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Dokumentenidentifikation DE69930037T2 03.08.2006
EP-Veröffentlichungsnummer 0001014391
Titel Monolitischer Baustein aus Halbleiterkeramik
Anmelder Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo, Kyoto, JP
Erfinder Kawamoto, Mitsutoshi,c/o Murata Manufacturing, Nagaokakyo-shi,Kyoto-fu 617-8555, JP
Vertreter Rechts- und Patentanwälte Lorenz Seidler Gossel, 80538 München
DE-Aktenzeichen 69930037
Vertragsstaaten DE, FR, GB
Sprache des Dokument EN
EP-Anmeldetag 03.11.1999
EP-Aktenzeichen 991217993
EP-Offenlegungsdatum 28.06.2000
EP date of grant 01.03.2006
Veröffentlichungstag im Patentblatt 03.08.2006
IPC-Hauptklasse H01C 7/02(2006.01)A, F, I, 20051017, B, H, EP
IPC-Nebenklasse H01C 1/14(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, EP   

Beschreibung[de]
ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK 1. Erfindungsgebiet

Die vorliegende Erfindung betrifft monolithische halbleitende keramische Elektronikkomponenten, und die Erfindung betrifft insbesondere eine halbleitende Keramikkomponente mit Bariumtitanat als Hauptbestandteil und mit einem positiven Temperatur-Widerstands-Koeffizienten.

2. Beschreibung des verwandten Stands der Technik

Herkömmliche halbleitende Keramiken auf Bariumtitanatbasis werden viel für Anwendungen wie etwa die Temperatursteuerung, Überstromschutz und isothermisches Heizen eingesetzt, weil die halbleitenden Keramiken auf Bariumtitanatbasis positive Widerstands-Temperatur-Charakteristiken (im weiteren als „PTC-Charakteristiken" bezeichnet) aufweisen, bei denen der spezifische Widerstand bei Raumtemperatur gering ist und der Widerstand bei einer Temperatur über dem Curie-Punkt abrupt zunimmt. Insbesondere wird ein geringer Widerstand bei Raumtemperatur bei Elektronikkomponenten für den Überstromschutz von Schaltungen gewünscht. Bei USB-(Universal Serial Bus)-Computerperipheriegeräten sind kleine halbleitende Keramikkomponenten mit geringem spezifischem Widerstand und hoher Stehspannung erforderlich.

Als Antwort auf derartige Nachfragen wird in der japanischen ungeprüften Patentveröffentlichung Nr. 57-60802 eine monolithische halbleitende keramische Elektronikkomponente offenbart. Bei der monolithischen halbleitenden keramischen Elektronikkomponente werden halbleitende Keramikschichten mit Bariumtitanat als Hauptbestandteil und internen Elektrodenschichten aus einer Pt-Pd-Legierung abwechselnd abgeschieden und integral gebrannt. Durch Konstruieren eines derartigen mehrschichtigen Aufbaus nimmt die Elektrodenfläche in der halbleitenden keramischen Elektronikkomponente stark zu, und die Größe der Elektronikkomponente selbst kann reduziert werden. Es ist jedoch schwierig, einen ohmschen Kontakt zwischen den internen Elektrodenschichten und den Halbleiterschichten in der monolithischen halbleitenden keramischen Elektronikkomponente zu erhalten, was zu einer starken Erhöhung des Widerstands bei Raumtemperatur führt.

Eine monolithische halbleitende keramische Elektronikkomponente ist auch aus der japanischen ungeprüften Patentveröffentlichung Nr. 6-151103 bekannt, bei der ein Metall auf Ni-Basis als Material für interne Elektroden anstelle der Pt-Pd-Legierung verwendet wird. Das Material für interne Elektroden unter Verwendung des Metalls auf Ni-Basis wird bei Brennen in Luft oxidiert, weshalb das Material nach dem Brennen in einer reduzierenden Atmosphäre einer Reoxidationsbehandlung bei einer Temperatur unterzogen werden muß, die das Metall auf Ni-Basis nicht oxidiert. Da ein ohmscher Kontakt zwischen den internen Elektroden und den halbleitenden Keramikschichten erhalten werden kann, kann eine Zunahme des Widerstands bei Raumtemperatur vermieden werden. Da jedoch die Reoxidationsbehandlung bei niedrigen Temperaturen erforderlich ist, um zu verhindern, daß das Metall auf Ni-Basis oxidiert, ist die Breite der Schwankung des spezifischen Widerstands bei weniger als zwei Einheiten gering.

Eine monolithische halbleitende keramische Elektronikkomponente ist auch aus der japanischen ungeprüften Patentveröffentlichung Nr. 1-11302 bekannt, bei der die mittlere Teilchengröße einer halbleitenden Keramik und die Dicke einer halbleitenden Keramikschicht berücksichtigt werden. Bei der monolithischen halbleitenden keramischen Elektronikkomponente beträgt die Dicke der Halbleiterschicht mindestens das Fünffache der mittleren Teilchengröße der halbleitenden Keramik, und die mittlere Teilchengröße der halbleitenden Keramik beträgt 1 bis 30 &mgr;m. Durch Konstruieren eines derartigen Aufbaus können halbleitende Keramikschichten und interne Elektroden miteinander in ohmschen Kontakt gebracht werden und eine Verschlechterung der PTC-Charakteristiken kann vermieden werden. Die keramische Elektronikkomponente weist jedoch eine unzureichende Stehspannung auf, was beim praktischen Einsatz zu Problemen führt.

Aus EP 0 739 019 A1 ist ein mehrschichtiger keramischer Chipkondensator bekannt, der mehrere abwechselnde halbleitende Bariumtitanat-Keramikschichten und interne Elektrodenschichten und externe Elektroden, die elektrisch mit den internen Elektronikschichten verbunden sind, umfaßt. Die Keramikteilchen der halbleitenden Keramikschichten weisen eine mittlere Teilchengröße von 0,15 bis 0,5 &mgr;m auf. Bei einem Beispiel sind die dielektrischen Schichten 3 &mgr;m dick.

KURZE DARSTELLUNG DER ERFINDUNG

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Bereitstellung einer monolithischen halbleitenden keramischen Elektronikkomponente, bei der die Größe der Elektronikkomponente selbst reduziert werden kann, der Widerstand bei Raumtemperatur nur etwa 0,2 &OHgr; oder weniger beträgt, die Breite der Schwankung des spezifischen Widerstands etwa 2,5 Einheiten oder mehr beträgt und die Stehspannung bis zu etwa 10 V oder mehr beträgt.

Die vorliegende Erfindung wurde angesichts der oben beschriebenen Aufgabe erreicht.

Bei einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung, der durch Anspruch 1 definiert wird, enthält eine monolithische halbleitende keramische Elektronikkomponente halbleitende Keramikschichten auf Bariumtitanatbasis und interne Elektrodenschichten, die abwechselnd abgeschieden werden, und externe Elektroden, die elektrisch mit den internen Elektrodenschichten verbunden sind. Die Keramikteilchen der halbleitenden Keramikschichten weisen eine mittlere Teilchengröße von etwa 1 &mgr;m oder weniger auf, und eine mittlere Anzahl an keramischen Teilchen pro Schicht in der Richtung senkrecht zu den halbleitenden Keramikschichten beträgt etwa 10 oder mehr.

Durch Konstruieren eines derartigen Aufbaus wird die Größe reduziert und die halbleitende keramische Elektronikkomponente wird bei Raumtemperatur einen geringen Widerstand, eine große Breite der Schwankung beim spezifischen Widerstand und eine hohe Stehspannung aufweisen. Das heißt, durch Einstellen der mittleren Teilchengröße auf etwa 1 &mgr;m oder weniger kann die Stehspannung verbessert werden. Da pro Schicht eine große Anzahl von keramischen Teilchen vorliegt, können die halbleitenden Keramikschichten dünner sein. Indem die mittlere Anzahl an keramischen Teilchen pro Schicht in der Richtung senkrecht zu den halbleitenden Keramikschichten bei etwa 10 oder mehr liegt, kann eine Zunahme des Widerstands bei Raumtemperatur aufgrund von Diffusion von Bestandteilen der internen Elektroden in die halbleitenden Keramikschichten vermieden werden.

Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bestehen die internen Elektrodenschichten bevorzugt aus einem Metall auf Nickelbasis in der monolithischen halbleitenden keramischen Elektronikkomponente.

Indem als ein Material für die internen Elekrodenschichten das Metall auf Nickelbasis verwendet wird, werden die halbleitenden Keramikschichten und die internen Elektrodenschichten sicher in ohmschen Kontakt miteinander gebracht, wodurch man eine Erhöhung des Widerstands bei Raumtemperatur vermeiden und die Breite der Schwankung beim spezifischen Widerstand in der halbleitenden keramischen Elektronikkomponente erhöhen kann. Selbst wenn die Reoxidationsbehandlung bei niedrigen Temperaturen durchgeführt wird, um nicht die aus dem Metall auf Nickelbasis bestehenden internen Elektroden zu oxidieren, kann die Breite der Schwankung beim spezifischen Widerstand in der halbleitenden keramischen Elektronikkomponente erhöht werden.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNG

1 ist eine schematische Schnittansicht einer monolithischen halbleitenden keramischen Elektronikkomponente gemäß der vorliegenden Erfindung.

BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN

Eine monolithische halbleitende keramische Elektronikkomponente in der vorliegenden Erfindung enthält halbleitende Keramikschichten, interne Elektrodenschichten und externe Elektrodenschichten.

Die halbleitenden Keramikschichten bestehen aus einem Halbleitermaterial mit Bariumtitanat als Hauptbestandteil, in dem gegebenenfalls Ba teilweise durch Ca, Sr, Pb oder dergleichen und Ti teilweise durch Sn, Zr oder dergleichen substituiert sein kann. Als Dotierstoff, um der halbleitenden Keramik halbleitende Charakteristiken zu verleihen, kann ein Seltenerdelement wie etwa La, Y, Sm, Ce, Dy oder Gd oder ein Übergangselement wie etwa Nb, Ta, Bi, Sb oder W verwendet werden. Außerdem kann gegebenenfalls der halbleitenden Keramik ein Oxid oder eine Verbindung zugesetzt werden, die Si, Mn oder dergleichen enthält.

Die halbleitenden Keramikschichten enthalten keramische Teilchen mit einer mittleren Teilchengröße von etwa 1 &mgr;m oder weniger, und zwar wegen der Tatsache, daß, wenn die mittlere Teilchengröße von keramischen Teilchen über etwa 1 &mgr;m liegt, die Stehspannung der halbleitenden Keramik abnimmt. So lange solche keramischen Teilchen erhalten werden, ist die Herstellung von Bariumtitanatpulver nicht auf ein spezifisches Verfahren beschränkt. Beispielsweise kann ein Sol-Gel-Prozeß, Hydrothermalsynthese, ein Mitfällungsverfahren oder eine Festphasensynthese verwendet werden. Bevorzugt beträgt bei Betrachtung über Röntgenstrahlenfotoelektronenspektroskopie („XPS" – X-ray Photoelectron Spectroscopy) das BaCO3/BaO-Verhältnis etwa 0,42 oder weniger, die Gitterkonstante beträgt etwa 0,4020 nm oder mehr, und das Ba/Ti-Verhältnis liegt im Bereich zwischen etwa 0,990 und 1,000. Der Sinter aus Bariumtitanat weist bevorzugt ein relatives intensives Intensitätsverhältnis von BaCO3 zu BaO von etwa 0,50 oder weniger bei Betrachtung durch XPS auf.

Bei den halbleitenden Keramikschichten beträgt die mittlere Anzahl an keramischen Teilchen pro Schicht in der Richtung senkrecht zu den halbleitenden Keramikschichten etwa 10 oder mehr, und zwar aufgrund der Tatsache, daß, wenn die mittlere Anzahl an keramischen Teilchen pro Schicht unter etwa 10 liegt, die Diffusion von Bestandteilen der internen Elektroden in die halbleitende Keramikschichten und somit der spezifische Widerstand der halbleitenden Keramikschichten bei Raumtemperatur zunimmt und auch die Stehspannung als Reaktion auf eine Reduzierung der Breite der Schwankung beim spezifischen Widerstand abnimmt. Die Zunahme des spezifischen Widerstands bei Raumtemperatur aufgrund von Diffusion von Bestandteilen der internen Elektroden in die halbleitenden Keramikschichten wird verursacht, weil die diffundierten Bestandteile der internen Elektroden so angesehen werden, daß sie Titan in dem Bariumtitanat substituieren und ein Akzeptor werden.

Wenngleich die Dicke der halbleitenden Keramikschicht als Reaktion auf den erforderlichen spezifischen Widerstand bei Raumtemperatur verstellt wird, wird bevorzugt die Dicke auf etwa 100 &mgr;m oder weniger eingestellt, um eine Erhöhung des spezifischen Widerstands bei Raumtemperatur zu vermeiden.

Als Material für die internen Elektroden kann ein Metall auf Ni-Basis, ein Metall auf Mo-Basis, ein Metall auf Cr-Basis und eine Legierung daraus verwendet werden. Angesichts eines sicheren ohmschen Kontakts mit den halbleitenden Keramikschichten wird bevorzugt das Metall auf Ni-Basis verwendet.

Hinsichtlich der externen Elektroden kann zwar Ag, Pd oder eine Legierung daraus verwendet werden, doch ist das Metall nicht darauf beschränkt.

Die vorliegende Erfindung wird auf der Basis von Beispielen ausführlicher beschrieben.

BEISPIELE

Ein Verfahren zum Herstellen monolithischer halbleitender keramischer Elektronikkomponenten in der vorliegenden Erfindung wird beschrieben. 1 ist eine schematische Schnittansicht einer monolithischen halbleitenden keramischen Elektronikkomponente gemäß der vorliegenden Erfindung.

Beispiel 1

Zuerst wurden getrennt in Gefäßen 15,40 leiner 0,2 mol/l Bariumhydroxid-Lösung (mit 3,079 mol Ba) und 7,58 l einer 0,35 mol/l Ti-Alkoxid-Lösung (mit 2,655 mol Ti) hergestellt. In der Ti-Alkoxid-Lösung wurde Titan-Tetraisopropoxid in Isopropylalkohol gelöst. Zudem wurden 100 ccm Lanthamchlorid, das in Ethanol gelöst war (mit 0,00664 mol La) homogen in die Ti-Alkoxid-Lösung eingemischt.

Die Lösungen in den individuellen Gefäßen wurden dann mit einem statischen Mischgerät vermischt, um eine Reaktion hervorzurufen, und die entstehende Lösung wurde 3 Stunden lang in einem Reifegefäß aufbewahrt. Als nächstes wurden eine Dehydrierung und Reinigung durchgeführt, gefolgt vom Trocknen bei 110°C für 3 Stunden. Eine Pulverisierung wurde dann vorgenommen, um La-haltiges feines Bariumtitanatpulver zu erhalten. Das La-haltige feine Bariumtitanatpulver wies ein Ba/Ti-Verhältnis von 0,993 und ein La/Ti-Verhältnis von 0,0021 auf.

Das La-haltige Bariumtitanatpulver wurde 2 Stunden lang bei 1.000°C calciniert, und ein organisches Lösungsmittel, ein organisches Bindemittel, ein Weichmacher usw. wurden hinzugesetzt, um eine Keramikaufschlemmung herzustellen. Durch einen Rakelprozeß wurde eine ungebrannte Keramikfolie erhalten. Eine interne Elektrode wurde ausgebildet durch Siebdrucken einer Ni-Elektrodenplatte auf die ungebrannte Keramikfolie. Die ungebrannten Keramikfolien wurden derart laminiert, daß die Elektroden alternativ freigelegt wurden, und das Pressen wurde ausgeführt, gefolgt vom Schneiden, um ein Laminat auszubilden. Bei dem Laminat der vorliegenden Erfindung wurde eine ungebrannte blinde Keramikfolie erhalten, in der keine interne Elektrode gedruckt ist, und über jede der oberen und unteren Oberflächen gepreßt.

Das Laminat wurde dann einer Bindemittelentfernungsbehandlung in Luft unterzogen, und das Brennen wurde in einer stark reduzierenden Atmosphäre 2 Stunden lang mit einem Wasserstoff-Stickstoff-Verhältnis von 3/100 durchgeführt, und so wurde ein mehrschichtiger Sinter 3 mit halbleitenden Keramikschichten 5 und internen Elektroden 7 erhalten. Nach dem Brennen wurde eine Reoxidationsbehandlung eine Stunde lang in Luft bei 600 bis 1.000°C durchgeführt. Eine leitende Silberpaste wurde auf die Oberflächen zur Verbindung mit den internen Elektroden 7 aufgetragen, und Wärmebehandlung wurde in Luft durchgeführt, um externe Elektroden 9 auszubilden, und so wurde eine monolithische halbleitende keramische Elektronikkomponente 1 erhalten.

Bei der wie oben beschrieben erhaltenen monolithischen halbleitenden keramischen Elektronikkomponente wurden die mittlere Anzahl an keramischen Teilchen pro Schicht in der Richtung senkrecht zu den halbleitenden Keramikschichten und die mittlere Teilchengröße der keramischen Teilchen variiert, indem die Dicke der eingebrannten Keramikfolien und die Brenntemperatur variiert wurden. Durch Variieren der Anzahl der Abscheidungen der halbleitenden Keramikschichten wurde zudem der Widerstand bei Raumtemperatur verstellt. Die mittlere Anzahl an keramischen Teilchen pro Schicht wurde über REM beobachtet durch Auswählen beliebiger 10 Punkte eines polierten Querschnitts, in dem die halbleitenden Keramikschichten eingebettet und geätzt waren. Die mittlere Teilchengröße der keramischen Teilchen wurde durch Analyse der REM-Aufnahmen der Oberflächen und Querschnitte der Proben berechnet. Als nächstes wurde der Widerstand bei Raumtemperatur, die Breite der Schwankung beim spezifischen Widerstand und die Stehspannung bezüglich der individuellen Proben gemessen. Der Widerstand bei Raumtemperatur wurde unter Verwendung eines digitalen Spannungsmeßgeräts über ein Vierpolverfahren gemessen. Die Breite der Schwankung beim spezifischen Widerstand (Einheiten) wurde berechnet durch Dividieren des größten Widerstands durch den kleinsten Widerstand im Bereich von Raumtemperatur bis 250°C und unter Verwendung des gemeinen Logarithmus davon. Die Stehspannung wurde als die größte angelegte Spannung unmittelbar vor dem Durchbruch des Elements eingestellt. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 gezeigt. Ein Stern in der Tabelle zeigt, daß sich die Probe außerhalb des Schutzbereichs der vorliegenden Erfindung befindet.

Wie aus Tabelle 1 hervorgeht, liegt der Widerstand bei Raumtemperatur unter 0,2 &OHgr;, die Breite der Schwankung beim spezifischen Widerstand beträgt 2,5 Einheiten oder mehr und die Stehspannung beträgt 10 V oder mehr bei den Proben mit einer mittleren Teilchengröße der keramischen Teilchen von etwa 1 &mgr;m oder weniger und einer mittleren Anzahl an keramischen Teilchen in der Richtung senkrecht zu der halbleitenden Keramikschicht von etwa 10 oder mehr.

Beispiel 2

Abgesehen von der Tatsache, daß die Calcinierungstemperatur auf 1.100°C eingestellt war, wurden die monolithischen halbleitenden keramischen Elektronikkomponenten auf eine Weise hergestellt, die der in Beispiel 1 ähnlich ist, und der Widerstand bei Raumtemperatur, die Breite der Schwankung beim spezifischen Widerstand und die Stehspannung wurden gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 gezeigt. Ein Stern in der Tabelle zeigt, daß die Probe außerhalb des Schutzbereichs der vorliegenden Erfindung liegt.

Wie in Tabelle 2 gezeigt, liegt bezüglich der bei 1.100°C calcinierten Proben, wenn die mittlere Teilchengröße an keramischen Teilchen etwa 1 &mgr;m oder weniger beträgt und wenn die mittlere Anzahl an keramischen Teilchen in der Richtung senkrecht zu den halbleitenden Keramikschichten etwa 10 oder mehr beträgt, der Widerstand bei Raumtemperatur unter 0,2 &OHgr;, die Breite der Schwankung beim spezifischen Widerstand beträgt 3,0 Einheiten oder mehr und die Stehspannung beträgt 20 V oder mehr, wodurch besonders ausgezeichnete Charakteristiken entstehen.

Auf der Basis der Meßergebnisse in den Beispielen 1 und 2 werden die Gründe zum Begrenzen der mittleren Teilchengröße der keramischen Teilchen und der mittleren Anzahl an keramischen Teilchen in der Richtung senkrecht zu den halbleitenden Keramikschichten unten beschrieben.

Die mittlere Teilchengröße der keramischen Teilchen wird deshalb auf etwa 1 &mgr;m oder weniger eingestellt, da, wie aus den Proben Nr. 4, 5, 14 und 15 hervorgeht, wenn die mittlere Teilchengröße der keramischen Teilchen über 1 &mgr;m liegt, die Stehspannung unter 20 V ist, was unerwünscht ist.

Die mittlere Anzahl an keramischen Teilchen in der Richtung senkrecht zu den halbleitenden Keramikschichten wird deshalb auf etwa 10 oder mehr eingestellt, da, wie aus den Proben Nr. 6, 7, 16 und 17 hervorgeht, wenn die mittlere Anzahl an keramischen Teilchen in der Richtung senkrecht zu den halbleitenden Keramikschichten unter 10 liegt, der Widerstand bei Raumtemperatur stark zunimmt und die Breite der Schwankung beim spezifischen Widerstand und die Stehspannung stark abnehmen, was unerwünscht ist.

Bei einer monolithischen Halbleiterelektronikkomponente in der vorliegenden Erfindung werden halbleitende Keramikschichten auf Bariumtitanatbasis und interne Elektrodenschichten abwechselnd abgeschieden und externe Elektroden werden ausgebildet, um elektrisch mit den internen Elektrodenschichten verbunden zu sein. Keramische Teilchen, die die halbleitenden Keramikschichten darstellen, von denen jede zwischen den internen Elektrodenschichten angeordnet ist, weisen eine mittlere Teilchengröße von etwa 1 &mgr;m oder weniger auf, und die mittlere Anzahl an keramischen Teilchen in der Richtung senkrecht zu den halbleitenden Keramikschichten beträgt etwa 10 oder mehr. Somit kann die Größe der Komponente reduziert werden und die halbleitende keramische Elektronikkomponente kann einen niedrigen Widerstand bei Raumtemperatur, eine breite Schwankung beim spezifischen Widerstand und eine hohe Stehspannung aufweisen.

Da die internen Elektroden aus einem Metall auf Nickelbasis bestehen, können die halbleitenden Keramikschichten und die internen Elektroden sicher in ohmschen Kontakt miteinander gebracht werden, eine Erhöhung des Widerstands bei Raumtemperatur kann vermieden werden und die Breite der Schwankung beim spezifischen Widerstand kann vergrößert werden.


Anspruch[de]
  1. Monolithische halbleitende keramische Elektronikkomponente mit positiven Widerstands-Temperatur-Charakteristiken, umfassend:

    mehrere abwechselnde halbleitende keramische Bariumtitanat-Schichten (5) und interne Elektrodenschichten (7) und

    externe Elektroden (9), die elektrisch mit den internen Elektrodenschichten (7) verbunden sind; wobei die keramischen Teilchen der halbleitenden Keramikschichten (5) eine mittlere Teilchengröße von 1 &mgr;m oder weniger aufweisen und die mittlere Anzahl an keramischen Teilchen pro Schicht in der Richtung senkrecht zu den Halbleiterschichten 10 oder mehr beträgt.
  2. Monolithische halbleitende keramische Elektronikkomponente nach Anspruch 1, wobei die internen Elektrodenschichten Nickel umfassen.
  3. Monolithische halbleitende keramische Elektronikkomponente nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Keramikteilchen eine mittlere Teilchengröße von 0,8 bis 1 &mgr;m aufweisen.
  4. Monolithische halbleitende keramische Elektronikkomponente nach einem der Ansprüche 1–3, wobei die mittlere Anzahl an Keramikteilchen pro Schicht in der Richtung senkrecht zu den Halbleiterschichten 10 bis 40 beträgt.
  5. Monolithische halbleitende keramische Elektronikkomponente nach einem der Ansprüche 1–4, wobei bei Röntgenstrahlenfotoelektronenspektroskopie das BaCO3/BaO-Verhältnis bezüglich der Keramikteilchen 0,42 oder weniger beträgt, die Gitterkonstante bezüglich der Keramikteilchen 0,4020 nm oder mehr beträgt, das Ba/Ti-Verhältnis bezüglich der Keramikteilchen im Bereich zwischen 0,990 und 1,000 liegt und das relative Intensitätsverhältnis von BaCO3 zu BaO bezüglich des gesinterten Körpers 0,50 oder weniger beträgt.
  6. Monolithische halbleitende keramische Elektronikkomponente nach einem der Ansprüche 1–5, wobei das Barium in dem Bariumtitanat teilweise durch Ca, Sr oder Pb substituiert wird.
  7. Monolithische halbleitende keramische Elektronikkomponente nach einem der Ansprüche 1–6, wobei das Titan in dem Bariumtitanat teilweise durch Sn oder Zr substituiert ist.
  8. Monolithische halbleitende keramische Elektronikkomponente nach einem der Ansprüche 1–7, wobei das Bariumtitanat dotiert ist.
  9. Monolithische halbleitende keramische Elektronikkomponente nach Anspruch 8, wobei das Bariumtitanat mit La dotiert ist.
Es folgt ein Blatt Zeichnungen






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