreitung des Edelgases bezüglich des Siliziumsubstrats 1 gleichmäßig gemacht werden.

Bei dem Herstellungsverfahren dieses Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung wird das Edelgas, das für das Reinigen verwendet wird, bezüglich des Siliziumsubstrats 10 eingebracht, während die Oberfläche des Siliziumsubstrats 10, an welcher sich die Strukturen 16 und 17 befinden, in der Schwerkraftrichtung ausgerichtet ist. Gemäß diesem Verfahren fällt H2O als das Reaktionsprodukt durch die Schwerkraft herunter und daher kann der Effekt eines Entfernens von H2O verbessert werden.

Weiterhin wird bei dem Herstellungsverfahren dieses Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung das Edelgas, das für das Reinigen verwendet wird, bezüglich des Siliziumsubstrats 10 von der Richtung entlang den Rillen 15 eingebracht, die die Strukturen 16 und 17 des Siliziumsubstrats 10 definieren. Gemäß diesem Verfahren kann das Edelgas, das für das Reinigen verwendet wird, gleichmäßig entlang den Rillen 15 fließen.

Bei dem Herstellungsverfahren dieses Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung beinhaltet, wenn das Ätzen der Opferschicht 13 ein Zuführen des Gasgemischs eines Ätzgases und eines Trägergases beinhaltet, das Entfernen von H2O als das Reaktionsprodukt lediglich ein Zuführen des Trägergases unter Ausschluss des Ätzgases.

Gemäß dem vorhergehenden Verfahren kann durch Zuführen des Trägergases unter Ausschluss des Ätzgases in dem Schritt eines Entfernens von H2O H2O als das Reaktionsprodukt, das an dem Siliziumsubstrat haftet oder in der Nachbarschaft des Siliziumsubstrats 10 vorhanden ist, zusammen mit dem Trägergas zweckmäßig entfernt werden.

Weiterhin wird bei dem Herstellungsverfahren dieses Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung in dem Schritt eines Entfernens von H2O als das Reaktionsprodukt, wenn das Trägergas unter Ausschluss des Ätzgases zugeführt wird, ebenso Methanol zusätzlich zu dem Trägergas zugeführt. Gemäß diesem Verfahren kann der Effekt eines Entfernens von H2O unter Verwendung der Wasserentfernungseigenschaft von Methanol verbessert werden, wie es zuvor beschrieben worden ist.

Nachstehend erfolgt die Beschreibung von weiteren Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung.

In dem vorhergehenden Ausführungsbeispiel wird das Entfernen von H2O als das Reaktionsprodukt gemäß den ersten bis dritten Verfahren ausgeführt. Als ein weiteres Verfahren kann H2O als das Reaktionsprodukt durch Aussetzen des Siliziumsubstrats 10 einer Wärmebehandlung verdampft werden.

Zum Beispiel wird die Opferschicht unter dem Zustand geätzt, dass das Siliziumsubstrat 10 mit einer Temperatur oder dergleichen durch eine Stromzufuhr in der Ätzkammer temperatursteuerbar ist und dann wird die Temperatur des Siliziumsubstrats 10 durch eine Erwärmungsvorrichtung erhöht, um H2O zu verdampfen. Dieser Zyklus wird wiederholt.

Das Entfernen von H2O als das Reaktionsprodukt kann Licht oder elektromagnetische Wellen auf das Siliziumsubstrat 10 strahlen.

Zum Beispiel wird eine Lichtbestrahlung einer ultravioletten Strahlung bzw. UV ausgeführt, um H2O als das Reaktionsprodukt zu zersetzen, und dadurch H2O zu entfernen. Weiterhin wird durch Bestrahlen mit einer elektromagnetischen Welle H2O durch die Wärme oder Energie der elektromagnetischen Welle zersetzt oder verdampft, um dadurch H2O zu entfernen.

Weiterhin wird die Wärmebehandlung oder die Bestrahlung mit Licht oder einer elektromagnetischen Welle an dem Siliziumsubstrat 10 zweckmäßig mit den ersten bis dritten Verfahren als der Schritt eines Entfernens von H2O als das Reaktionsprodukt kombiniert, so dass es erwartet wird, dass der Effekt eines Entfernens von H2O als das Reaktionsprodukt weiter verbessert werden kann.

Weiterhin beinhaltet bei dem vorhergehenden Ausführungsbeispiel ein Ausbilden des Grabens ein Ausbilden der Strukturen 16 und 17 durch Ätzen des Siliziumsubstrats 10. Jedoch ist das Ausbilden der Strukturen 16 und 17 nicht auf ein Ätzen beschränkt und sie können zum Beispiel durch eine mechanische Bearbeitung ausgebildet werden. Danach wird die Opferschicht geätzt, um die bewegliche Elektrode 16 gelöst zu machen.

In dem vorhergehenden Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird das SOI-Substrat 10 als das Siliziumsubstrat verwendet. Jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf das SOI-Substrat beschränkt und irgendein Siliziumsubstrat kann verwendet werden, solange es eine Opferschicht aufweist.

Weiterhin ist die vorliegende Erfindung nicht auf den kapazitiven Beschleunigungssensor beschränkt und kann die vorliegende Erfindung an irgendeinem Element angewendet werden, solange die Opferschicht, die an dem Siliziumsubstrat vorgesehen ist, trockengeätzt wird, um diese Strukturen auszubilden und die Reaktionsprodukte zu erzeugen, die H2O enthalten. Zum Beispiel kann die vorliegende Erfindung an einem Winkelgeschwindigkeitssensor oder einem Drucksensor angewendet werden.

Kurz gesagt beinhaltet gemäß der vorliegenden Erfindung bei dem Mikrostruktur-Herstellungsverfahren, in welchem die Opferschicht des Siliziumsubstrats trockengeätzt wird, um die Strukturen auszubilden und die Opferschicht mit dem Ätzgas reagiert, um durch die Reaktion zwischen der Opferschicht und dem Ätzgas H2O zu erzeugen, ein Ätzen der Opferschicht ein wiederholtes Ätzen der Opferschicht und ein Entfernen von H2O als das Reaktionsprodukt, das durch das Ätzen der Opferschicht erzeugt wird. Die detaillierten Sachen können gemäß Aufbau und Forderungen usw. geändert werden.

Ein zuvor beschriebenes Verfahren eines Herstellens einer Mikrostruktur beinhaltet ein Trockenätzen einer Opferschicht, die an einem Siliziumsubstrat vorgesehen ist, um Strukturen auszubilden, wobei die Opferschicht mit einem Ätzgas reagiert, um Reaktionsprodukte zu erzeugen, die H2O beinhalten, wobei das Trockenätzen ein Ätzen der Opferschicht und ein Entfernen von H2O als eines der Reaktionsprodukte aufweist, die durch den Ätzschritt der Opferschicht erzeugt werden, wobei das Ätzen und das Entfernen von H2O wiederholt durchgeführt werden.


Anspruch[de]
  1. Verfahren eines Herstellens einer Mikrostruktur, das ein Trockenätzen einer Opferschicht (13) aufweist, die an einem Siliziumsubstrat (10) vorgesehen ist, um Strukturen (16, 17) auszubilden, wobei die Opferschicht (13) mit dem Ätzgas reagiert, um Reaktionsprodukte zu erzeugen, die H2O beinhalten, wobei das Trockenätzen ein Ätzen der Opferschicht und ein Entfernen von H2O als eines der Reaktionsprodukte beinhaltet, die durch den Ätzschritt der Opferschicht erzeugt werden, wobei das Ätzen und das Entfernen von H2O wiederholt durchgeführt werden.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei ein Ätzgasgemisch aus wasserfreiem HF-Gas und Methanolgas aufweist.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Entfernen von H2O als das Reaktionsprodukt weiterhin ein Entfernen von H2O durch Evakuieren aufweist.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei das Evakuieren ausgeführt wird, während eine Druckänderung ausgeübt wird.
  5. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Entfernen von H2O als das Reaktionsprodukt ein Durchführen eines Reinigens unter Verwendung eines trockenen Edelgases auf dem Siliziumsubstrat beinhaltet.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, wobei das Reinigen, das das trockene Edelgas verwendet, durchgeführt wird, während eine Druckänderung ausgeübt wird.
  7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, wobei das Edelgas, das bei dem Reinigen verwendet wird, an der gleichen Position wie das Ätzgas in das Siliziumsubstrat eingebracht wird.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, wobei das Edelgas, das bei dem Reinigen verwendet wird, an einer unterschiedlichen Position zu der Einbringposition des Ätzgases in das Siliziumsubstrat eingebracht wird.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 8, wobei das Edelgas, das bei dem Reinigen verwendet wir, in das Siliziumsubstrat eingebracht wird, während eine Ebene des Siliziumsubstrats an der Strukturseite in der Schwerkraftrichtung ausgerichtet ist.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 9, wobei das Edelgas, das bei dem Reinigen verwendet wird, in einer Richtung entlang Rillen, die die Struktur in dem Siliziumsubstrat definieren, eingebracht wird.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei der Schritt eines Ätzens der Opferschicht ein Gasgemisch eines Ätzgases und eines Trägergases zuführt und der Schritt eines Entfernens von H2O als das Reaktionsprodukt ein Trägergas unter Ausschluss des Ätzgases zuführt.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei das trockene Edelgas als das Trägergas verwendet wird.
  13. Verfahren nach Anspruch 1 1 oder 12, wobei dann, wenn das Ätzgas ausgeschlossen ist und das Trägergas zugeführt wird, ein Methanolgas zusätzlich zu dem Trägergas in dem Schritt eines Entfernens von H2O als das Reaktionsprodukt zugeführt wird.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei der Schritt eines Entfernens von H2O als das Reaktionsprodukt eine Wärmebehandlung bezüglich des Siliziumsubstrats durchführt, um H2O als das Reaktionsprodukt zu verdampfen.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, wobei der Schritt eines Entfernens von H2O als das Reaktionsprodukt Licht oder elektromagnetische Wellen abstrahlt, um H2O zu entfernen.
Es folgen 2 Blatt Zeichnungen






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