PatentDe  


Dokumentenidentifikation DE112004001788T5 20.07.2006
Titel Ein Verfahren zum Herstellen eines ferroelektrischen Kondensators und ein ferroelektrisches Kondensatorbauelement
Anmelder Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
Erfinder Lian, Jingyu, Wallkill, N.Y., US;
Egger, Ulrich, 01067 Dresden, DE;
Zhuang, Haoren, Wallkill, N.Y., US
Vertreter Jannig & Repkow Patentanwälte, 86199 Augsburg
DE-Aktenzeichen 112004001788
Vertragsstaaten AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, EP, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW, BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW, AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR, BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG, BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG
WO-Anmeldetag 31.08.2004
PCT-Aktenzeichen PCT/SG2004/000266
WO-Veröffentlichungsnummer 2005031814
WO-Veröffentlichungsdatum 07.04.2005
Date of publication of WO application in German translation 20.07.2006
Veröffentlichungstag im Patentblatt 20.07.2006
IPC-Hauptklasse H01L 21/02(2006.01)A, F, I, 20060421, B, H, DE
IPC-Nebenklasse H01L 21/3213(2006.01)A, L, I, 20060421, B, H, DE   

Beschreibung[de]
Erfindungsgebiet

Die vorliegende Erfindung betrifft Verfahren zum Herstellen eines ferroelektrischen Kondensators und ein ferroelektrisches Kondensatorbauelement, insbesondere ein ferroelektrisches Kondensatorbauelement reduzierter Höhe.

Allgemeiner Stand der Technik

Ein herkömmlicher ferroelektrischer Kondensator enthält eine oder mehrere ferroelektrische Schichten, die zwischen einer unteren Elektrode und einer oberen Elektrode geschichtet sind. Die eine oder die mehreren ferroelektrischen Schichten können beispielsweise PZT, SBT oder BLT enthalten. Der Kondensator ist mit einer oder mehreren Zwischenschichtdielektrikumsschichten bedeckt, normalerweise Tetraethylorthosilikat (TEOS), und ein Anschluß an die obere Elektrode wird erzielt durch Ätzen eines Fensters durch die eine oder mehreren Zwischenschichtdielektrikumsschichten und Füllen des Fensters mit einem Metallfüllmittel. Die untere Elektrode ist an einem Substrat befestigt, wobei der elektrische Anschluß an der unteren Elektrode über einen Metallplug durch das Substrat erfolgt. Zur Herstellung der Verbindung zwischen der unteren Elektrode und dem Plug wird durch die eine oder die mehreren Zwischenschichtdielektrikumsschichten, durch die anderen Schichten des Kondensators und in dem Plug ein Fenster ausgebildet. Ein Liner wird in diesem Fenster ausgebildet und ein Metallfüllmittel wird im Boden des Fensters abgeschieden, um den Kontakt zwischen der unteren Elektrode und dem Plug herzustellen. Der Liner und das Metallfüllmittel werden geätzt, um nur den Kontakt zum Plug zurückzulassen. Kapselungsschichten und Deckschichten werden hinzugefügt, um den resultierenden Kondensator zu schützen.

Bei der Herstellung herkömmlicher Kondensatoren werden bekannterweise die oberen und unteren Elektroden in separaten Prozessen geätzt, und in jedem Fall wird zum Definieren des Ätzmusters eine Hartmaske verwendet. Normalerweise bleibt der Rest der Hartmaske nach dem Ätzen in situ zurück, und weitere Schichten werden wie erforderlich über den Resten der Hartmaske abgeschieden, und diese Reste und Schichten werden in das entgültige Bauelement integriert. Dies erhöht die Höhe des resultierenden Kondensatorbauelements.

Aufgrund der typischen Höhe von herkömmlichen ferroelektrischen Kondensatoren (etwa 17600 Angstrom (A), wobei etwa ein Drittel davon auf das Vorliegen der Hartmaskenschichten zurückzuführen ist) kann eine Reihe von Problemen entstehen. Beispielsweise erschwert das typische Seitenverhältnis zwischen der Länge des Fensters zu der unteren Elektrode und der Breite des Fensters (in der Regel 4:1) das Abscheiden eines Liners (beispielsweise aus VO) darin. Aufgrund der Höhe herkömmlicher Kondensatoren ist es zudem schwierig, in einem Bauelement, wo der Platz begrenzt ist, eine Reihe derartiger Kondensatoren aufzunehmen.

Angesichts der obigen Probleme mit herkömmlichen Prozessen und Bauelementen besteht ein Bedarf an einem leicht angewendeten Verfahren zum Herstellen von Kondensatoren mit geringer als herkömmlicher Höhe ohne Reduzierung der Produktionsausbeute oder das Kompromittieren der Leistung.

Kurze Darstellung der Erfindung

Die vorliegende Erfindung schlägt allgemein vor, daß die nach der Beendigung des Ätzens der oberen und unteren Elektroden zurückbleibenden Reste der Hartmaske entfernt werden, um die Höhe des fertiggestellten Bauelements auf beispielsweise etwa 9800 Angstrom signifikant zu reduzieren. Dies wird als besonders vorteilhaft angesehen, da es eine Reduzierung der Höhe des Bauelements gestattet, ohne daß die Leistung des Bauelements kompromittiert wird.

Zudem kann das Seitenverhältnis zwischen der Länge des Fensters zu der unteren Elektrode und der Breite des Fensters (in der Regel 4:1 bei herkömmlichen Bauelementen) in Bauelementen gemäß der vorliegenden Erfindung bis auf ein Verhältnis von weniger als 3:1 reduziert werden, was das leichtere Einfügen des Kontaktliners in das Fenster ermöglicht und die TiN-Abscheidung in dem ausgekleideten Fenster erleichtert.

Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelements bereitgestellt, das folgendes aufweist: ein Substrat, einen Kontaktplug durch das Substrat, eine erste Barrierenschicht auf dem Substrat, eine erste Elektrode auf der ersten Barrierenschicht, eine Dielektrikumsschicht auf der ersten Elektrode und eine zweite Elektrode auf der Dielektrikumsschicht, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfaßt:

Ausbilden einer ersten Hartmaske über der zweiten Elektrode;

Ätzen der zweiten Elektrode und der Dielektrikumsschicht des Bauelements unter Verwendung der ersten Hartmaske zum Formen der zweiten Elektrode und der Dielektrikumsschicht;

Entfernen der ersten Hartmaske;

Aufbringen einer oder mehrerer kapselnder Schichten auf der zweiten Elektrode und der Dielektrikumsschicht;

Aufbringen einer zweiten Hartmaske auf der einen oder den mehreren kapselnden Schichten;

Ätzen der ersten Elektrode gemäß der zweiten Hartmaske bis hinunter auf die erste Barrierenschicht und Entfernen der zweiten Hartmaske von der einen oder den mehreren kapselnden Schichten.

Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Bauelement bereitgestellt, das folgendes umfaßt:

ein Substrat;

einen durch das Substrat verlaufenden Kontaktplug;

eine auf dem Substrat ausgebildete erste Barrierenschicht;

eine auf der ersten Barrierenschicht ausgebildete erste Elektrode;

eine auf der ersten Elektrode ausgebildete Dielektrikumsschicht;

eine auf der ferroelektrischen Schicht ausgebildete zweite Elektrode;

eine direkt auf der zweiten Elektrode ausgebildete erste Kapselungsschicht;

eine oder mehrere weitere, direkt auf der ersten Kapselungsschicht ausgebildete Kapselungsschichten, wobei die eine oder mehreren weiteren Kapselungsschichten sich bis zu der ersten Elektrode erstrecken, um Seitenflächen der Dielektrikumsschicht zu schützen;

eine oder mehrere, auf der einen oder mehreren weiteren Kapselungsschichten ausgebildete Deckschichten.

Gemäß einem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein ferroelektrisches Kondensatorbauelement bereitgestellt, das das oben definierte Bauelement umfaßt.

Gemäß einem vierten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Bauelement bereitgestellt, das gemäß dem oben definierten Verfahren ausgebildet ist.

Gemäß einem fünften Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Direktzugriffsspeicherbauelement bereitgestellt, das ein oder mehrere oben definierte Bauelemente umfaßt.

Kurze Beschreibung der Figuren

Lediglich zur Veranschaulichung werden nun unter Bezugnahme auf die folgenden Figuren bevorzugte Merkmale der Erfindung beschrieben. Es zeigen:

1a eine schematische Querschnittsansicht eines Kondensators in einem ersten Stadium der Ausbildung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

1b eine schematische Querschnittsansicht eines Kondensators in einem zweiten Stadium der Ausbildung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

1c eine schematische Querschnittsansicht eines Kondensators in einem dritten Stadium der Ausbildung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

2a eine schematische Querschnittsansicht eines Kondensators in einem vierten Stadium der Ausbildung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

2b eine schematische Querschnittsansicht eines Kondensators in einem fünften Stadium der Ausbildung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

2c eine schematische Querschnittsansicht eines Kondensators in einem sechsten Stadium der Ausbildung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

3a bzw. 3b zeigen schematische Querschnittsansichten eines Kondensators gemäß der Erfindung in dem siebten Stadium der Fertigstellung und einen Kondensator nach dem Stand der Technik vor der Fertigstellung, bei dem nur die Fenster und Elektrodenanschlüsse hinzugefügt werden müssen, wobei sich der Kondensator von 3b nach dem Stand der Technik in einem gleichwertigen Stadium der Fertigstellung wie der in 3a gezeigte Kondensator gemäß der vorliegenden Erfindung befindet.

Ausführliche Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen

1a bis 3a zeigen die verschiedenen Verarbeitungsstadien eines Bauelements wie etwa eines ferroelektrischen Kondensators gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Ein ferroelektrischer Kondensator 1, wie etwa der in 1a gezeigte, besteht aus einer an einem Substrat 4 angebrachten unteren Elektrode 2, und ein Metallplug 6 ist ausgebildet, der sich durch das Substrat 4 hindurch erstreckt, um eine elektrische Verbindung zu der unteren Elektrode 2 über den Metallplug 6 herzustellen. Eine erste Barrierenschicht 8 ist auf der Oberfläche des Substrats 4 abgeschieden, und eine zweite Barrierenschicht 10 ist auf der ersten Barrierenschicht 8 abgeschieden. Die Barrierenschichten 8, 10 bestehen aus stromleitendem Material.

Die untere Elektrode 2 ist auf der zweiten Barrierenschicht 10 abgeschieden. Eine Schicht 12 bespielsweise aus Titan (Ti), oder eine Sauerstoffelektrode, beispielsweise SrRuO3 (SRO) ist auf der Oberfläche der unteren Elektrode 2 aufgebracht. Die Schicht 12 ist effektiv ein oberer Teil der unteren Elektrode 2. Die obere Elektrode 16 (die aus Platin (Pt) ausgebildet sein kann) ist auf der ferroelektrischen Schicht 14 abgeschieden. Eine Reihe Kapselungsschichten 18, 20, beispielsweise zwei Schichten, wie in 1a gezeigt, sind über der oberen Elektrode 16 abgeschieden. Eine Hartmaske 22 bespielsweise aus Tetraethylorthosilikat (TEOS) ist über den Kapselungsschichten 18, 20 abgeschieden. Dann wird die Hartmaske 22 strukturiert.

1b zeigt das nächste Stadium beim Produktionsprozeß, das ein RIE (reaktives Ionenätzen) der Kapselungsschichten 18, 20, der oberen Elektrode 16 und der Schicht aus ferroelektrischem Material 14 entsprechend der Hartmaske 22 beinhaltet, um das Material in getrennte Kondensatoren 24, 26 mit einer gemeinsamen unteren Elektrode 2 zu unterteilen. Die Kondensatoren 24, 26 sind durch ein Fenster 28 getrennt.

1c zeigt das nächste Stadium beim Produktionsprozeß, bei dem die über den Kapselungsschichten 18, 20 aufgebrachte Hartmaske 22 in einem Prozeß trockengeätzt wird, der im Vergleich zu beispielsweise SRO oder Pt eine hohe Ätzselektivität von TEOS aufweist. Dieses Trockenätzen greift dadurch die Hartmaske 22 (TEOS-Schicht) schneller an als die anderen Schichten wie etwa die Schicht 12 oder die obere Elektrode 16. Bei einer bevorzugten Ausführungsform kann das Bauelement dann ausgeheilt werden.

2a zeigt das vierte Stadium des Prozesses. Eine Reihe Schichten, beispielsweise zwei Schichten 29 und 30, werden dann zur Kapselung über den beiden Kondensatoren 24, 26 aufgebracht.

2b zeigt das fünfte Stadium des Prozesses, bei dem eine Hartmaske 32 für die untere Elektrode über den Kapselungsschichten 29, 30 aufgebracht wird. Die Maskenstruktur wird dann auf die Hartmaske 32 lithographiert. Eine RIE (reaktive Ionenätzung) wird auf das Bauelement 1 angewendet, um die untere Elektrode 2 entsprechend der Maskenstruktur zu gestalten, wobei die RIE bei der ersten Barrierenschicht 8 stoppt.

2c zeigt das sechste Stadium des Prozesses. Unter Verwendung eines weiteren Prozesses wie etwa eines Trockenätzprozesses des oben beschriebenen Typs wird die Hartmaske 32 für die untere Elektrode von der Oberfläche der Kondensatoren 24, 26 entfernt, wobei restliches Hartmaskenmaterial 32 in dem Fenster 28 zwischen den beiden Kondensatoren 24, 26 zurückbleibt.

Die erste Barrierenschicht 8 wird dann bis zum Substrat 4 durchgeätzt, um die Gestalt der ersten Barrierenschicht 8 zu definieren. Eine Reihe von Deckschichten 34, 36 (beispielsweise zwei Schichten, wie in 2c gezeigt) werden über beiden individuellen Kondensatoren 24, 26 abgeschieden und erstrecken sich von dem Substrat 4 ab, um die Kapselungsschichten 29, 30 abzudecken.

3a zeigt das siebte Stadium des Prozesses, bei dem eine Zwischenschichtdielektrikumsschicht 38 über den Deckschichten 34, 36 abgeschieden wird.

Das Bauelement ist nun dazu bereit, daß nicht gezeigte Kontaktfenster für die oberen Elektroden 16 jedes Kondensators 24, 26 durch das Zwischenschichtdielektrikum 38, die Deckschichten 34 und 36, die Kapselungsschichten 29, 30, 18, 20 und in die oberen Elektroden 16 ausgebildet werden. Diese Kontaktfenster werden dann mit einem Kontaktmetall gefüllt, um einen Kontakt zwischen der jeweiligen oberen Elektrode 16 und einer auf der Oberfläche der Zwischenschichtdielektrikumsschicht 38 abgelegten Zwischenbauelementverbindungsschicht auszubilden, wobei herkömmliche Verfahren vewendet werden. Analog wird ein nicht gezeigtes Fenster zu dem Plug 6 geschnitten, das mit einem Liner ausgekleidet wird, und ein Metallfüllmaterial wird in das ausgekleidete Fenster eingefügt, um einen elektrischen Kontakt zwischen der unteren Elektrode 2 und dem Plug 6 herzustellen. Der Liner und das Füllmaterial werden dann zurückgeätzt, um lediglich den Metallkontakt zwischen der unteren Elektrode 4 und dem Plug 6 zurückzulassen.

3b zeigt zum Vergleich ein unter Verwendung eines herkömmlichen Prozesses hergestelltes herkömmliches Bauelement. Die Arten von Schichten des herkömmlichen Bauelements, die den Arten von Schichten in dem Bauelement gemäß der vorliegenden Erfindung entsprechen, erhielten die gleichen Referenzzahlen wie jene in 1 bis 3a. Anhand eines Vergleichs der 3a und 3b ist ersichtlich, daß die Höhe des gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellten Bauelements, wie in 3a gezeigt, etwa fünfundfünfzig Prozent der Höhe des unter Verwendung herkömmlicher Verfahren hergestellten Bauelements beträgt, wie in 3b veranschaulicht. Herkömmliche Bauelemente wie jene in 3b gezeigten weisen in der Regel eine Höhe von etwa 17600 Angstrom auf, was bei Bauelementen gemäß der vorliegenden Erfindung auf etwa 9800 Angstrom reduziert werden kann. Andere typische Bauelemente könnten eine Höhe von etwa 8200 Angstrom aufweisen, was bei Bauelementen gemäß der vorliegenden Erfindung auf etwa 5400 Angstrom reduziert werden kann.

Auch kann das Seitenverhältnis zwischen der Länge des Fensters zu der unteren Elektrode und der Breite des Fensters (in der Regel 4:1 bei herkömmlichen Bauelementen) in Bauelementen gemäß der vorliegenden Erfindung bis auf ein Verhältnis von weniger als 3:1 dadurch reduziert werden, was das leichtere Einfügen des Kontaktliners in das Fenster ermöglicht und die TiN-Abscheidung in das ausgekleidete Fenster erleichtert.

Es ist somit ersichtlich, daß die vorliegende Erfindung gegenüber herkömmlichen Prozessen und Bauelementen besonders vorteilhaft ist, da sie sich leicht anwenden läßt und die Produktion eines Bauelements ermöglicht, das im Vergleich zu Bauelementen, die unter Verwendung herkömmlicher Verfahren produziert werden, eine signifikant reduzierte Höhe aufweist, wodurch mehr die Erfindung verkörpernde Bauelemente in Systemen verwendet werden können, wo der Platz begrenzt ist. Es wird zudem angenommen, daß bei Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung BEOL-Schäden, die bei Verwendung herkömmlicher Prozesse auftreten, reduziert oder unterdrückt werden können.

Die Systeme und Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung können besonders nützlich sein bei der Herstellung von Bauelementen zum Einsatz beispielsweise als ferroelektrische Direktzugriffsspeicher.

Verschiedene Modifikationen können an den oben beschriebenen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung vorgenommen werden. Beispielsweise können andere Materialien und Verfahrensschritte hinzugefügt oder für die obigen substituiert werden. Obwohl die Erfindung oben anhand bestimmter Ausführungsformen beschrieben worden ist, sind somit innerhalb des Schutzbereichs der Ansprüche viele Variationen möglich, wie für den Fachmann ersichtlich, ohne vom Gedanken und Schutzbereich der Erfindung abzuweichen.

Zusammenfassung:

Ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelements und ein Bauelement wie etwa ein ferroelektrischer Kondensator mit einem Kontaktplug durch das Substrat, einer ersten Barrierenschicht auf dem Substrat, einer ersten Elektrode auf der ersten Barrierenschicht, einer Dielektrikumsschicht auf der ersten Elektrode und einer zweiten Elektrode auf der Dielektrikumsschicht, umfaßt das Ätzen der zweiten Elektrode und der Dielektrikumsschicht des Bauelements unter Verwendung einer ersten Hartmaske, um die zweite Elektrode und die Dielektrikumsschicht zu formen. Die erste Hartmaske wird dann entfernt und eine oder mehrere Kapselungsschichten werden auf der zweiten Elektrode und der Dielektrikumsschicht aufgebracht. Eine weitere Hartmaske wird auf der einen oder den mehreren Kapselungsschichten aufgebracht. Die erste Elektrode wird dann entsprechend der zweiten Hartmaske bis hinunter auf die erste Barrierenschicht geätzt, und die zweite Hartmaske wird dann von der einen oder den mehreren Kapselungsschichten entfernt.


Anspruch[de]
  1. Verfahren zum Herstellen eines Bauelements, das folgendes aufweist: ein Substrat, einen Kontaktplug durch das Substrat, eine erste Barrierenschicht auf dem Substrat, eine erste Elektrode auf der ersten Barrierenschicht, eine Dielektrikumsschicht auf der ersten Elektrode und eine zweite Elektrode auf der Dielektrikumsschicht, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfaßt:

    Ausbilden einer ersten Hartmaske über der zweiten Elektrode;

    Ätzen der zweiten Elektrode und der Dielektrikumsschicht des Bauelements unter Verwendung der ersten Hartmaske zum Formen der zweiten Elektrode und der Dielektrikumsschicht;

    Entfernen der ersten Hartmaske;

    Aufbringen einer oder mehrerer kapselnder Schichten auf der zweiten Elektrode und der Dielektrikumsschicht;

    Aufbringen einer zweiten Hartmaske auf der einen oder den mehreren kapselnden Schichten;

    Ätzen der ersten Elektrode gemäß der zweiten Hartmaske bis hinunter auf die erste Barrierenschicht und Entfernen der zweiten Hartmaske von der einen oder den mehreren kapselnden Schichten.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, weiterhin mit dem Ätzen der ersten Barrierenschicht durch das Substrat nach dem Schritt des Entfernens der zweiten Hartmaske von einer oder mehreren kapselnden Schichten.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, weiterhin mit dem Aufbringen einer oder mehrerer Deckschichten auf den Bauelementen nach dem Schritt des Ätzens der ersten Barrierenschicht.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, weiterhin mit dem Ausheilen des Bauelements nach dem Schritt des Entfernens der ersten Hartmaske.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt des Entfernens der ersten Hartmaske das Anwenden eines Trockenätzprozesses umfaßt.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt des Entfernens der ersten Hartmaske das Anwenden eines Trockenätzprozesses mit einer hohen Ätzselektivität der Zwischenschichtdielektrikumsschicht relativ zu der ersten und/oder der zweiten Elektrode umfaßt.
  7. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt des Ausbildens einer Dielektrikumsschicht auf der ersten Elektrode das Ausbilden einer ferroelektrischen Schicht auf der ersten Elektrode umfaßt.
  8. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt des Ätzens der zweiten Elektrode und der Dielektrikumsschicht das Ätzen der zweiten Elektrode und der Dielektrikumsschicht umfaßt, um das Bauelement in eine Reihe von Bauelementen mit einer gemeinsamen ersten Elektrode zu unterteilen.
  9. Bauelement, das folgendes umfaßt:

    ein Substrat;

    einen durch das Substrat verlaufenden Kontaktplug;

    eine auf dem Substrat ausgebildete erste Barrierenschicht;

    eine auf der ersten Barrierenschicht ausgebildete erste Elektrode;

    eine auf der ersten Elektrode ausgebildete Dielektrikumsschicht;

    eine auf der ferroelektrischen Schicht ausgebildete zweite Elektrode;

    eine direkt auf der zweiten Elektrode ausgebildete erste Kapselungsschicht;

    eine oder mehrere weitere, direkt auf der ersten Kapselungsschicht ausgebildete Kapselungsschichten, wobei die eine oder mehreren weiteren Kapselungsschichten sich bis zu der ersten Elektrode erstrecken, um Seitenflächen der Dielektrikumsschicht zu schützen;

    eine oder mehrere, auf der einen oder mehreren weiteren Kapselungsschichten ausgebildete Deckschichten.
  10. Bauelement nach Anspruch 9, wobei die erste Barrierenschicht eine stromleitende Schicht ist.
  11. Bauelement nach Anspruch 9, weiterhin mit einer oder mehreren weiteren Barrierenschichten auf der ersten Barrierenschicht.
  12. Bauelement nach Anspruch 9, wobei die Dielektrikumsschicht aus einem ferroelektrischen Material ausgebildet ist.
  13. Bauelement nach Anspruch 9, wobei die Dielektrikumsschicht aus PZT ausgebildet ist.
  14. Bauelement nach Anspruch 9, weiterhin mit einer oder mehreren Oxidelektrodenschichten zwischen der ersten Elektrode und der Dielektrikumsschicht.
  15. Bauelement nach Anspruch 14, wobei die eine oder mehreren Oxidelektrodenschichten SrRuO3 umfassen.
  16. Bauelement nach Anspruch 9, wobei die eine oder mehreren Deckschichten sich bis zu dem Substrat erstrecken.
  17. Ferroelektrisches Kondensatorbauelement, das das Bauelement von Anspruch 9 umfaßt.
  18. Bauelement, gemäß dem Verfahren von Anspruch 1 ausgebildet.
  19. Direktzugriffsspeicherbauelement, das ein oder mehrere Bauelemente nach Anspruch 9 umfaßt.
Es folgen 5 Blatt Zeichnungen






IPC
A Täglicher Lebensbedarf
B Arbeitsverfahren; Transportieren
C Chemie; Hüttenwesen
D Textilien; Papier
E Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Physik
H Elektrotechnik

Anmelder
Datum

Patentrecherche

Patent Zeichnungen (PDF)

Copyright © 2008 Patent-De Alle Rechte vorbehalten. eMail: info@patent-de.com